專利名稱：固體攝像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體攝像裝置，尤其是涉及具有在檢測(cè)信號(hào)電荷的信號(hào)電荷檢測(cè)部復(fù)位時(shí)設(shè)定所附加的復(fù)位電壓的復(fù)位電壓設(shè)定電路的固體攝像裝置。
圖5表示已有固體攝像裝置的電荷檢測(cè)部的復(fù)位電壓設(shè)定電路的結(jié)構(gòu)。由未圖示的像素產(chǎn)生信號(hào)電荷，再由CCD寄存器依次傳送，通過(guò)在規(guī)定電壓設(shè)定的輸出柵極OG傳送給浮置擴(kuò)數(shù)層1，并暫時(shí)被存儲(chǔ)。浮置擴(kuò)散層1由半導(dǎo)體基片和反向?qū)щ娦蛿U(kuò)散層形成，預(yù)先通過(guò)以規(guī)定濃度注入擴(kuò)散層1和同樣導(dǎo)電型的雜質(zhì)的通道區(qū)域，隔開(kāi)一定間隙形成著和擴(kuò)散層1相同導(dǎo)電型的復(fù)位漏極擴(kuò)散層2。在通道區(qū)域上通過(guò)來(lái)圖示的絕緣膜形成著復(fù)位門電極。由浮置擴(kuò)散層1、通道區(qū)域、復(fù)位漏極擴(kuò)散層2和復(fù)位門電極構(gòu)成偏轉(zhuǎn)型(下面簡(jiǎn)稱D型)MOS晶體三極管，作為復(fù)位晶體管3而動(dòng)作。
在浮置擴(kuò)散層1連接著源跟隨器電路9。源跟隨器電路9在電源電壓VCC端子和接地端子之間串聯(lián)地連接N型通道晶體管10和作為電阻元件的D型晶體管11，晶體管10的柵極連接著浮置擴(kuò)散層1。連接著晶體管10的一端和晶體管11的一端的結(jié)點(diǎn)與輸出端子12連接。
浮置擴(kuò)散層1所存儲(chǔ)的信號(hào)電荷由源極跟隨器電路9變換成電壓信號(hào)后從輸出端子12輸出。
復(fù)位柵極連接著外部電容器4，通過(guò)外部電容器4從復(fù)位端子5施加復(fù)位脈沖。并且，在復(fù)位漏極2連接著電源8，加有復(fù)位漏極電壓VRD。在復(fù)位漏極2和復(fù)位柵極之間連接著分壓電路7，以便能消除該復(fù)位漏極電壓VRD的設(shè)定偏差，進(jìn)行正常的復(fù)位動(dòng)作。分壓電路7的電阻R1和R2串聯(lián)連接在復(fù)位漏極2和接地端子之間，電阻R1和電阻R2的連接點(diǎn)與復(fù)位柵極連接。在此，電阻R1和電阻R2由擴(kuò)散電阻形成。通過(guò)設(shè)置這樣的分壓電路7，在復(fù)位柵極上就能施加使電源8的電壓VRD電阻分割的電壓VRS。
然后，對(duì)為了正常進(jìn)行復(fù)位動(dòng)作的復(fù)位脈沖電平進(jìn)行敘述。施加復(fù)位脈沖電平時(shí)的復(fù)位晶體管3的柵極下的電位必須比電源8的電壓VRD高。
這時(shí)，施加高電平時(shí)的柵極下的電位設(shè)置為比電壓VRD高出復(fù)位存入容限值φ2。另外，為了能從電荷檢測(cè)部9輸出1.5V以上的檢測(cè)電壓，有必要在浮置擴(kuò)散層1儲(chǔ)存一定量以上的信號(hào)電荷，因此，有必要在柵極下產(chǎn)生比電壓VRD低復(fù)位阻擋層容限值φ1的電壓。這樣?xùn)艠O下的電位在施加高電平脈沖時(shí)必須比電壓VRD高出復(fù)位存入容限值φ2，在施加低電平的復(fù)位脈沖時(shí)必須比電壓VRD低復(fù)位阻擋層容限值φ1。
圖6表示分壓電路7中復(fù)位柵電壓VRS與分別在電阻R1和R2流動(dòng)的電流的關(guān)系。線L11表示相對(duì)于電壓VRS的在電阻R1流動(dòng)的電流的變化，在電阻R1中流動(dòng)的電流越小，復(fù)位柵電壓VRS越高。并且，線L12表示相對(duì)于電壓VRS的在電阻R2流動(dòng)的電流的變化，在電阻R2中流動(dòng)的電流越大，復(fù)位柵電壓VRS越小。線L11和線L12的交點(diǎn)相當(dāng)于該電路的電壓VRS的值。
線L13表示在電源8的電壓VRD增加ΔVRD時(shí)的電阻R1流動(dòng)的電流和復(fù)位柵電壓VRS的關(guān)系。如果電壓VRD增加，則在電阻R1流動(dòng)的電流相同時(shí)電壓VRS變高。這時(shí)，線L12和線L13的交點(diǎn)表示電壓VRD增加ΔVRD時(shí)的電壓VRS的值，只增加ΔVRS。
該ΔVRS比ΔVRD小，ΔVRS/ΔVRD的值約為0.8。這是因?yàn)樵陔娮鑂2流動(dòng)的電流值也隨電壓VRD的變動(dòng)而變化。而且，對(duì)于變動(dòng)量ΔVRD的復(fù)位柵極下的電位變動(dòng)量時(shí)，該比例下降，約為0.7。
并且，復(fù)位存入容限值φ2有必要具有能吸收電源8的電壓VRD的變動(dòng)量ΔVRD和復(fù)位柵極下的電位偏差量的大小，例如1.5V。進(jìn)而，復(fù)位柵極下的電位因雜質(zhì)濃度偏差的原因而變動(dòng)，但該變動(dòng)不反饋到復(fù)位柵電壓VRS。這是因?yàn)榧词箯?fù)位柵下的雜質(zhì)濃度變動(dòng)而電阻R1和R2的電阻值不同樣地變動(dòng)。所以，這樣的復(fù)位柵極下的電位偏差也有必要包含在存入容限值φ2中。
復(fù)位阻擋層容限值φ1和存入容限值φ2同樣地當(dāng)復(fù)位漏極的電壓VRD變動(dòng)時(shí)，通過(guò)分壓電路7連動(dòng)地變動(dòng)。然而，復(fù)位柵電位的偏差由于不與復(fù)位柵電壓VRS的偏差連動(dòng)，所以復(fù)位阻擋層容限值φ1也有必要包含該復(fù)位柵電位的差。其結(jié)果是，復(fù)位阻擋層容限值φ1在檢測(cè)信號(hào)電荷所必要的電壓中必須包含復(fù)位柵極下的電位的偏差，例如必須為所謂2.5V的高電壓。
因而，作為復(fù)位柵下的電位幅度，必須是作為復(fù)位阻擋層容限值φ1和φ2的合計(jì)值，應(yīng)在3.5V以上，如換算成復(fù)位柵極所施加的VRS，則必須是約4V。
如上述那樣，在已有的電荷檢測(cè)部，復(fù)位柵下的電位因復(fù)位柵下的雜質(zhì)濃度制造過(guò)程時(shí)的偏差而變動(dòng)時(shí)，在產(chǎn)生復(fù)位柵所施加電壓的電路上不反饋同樣的變動(dòng)，不能使復(fù)位柵所施加的脈沖振幅增大。因此，消耗電力增加，并且不能使用外圍電路所用的3.3V等的低電源電壓。
本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，其目的是提供使復(fù)位柵所輸入的脈沖振幅變小并能達(dá)到低消耗電力化和低電源電壓化的固體攝像裝置。
本發(fā)明的固體攝像裝置，其特征在于設(shè)置有在半導(dǎo)體基片的表面部分形成的、提供從鄰接的CCD傳送來(lái)的信號(hào)電荷并存儲(chǔ)的存儲(chǔ)部、檢測(cè)上述存儲(chǔ)部所存儲(chǔ)的信號(hào)電荷并向外部輸出檢測(cè)信號(hào)的電荷檢測(cè)部、在上述半導(dǎo)體基片的表面部分以與上述存儲(chǔ)部隔開(kāi)規(guī)定距離形成的排出部、由在上述存儲(chǔ)部和上述排出部之間所設(shè)置的耗盡型MOS晶體管構(gòu)成的復(fù)位部和設(shè)定在上述復(fù)位部所施加的復(fù)位電壓的復(fù)位電壓設(shè)定機(jī)構(gòu)；上述復(fù)位電壓設(shè)定機(jī)構(gòu)在供給規(guī)定電壓的一端與接地的另一端之間串聯(lián)連接著第1、第2電阻元件，連接上述第1電阻元件和第2電阻元件的節(jié)點(diǎn)與上述復(fù)位電壓施加電極連接，上述第2電阻元件由耗盡型MOS晶體管構(gòu)成，該耗盡型MOS晶體管的耗盡型雜質(zhì)層是由與上述復(fù)位部的耗盡型雜質(zhì)層相同的工藝方法形成的。
或本發(fā)明的固體攝像裝置，其特征在于設(shè)置有在半導(dǎo)體基片的表面部分形成的、提供從鄰接的CCD傳送來(lái)的信號(hào)電荷并存儲(chǔ)的浮置擴(kuò)散層、檢測(cè)上述浮置擴(kuò)數(shù)層所存儲(chǔ)的信號(hào)電荷并向外部輸出檢測(cè)信號(hào)的電荷檢測(cè)部、在上述半導(dǎo)體基片的表面部分有間距對(duì)向地形成上述浮置擴(kuò)散層和通道區(qū)域的復(fù)位漏極、通過(guò)絕緣膜在上述通道區(qū)域的上部形成的、當(dāng)施加復(fù)位電壓時(shí)通過(guò)上述通道區(qū)域使上述浮置擴(kuò)散層和上述復(fù)位漏導(dǎo)通并將上述浮置擴(kuò)數(shù)層存儲(chǔ)的信號(hào)電荷傳送給上述復(fù)位漏的復(fù)位柵極、使輸出端子與上述復(fù)位漏連接從而輸出規(guī)定電壓并施加在上述復(fù)位漏極上的電壓施加機(jī)構(gòu)、一端與上述電壓施加機(jī)構(gòu)的輸出端子連接而另一端接地且將至少包含第1、第2電阻元件的電阻元件串聯(lián)連接在上述一端和上述另一端之間并使連上述第1電阻元件和上述第2電阻元件的節(jié)點(diǎn)與上述復(fù)位柵極連接的電阻分割器，上述第2電阻元件由耗盡型MOS晶體管構(gòu)成，該耗盡型MOS晶體管的耗盡型雜質(zhì)層由與上述復(fù)位部的耗盡型雜質(zhì)層相同的工藝方法形成的。
這里，上述第1電阻元件也可以由增強(qiáng)型MOS晶體管構(gòu)成。
圖1是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的固體攝像裝置結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖2是表示該第1實(shí)施例的復(fù)位柵電壓VRS和在電阻R1和D型晶體管T1流動(dòng)的電流的關(guān)系的曲線圖。
圖3是表示本發(fā)明第2實(shí)施例的固體攝像裝置結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖4是表示該第2實(shí)施例的復(fù)位柵電壓VRS和在E型晶體管T2和D型晶體管T1流動(dòng)的電流的關(guān)系的曲線圖。
圖5是表示已有的固體攝像裝置結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖6是表示該固體攝像裝置的復(fù)位柵電壓VRS和在電阻R1和電阻R2流動(dòng)的電流的關(guān)系的曲線圖。
下面，參照


本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1表示第1實(shí)施例的固體攝像裝置的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例與上述圖5所示的已有裝置比較，分壓電路17的結(jié)構(gòu)不同。即已有的分壓電路7是在電源8的輸出端子和接地端子之間串聯(lián)連接著由擴(kuò)散電阻形成的電阻R1和R2，但本實(shí)施例的分壓電路17將替代電阻R2的D型MOS晶體管T1作為電阻元件而使用。其它結(jié)構(gòu)與圖5所示的電路相同，相同元件表示相同符號(hào)省略其說(shuō)明。
D型晶體管T1用與作為復(fù)位晶體管3而形成的D型晶體管相同的工藝方法，通過(guò)注入相同的雜質(zhì)而形成。
圖2表示復(fù)位柵電壓VRS和分別在電阻R1和D型晶體管T1流動(dòng)的電流的關(guān)系。線L21表示在電阻R1流動(dòng)的電流的變化和復(fù)位柵電壓VRS的關(guān)系。線L22表示在晶體管T1流動(dòng)的電流和復(fù)位柵電壓VRS的關(guān)系。進(jìn)而，線L23表示電源電壓VRD增加ΔVRD時(shí)在電阻R1流動(dòng)的電流和復(fù)位柵電壓VRS的關(guān)系。線L24表示與復(fù)位晶體管3相同地晶體管T1的通道區(qū)域的雜質(zhì)濃度增加時(shí)在晶體管T1流動(dòng)的電流和復(fù)位柵電壓VRS的關(guān)系。
通過(guò)在D型晶體管T1的飽和區(qū)域設(shè)定該電路的復(fù)位柵電壓VRS的值，即線L21和L22的交點(diǎn)，即使復(fù)位柵電壓VRS變化，在晶體管T1流動(dòng)的電流也幾乎不變。因此，能使分壓電路17恒流，復(fù)位柵電壓VRS的變動(dòng)量ΔVRS對(duì)于復(fù)位漏極所施加的電源8的電壓VRD的變動(dòng)量ΔVRD的比例幾乎是1。
由于復(fù)位柵極下的雜質(zhì)濃度的偏差，在該區(qū)域的電阻值變動(dòng)的情況下，分壓電路17的D型晶體管T1的電阻值也與其連動(dòng)地同樣變動(dòng)。其結(jié)果是復(fù)位柵極下的電位變動(dòng)量在分壓電路17的電阻分割處被反饋。因而，在復(fù)位柵極下的雜質(zhì)濃度變動(dòng)的情況下，也如在抵消復(fù)位柵極下的電位變動(dòng)的方向使復(fù)位柵電壓VRS變動(dòng)那樣也使分壓電路17的晶體管T1的電流量變動(dòng)。例如，復(fù)位柵電極下區(qū)域的雜質(zhì)濃度比設(shè)計(jì)值高時(shí)，施加高電平的復(fù)位脈沖時(shí)的復(fù)位柵極下的電位也比設(shè)計(jì)值高?？墒?，由于分壓電路17的晶體管T1的雜質(zhì)濃度也同樣地比設(shè)計(jì)值高，所以導(dǎo)通電阻變小，在該晶體管T1流動(dòng)的電流也如線24所表示那樣地增加。因此，用電阻R1和晶體管T1所分割的復(fù)位柵電壓VRS也比設(shè)計(jì)值小ΔVRS’，結(jié)果是和復(fù)位柵電極下的電位變低那樣地作用著。這樣，復(fù)位柵電壓VRS與復(fù)位柵極下的雜質(zhì)濃度的偏差連動(dòng)地變動(dòng)，以便抵消該變動(dòng)量。
這里，復(fù)位柵電壓VRS的變動(dòng)量ΔVRS和晶體管T1的電流的變動(dòng)量有必要設(shè)定適當(dāng)?shù)谋嚷?，以便能抵消?fù)位柵極下的電位變動(dòng)。作為對(duì)此有用的手段，具有例如設(shè)置多個(gè)并聯(lián)的復(fù)位晶體管3，根據(jù)需要可使用其中的某幾個(gè)或者調(diào)整晶體管T1的尺寸W/L等方法。
然后，用圖3說(shuō)明本發(fā)明第2實(shí)施例。本實(shí)施例和第1實(shí)施例比較，不同點(diǎn)是在分壓電路27中用增強(qiáng)型(下面稱E型)晶體管T2代替電阻R1與復(fù)位漏極連接。
圖4表示第2實(shí)施例的復(fù)位柵電壓VRS和在E型晶體管T2及D型晶體管T1中分別流動(dòng)的電流的關(guān)系。
線L31表示E型晶體管T2中流動(dòng)的電流變化和復(fù)位柵電壓VRS的關(guān)系，線L32表示在D型晶體管T1中流動(dòng)的電流和復(fù)位柵電壓VRS的關(guān)系。線L33表示電源電壓VRD增加ΔVRD在晶體管T2流動(dòng)的電流和復(fù)位柵電壓VRS的關(guān)系。線L34表示在晶體管T1的通道區(qū)域的雜質(zhì)濃度增加時(shí)的晶體管T1流動(dòng)的電流和復(fù)位柵電壓VRS的關(guān)系。
和上述第1實(shí)施例相同，通過(guò)在D型晶體管T1的飽和區(qū)域設(shè)定線L31和L32的交點(diǎn)即復(fù)位柵電壓VRS，使晶體管T1處流動(dòng)的電流即使復(fù)位柵電壓VRS變化也變?yōu)閹缀鹾愣āＲ虼?，能使分壓電路恒流，?fù)位柵電壓VRS的變動(dòng)量ΔVRS對(duì)于復(fù)位漏極所施加的電源電壓VRD的變動(dòng)量ΔVRD的比例幾乎是1。
由于復(fù)位柵極下的雜質(zhì)濃度的偏差，在該區(qū)域的電阻值變的情況下，由相同的D型晶體管構(gòu)成的分壓電路27的晶體管T1的電阻值也與其連動(dòng)地同樣變動(dòng)。因而，復(fù)位柵電極下的電位變動(dòng)量也被反饋到電阻分割電路28的電阻分割處，即使復(fù)位柵極下的雜質(zhì)濃度變動(dòng)而分壓電路27的晶體管T1的電流量在抵消復(fù)位柵極下的電位變動(dòng)的方向變動(dòng)。
第1實(shí)施例的電阻R1如上述那樣用擴(kuò)散電阻，但通過(guò)使用其替代品的晶體管T2作為電阻元件，所以比擴(kuò)散電阻更能抑制因雜質(zhì)濃度的偏差引起導(dǎo)通電阻的變動(dòng)量。因而，第2實(shí)施例比第1實(shí)施例能將對(duì)于雜質(zhì)濃度變動(dòng)的復(fù)位柵極下的電位變動(dòng)抑制得更小。
如上述那樣使用第1、第2實(shí)施例，則在復(fù)位漏極所施加的電源8的電壓VRD上升ΔVRD時(shí)復(fù)位柵極所施加的電壓VRS也幾乎變化相同的變動(dòng)量ΔVRS。因此，能將在復(fù)位柵極施加高電平脈沖時(shí)的復(fù)位存入容限值φ2抑制得較小。并且，在復(fù)位柵極下的雜質(zhì)濃度變動(dòng)并比設(shè)計(jì)值高時(shí)，由于D型晶體管T1的導(dǎo)通阻抗也減小并使流動(dòng)的電流增大，使復(fù)位柵電壓VRS變小那樣地作用，所以能將復(fù)位阻擋層容限值φ1抑制得較小。
這樣，根據(jù)本實(shí)施例能同時(shí)較小地設(shè)定復(fù)位阻擋層容限值φ1和φ2。例如，具體地在圖5所示的已有技術(shù)的電路，合計(jì)成φ1和φ2的復(fù)位柵極下區(qū)域的電壓振幅必須是約3.5V，作為要在復(fù)位柵電極所輸入的電壓VRS的振幅必須是約4V。對(duì)此，根據(jù)上述第1或第2實(shí)施例，復(fù)位柵極下的電壓振幅可以降低到約2.5V，復(fù)位柵電壓VRS可以降低到3V。其結(jié)果是使脈沖振幅變小，實(shí)現(xiàn)低消耗電力，并且和外圍電路同樣能用3.3V等的低電壓源電壓，所以能削減必須用5.5V等高電源電壓的晶體管電路等。
上述實(shí)施例都是一個(gè)例子，但不限定本發(fā)明。例如，在實(shí)施例由二個(gè)電阻元件形成分壓電路17、27，但也可以用三個(gè)以上的電阻元件分割復(fù)位漏極電壓VRD并產(chǎn)生復(fù)位柵電壓VRS，這時(shí)也可以用D型晶體管構(gòu)成連接復(fù)位柵極的節(jié)點(diǎn)6和接地端子之間的電阻元件。
如上述說(shuō)明那樣，根據(jù)本發(fā)明的固體攝像裝置，通過(guò)和復(fù)位晶體管同樣地使用D型晶體管構(gòu)成電阻分割復(fù)位漏極所施加的電壓并產(chǎn)生復(fù)位柵極所施加的復(fù)位柵電壓的電路，在將復(fù)位漏極電壓的變動(dòng)量和復(fù)位柵電壓的變動(dòng)量的比率改善成幾乎1的同時(shí)使復(fù)位柵電壓連動(dòng)，以便能抑制柵極下的雜質(zhì)濃度的偏差成為原因的該區(qū)域的電位變動(dòng)，能使復(fù)位柵極所要輸入的脈沖振幅變小，能實(shí)現(xiàn)低消耗電力、低電源電壓化。
權(quán)利要求
1.一種固體攝像裝置，其特征在于該裝置具有在半導(dǎo)體基片的表面部分形成的、提供從鄰接的CCD傳送來(lái)的信號(hào)電荷并存儲(chǔ)的存儲(chǔ)部，檢測(cè)上述存儲(chǔ)部所存儲(chǔ)的信號(hào)電荷并向外部輸出檢測(cè)信號(hào)的電荷檢測(cè)部，在上述半導(dǎo)體基片的表面部分以與上述存儲(chǔ)部隔開(kāi)規(guī)定距離形成的排出部，以在上述存儲(chǔ)部和上述排出部之間所設(shè)置的耗盡型MOS晶體管構(gòu)成的復(fù)位部，和設(shè)定在上述復(fù)位部所施加的復(fù)位電壓的復(fù)位電壓設(shè)定機(jī)構(gòu)；上述復(fù)位電壓設(shè)定機(jī)構(gòu)在供給規(guī)定電壓的一端與接地的另一端之間串聯(lián)連接著第1、第2電阻元件，連接上述第1電阻元件和第2電阻元件的節(jié)點(diǎn)與上述復(fù)位電壓附加電極連接，上述第2電阻元件由耗盡型MOS晶體管構(gòu)成，該耗盡型MOS晶體管的耗盡型雜質(zhì)層是由與上述復(fù)位部的耗盡型雜質(zhì)相同的工藝方法形成的。
2.一種固體攝像裝置，其特征在于該裝置具有在半導(dǎo)體基片的表面部分形成的、提供從鄰接的CCD傳送來(lái)的信號(hào)電荷并存儲(chǔ)的浮置擴(kuò)散層，檢測(cè)上述浮置擴(kuò)散層所存儲(chǔ)的信號(hào)電荷并向外部輸出檢測(cè)信號(hào)的電荷檢測(cè)部，在上述半導(dǎo)體基片的表面部分有間距對(duì)向地形成上述浮置擴(kuò)散層和通道區(qū)域的復(fù)位漏極，通過(guò)絕緣膜在上述通道區(qū)域的上面形成的、當(dāng)施加復(fù)位電壓時(shí)通過(guò)上述通道區(qū)域使上述浮置擴(kuò)散層和上述復(fù)位漏極導(dǎo)通并將上述浮置擴(kuò)散層存儲(chǔ)的信號(hào)電荷傳送給上述復(fù)位漏極的復(fù)位柵極，使輸出端子與上述復(fù)位漏極連接從而輸出規(guī)定電壓并施加在上述復(fù)位漏讓的電壓施加機(jī)構(gòu)，一端與上述電壓施加機(jī)構(gòu)的輸出端子連接而另一端接在且將至少包含第1、第2電阻元件的電阻元件串聯(lián)連接在上述一端和上述另一端之間并使上述第1電阻元件和上述第2電阻元件的節(jié)點(diǎn)與上述復(fù)位柵電極連接的電阻分割器；上述第2電阻元件由耗盡型MOS晶體管構(gòu)成，該耗盡型MOS晶體管的耗盡型雜質(zhì)層由與上述復(fù)位部的耗盡型雜質(zhì)層相同的工藝方法形成的。
3.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其特征在于上述第1電阻元件是由增強(qiáng)型MOS晶體管構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置，其特征在于上述第1電阻元件是由增強(qiáng)型MOS晶體管構(gòu)成。
全文摘要
一種固體攝像裝置能不將復(fù)位柵極下區(qū)域的電位偏差被反饋到復(fù)位柵電壓,必須較小地設(shè)定復(fù)位柵極要施加脈沖振幅,使消耗電力降低。該裝置具有存儲(chǔ)部1、電荷檢測(cè)部9、排出部2、復(fù)位部和復(fù)位電壓設(shè)定機(jī)構(gòu)17,復(fù)位電壓設(shè)定機(jī)構(gòu)17在供給規(guī)定電壓VRD的一端和接地的另一端之間串聯(lián)連接著第1、第2電阻元件,連接第1電阻元件R1和第2電阻元件T1的節(jié)點(diǎn)被連接在復(fù)位電壓施加電極上,第2電阻元件T1由耗盡型MOS晶體管構(gòu)成,該D型雜質(zhì)層由與復(fù)位部的D型雜質(zhì)層相同的工藝方法構(gòu)成。
文檔編號(hào)H04N5/369GK1177213SQ97114919
公開(kāi)日1998年3月25日 申請(qǐng)日期1997年5月30日 優(yōu)先權(quán)日1996年5月30日
發(fā)明者荒川賢一 申請(qǐng)人:東芝株式會(huì)社