本技術(shù)涉及電聲領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)聲單體、發(fā)聲模組及電子產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、微型揚(yáng)聲器由于其尺寸小，被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代化便攜、通訊、智能設(shè)備中，而用戶對(duì)高音質(zhì)的需求也日益增加，尤其對(duì)于一些便攜式智能化設(shè)備，用戶已經(jīng)不再滿足于聲音的有與沒有，而是更多的追求好的音質(zhì)。

2、一個(gè)完整的微型發(fā)聲模組由微型發(fā)聲單體、前、后音腔等組成；微型揚(yáng)聲器工作時(shí)，前音腔低通濾波，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率大于前腔共振頻率(fh)之后，揚(yáng)聲器響度大幅下降。目前智能移動(dòng)終端中微型發(fā)聲模組的前腔諧振點(diǎn)大多小于6000hz，導(dǎo)致微型揚(yáng)聲器有效頻帶變窄，音色比較單調(diào)，音質(zhì)較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是提供一種發(fā)聲單體，保證中低音性能不降低的同時(shí)，有效提升高頻性能，拓寬發(fā)聲頻帶。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他目的，本實(shí)用新型提出的一種發(fā)聲單體，包括第一發(fā)聲單元、第二發(fā)聲單元及磁路系統(tǒng)，其特征在于，所述第一發(fā)聲單元包括環(huán)形的第一振膜及連接于所述第一振膜的第一音圈，所述第二發(fā)聲單元包括第二振膜及連接于所述第二振膜的第二音圈，所述第二振膜位于所述第一振膜的內(nèi)周緣處，所述第一音圈和所述第二音圈均沿第一方向振動(dòng)；

3、所述磁路系統(tǒng)包括中心磁路與位于所述中心磁路外周的邊磁路，所述中心磁路與所述邊磁路間隔設(shè)置，所述中心磁路與所述邊磁路之間形成第一磁間隙，所述第一音圈遠(yuǎn)離所述第一振膜的一側(cè)插入所述第一磁間隙；

4、所述中心磁路具有第二磁間隙，所述第二音圈為扁平音圈且軸線沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述第二音圈遠(yuǎn)離所述第二振膜的一側(cè)插入所述第二磁間隙。

5、可選地，所述中心磁路具有通孔，所述通孔形成所述第二磁間隙。

6、可選地，所述中心磁路具有第一磁性組件、第二磁性組件、第三磁性組件及第四磁性組件，所述第一磁性組件、第二磁性組件、第三磁性組件和第四磁性組件圍合形成所述通孔，沿所述第二方向，所述第一磁性組件和第二磁性組件位于所述第二音圈的兩側(cè)，沿分別垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向，所述第三磁性組件和第四磁性組件位于所述第二音圈的兩側(cè)。

7、可選地，所述第一磁性組件、第二磁性組件、第三磁性組件和第四磁性組件為獨(dú)立結(jié)構(gòu)；

8、或者，所述第一磁性組件與所述第三磁性組件一體成型，所述第二磁性組件與所述第四磁性組件一體成型；

9、或者，所述第一磁性組件、第二磁性組件、第三磁性組件和第四磁性組件一體成型。

10、可選地，所述中心磁路包括沿所述第一方向依次疊設(shè)的第一導(dǎo)磁板、第一磁體、第二導(dǎo)磁板和第二磁體，所述第二振膜與所述第一導(dǎo)磁板相對(duì)設(shè)置。

11、可選地，所述第一導(dǎo)磁板、所述第一磁體、所述第二導(dǎo)磁板以及所述第二磁體共同限定出所述第二磁間隙；

12、或者，所述第一導(dǎo)磁板、所述第一磁體和所述第二導(dǎo)磁板共同限定出所述第二磁間隙，所述第二磁間隙位于所述第二磁體靠近所述第二振膜的一側(cè)。

13、可選地，所述中心磁路包括沿所述第一方向依次疊設(shè)的第一磁體、第二導(dǎo)磁板和第二磁體，所述第二振膜與所述第一磁體相對(duì)設(shè)置。

14、可選地，所述第一磁體、所述第二導(dǎo)磁板以及所述第二磁體共同限定出所述第二磁間隙；

15、或者，所述第一磁體和所述第二導(dǎo)磁板共同限定出所述第二磁間隙，所述第二磁間隙位于所述第二磁體靠近所述第二振膜的一側(cè)。

16、可選地，所述第一磁體包括沿所述第一方向充磁的第一磁鐵、第二磁鐵及第三磁鐵，沿所述第二方向，所述第二磁鐵與第三磁鐵位于所述第二音圈的一側(cè)，所述第一磁鐵位于所述第二音圈的另一側(cè)，所述第三磁鐵位于所述第二磁鐵遠(yuǎn)離所述第一磁鐵的一側(cè)；所述第一磁鐵的充磁方向與所述第二磁鐵的充磁方向相反且與所述第三磁鐵的充磁方向相同；

17、所述第二磁體包括沿所述第一方向充磁且充磁方向相同的第四磁鐵和第五磁鐵，沿所述第二方向，所述第四磁鐵和所述第五磁鐵分別位于所述第二音圈的兩側(cè)，所述第一磁鐵與所述第四磁鐵充磁方向相反。

18、可選地，所述第一振膜包括環(huán)形的第一補(bǔ)強(qiáng)部、環(huán)形的第一折環(huán)及環(huán)形的第二折環(huán)，所述第一補(bǔ)強(qiáng)部的外周邊和內(nèi)周邊分別連接于所述第一折環(huán)內(nèi)周緣和所述第二折環(huán)的外周緣，所述第一音圈連接于所述第一補(bǔ)強(qiáng)部靠近所述第一磁間隙的一側(cè)。

19、可選地，所述第二振膜包括第二補(bǔ)強(qiáng)部和第三折環(huán)，所述第二音圈連接于所述第二補(bǔ)強(qiáng)部靠近所述第二磁間隙的一側(cè)，所述第二補(bǔ)強(qiáng)部連接于所述第三折環(huán)的內(nèi)周緣；

20、或者，所述第二振膜為平面振膜；

21、或者，所述第二振膜包括平面振膜及固定于所述平面振膜上的第二補(bǔ)強(qiáng)部。

22、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他目的，本實(shí)用新型又提供一種發(fā)聲模組，所述發(fā)聲模組包括外殼和位于所述外殼內(nèi)的上述的發(fā)聲單體。

23、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他目的，本實(shí)用新型還提供一種電子產(chǎn)品，所述電子產(chǎn)品包括上述的發(fā)聲模組；或，所述電子產(chǎn)品包括上述的發(fā)聲單體。

24、本實(shí)用新型的技術(shù)效果至少在于，本實(shí)用新型的發(fā)聲單體，包括第一發(fā)聲單元、第二發(fā)聲單元及磁路系統(tǒng)，所述第一發(fā)聲單元包括環(huán)形的第一振膜及連接于所述第一振膜的第一音圈，所述第二發(fā)聲單元包括第二振膜及連接于所述第二振膜的第二音圈，所述第二振膜位于所述第一振膜的內(nèi)周緣處，所述第一音圈和所述第二音圈均沿第一方向振動(dòng)；所述磁路系統(tǒng)包括中心磁路與位于所述中心磁路外周的邊磁路，所述中心磁路與所述邊磁路間隔設(shè)置，所述中心磁路與所述邊磁路之間形成第一磁間隙，所述第一音圈遠(yuǎn)離所述第一振膜的一側(cè)插入所述第一磁間隙；所述中心磁路具有第二磁間隙，所述第二音圈為扁平音圈且軸線沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述第二音圈遠(yuǎn)離所述第二振膜的一側(cè)插入所述第二磁間隙。第一發(fā)聲單元為低音單元，第二發(fā)聲單元為高音單元，將高低音發(fā)聲模塊集成在一起，保證中低音性能不降低的同時(shí)，有效提高高頻性能，拓寬發(fā)聲頻帶；此外第二音圈為扁平音圈，插入中心磁路內(nèi)部的第二磁間隙，有效提高驅(qū)動(dòng)力，進(jìn)而提升聲學(xué)性能，并且扁平音圈能夠有效減小產(chǎn)品體積。

25、為使本實(shí)用新型的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)聲單體，包括第一發(fā)聲單元、第二發(fā)聲單元及磁路系統(tǒng)，其特征在于，所述第一發(fā)聲單元包括環(huán)形的第一振膜及連接于所述第一振膜的第一音圈，所述第二發(fā)聲單元包括第二振膜及連接于所述第二振膜的第二音圈，所述第二振膜位于所述第一振膜的內(nèi)周緣處，所述第一音圈和所述第二音圈均沿第一方向振動(dòng)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述中心磁路具有通孔，所述通孔形成所述第二磁間隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述中心磁路具有第一磁性組件、第二磁性組件、第三磁性組件及第四磁性組件，所述第一磁性組件、第二磁性組件、第三磁性組件和第四磁性組件圍合形成所述通孔，沿所述第二方向，所述第一磁性組件和第二磁性組件位于所述第二音圈的兩側(cè)，沿分別垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向，所述第三磁性組件和第四磁性組件位于所述第二音圈的兩側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述第一磁性組件、第二磁性組件、第三磁性組件和第四磁性組件為獨(dú)立結(jié)構(gòu)；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述中心磁路包括沿所述第一方向依次疊設(shè)的第一導(dǎo)磁板、第一磁體、第二導(dǎo)磁板和第二磁體，所述第二振膜與所述第一導(dǎo)磁板相對(duì)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁板、所述第一磁體、所述第二導(dǎo)磁板以及所述第二磁體共同限定出所述第二磁間隙；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述中心磁路包括沿所述第一方向依次疊設(shè)的第一磁體、第二導(dǎo)磁板和第二磁體，所述第二振膜與所述第一磁體相對(duì)設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述第一磁體、所述第二導(dǎo)磁板以及所述第二磁體共同限定出所述第二磁間隙；

9.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述第一磁體包括沿所述第一方向充磁的第一磁鐵、第二磁鐵及第三磁鐵，沿所述第二方向，所述第二磁鐵與第三磁鐵位于所述第二音圈的一側(cè)，所述第一磁鐵位于所述第二音圈的另一側(cè)，所述第三磁鐵位于所述第二磁鐵遠(yuǎn)離所述第一磁鐵的一側(cè)；所述第一磁鐵的充磁方向與所述第二磁鐵的充磁方向相反且與所述第三磁鐵的充磁方向相同；

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述第一振膜包括環(huán)形的第一補(bǔ)強(qiáng)部、環(huán)形的第一折環(huán)及環(huán)形的第二折環(huán)，所述第一補(bǔ)強(qiáng)部的外周邊和內(nèi)周邊分別連接于所述第一折環(huán)內(nèi)周緣和所述第二折環(huán)的外周緣，所述第一音圈連接于所述第一補(bǔ)強(qiáng)部靠近所述第一磁間隙的一側(cè)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的發(fā)聲單體，其特征在于，所述第二振膜包括第二補(bǔ)強(qiáng)部和第三折環(huán)，所述第二音圈連接于所述第二補(bǔ)強(qiáng)部靠近所述第二磁間隙的一側(cè)，所述第二補(bǔ)強(qiáng)部連接于所述第三折環(huán)的內(nèi)周緣；

12.一種發(fā)聲模組，其特征在于，所述發(fā)聲模組包括外殼和位于所述外殼內(nèi)的如權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的發(fā)聲單體。

13.一種電子產(chǎn)品，其特征在于，所述電子產(chǎn)品包括如權(quán)利要求12所述的發(fā)聲模組；

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種發(fā)聲單體、發(fā)聲模組及電子產(chǎn)品，發(fā)聲單體包括第一發(fā)聲單元、第二發(fā)聲單元及磁路系統(tǒng)，第一發(fā)聲單元包括環(huán)形的第一振膜及連接于第一振膜的第一音圈，第二發(fā)聲單元包括第二振膜及連接于第二振膜的第二音圈，第二振膜位于第一振膜的內(nèi)周緣處；磁路系統(tǒng)包括中心磁路與位于中心磁路外周的邊磁路，中心磁路與邊磁路之間形成第一磁間隙，第一音圈遠(yuǎn)離第一振膜的一側(cè)插入第一磁間隙；中心磁路具有第二磁間隙，第二音圈為扁平音圈且軸線沿垂直于第一方向的第二方向延伸，第二音圈遠(yuǎn)離第二振膜的一側(cè)插入第二磁間隙。本技術(shù)的發(fā)聲單體將高低音發(fā)聲模塊集成在一起，保證中低音性能不降低的同時(shí)，有效提高高頻性能，拓寬發(fā)聲頻帶。

技術(shù)研發(fā)人員：劉松,蔡曉東,李波波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：歌爾股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240125
技術(shù)公布日：2024/12/19