Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，包括上變頻模塊和下變頻模塊。上變頻模塊的輸入端與調(diào)制解調(diào)器的輸出端連接，且上變頻模塊的輸出端與天線組件的輸入端連接。下變頻模塊的輸入端與天線組件的輸出端連接，且下變頻模塊的輸出端與調(diào)制解調(diào)器的輸入端連接。上變頻模塊或下變頻模塊包括若干利用系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)制造的SIP芯片，且各SIP芯片集成有若干電性連接且均采用半導(dǎo)體工藝制造的功能芯片。該Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)利用系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)使芯片數(shù)量大大減少，也減少了各芯片之間銅走線或者微帶線的數(shù)量，從而減小了Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)的占用面積，便于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì)。
【專利說明】
Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及Ka波段衛(wèi)星通信技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]在早期的衛(wèi)星通信中，主要通過若干主站完成主要的通信需求。主站通過有線連接的方式分發(fā)到不同的地區(qū)，故主站主要分布在城市的市區(qū)。主站的有線連接方式使得整個(gè)衛(wèi)星通信系統(tǒng)的架構(gòu)構(gòu)建即為不便且價(jià)格昂貴。
[0003]VSAT(Very Small Aperture Terminal，衛(wèi)星小站)衛(wèi)星通信系統(tǒng)能夠克服上述問題。在VSAT衛(wèi)星通信系統(tǒng)中，衛(wèi)星小站(VSAT)能夠廣泛地分布在不同的區(qū)域，除了在城市市區(qū)，還能夠分布于山區(qū)等。同時(shí)，VSAT衛(wèi)星通信系統(tǒng)能夠滿足互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)、語音/傳真服務(wù)、數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)等不同通信需求，從而得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
[0004]如圖1所示，VSAT衛(wèi)星通信系統(tǒng)通常包括一個(gè)主站12、衛(wèi)星轉(zhuǎn)發(fā)器13及分布在各個(gè)區(qū)域的衛(wèi)星小站11。衛(wèi)星轉(zhuǎn)發(fā)器13通常分布在赤道上方36000千米的地球同步軌道上。主站12是整個(gè)VSAT衛(wèi)星通信系統(tǒng)中的中央通信和監(jiān)控終端，通常需要全天候工作。主站12通過直接發(fā)送信號(hào)到分布在不同區(qū)域的衛(wèi)星小站11來控制并與各衛(wèi)星小站11進(jìn)行通信。如圖2所示，衛(wèi)星小站11包括一個(gè)室外單元15和一個(gè)室內(nèi)單元14。其中，室內(nèi)單元14包含用來交互的設(shè)備，例如調(diào)制解調(diào)器、計(jì)算機(jī)設(shè)備，且室內(nèi)單元14通過有線方式連接室外單元15。室外單元15包括天線組件17、收發(fā)機(jī)16以及其他配件。天線組件17中包括反射器、饋源、安裝底座等。收發(fā)機(jī)16包含上變頻模塊(BUC，block up converter)、下變頻模塊(LNB，low noiseblock)以及其他收發(fā)組件部分。
[0005]另外，基于可用帶寬傳輸容量大的優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)需求，Ka波段通信衛(wèi)星市場(chǎng)的需求越來越大，Ka波段主要為26.5?40GHz。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球三十余家衛(wèi)星運(yùn)營(yíng)商中，已經(jīng)啟動(dòng)或者正在啟動(dòng)Ka波段衛(wèi)星項(xiàng)目的有二十余家。相應(yīng)地，地面終端市場(chǎng)也將取得較大發(fā)展，衛(wèi)星終端使用量將達(dá)到百萬部級(jí)別，因此全球衛(wèi)星行業(yè)進(jìn)入Ka時(shí)代的步伐在加快。而在VSAT衛(wèi)星通信系統(tǒng)中，收發(fā)機(jī)是衛(wèi)星小站11的通信核心部分。對(duì)于波長(zhǎng)更短的Ka波段來說，收發(fā)機(jī)中PCB電路板的加工工藝則有更嚴(yán)格的要求。因此，如何提高收發(fā)機(jī)的性能并且減少成本是收發(fā)機(jī)產(chǎn)品面向商業(yè)化的關(guān)鍵一步。
[0006]然而，在傳統(tǒng)的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)中，上變頻模塊、下變頻模塊均包括較多的功能芯片以及晶體管，且這些功能芯片和晶體管均分立排布于對(duì)應(yīng)的PCB電路板上，各分立的功能芯片和晶體管之間通過銅走線或者微帶線連接。因此，傳統(tǒng)的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)占用的面積較大，使得整個(gè)產(chǎn)品的尺寸無法縮小。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)占用面積較大的問題，提供一種Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)。
[0008]一種Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，包括上變頻模塊和下變頻模塊，所述上變頻模塊的輸入端與調(diào)制解調(diào)器的輸出端連接，且所述上變頻模塊的輸出端與天線組件的輸入端連接;所述下變頻模塊的輸入端與所述天線組件的輸出端連接，且所述下變頻模塊的輸出端與所述調(diào)制解調(diào)器的輸入端連接；
[0009]同時(shí)，所述上變頻模塊或下變頻模塊包括若干利用系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)制造的SIP芯片，且各所述SIP芯片集成有若干電性連接且均采用半導(dǎo)體工藝制造的功能芯片。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述上變頻模塊包括第一SIP芯片，且所述第一SIP芯片集成有第一本振信號(hào)發(fā)生器及第一本振信號(hào)放大器。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述上變頻模塊還包括相連接的第二SIP芯片及第三SIP芯片;
[0012]所述第二SIP芯片集成有第一放大器及第一混頻器，且所述第一混頻器用于連接所述調(diào)制解調(diào)器;所述第三SIP芯片集成有第二放大器和第三放大器。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述上變頻模塊還包括微帶線濾波器及第一功率放大器；所述微帶線濾波器連接于所述第一 SIP芯片與第二 SIP芯片之間；所述第三SIP芯片還與所述第一功率放大器連接;所述第一功率放大器還用于連接所述天線組件。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述下變頻模塊包括第四SIP芯片;所述第四SIP芯片集成有第二本振信號(hào)發(fā)生器及第二本振信號(hào)放大器。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述下變頻模塊還包括相連接的第五SIP芯片及第六SIP芯片;
[0016]所述第五SIP芯片集成有若干級(jí)放大器，且所述第五SIP芯片還用于連接所述天線組件;所述第六SIP芯片集成有若干級(jí)濾波器。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述下變頻模塊還包括本振信號(hào)濾波器、第二混頻器、混頻信號(hào)濾波器及第二功率放大器；
[0018]所述本振信號(hào)濾波器連接于所述第四SIP芯片與所述第二混頻器之間；所述第二混頻器還分別與所述第六SIP芯片、所述混頻信號(hào)濾波器連接;所述混頻信號(hào)濾波器還與所述第二功率放大器連接;所述第二功率放大器還用于連接所述調(diào)制解調(diào)器。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SIP芯片包括襯底，且各所述功能芯片以層疊或并排的方式集成于所述襯底上。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，各所述SIP芯片通過表面貼裝技術(shù)安裝于所述上變頻模塊或下變頻模塊對(duì)應(yīng)的PCB板。
[0021 ]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述上變頻模塊和下變頻模塊共同安裝于同一塊PCB板上。
[0022]上述Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)具有的有益效果為:在該Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)中，上變頻模塊或下變頻模塊包括若干利用系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)制造的SIP芯片，且各SIP芯片集成有若干電性連接且均采用半導(dǎo)體工藝制造的功能芯片。因此，該Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)利用系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)使芯片數(shù)量大大減少，而且也減少了各芯片之間銅走線或者微帶線的數(shù)量，從而減小了整個(gè)Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)的占用面積，便于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì)。
【附圖說明】

[0023]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他實(shí)施例的附圖。
[0024]圖1為VSAT衛(wèi)星通信系統(tǒng)的組成結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為圖1所示的VSAT衛(wèi)星通信系統(tǒng)中衛(wèi)星小站的組成結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為一實(shí)施例提供的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)的相關(guān)組成結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為圖3所示實(shí)施例的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)中上變頻模塊的電氣連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為圖3所示實(shí)施例的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)中下變頻模塊的電氣連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6為圖3所示實(shí)施例的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)中的SIP芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本實(shí)用新型的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0031]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在實(shí)用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0032]一實(shí)施例提供了一種Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，如圖3所示，包括上變頻模塊100和下變頻模塊200。上變頻模塊100的輸入端與調(diào)制解調(diào)器300的輸出端連接，且上變頻模塊100的輸出端與天線組件400的輸入端連接。下變頻模塊200的輸入端與天線組件400的輸出端連接，且下變頻模塊200的輸出端與調(diào)制解調(diào)器300的輸入端連接。
[0033]天線組件400包括天線、饋源等結(jié)構(gòu)，用于發(fā)射或接收Ka波段高頻信號(hào)。需要說明的是，Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)至少包括上變頻模塊100和下變頻模塊200，還可以包括其他結(jié)構(gòu)，例如正交模轉(zhuǎn)換器。
[0034]上變頻模塊100用于對(duì)調(diào)制解調(diào)器300發(fā)送的信號(hào)進(jìn)行上變頻，并將上變頻處理后的信號(hào)發(fā)送至天線組件400。其中，調(diào)制解調(diào)器300發(fā)送的信號(hào)通常為中頻信號(hào)，該中頻信號(hào)經(jīng)過上變頻模塊100后，被上變頻為Ka波段高頻發(fā)射信號(hào)，并最終通過天線組件400發(fā)射出去。
[0035]下變頻模塊200用于對(duì)天線組件400發(fā)送的信號(hào)進(jìn)行下變頻，并將下變頻處理后的信號(hào)發(fā)送至調(diào)制解調(diào)器300。其中，天線組件400發(fā)送至下變頻模塊200的信號(hào)為Ka波段高頻接收信號(hào)，該Ka波段高頻接收信號(hào)經(jīng)過下變頻模塊200，被下變頻為中頻信號(hào)并最終進(jìn)入調(diào)制解調(diào)器300中，以進(jìn)行后續(xù)解調(diào)等相應(yīng)處理過程。
[0036]在本實(shí)施例中，上變頻模塊100或下變頻模塊200包括若干利用系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)制造的SIP(System In a Package系統(tǒng)級(jí)封裝)芯片。系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)是指將多種功能芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能，S卩SIP芯片。同時(shí)，各SIP芯片集成有若干電性連接且均采用半導(dǎo)體工藝制造的功能芯片。半導(dǎo)體工藝是指以半導(dǎo)體為材料，制作成組件及集成電路的技術(shù)，例如硅鍺工藝。功能芯片是指?jìng)鹘y(tǒng)上變頻模塊或下變頻模塊中分立排布的各功能芯片，例如濾波器、混頻器等。
[0037]上述SIP芯片在制造過程中，將不同功能芯片對(duì)應(yīng)的裸片通過系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)封裝在一起的，從而形成對(duì)應(yīng)的SIP芯片。同時(shí)，由于封裝在一起的各功能芯片電性連接且制造工藝相同(即均采用半導(dǎo)體工藝制造)，因此在工藝制造方面便于實(shí)現(xiàn)。
[0038]綜上所述，本實(shí)施例中，將上變頻模塊100或下變頻模塊200中電性連接且制造工藝均為半導(dǎo)體制造工藝的不同功能芯片封裝在一起，減小了芯片的數(shù)量，同時(shí)也減少了各芯片之間銅走線或者微帶線的數(shù)量，從而減小了整個(gè)Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)的占用面積，降低了元器件的成本，便于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化了高頻段的搭建以及調(diào)試。
[0039]具體的，如圖4所示，上變頻模塊100共包括3個(gè)SIP芯片，即第一SIP芯片110、第二SIP芯片120及第三SIP芯片130。同時(shí)上變頻模塊100還包括微帶線濾波器140及第一功率放大器150。上變頻模塊100還包括其他器件306，例如外圍器件、匹配器件等。其中，第二SIP芯片120與第三SIP芯片130連接。微帶線濾波器140連接于第一 SIP芯片110與第二 SIP芯片120之間。第三SIP芯片130還與第一功率放大器150連接。第一功率放大器150還用于連接天線組件400。
[0040]第一SIP芯片110，用于產(chǎn)生并放大上變頻對(duì)應(yīng)的第一本振信號(hào)。該第一SIP芯片110集成有電連接的第一本振信號(hào)發(fā)生器111及第一本振信號(hào)放大器112這兩種功能芯片。第一本振信號(hào)發(fā)生器111用于產(chǎn)生第一本振信號(hào)，并發(fā)送至第一本振信號(hào)放大器112。第一本振信號(hào)放大器112用于將第一本振信號(hào)放大并將放大后的第一本振信號(hào)發(fā)送至微帶線濾波器140中。
[0041]微帶線濾波器140，用于將放大后的第一本振信號(hào)進(jìn)行濾波，并將濾波后的第一本振信號(hào)發(fā)送至第二SIP芯片120。具體的，微帶線濾波器140為帶通濾波器，且微帶線濾波器140通過鍍銅或者鍍銅加沉銀工藝形成，厚度介于17μπι?34μπι。其中，沉銀可以防止銅發(fā)生氧化，從而提高微帶線濾波器140的可靠性。另外，由于微帶線濾波器140與第一本振信號(hào)發(fā)生器111及第一本振信號(hào)放大器112的制造工藝不同，因此本實(shí)施例中將微帶線濾波器140單獨(dú)設(shè)為一級(jí)。
[0042]第二SIP芯片120，用于實(shí)現(xiàn)混頻功能，以將調(diào)制解調(diào)器300發(fā)送的中頻信號(hào)上變頻為Ka波段高頻信號(hào)。第二 SIP芯片120集成有電連接的第一放大器121及第一混頻器122這兩種功能芯片。其中，第一放大器121連接微帶線濾波器140，且第一放大器121用于將微帶線濾波器140濾波后的第一本振信號(hào)進(jìn)行放大。第一混頻器121用于連接調(diào)制解調(diào)器300，且第一混頻器121用于將第一放大器121放大后的第一本振信號(hào)與調(diào)制解調(diào)器300傳來的中頻信號(hào)進(jìn)行混頻，從而得出Ka波段高頻信號(hào)。該Ka波段高頻信號(hào)通過微帶線進(jìn)行傳輸，并傳輸至第三SIP芯片130中。其中，微帶貼片天線170用于發(fā)送和接收高頻信號(hào)。本實(shí)施例中，第二SIP芯片120輸出的Ka波段高頻信號(hào)通過微帶貼片天線170傳輸至第三SIP芯片130中。
[0043]第三SIP芯片130，用于對(duì)Ka波段高頻信號(hào)進(jìn)行放大，且第三SIP芯片130集成有電連接的第二放大器131和第三放大器132這兩種功能芯片。其中，第二放大器131為低噪聲放大器。第三放大器132為可變?cè)鲆娣糯笃鳌Ａ硗?，第三SIP芯片130中還包括相應(yīng)的匹配電路，以達(dá)到阻抗匹配的效果。因此，Ka波段高頻信號(hào)經(jīng)過第三SIP芯片130后，進(jìn)行了相應(yīng)的多級(jí)放大過程，并通過微帶貼片天線170傳送至第一功率放大器150中。
[0044]第一功率放大器150，用于進(jìn)行功率放大，以使第三SIP芯片130發(fā)送的放大后的Ka波段高頻信號(hào)產(chǎn)生足夠的功率從而能夠無線發(fā)射出去。由于第一功率放大器150具有大功率特性，會(huì)產(chǎn)生明顯的發(fā)熱，因此本實(shí)施例中將第一功率放大器150單獨(dú)設(shè)為一級(jí)。
[0045]因此，在本實(shí)施例提供的上變頻模塊100中，通過第一SIP芯片110、第二SIP芯片120及第三SIP芯片130，將傳統(tǒng)上變頻模塊中分立排布的各功能芯片按照電氣連接關(guān)系和工藝相應(yīng)封裝在一起，從而減少了整個(gè)上變頻模塊100中芯片的數(shù)量和各芯片之間銅走線或者微帶線的數(shù)量。
[0046]可以理解的是，上變頻模塊100的結(jié)構(gòu)不限于上述一種情況，只要能夠滿足產(chǎn)品的小型化要求即可。例如，在其他實(shí)施例中，還可以將第二 SIP芯片120與第三SIP芯片130中的各功能芯片封裝一體;第三SIP芯片130內(nèi)也可集成有其他級(jí)數(shù)的放大器。
[0047]具體的，如圖5所示，下變頻模塊200包括第四SIP芯片210、第五SIP芯片220、第六SIP芯片230、本振信號(hào)濾波器240、第二混頻器250、混頻信號(hào)濾波器260及第二功率放大器270。其中，第五SIP芯片220與第六SIP芯片230連接。第五SIP芯片220還用于連接天線組件400。本振信號(hào)濾波器240連接于第四SIP芯片210與第二混頻器250之間。第二混頻器250還分別與第六SIP芯片230、混頻信號(hào)濾波器260連接?；祛l信號(hào)濾波器260還與第二功率放大器270連接。第二功率放大器270還用于連接調(diào)制解調(diào)器300。
[0048]第四SIP芯片210，用于產(chǎn)生并放大下變頻對(duì)應(yīng)的第二本振信號(hào)。同時(shí)，第四SIP芯片210集成有電連接的第二本振信號(hào)發(fā)生器211及第二本振信號(hào)放大器212這兩種功能芯片。其中，第二本振信號(hào)發(fā)生器211用于產(chǎn)生下變頻對(duì)應(yīng)的第二本振信號(hào)，并發(fā)送至第二本振信號(hào)放大器212中。第二本振信號(hào)放大器212為低噪聲放大器，用于放大第二本振信號(hào)，并將放大后的第二本振信號(hào)發(fā)送至本振信號(hào)濾波器240中。本振信號(hào)濾波器240再將濾波后的第二本振信號(hào)發(fā)送至第二混頻器250中。
[0049]第五SIP芯片220集成有若干級(jí)放大器、并用于對(duì)天線組件400發(fā)送的Ka波段接收信號(hào)進(jìn)行放大。具體的，第五SIP芯片220集成有三級(jí)低噪聲放大器，以提高信號(hào)的信噪比。同時(shí)第五SIP芯片220通過貼片天線280接收Ka波段接收信號(hào)。
[0050]第六SIP芯片230集成有若干級(jí)濾波器，并用于對(duì)第五SIP芯片220發(fā)送的放大后的Ka波段接收信號(hào)進(jìn)行濾波，再將濾波后的Ka波段接收信號(hào)發(fā)送至第二混頻器250。具體的，第六SIP芯片230集成有三個(gè)濾波器。
[0051]第二混頻器250用于將濾波后的第二本振信號(hào)與濾波后的Ka波段接收信號(hào)進(jìn)行混頻，從而形成相應(yīng)的中頻信號(hào)，并發(fā)送至混頻信號(hào)濾波器260 ο混頻信號(hào)濾波器260對(duì)該中頻信號(hào)進(jìn)行濾波，并將濾波后的中頻信號(hào)發(fā)送至第二功率放大器270中。第二功率放大器270用于進(jìn)行功率放大，并將將放大后的中頻信號(hào)發(fā)送至調(diào)制解調(diào)器300中。
[0052]因此，在本實(shí)施例提供的下變頻模塊200中，通過第四SIP芯片210、第五SIP芯片220、第六SIP芯片230，將傳統(tǒng)下變頻模塊中分立的各功能芯片按照電氣連接關(guān)系和工藝相應(yīng)封裝在一起，從而減少了整個(gè)下變頻模塊200中芯片的數(shù)量和各芯片之間銅走線或者微帶線的數(shù)量。
[0053]可以理解的是，下變頻模塊200的結(jié)構(gòu)不限于上述一種情況，只要能夠滿足產(chǎn)品的小型化要求即可。
[0054]具體的，如圖6所示，上述各SIP芯片(包括第一SIP芯片110、第二SIP芯片120、第三SIP芯片130、第四SIP芯片210、第五SIP芯片220、第六SIP芯片230)的具體封裝結(jié)構(gòu)原理如下。
[0055]各SIP芯片均包括襯底510，且SIP芯片內(nèi)的各功能芯片以層疊或并排的方式集成于襯底510上。例如，功能芯片520、功能芯片530以層疊的方式集成于襯底510上，這種疊層結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步減小整個(gè)SIP芯片的面積。不適合疊加在一起的功能芯片則以并排的方式集成于襯底510上，例如功能芯片560則相對(duì)于功能芯片520及功能芯片530，以并排的方式集成于襯底510上。另外，功能芯片通過bonding工藝將引線引出，以實(shí)現(xiàn)電氣連接。襯底510上還集成有其他元件550，例如匹配的電阻、電容或者微帶線
[0056]可以理解的是，SIP芯片的封裝結(jié)構(gòu)不限于上述一種情況，只要能夠?qū)⑾鄳?yīng)的功能芯片封裝在一起即可。
[0057]具體的，各SIP芯片均通過表面貼裝技術(shù)安裝于上變頻模塊100或下變頻模塊200對(duì)應(yīng)的PCB板，從而進(jìn)一步減小了Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)的體積。另外，將安裝完成后的PCB板置于波導(dǎo)腔體外殼之內(nèi)，該波導(dǎo)腔體外殼具有波導(dǎo)、散熱以及支撐等功能。
[0058]同時(shí)，上變頻模塊100和下變頻模塊200共同安裝于同一塊PCB板上。這時(shí)，上變頻模塊100和下變頻模塊200則可以共用本振信號(hào)發(fā)生器，從而進(jìn)一步減小了芯片的數(shù)量，縮小了產(chǎn)品的體積、節(jié)約了元器件成本。
[0059]以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
[0060]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，包括上變頻模塊和下變頻模塊，其特征在于，所述上變頻模塊的輸入端與調(diào)制解調(diào)器的輸出端連接，且所述上變頻模塊的輸出端與天線組件的輸入端連接;所述下變頻模塊的輸入端與所述天線組件的輸出端連接，且所述下變頻模塊的輸出端與所述調(diào)制解調(diào)器的輸入端連接； 同時(shí)，所述上變頻模塊或下變頻模塊包括若干利用系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)制造的SIP芯片，且各所述SIP芯片集成有若干電性連接且均采用半導(dǎo)體工藝制造的功能芯片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，其特征在于，所述上變頻模塊包括第一 SIP芯片，且所述第一 SIP芯片集成有第一本振信號(hào)發(fā)生器及第一本振信號(hào)放大器。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，其特征在于，所述上變頻模塊還包括相連接的第二 SIP芯片及第三SIP芯片； 所述第二 SIP芯片集成有第一放大器及第一混頻器，且所述第一混頻器用于連接所述調(diào)制解調(diào)器;所述第三SIP芯片集成有第二放大器和第三放大器。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，其特征在于，所述上變頻模塊還包括微帶線濾波器及第一功率放大器;所述微帶線濾波器連接于所述第一 SIP芯片與第二 SIP芯片之間;所述第三SIP芯片還與所述第一功率放大器連接;所述第一功率放大器還用于連接所述天線組件。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，其特征在于，所述下變頻模塊包括第四SIP芯片;所述第四SIP芯片集成有第二本振信號(hào)發(fā)生器及第二本振信號(hào)放大器。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，其特征在于，所述下變頻模塊還包括相連接的第五SIP芯片及第六SIP芯片； 所述第五SIP芯片集成有若干級(jí)放大器，且所述第五SIP芯片還用于連接所述天線組件;所述第六SIP芯片集成有若干級(jí)濾波器。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，其特征在于，所述下變頻模塊還包括本振信號(hào)濾波器、第二混頻器、混頻信號(hào)濾波器及第二功率放大器； 所述本振信號(hào)濾波器連接于所述第四SIP芯片與所述第二混頻器之間；所述第二混頻器還分別與所述第六SIP芯片、所述混頻信號(hào)濾波器連接;所述混頻信號(hào)濾波器還與所述第二功率放大器連接;所述第二功率放大器還用于連接所述調(diào)制解調(diào)器。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，其特征在于，所述SIP芯片包括襯底，且各所述功能芯片以層疊或并排的方式集成于所述襯底上。9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，其特征在于，各所述SIP芯片通過表面貼裝技術(shù)安裝于所述上變頻模塊或下變頻模塊對(duì)應(yīng)的PCB板。10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的Ka波段衛(wèi)星小站收發(fā)機(jī)，其特征在于，所述上變頻模塊和下變頻模塊共同安裝于同一塊PCB板上。
【文檔編號(hào)】H04B1/40GK205725739SQ201620571702
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年6月13日
【發(fā)明人】陳家誠(chéng), 姚建可, 丁慶
【申請(qǐng)人】深圳市華訊方舟衛(wèi)星通信有限公司, 華訊方舟科技有限公司