一種應(yīng)用于mems麥克風(fēng)的高溫貼膜及mems麥克風(fēng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜及MEMS麥克風(fēng)，第一膜層、第一膠層上設(shè)有透氣通孔，第二膜層包括用于和第一膜層貼附的黏結(jié)區(qū)以及位于透氣通孔上方的非黏結(jié)區(qū)；該非黏結(jié)區(qū)從透氣通孔的位置貫通至第二膜層的至少一邊。本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，通過(guò)在聲孔的端面上設(shè)置的高溫貼膜，封裝內(nèi)部膨脹的氣體可從非黏結(jié)區(qū)形成的流通通道中迅速排出，有效地解決了振膜破裂的問(wèn)題，大大較低了回流焊工藝的廢品率。同時(shí)，本實(shí)用新型的高溫貼瞋，通過(guò)第一膜層、第一膠層，增大了第二膜層上非黏結(jié)區(qū)至聲孔端面的距離，也就是說(shuō)，增大了該流通通道的體積，提高了該流通通道的流通能力，解決了單層貼膜結(jié)構(gòu)無(wú)法將膨脹氣體迅速排出的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】—種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜及MEMS麥克風(fēng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及MEMS麥克風(fēng)領(lǐng)域，更準(zhǔn)確地說(shuō)，涉及一種可以防止外界異物進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)內(nèi)部的高溫貼膜；本實(shí)用新型還涉及一種應(yīng)用此高溫貼膜的MEMS麥克風(fēng)。

【背景技術(shù)】
[0002]MEMS (微型機(jī)電系統(tǒng))麥克風(fēng)是基于MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)，簡(jiǎn)單地說(shuō)就是將一個(gè)電容器集成在微硅晶片上。目前，MEMS麥克風(fēng)已經(jīng)成為市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、藍(lán)牙耳機(jī)等移動(dòng)終端上。
[0003]MEMS麥克風(fēng)包括外部封裝結(jié)構(gòu)，以及收容在該封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的MEMS芯片和ASIC芯片，該外部封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有供聲音穿入的聲孔，聲音進(jìn)入到封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部后，帶動(dòng)振膜振動(dòng)，從而將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
[0004]在制造MEMS麥克風(fēng)的時(shí)候，為了避免焊錫、灰塵等外界異物從聲孔進(jìn)入到封裝內(nèi)部，通常會(huì)在聲孔的端面上貼附一層高溫貼膜，該高溫貼膜可以起到一個(gè)很好的遮蔽作用。
[0005]然而，MEMS麥克風(fēng)的振膜是一種非常薄的材料，在進(jìn)行回流焊的時(shí)候，由于溫度的上升，封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的氣體迅速膨脹，由于封裝結(jié)構(gòu)的聲孔被高溫貼膜封住，使得腔體內(nèi)的氣體無(wú)法迅速排出，很容易造成振膜的破裂。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜，在防止異物進(jìn)入的同時(shí)，可以保證MEMS麥克風(fēng)的良好透氣性。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0008]一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜，包括第一膜層，以及位于第一膜層下方用于將第一膜層貼附在聲孔端面上的第一膠層，所述第一膜層、第一膠層上設(shè)有用于和聲孔對(duì)應(yīng)的透氣通孔；還包括位于第一膜層上方的第二膜層，所述第二膜層包括用于和第一膜層貼附的黏結(jié)區(qū)以及位于透氣通孔上方的非黏結(jié)區(qū)；該非黏結(jié)區(qū)從透氣通孔的位置貫通至第二膜層的至少一邊。
[0009]優(yōu)選的是，所述透氣通孔的直徑大于聲孔的直徑。
[0010]優(yōu)選的是，所述非黏結(jié)區(qū)的寬度大于透氣通孔的直徑。
[0011]優(yōu)選的是，在第一膠層一側(cè)的下端還黏結(jié)有用于構(gòu)成撕除區(qū)的第三膜層。
[0012]優(yōu)選的是，所述第一膜層、第二膜層、第三膜層為PI膜。
[0013]優(yōu)選的是，所述第二膜層為無(wú)紡布。
[0014]本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種MEMS麥克風(fēng)，包括封裝結(jié)構(gòu)以及收容在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的MEMS芯片、ASIC芯片，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有供聲音穿入的聲孔，在聲孔的端面上貼附有上述的高溫貼膜。
[0015]本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，通過(guò)在聲孔的端面上設(shè)置的高溫貼膜，由于第二膜層的遮擋，可有效防止焊錫、灰塵、氣流等外界異物通過(guò)聲孔進(jìn)入到MEMS麥克風(fēng)的封裝內(nèi)部，以對(duì)MEMS麥克風(fēng)造成影響。當(dāng)在進(jìn)行回流焊的時(shí)候，封裝內(nèi)部膨脹的氣體可從由聲孔、第一膜層和第一膠層上的透氣通以及第二膜層非黏結(jié)區(qū)形成的流通通道中迅速排出，有效地解決了振膜破裂的問(wèn)題，大大較低了回流焊工藝的廢品率。
[0016]同時(shí)，本實(shí)用新型的高溫貼膜，通過(guò)第一膜層、第一膠層，增大了第二膜層上非黏結(jié)區(qū)至聲孔端面的距離，也就是說(shuō)，增大了該流通通道的體積，提高了該流通通道的流通能力，解決了單層貼膜結(jié)構(gòu)無(wú)法將膨脹氣體迅速排出的問(wèn)題。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1示出了本實(shí)用新型高溫貼膜的仰視圖。
[0018]圖2示出了圖1中沿A-A處的剖面圖。
[0019]圖3示出了本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)的俯視圖。
[0020]圖4示出了圖3中沿B-B處的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題、采用的技術(shù)方案、取得的技術(shù)效果易于理解，下面結(jié)合具體的附圖，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0022]參考圖1至圖2，本實(shí)用新型提供的一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜，包括兩個(gè)膜層，分別記為位于下方的第一膜層3以及位于上方的第二膜層I,第一膜層3的下方設(shè)有第一膠層4，通過(guò)該第一膠層4可將第一膜層3貼附在設(shè)置聲孔的端面上。所述第一膜層3、第一膠層4上與聲孔對(duì)應(yīng)的位置開(kāi)設(shè)有透氣通孔30、40，以防止第一膜層3、第一膠層4將聲孔封住。
[0023]第二膜層I可通過(guò)另一膠層黏結(jié)在第一膜層3的上端面，該膠層在第二膜層I上的布置位置，使得該第二膜層I形成了黏結(jié)區(qū)2和非黏結(jié)區(qū)20。也就是說(shuō)第二膜層I上設(shè)置有膠層的區(qū)域?yàn)轲そY(jié)區(qū)2，沒(méi)有設(shè)置膠層的區(qū)域則為非黏結(jié)區(qū)20。第二膜層I通過(guò)黏結(jié)區(qū)2貼附在第一膜層3的上端面，而非黏結(jié)區(qū)20位于透氣通孔30、40的上方。換言之，第二膜層I上位于透氣通孔30、40上方的位置為沒(méi)有設(shè)置膠層的非黏結(jié)區(qū)20，該非黏結(jié)區(qū)20可基本位于透氣通孔30、40的正上方。而且該非黏結(jié)區(qū)20從透氣通孔的位置貫通至第二膜層I的至少一邊。例如該非黏結(jié)區(qū)20可從透氣通孔30、40的位置起只貫通至第二膜層I的一邊，使得透氣通孔30、40的三面均為黏結(jié)區(qū)20 ;也可以是，以第二膜層I為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)為例，該非黏結(jié)區(qū)20貫通第二膜層I的相對(duì)的兩邊(兩條長(zhǎng)邊或兩條短邊)或相鄰的兩邊(一條長(zhǎng)邊、一條短邊)，形成“一”字形或近似“L”形區(qū)域。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，還可以貫通其三邊形成“T”形結(jié)構(gòu)，或貫通其四邊形成“十”字形結(jié)構(gòu)，依次類推。該貫通的非黏結(jié)區(qū)20形成了從透氣通孔至外界的流通通道。
[0024]圖3、圖4為本實(shí)用新型高溫貼膜應(yīng)用在MEMS麥克風(fēng)上的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，包括外部的封裝結(jié)構(gòu)6，以及收容在封裝結(jié)構(gòu)6內(nèi)的MEMS芯片7、ASIC芯片8。該封裝結(jié)構(gòu)例如可以是一長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，在其中的一側(cè)例如上側(cè)設(shè)置一用于聲波進(jìn)入的聲孔。通過(guò)第一膠層4將高溫貼膜貼附在封裝結(jié)構(gòu)的上端面(聲孔所在的端面)，并使第一膜層3、第一膠層4上的透氣通孔30、40位于聲孔的上方，以防止第一膜層3、第二膠層4封住聲孔。
[0025]本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，通過(guò)在聲孔的端面上設(shè)置的高溫貼膜，由于第二膜層I的遮擋，可有效防止焊錫、灰塵、氣流等外界異物通過(guò)聲孔進(jìn)入到MEMS麥克風(fēng)的封裝內(nèi)部，以對(duì)MEMS麥克風(fēng)造成影響。當(dāng)在進(jìn)行回流焊的時(shí)候，封裝內(nèi)部膨脹的氣體可從由聲孔、第一膜層3和第一膠層4上的透氣通孔30、40以及第二膜層非黏結(jié)區(qū)20形成的流通通道中迅速排出，有效地解決了振膜破裂的問(wèn)題，大大較低了回流焊工藝的廢品率。
[0026]同時(shí)，本實(shí)用新型的高溫貼膜，通過(guò)第一膜層3、第一膠層4，增大了第二膜層I上非黏結(jié)區(qū)至聲孔端面的距離，也就是說(shuō)，增大了該流通通道的體積，提高了該流通通道的流通能力，解決了單層貼膜結(jié)構(gòu)無(wú)法將膨脹氣體迅速排出的問(wèn)題。
[0027]在本實(shí)用新型一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，為了進(jìn)一步增大流通通道的體積，所述透氣通孔30、40的直徑大于聲孔的直徑，這樣設(shè)計(jì)的另一優(yōu)點(diǎn)在于，可防止在回流焊等高溫作業(yè)中，膠層融化后從聲孔掉入至封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部。進(jìn)一步地，所述非黏結(jié)區(qū)20的寬度大于透氣通孔30、40的直徑。
[0028]本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)在裝配完成后，需要將高溫貼膜從封裝結(jié)構(gòu)上撕掉。為了便于將該高溫貼膜從封裝結(jié)構(gòu)上撕除，本實(shí)用新型在第一膠層4 一側(cè)的下端黏結(jié)有第三膜層5，構(gòu)成了本實(shí)用新型的撕除區(qū)。由于該第三膜層5的存在，可以防止高溫貼膜上的撕除區(qū)與封裝結(jié)構(gòu)的端面黏結(jié)在一起，從而可以方便操作人員借助該撕除區(qū)將整個(gè)高溫貼膜從封裝結(jié)構(gòu)上撕掉。
[0029]本實(shí)用新型的高溫貼膜，第二膜層I優(yōu)選采用無(wú)紡布，以提高第二膜層I的透氣性。當(dāng)然，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，所述第一膜層3、第二膜層1、第三膜層5可以采用PI膜，或其它耐高溫的材質(zhì)。
[0030]本實(shí)用新型已通過(guò)優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了詳盡的說(shuō)明。然而，通過(guò)對(duì)前文的研讀，對(duì)各實(shí)施方式的變化和增加對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。 申請(qǐng)人:的意圖是所有的這些變化和增加都落在了本實(shí)用新型權(quán)利要求所保護(hù)的范圍中。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜,其特征在于:包括第一膜層(3),以及位于第一膜層(3)下方用于將第一膜層(3)貼附在聲孔端面上的第一膠層(4)，所述第一膜層(3)、第一膠層(4)上設(shè)有用于和聲孔對(duì)應(yīng)的透氣通孔(30、40);還包括位于第一膜層(3)上方的第二膜層(I)，所述第二膜層(I)包括用于和第一膜層(3)貼附的黏結(jié)區(qū)(2)以及位于透氣通孔(30、40)上方的非黏結(jié)區(qū)(20);該非黏結(jié)區(qū)(20)從透氣通孔(30、40)的位置貫通至第二膜層(I)的至少一邊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫貼膜，其特征在于:所述透氣通孔(30、40)的直徑大于聲孔的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高溫貼膜，其特征在于:所述非黏結(jié)區(qū)(20)的寬度大于透氣通孔(30、40)的直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫貼膜，其特征在于:在第一膠層(4)一側(cè)的下端還黏結(jié)有用于構(gòu)成撕除區(qū)的第三膜層(5)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫貼膜，其特征在于:所述第一膜層(3)、第二膜層(I)、第三膜層(5)為PI膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫貼膜，其特征在于:所述第二膜層(I)為無(wú)紡布。
7.—種MEMS麥克風(fēng)，包括封裝結(jié)構(gòu)(6)以及收容在封裝結(jié)構(gòu)(6)內(nèi)的MEMS芯片(7)、ASIC芯片(8)，所述封裝結(jié)構(gòu)(6)上設(shè)有供聲音穿入的聲孔，在聲孔的端面上貼附有如權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述的高溫貼膜。
【文檔編號(hào)】H04R19/04GK204031452SQ201420485276
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
【發(fā)明者】張慶斌, 王友, 馬路聰 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司