本申請(qǐng)屬于聲學(xué)，具體地，本申請(qǐng)涉及一種發(fā)聲裝置和聲學(xué)設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、傳統(tǒng)發(fā)聲裝置在有限尺寸的約束下，導(dǎo)致其發(fā)聲的振動(dòng)面積與振動(dòng)位移的提升非常有限，造成了整體性能難以大幅度增強(qiáng)的問題，影響了發(fā)聲裝置的發(fā)聲品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例的一個(gè)目的是提供一種發(fā)聲裝置和聲學(xué)設(shè)備的新技術(shù)方案。

2、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供了一種發(fā)聲裝置，包括：

3、蓋體單元，所述蓋體單元內(nèi)具有容納空間，所述蓋體單元包括支架，所述支架具有頂面、底面和位于二者之間的側(cè)面，所述支架的側(cè)面設(shè)置有與所述發(fā)聲裝置的外部連通的出聲孔；

4、磁路單元，所述磁路單元設(shè)置于容納空間并與所述支架連接；

5、振動(dòng)單元，所述振動(dòng)單元設(shè)于所述容納空間，所述振動(dòng)單元包括第一振動(dòng)組件和第二振動(dòng)組件，在所述振動(dòng)單元的振動(dòng)方向上，所述第一振動(dòng)組件和所述第二振動(dòng)組件分別連接于所述支架的兩側(cè)，并在所述磁路單元的兩側(cè)與所述磁路單元相配合，所述第一振動(dòng)組件背離所述第二振動(dòng)組件的一側(cè)形成第一前腔，所述第二振動(dòng)組件背離所述第一振動(dòng)組件的一側(cè)形成第二前腔，所述第一振動(dòng)組件、所述第二振動(dòng)組件和所述支架圍成后腔；

6、其中，在垂直于振動(dòng)單元的振動(dòng)方向上，所述出聲孔至少部分與所述磁路單元對(duì)應(yīng)，所述支架上設(shè)有連通所述第一前腔、所述第二前腔和所述出聲孔的導(dǎo)聲通道，所述支架的側(cè)面還設(shè)置有與發(fā)聲裝置的外部連通的泄露孔，所述磁路單元和所述支架之間設(shè)置有連通所述后腔和所述泄露孔的泄露通道。

7、可選地，所述第一振動(dòng)組件、所述支架和所述磁路單元圍成第一空間，所述第二振動(dòng)組件、所述支架和所述磁路單元圍成第二空間，所述后腔包括所述第一空間和所述第二空間；

8、所述磁路單元的兩側(cè)分別與所述支架之間設(shè)置有第一通道和第二通道，所述泄露通道包括所述第一通道和所述第二通道，所述第一空間通過所述第一通道與所述泄露孔連通，所述第二空間通過所述第二通道與所述泄露孔連通。

9、可選地，所述磁路單元包括磁軛、中心磁部和邊磁部，所述磁軛具有中間容納區(qū)和邊緣容納區(qū)，所述中心磁部設(shè)置于所述中間容納區(qū)，所述邊磁部設(shè)置于所述邊緣容納區(qū)，所述邊磁部包括設(shè)于依次疊放于所述邊緣容納區(qū)的邊磁鐵和邊華司；

10、所述磁軛對(duì)應(yīng)于所述邊緣容納區(qū)的部分沿其外周設(shè)置有第一缺口，所述邊華司沿其外周設(shè)置有第二缺口，所述第一通道包括所述第一缺口，所述第二通道包括所述第二缺口。

11、可選地，所述第一缺口和所述第二缺口分別沿所述邊緣容納區(qū)的外周和所述邊華司的外周延伸，所述第一缺口的延伸長度占所述邊緣容納區(qū)的外周周長的10％～50％，所述第二缺口的延伸長度占所述邊華司的外周周長的10％～50％。

12、可選地，所述第一缺口和所述第二缺口在沿所述振動(dòng)單元的振動(dòng)方向上連通；

13、且/或，所述支架上設(shè)置有與所述第一缺口連通的第三缺口，以及與所述第二缺口連通的第四缺口，所述第一通道還包括所述第三缺口，所述第二通道還包括所述第四缺口，所述第三缺口與所述第四缺口在沿所述振動(dòng)單元的振動(dòng)方向上連通。

14、可選地，所述導(dǎo)聲通道包括貫穿所述支架的頂面并連通所述第一前腔和所述出聲孔的第三通道，以及貫穿所述支架的底面并連通所述第二前腔和所述出聲孔的第四通道，所述第一前腔、所述第三通道、所述第二前腔和所述第四通道均與所述后腔隔離。

15、可選地，所述支架包括圓形部和凸出于所述圓形部的延伸部，所述第一振動(dòng)組件和所述第二振動(dòng)組件均連接于所述圓形部，所述第三通道和所述第四通道均設(shè)置于所述延伸部。

16、可選地，所述蓋體單元還包括上蓋和下蓋，所述上蓋和所述下蓋分別連接于所述支架的兩側(cè)；

17、所述第一振動(dòng)組件與所述上蓋之間形成所述第一前腔，所述第二振動(dòng)組件與所述下蓋之間形成所述第二前腔；

18、所述上蓋上具有背離所述支架的第一外凸部，所述下蓋上具有背離所述支架的第二外凸部，所述第一外凸部的至少部分與所述第三通道對(duì)應(yīng)，所述第二外凸部的至少部分與所述第四通道對(duì)應(yīng)。

19、可選地，在所述振動(dòng)單元的振動(dòng)方向上，所述磁路單元的兩側(cè)分別具有第一磁間隙和第二磁間隙；

20、所述第一振動(dòng)組件包括第一振膜和連接于所述第一振膜的第一音圈，所述第二振動(dòng)組件包括第二振膜和連接于所述第二振膜的第二音圈，所述第一音圈的至少部分位于所述第一磁間隙，所述第二音圈的至少部分位于所述第二磁間隙。

21、可選地，所述支架包括第一支架和第二支架，所述第一支架和所述第二支架相對(duì)連接，所述第一支架遠(yuǎn)離所述第二支架的一側(cè)形成所述頂面，所述第二支架遠(yuǎn)離所述第一支架的一側(cè)形成所述底面，所述出聲孔和所述泄露孔均設(shè)置于所述第一支架和所述第二支架之間；

22、且/或，所述泄露孔設(shè)置有兩個(gè)，所述磁路單元和所述支架之間設(shè)置有分別連通兩個(gè)所述泄露孔與所述后腔的兩個(gè)所述泄露通道。

23、可選地，所述發(fā)聲裝置在發(fā)聲時(shí)，所述第一振動(dòng)組件和所述第二振動(dòng)組件通過所述出聲孔向外部輻射相同相位的第一聲波，所述第一振動(dòng)組件和所述第二振動(dòng)組件通過所述泄露孔向外部輻射與所述第一聲波相反相位的第二聲波。

24、根據(jù)本申請(qǐng)的第二方面，提供一種聲學(xué)設(shè)備，其特征在于，第一方面所述的發(fā)聲裝置。

25、可選地，還包括外殼，所述發(fā)聲裝置通過所述支架連接于所述外殼內(nèi)；

26、所述外殼上設(shè)置有外放孔，所述外放孔與所述出聲孔相對(duì)且連通；

27、所述外殼上還設(shè)置有外泄孔，所述外殼與所述蓋體單元之間具有外后腔，所述后腔通過所述泄露孔連通至所述外后腔，所述外后腔通過所述外泄孔連通至所述聲學(xué)設(shè)備的外部。

28、本申請(qǐng)的一個(gè)技術(shù)效果在于：

29、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N發(fā)聲裝置，該發(fā)聲裝置包括蓋體單元、磁路單元和振動(dòng)單元，所述振動(dòng)單元包括第一振動(dòng)組件和第二振動(dòng)組件，在振動(dòng)組件的振動(dòng)方向上第一振動(dòng)組件和所述二振動(dòng)組件分別在磁路單元的兩側(cè)與所述磁路單元振動(dòng)配合，第一振動(dòng)組件、所述二振動(dòng)組件、支架和磁路單元圍成后腔；其中，磁路單元和支架之間設(shè)置有連通后腔和泄露孔的泄露通道，使得后腔通過泄露通道連通至支架的側(cè)表面，增強(qiáng)了發(fā)聲裝置的發(fā)聲品質(zhì)。

30、通過以下參照附圖對(duì)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)聲裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一振動(dòng)組件、所述支架和所述磁路單元圍成第一空間，所述第二振動(dòng)組件、所述支架和所述磁路單元圍成第二空間，所述后腔包括所述第一空間和所述第二空間；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述磁路單元包括磁軛、中心磁部和邊磁部，所述磁軛具有中間容納區(qū)和邊緣容納區(qū)，所述中心磁部設(shè)置于所述中間容納區(qū)，所述邊磁部設(shè)置于所述邊緣容納區(qū)，所述邊磁部包括設(shè)于依次疊放于所述邊緣容納區(qū)的邊磁鐵和邊華司；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一缺口和所述第二缺口分別沿所述邊緣容納區(qū)的外周和所述邊華司的外周延伸，所述第一缺口的延伸長度占所述邊緣容納區(qū)的外周周長的10％～50％，所述第二缺口的延伸長度占所述邊華司的外周周長的10％～50％。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一缺口和所述第二缺口在沿所述振動(dòng)單元的振動(dòng)方向上連通；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述導(dǎo)聲通道包括貫穿所述支架的頂面并連通所述第一前腔和所述出聲孔的第三通道，以及貫穿所述支架的底面并連通所述第二前腔和所述出聲孔的第四通道，所述第一前腔、所述第三通道、所述第二前腔和所述第四通道均與所述后腔隔離。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述支架包括圓形部和凸出于所述圓形部的延伸部，所述第一振動(dòng)組件和所述第二振動(dòng)組件均連接于所述圓形部，所述第三通道和所述第四通道均設(shè)置于所述延伸部。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述蓋體單元還包括上蓋和下蓋，所述上蓋和所述下蓋分別連接于所述支架的兩側(cè)；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，在所述振動(dòng)單元的振動(dòng)方向上，所述磁路單元的兩側(cè)分別具有第一磁間隙和第二磁間隙；

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述支架包括第一支架和第二支架，所述第一支架和所述第二支架相對(duì)連接，所述第一支架遠(yuǎn)離所述第二支架的一側(cè)形成所述頂面，所述第二支架遠(yuǎn)離所述第一支架的一側(cè)形成所述底面，所述出聲孔和所述泄露孔均設(shè)置于所述第一支架和所述第二支架之間；

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述發(fā)聲裝置在發(fā)聲時(shí)，所述第一振動(dòng)組件和所述第二振動(dòng)組件通過所述出聲孔向外部輻射相同相位的第一聲波，所述第一振動(dòng)組件和所述第二振動(dòng)組件通過所述泄露孔向外部輻射與所述第一聲波相反相位的第二聲波。

12.一種聲學(xué)設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的發(fā)聲裝置。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的聲學(xué)設(shè)備，其特征在于，還包括外殼，所述發(fā)聲裝置通過所述支架連接于所述外殼內(nèi)；

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種發(fā)聲裝置和聲學(xué)設(shè)備。發(fā)聲裝置包括蓋體單元、磁路單元和振動(dòng)單元；蓋體單元內(nèi)具有容納空間，蓋體單元包括支架，支架的側(cè)面設(shè)置有泄露孔；磁路單元設(shè)置于容納空間并與支架連接；振動(dòng)單元設(shè)于容納空間，振動(dòng)單元包括第一振動(dòng)組件和第二振動(dòng)組件，在振動(dòng)單元的振動(dòng)方向上，第一振動(dòng)組件和第二振動(dòng)組件分別連接于支架的兩側(cè)，并在磁路單元的兩側(cè)與磁路單元相配合，第一振動(dòng)組件、第二振動(dòng)組件、支架和磁路單元圍成后腔；其中，磁路單元和支架之間設(shè)置有連通后腔和泄露孔的泄露通道。本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌l(fā)聲裝置增強(qiáng)了發(fā)聲品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：楊子坤,王建建,郭翔,周樹芝,張軍,葛連山
受保護(hù)的技術(shù)使用者：歌爾股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19