本發(fā)明涉及mems發(fā)聲，尤其是一種mems揚(yáng)聲器。

背景技術(shù)：

1、mems發(fā)聲芯片技術(shù)是讓揚(yáng)聲器的發(fā)聲方式突破傳統(tǒng)的電-聲轉(zhuǎn)換技術(shù)，通過mems+dsr技術(shù)，聲波將被像素化，最終實(shí)現(xiàn)在發(fā)聲端的數(shù)字化。mems發(fā)聲芯片具有全頻譜、高保真、低功耗、高效率等功能，可以用更小的尺寸從整體到細(xì)節(jié)實(shí)現(xiàn)聲音的完美播放，改變傳統(tǒng)揚(yáng)聲器的發(fā)聲原理。

2、mems揚(yáng)聲器在使用過程中，會(huì)在高頻段產(chǎn)生噪聲，特別是50khz，100khz和150khz附近產(chǎn)生尖銳的脈沖噪音，高頻段的噪聲能量會(huì)對(duì)其它電子芯片產(chǎn)生干擾，從而影響mems芯片的兼容性；而現(xiàn)有技術(shù)中還不存在抑制mems揚(yáng)聲器的高頻段噪聲的解決方案。

3、鑒于此，為了提升mems芯片的兼容性，需要設(shè)計(jì)一種新的降噪結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中mems揚(yáng)聲器的高頻段噪聲干擾其它電子芯片的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種mems揚(yáng)聲器，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中mems揚(yáng)聲器的高頻段噪聲干擾其它電子芯片的問題。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

3、本發(fā)明提供一種mems揚(yáng)聲器，至少可以包括：

4、底板、mems揚(yáng)聲器本體、吸聲組件以及保護(hù)罩；

5、所述mems揚(yáng)聲器本體設(shè)置在所述底板上，所述吸聲組件貼附于所述mems揚(yáng)聲器本體的發(fā)聲側(cè)；所述吸聲組件用于濾除驅(qū)動(dòng)所述mems揚(yáng)聲器時(shí)產(chǎn)生的高頻段噪聲；所述吸聲組件包括材質(zhì)為超聲吸聲材料的多個(gè)目標(biāo)組件；

6、所述保護(hù)罩設(shè)置在所述底板上，且所述保護(hù)罩與所述底板形成容納空間；所述吸聲組件以及所述mems揚(yáng)聲器本體均位于所述容納空間內(nèi)；所述保護(hù)罩用于對(duì)所述mems揚(yáng)聲器以及吸聲組件進(jìn)行安全防護(hù)，所述保護(hù)罩上設(shè)置有多個(gè)聲孔。

7、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一種mems揚(yáng)聲器，通過設(shè)置底板、mems揚(yáng)聲器本體、吸聲組件以及保護(hù)罩；將mems揚(yáng)聲器本體設(shè)置在底板上，將吸聲組件貼附于所述mems揚(yáng)聲器本體的發(fā)聲側(cè)；該吸聲組件用于濾除驅(qū)動(dòng)所述mems揚(yáng)聲器時(shí)產(chǎn)生的高頻段噪聲；吸聲組件包括材質(zhì)為超聲吸聲材料的多個(gè)目標(biāo)組件；將保護(hù)罩設(shè)置在底板上，且該保護(hù)罩與底板形成容納空間；吸聲組件以及mems揚(yáng)聲器本體均位于該容納空間內(nèi)；保護(hù)罩用于對(duì)mems揚(yáng)聲器以及吸聲組件進(jìn)行安全防護(hù)，保護(hù)罩上還設(shè)置有多個(gè)聲孔；基于此，實(shí)現(xiàn)了利用吸聲組件對(duì)mems揚(yáng)聲器產(chǎn)生的高頻段噪聲的濾除，避免了mems揚(yáng)聲器產(chǎn)生的高頻段噪聲干擾其它電子芯片,提升了mems揚(yáng)聲器的兼容性。

技術(shù)特征：

1.一種mems揚(yáng)聲器，其特征在于，至少包括：

2.如權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，多個(gè)所述目標(biāo)組件包括多個(gè)擴(kuò)張管；所述擴(kuò)張管為至少一個(gè)單腔擴(kuò)張管或一個(gè)多腔擴(kuò)張管。

3.如權(quán)利要求2所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述擴(kuò)張管包括管壁為空腔結(jié)構(gòu)的管道；

4.如權(quán)利要求3所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述矩形結(jié)構(gòu)的橫截面的x方向的管厚度為第一厚度，y方向的管長(zhǎng)度為第一長(zhǎng)度，z方向的管寬度為第一寬度；其中，所述第一長(zhǎng)度等于所述第一寬度，所述第一厚度小于所述第一長(zhǎng)度。

5.如權(quán)利要求3所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述凹形結(jié)構(gòu)的嵌入寬度為第二寬度，嵌入深度為第一深度，空腔深度為第二深度；所述第二寬度小于第一厚度的二分之一。

6.如權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，多個(gè)所述目標(biāo)組件包括多個(gè)穿孔板，所述吸聲組件還包括連接多個(gè)所述穿孔板的固定框；

7.如權(quán)利要求6所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，多個(gè)所述穿孔板上包括貫穿于所述穿孔板的多個(gè)孔狀結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述孔狀結(jié)構(gòu)按照預(yù)設(shè)間距均勻分布在所述穿孔板上。

8.如權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述吸聲組件包括第一吸聲組件，所述固定框包括第一固定框架結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述穿孔板包括第一穿孔板和第二穿孔板；

9.如權(quán)利要求8所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述第一穿孔板和第二穿孔板的厚度相同。

10.如權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述吸聲組件包括第二吸聲組件，所述固定框包括第二固定框架結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述穿孔板為第三穿孔板、第四穿孔板、第五穿孔板和第六穿孔板；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種MEMS揚(yáng)聲器，涉及MEMS發(fā)聲技術(shù)領(lǐng)域，以解決現(xiàn)有技術(shù)中MEMS揚(yáng)聲器的高頻段噪聲干擾其它電子芯片的問題。設(shè)備至少包括：底板、MEMS揚(yáng)聲器本體、吸聲組件以及保護(hù)罩；MEMS揚(yáng)聲器本體設(shè)置在底板上，吸聲組件貼附于MEMS揚(yáng)聲器本體的發(fā)聲側(cè)；吸聲組件用于濾除驅(qū)動(dòng)MEMS揚(yáng)聲器時(shí)產(chǎn)生的高頻段噪聲；吸聲組件包括材質(zhì)為超聲吸聲材料的多個(gè)目標(biāo)組件；保護(hù)罩設(shè)置在底板上，且保護(hù)罩與底板形成容納空間；吸聲組件以及MEMS揚(yáng)聲器本體均位于該容納空間內(nèi)；保護(hù)罩用于對(duì)MEMS揚(yáng)聲器以及吸聲組件進(jìn)行安全防護(hù)，保護(hù)罩上設(shè)置有多個(gè)聲孔；實(shí)現(xiàn)了利用吸聲組件對(duì)MEMS揚(yáng)聲器產(chǎn)生的高頻段噪聲的濾除，避免了MEMS揚(yáng)聲器產(chǎn)生的高頻段噪聲干擾其它電子芯片,提升了兼容性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉長(zhǎng)華,趙靜,陳偲,符友軍,謝海圣,馬逢伯,胡舒怡
受保護(hù)的技術(shù)使用者：地球山（蘇州）微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10