本申請屬于聲學，具體地，本申請涉及一種發(fā)聲裝置和聲學設備。

背景技術：

1、傳統(tǒng)發(fā)聲裝置在有限尺寸的約束下，導致其發(fā)聲的振動面積與振動位移的提升非常有限，造成了整體性能難以大幅度增強的問題，影響了發(fā)聲裝置的發(fā)聲品質(zhì)。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請實施例的一個目的是提供一種發(fā)聲裝置和聲學設備的新技術方案。

2、根據(jù)本申請實施例的第一方面，提供了一種發(fā)聲裝置，包括：

3、蓋體單元，所述蓋體單元內(nèi)具有容納空間，所述蓋體單元包括支架，所述支架具有頂表面、底表面和側表面，所述側表面設置有出聲孔；

4、磁路單元，所述磁路單元設置于容納空間并與所述支架連接；

5、振動單元，所述振動單元設于所述容納空間，所述振動單元包括第一振動組件和第二振動組件，所述第一振動組件連接于所述頂表面，所述第二振動組件連接于所述底表面，所述第一振動組件和第二振動組件在所述磁路單元的兩側與所述磁路單元相配合，所述第一振動組件背離所述第二振動組件的一側形成第一前腔，所述第二振動組件背離所述第一振動組件的一側行程第二前腔；

6、其中，在垂直于所述振動單元的振動方向上，所述出聲孔至少部分與所述磁路單元對應，所述支架上設置有貫通頂表面并連通第一前腔和出聲孔的第一通道，以及貫通底表面并連通第二前腔和出聲孔第二通道。

7、可選地，所述第一振動組件、所述第二振動組件和所述支架圍成后腔，所述第一前腔和所述第一通道形成第一空間，所述第二前腔和所述第二通道形成第二空間，所述第一空間和所述第二空間均與所述后腔隔離。

8、可選地，在所述振動單元的振動方向上，所述磁路單元的兩側分別具有第一磁間隙和第二磁間隙；

9、所述第一振動組件包括第一振膜和連接于所述第一振膜的第一音圈，所述第二振動組件包括第二振膜和連接于所述第二振膜的第二音圈，所述第一音圈的至少部分位于所述第一磁間隙，所述第二音圈的至少部分位于所述第二磁間隙。

10、可選地，所述第一通道和所述第二通道在沿所述振動單元的振動方向上連通。

11、可選地，所述第一通道包括位于所述頂表面的第一端口，所述第二通道包括位于所述底表面的第二端口，所述第一端口位于所述第一振動組件的外周側，所述第二端口位于所述第二振動組件的外周側。

12、可選地，所述支架包括圓形部和凸出于所述圓形部的延伸部，所述第一振動組件和所述第二振動組件均連接于所述圓形部，所述第一端口、所述第二端口、所述第一通道和所述第二通道均設置于所述延伸部。

13、可選地，所述蓋體單元還包括上蓋和下蓋，所述上蓋連接于所述支架的頂表面，所述下蓋連接于所述支架的底表面；

14、所述第一振動組件與所述上蓋之間具有所述第一前腔，所述第二振動組件與所述下蓋之間形成所述第二前腔。

15、可選地，所述上蓋上具有背離所述支架的第一外凸部，所述下蓋上具有背離所述支架的第二外凸部，所述第一外凸部的至少部分與所述第一通道對應，所述第二外凸部的至少部分與所述第二通道對應。

16、可選地，所述支架包括第一支架和第二支架，所述第一支架和所述第二支架相對連接，所述第一支架遠離所述第二支架的一側形成所述頂表面，所述第二支架遠離所述第一支架的一側形成所述底表面；

17、所述第一支架具有第一延伸部，所述第二支架具有第二延伸部，所述第一通道設置于所述第一延伸部，所述第二通道設置于所述第二延伸部；

18、所述出聲孔設置于所述第一支架和第二支架之間。

19、可選地，所述磁路單元包括磁軛、中心磁部和邊磁部，所述磁軛具有中間容納區(qū)和外周容納區(qū)，所述中心磁部設置于所述中間容納區(qū)，所述邊磁部設置于所述外周容納區(qū)；

20、所述邊磁部包括邊華司，所述磁軛的邊緣裝配至所述第一支架，所述邊華司的邊緣裝配至所述第二支架。

21、可選地，所述支架上設置有與所述后腔連通的泄露孔；

22、所述發(fā)聲裝置在發(fā)聲時，所述第一振動組件和所述第二振動組件通過所述出聲孔向所述發(fā)聲裝置外部輻射相同相位的第一聲波，所述第一振動組件和所述第二振動組件通過所述泄露孔向所述發(fā)聲裝置外部輻射與所述第一聲波相反相位的第二聲波。

23、根據(jù)本申請實施例的第二方面，提供了一種聲學設備，聲學設備包括第一方面所述的發(fā)聲裝置。

24、可選地，聲學設備包括外殼，所述發(fā)聲裝置通過所述支架連接于所述外殼內(nèi)；

25、所述外殼上設置有外放孔，所述外放孔與所述出聲孔相對且連通。

26、可選地，所述外殼上設置有外泄孔，所述外殼與所述蓋體單元之間具有外后腔，所述第一振動組件、所述第二振動組件和所述支架圍成后腔，所述支架上設置有泄露孔；

27、其中，所述后腔通過所述泄露孔連通至所述外后腔，所述外后腔通過所述外泄孔連通至所述聲學設備外部。

28、本申請的一個技術效果在于：

29、本申請實施例提供了一種發(fā)聲裝置，該發(fā)聲裝置包括蓋體單元、磁路單元和振動單元，振動單元包括第一振動組件和第二振動組件，第一振動組件背離第二振動組件的一側形成第一前腔，第二振動組件背離第一振動組件的一側形成第二前腔；其中，在垂直于所述振動單元的振動方向上，所述出聲孔至少部分與所述磁路單元對應，支架上設置有從頂表面貫通至側表面的第一通道以及從底表面貫通至側表面的第二通道，使得發(fā)聲裝置的出聲結構利用支架本身完成，不額外增加零部件來設置第一通道和第二通道，減小了發(fā)聲裝置的尺寸，使發(fā)聲裝置的結構更為簡單和緊湊，便于發(fā)聲裝置的微型化設置；并且第一通道連通第一前腔至出聲孔，第二通道連通第二前腔至出聲孔，使得第一前腔和第二前腔通過第一通道和第二通道匯聚到支架的側面，增強了發(fā)聲裝置的發(fā)聲品質(zhì)。

30、通過以下參照附圖對本申請的示例性實施例的詳細描述，本申請的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

技術特征：

1.一種發(fā)聲裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一振動組件、所述第二振動組件和所述支架圍成后腔，所述第一前腔和所述第一通道形成第一空間，所述第二前腔和所述第二通道形成第二空間，所述第一空間和所述第二空間均與所述后腔隔離。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，在所述振動單元的振動方向上，所述磁路單元的兩側分別具有第一磁間隙和第二磁間隙；

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一通道和所述第二通道在沿所述振動單元的振動方向上連通。

5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一通道包括位于所述頂表面的第一端口，所述第二通道包括位于所述底表面的第二端口，所述第一端口位于所述第一振動組件的外周側，所述第二端口位于所述第二振動組件的外周側。

6.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述支架包括圓形部和凸出于所述圓形部的延伸部，所述第一振動組件和所述第二振動組件均連接于所述圓形部，所述第一端口、所述第二端口、所述第一通道和所述第二通道均設置于所述延伸部。

7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述蓋體單元還包括上蓋和下蓋，所述上蓋連接于所述支架的頂表面，所述下蓋連接于所述支架的底表面；

8.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述上蓋上具有背離所述支架的第一外凸部，所述下蓋上具有背離所述支架的第二外凸部，所述第一外凸部的至少部分與所述第一通道對應，所述第二外凸部的至少部分與所述第二通道對應。

9.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述支架包括第一支架和第二支架，所述第一支架和所述第二支架相對連接，所述第一支架遠離所述第二支架的一側形成所述頂表面，所述第二支架遠離所述第一支架的一側形成所述底表面；

10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述磁路單元包括磁軛、中心磁部和邊磁部，所述磁軛具有中間容納區(qū)和外周容納區(qū)，所述中心磁部設置于所述中間容納區(qū)，所述邊磁部設置于所述外周容納區(qū)；

11.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述支架上設置有與所述后腔連通的泄露孔；

12.一種聲學設備，其特征在于，包括權利要求1-11任一項所述的發(fā)聲裝置。

13.根據(jù)權利要求12所述的聲學設備，其特征在于，包括外殼，所述發(fā)聲裝置通過所述支架連接于所述外殼內(nèi)；

14.根據(jù)權利要求13所述的聲學設備，其特征在于，所述外殼上設置有外泄孔，所述外殼與所述蓋體單元之間具有外后腔，所述第一振動組件、所述第二振動組件和所述支架圍成后腔，所述支架上設置有泄露孔；

技術總結
本申請?zhí)峁┝艘环N發(fā)聲裝置和聲學設備，該發(fā)聲裝置包括蓋體單元、磁路單元和振動單元，振動單元包括第一振動組件和第二振動組件，第一振動組件背離第二振動組件的一側形成第一前腔，第二振動組件背離第一振動組件的一側形成第二前腔；其中，在垂直于所述振動單元的振動方向上，所述出聲孔至少部分與所述磁路單元對應，支架上設置有從頂表面貫通至側表面的第一通道以及從底表面貫通至側表面的第二通道，便于發(fā)聲裝置的微型化設置；并且第一通道連通第一前腔至出聲孔，第二通道連通第二前腔至出聲孔，使得第一前腔和第二前腔通過第一通道和第二通道匯聚到支架的側面，增強了發(fā)聲裝置的發(fā)聲品質(zhì)。

技術研發(fā)人員：楊子坤,王建建,郭翔,周樹芝,張軍,葛連山
受保護的技術使用者：歌爾股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19