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      基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制方法與裝置的制造方法

      文檔序號:8322200閱讀:248來源:國知局
      基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制方法與裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明屬于通信技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制 方法與裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 隨著無線業(yè)務(wù)的不斷增長,頻譜資源已經(jīng)變得日益緊張。因此在今后的通信技術(shù) 中,如何提高頻譜利用率已經(jīng)成為需要解決的主要問題之一。為了盡可能地最大化頻譜利 用率,國內(nèi)外學(xué)者提出了認(rèn)知無線電技術(shù)。認(rèn)知無線電技術(shù)要求認(rèn)知用戶可以利用主用戶 未使用的頻段(空閑頻段)進(jìn)行通信,并且將認(rèn)知用戶對主用戶的干擾控制在可容忍的范 圍之內(nèi)。OFDM技術(shù)在無線通信系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,它具有較高的頻譜利用率,并且子載波調(diào)制 方式、占用帶寬等參數(shù)可以靈活控制,因此將OFDM技術(shù)應(yīng)用在認(rèn)知無線電技術(shù)中可以有效 滿足認(rèn)知無線電技術(shù)的要求。然而,OFDM調(diào)制信號存在較大的帶外功率泄露,因此在認(rèn)知 用戶發(fā)射端,簡單地關(guān)閉主用戶占用頻段對應(yīng)的OFDM子載波仍然會(huì)對主用戶造成較大的 旁瓣干擾,導(dǎo)致主用戶不能正常通信。因此,在認(rèn)知用戶發(fā)射端,采用某種技術(shù)加快OFDM功 率譜的帶外衰減顯得格外重要。
      [0003][0004]

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制 方法與裝置,其能夠在不增加計(jì)算復(fù)雜度和不引入干擾的情況下提高旁瓣抑制性能,從而 最大限度地抑制認(rèn)知用戶對主用戶的干擾。
      [0006] 為解決上述問題,本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
      [0007] 一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制方法,包含以下步驟:
      [0008] (1)產(chǎn)生獨(dú)立無記憶的基帶數(shù)據(jù),其中獨(dú)立無記憶是指各基帶數(shù)據(jù)之間是相互獨(dú) 立的,而且每一個(gè)基帶數(shù)據(jù)的取值都是等概率的;
      [0009] (2)對基帶數(shù)據(jù)進(jìn)行信道編碼;
      [0010] ⑶對編碼后的數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)制映射,得到M個(gè)調(diào)制映射后的數(shù)據(jù);
      [0011] (4)對調(diào)制映射后的數(shù)據(jù)進(jìn)行串并轉(zhuǎn)換,將M個(gè)串行的數(shù)據(jù)變換成v路的并行數(shù) 據(jù),每路并行數(shù)據(jù)的個(gè)數(shù)為N;
      [0012] (5)對v路并行數(shù)據(jù)依次進(jìn)行雙極性編碼;
      [0013] (6)對雙極性編碼后的v路數(shù)據(jù)分別進(jìn)行IFFT變換后形成v個(gè)OFDM符號,每個(gè) OFDM符號的IFFT變換的點(diǎn)數(shù)為N;
      [0014] (7)將IFFT變換后得到的v個(gè)OFDM符號分別進(jìn)行加窗,其中加窗函數(shù)為升余弦窗 函數(shù);
      [0015] (8)將加窗后的v個(gè)OFDM符號進(jìn)行并串轉(zhuǎn)換;
      [0016] (9)對串行數(shù)據(jù)進(jìn)行射頻調(diào)制,形成最終的OFDM調(diào)制信號。
      [0017] 上述步驟⑶中所進(jìn)行的調(diào)制映射為16QAM調(diào)制映射。
      [0018] 上述步驟(5)中經(jīng)過雙極性編碼后的v路并行數(shù)據(jù)中的1路數(shù)據(jù)滿足ai,2k =_ai,2k-i>k=1, 2,N/2+l〇
      [0019] 上述步驟(7)中所述的升余弦窗函數(shù)的數(shù)學(xué)表達(dá)式為:
      [0020]
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制方法,其特征是,包含以下步驟: (1) 產(chǎn)生獨(dú)立無記憶的基帶數(shù)據(jù); (2) 對基帶數(shù)據(jù)進(jìn)行信道編碼; (3) 對編碼后的數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)制映射,得到M個(gè)調(diào)制映射后的數(shù)據(jù); (4) 對調(diào)制映射后的數(shù)據(jù)進(jìn)行串并轉(zhuǎn)換,將M個(gè)串行的數(shù)據(jù)變換成V路的并行數(shù)據(jù),每 路并行數(shù)據(jù)的個(gè)數(shù)為N ; (5) 對V路并行數(shù)據(jù)依次進(jìn)行雙極性編碼; (6) 對雙極性編碼后的V路數(shù)據(jù)分別進(jìn)行IFFT變換后形成V個(gè)OFDM符號,每個(gè)OFDM 符號的IFFT變換的點(diǎn)數(shù)為N ; (7) 將IFFT變換后得到的V個(gè)OFDM符號分別進(jìn)行加窗,其中加窗函數(shù)為升余弦窗函 數(shù); (8) 將加窗后的V個(gè)OFDM符號進(jìn)行并串轉(zhuǎn)換; (9) 對串行數(shù)據(jù)進(jìn)行射頻調(diào)制,形成最終的OFDM調(diào)制信號。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制方法,其特征 是,步驟(3)中所進(jìn)彳丁的調(diào)制映射為16QAM調(diào)制映射。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制方法,其特征 是,步驟(5)中經(jīng)過雙極性編碼后的V路并行數(shù)據(jù)中的1路數(shù)據(jù)滿足 ai,2k=-a w,k = I, 2, N/2+lo
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制方法,其特征 是,步驟(7)中所述的升余弦窗函數(shù)的數(shù)學(xué)表達(dá)式為:
      式中,wn為升余弦窗函數(shù),β為窗函數(shù)的滾降系數(shù),N為IFFT變換的點(diǎn)數(shù),η為窗函數(shù) 序列的樣本數(shù)。
      5. 基于上述方法所設(shè)計(jì)的一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制裝置,其特征 是,由數(shù)字信源模塊、信道編碼模塊、調(diào)制映射模塊、串并轉(zhuǎn)換模塊、雙極性編碼模塊、IFFT 變換模塊、加窗模塊、并串轉(zhuǎn)換模塊和射頻模塊組成;數(shù)字信源模塊的輸出端經(jīng)信道編碼模 塊后送入調(diào)制映射申吳塊的輸入端,調(diào)制映射申吳塊的輸出端經(jīng)串并轉(zhuǎn)換申吳塊與雙極性編碼豐吳 塊的輸入端,雙極性編碼模塊的輸出端經(jīng)IFFT變換模塊與加窗模塊的輸入端相連,加窗模 塊的輸出端連接射頻模塊的輸入端。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制裝置,其特征 是,所述調(diào)制映射模塊為16QAM調(diào)制映射模塊。
      【專利摘要】本發(fā)明公開一種基于雙極性編碼與加窗的聯(lián)合旁瓣抑制方法與裝置,其數(shù)字信源模塊產(chǎn)生的基帶數(shù)據(jù)經(jīng)過信道編碼模塊的信道編碼,調(diào)制映射模塊的調(diào)制映射和串并轉(zhuǎn)換模塊的串并轉(zhuǎn)換后送入雙極性編碼模塊,雙極性編碼模塊對并行數(shù)據(jù)依次進(jìn)行雙極性編碼后送入IFFT變換模塊進(jìn)行IFFT變換,IFFT變換后的數(shù)據(jù)經(jīng)加窗模塊的升余弦窗后送入并串轉(zhuǎn)換模塊進(jìn)行并串轉(zhuǎn)換后送入射頻模塊,形成最終的OFDM調(diào)制信號。本發(fā)明能夠在不增加計(jì)算復(fù)雜度和不引入干擾的情況下提高旁瓣抑制性能,從而最大限度地抑制認(rèn)知用戶對主用戶的干擾。
      【IPC分類】H04L27-26
      【公開號】CN104639489
      【申請?zhí)枴緾N201510008840
      【發(fā)明人】肖海林, 胡靜, 許旻, 任嬋嬋, 賀棟梁, 侯嘉
      【申請人】桂林電子科技大學(xué)
      【公開日】2015年5月20日
      【申請日】2015年1月8日
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