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      插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:9220533閱讀:208來源:國知局
      插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明是關(guān)于一種高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu),特別關(guān)于一種具有插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在現(xiàn)今使用的各種電子裝置中,由于信號線傳輸資料量越來越大,因此所需要的信號傳輸線數(shù)量不但越來越多,傳輸信號的頻率也越來越高,故目前已普遍采用差模(Differential Mode)信號傳輸?shù)募夹g(shù)以降低電磁干擾(EMI),例如USB或LVDS(LowVoltage Differential Signaling)或EDP(Embedded Display Port)信號就大量使用這種傳輸技術(shù)來降低電磁干擾。
      [0003]雖然差模信號傳輸?shù)募夹g(shù)可以大大地改善信號傳送可能發(fā)生的問題,但若設(shè)計(jì)不良,則在實(shí)際應(yīng)用時(shí),往往會有信號反射、電磁波發(fā)散、信號傳送接收漏失、信號波形變形等問題。特別是在軟性電路板的基板厚度薄的狀況下,這些信號傳送的問題會較為嚴(yán)重。會造成這些問題的原因例如包括:差模信號線在長度延伸方向的特性阻抗匹配不良、差模信號線與接地層間多余的雜散電容效應(yīng)控制不良、高頻焊墊區(qū)與接地層間多余的雜散電容效應(yīng)控制不良、差模信號線與高頻焊墊區(qū)的特性阻抗不匹配等。
      [0004]在現(xiàn)有的技術(shù)下,如何防止軟性電路板在差模信號線的阻抗匹配問題,目前已有許多研發(fā)出的技術(shù)足以予以克服。然而,在差模信號線與軟性電路板上所布設(shè)的高頻焊墊區(qū)連接處及鄰近區(qū)域,由于受到差模信號線的線寬(線寬極小)與連接器的信號導(dǎo)接腳及零組件尺寸規(guī)格(相對于信號線的線寬具有較大的尺寸)的限制,因此要如何解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,即為從事此行業(yè)相關(guān)業(yè)者所亟欲研發(fā)的課題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]于是,本發(fā)明的主要目的即是提供一種插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu),利用一抗損耗接地圖型結(jié)構(gòu)與插接組件的焊墊區(qū)之間形成良好的阻抗匹配。
      [0006]本發(fā)明的另一目的是提供一種軟性電路板焊墊的非對稱輪廓結(jié)構(gòu),用以改善差模信號線與導(dǎo)通孔及焊墊間的空間利用。
      [0007]為達(dá)到本發(fā)明的目的,本發(fā)明提供一種插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu),在一軟性電路板上結(jié)合有一插接組件,其中:
      [0008]軟性電路板具有一基板,且所述基板具有一下表面、一上表面、一第一端、一第二端以及連接于所述第一端與所述第二端間的一延伸區(qū)段,所述延伸區(qū)段以一延伸方向延伸;
      [0009]至少一對下焊墊,成對的兩個(gè)所述下焊墊彼此相鄰且絕緣地布設(shè)在所述基板的所述下表面;
      [0010]至少一對上焊墊,成對的兩個(gè)所述上焊墊彼此相鄰且絕緣地布設(shè)在所述基板的所述上表面所定義的一導(dǎo)通孔布設(shè)區(qū),并所述上焊墊一一地對應(yīng)于所述下焊墊;
      [0011]至少一對差模信號線,成對的兩個(gè)所述差模信號線彼此相鄰且絕緣地布設(shè)在該基板的該延伸區(qū)段,并成對的兩個(gè)差模信號線分別連接于成對的兩個(gè)相鄰的上焊墊,該至少一對差模信號線載送至少一高頻差模信號,該差模信號線與該上焊墊相連接的區(qū)域定義為一交界轉(zhuǎn)換區(qū);
      [0012]多個(gè)導(dǎo)通孔,多個(gè)所述導(dǎo)通孔布設(shè)在該導(dǎo)通孔布設(shè)區(qū),且各個(gè)導(dǎo)通孔分別貫通連接該上焊墊與該下焊墊;
      [0013]所述插接組件包括有一插接組件本體、以及凸伸形成在所述插接組件本體的多個(gè)插接腳;
      [0014]其中:
      [0015]該基板的該下表面形成有一第一金屬層,且該第一金屬層在對應(yīng)于該交界轉(zhuǎn)換區(qū)處,形成有一抗損耗接地圖型結(jié)構(gòu),該抗損耗接地圖型結(jié)構(gòu)包括:
      [0016]一鏤空區(qū),對應(yīng)于該導(dǎo)通孔布設(shè)區(qū),且該鏤空區(qū)對應(yīng)地含蓋該交界轉(zhuǎn)換區(qū);
      [0017]至少一對凸伸部,成對的兩個(gè)所述凸伸部分別由該第一金屬層向該下焊墊的方向凸伸、且成對的兩個(gè)所述凸伸部分別對應(yīng)該差模信號線凸伸出一預(yù)定長度至該交界轉(zhuǎn)換區(qū)。
      [0018]如上所述的插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu),其中,該插接組件的該插接腳由該基板的該上表面一一地對應(yīng)插置通過該導(dǎo)通孔后凸出于該下表面,所述插接腳以焊著材料焊著定位在該下焊墊。
      [0019]如上所述的插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu),其中,該插接組件的該插接腳由該基板的該下表面一一地對應(yīng)插置通過該導(dǎo)通孔后凸出于該上表面,所述插接腳以焊著材料焊著定位在該上焊墊。
      [0020]如上所述的插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu),其中,該凸伸部的寬度漸縮,即該凸伸部在連接于該第一金屬層處的寬度較寬,沿所述凸伸部向該下焊墊延伸的方向,該凸伸部的寬度逐漸變窄。
      [0021]如上所述的插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu),其中,該基板的上表面更包括有一第二金屬層,所述第二金屬層作為該軟性電路板的屏蔽層、阻抗控制層或參考電位層O
      [0022]如上所述的插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu),其中,該上焊墊呈一非對稱輪廓結(jié)構(gòu),該上焊墊若以該導(dǎo)通孔中心為中心參考點(diǎn),所述上焊墊靠近成對的另一所述上焊墊的一側(cè)的邊緣與所述中心參考點(diǎn)之間的對向焊墊寬度較窄,而所述上焊墊遠(yuǎn)離成對的另一所述上焊墊的一側(cè)的邊緣與該中心參考點(diǎn)之間的偏移焊墊寬度較寬。
      [0023]如上所述的插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu),其中,該下焊墊呈一非對稱輪廓結(jié)構(gòu),該下焊墊若以該導(dǎo)通孔中心為中心參考點(diǎn),所述下焊墊靠近成對的另一所述下焊墊的一側(cè)的邊緣與所述中心參考點(diǎn)之間的對向焊墊寬度較窄,而所述下焊墊遠(yuǎn)離成對的另一所述下焊墊的一側(cè)的邊緣與該中心參考點(diǎn)之間的偏移焊墊寬度較寬。
      [0024]在功效方面,本發(fā)明通過抗損耗接地圖型結(jié)構(gòu)使與該焊墊之間形成良好的阻抗匹配,降低了信號傳輸時(shí)的高頻成份反射與損耗。再者,焊墊的非對稱輪廓結(jié)構(gòu)降低高頻信號的焊墊間的寄生電容進(jìn)而改善差模信號線與焊墊區(qū)的阻抗匹配。
      【附圖說明】
      [0025]以下附圖僅旨在于對本發(fā)明做示意性說明和解釋,并不限定本發(fā)明的范圍。其中:
      [0026]圖1顯示本發(fā)明插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu)立體示意圖。
      [0027]圖2顯示本發(fā)明插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu)立體仰視示意圖。
      [0028]圖3顯示圖1的A-A剖面圖。
      [0029]圖4顯示圖1的俯視平面圖。
      [0030]圖5顯示圖1的仰視平面圖。
      [0031]圖6顯示本發(fā)明下焊墊的非對稱輪廓結(jié)構(gòu)的示意圖。
      [0032]圖7顯示本發(fā)明應(yīng)用在雙面軟性電路板的剖面圖。
      [0033]附圖標(biāo)號說明:
      [0034]100軟性電路板
      [0035]200雙面軟性電路板
      [0036]I基板
      [0037]Ia下基板
      [0038]IlUla 上表面
      [0039]12、12a 下表面
      [0040]13第一端
      [0041]14第二端
      [0042]15延伸區(qū)段
      [0043]21、22 上焊墊
      [0044]23、24 下焊墊
      [0045]3導(dǎo)通孔
      [0046]31導(dǎo)通孔中心
      [0047]41、42 差模信號線
      [0048]43下差模信號線
      [0049]45保護(hù)層
      [0050]46下保護(hù)層
      [0051]47中間層
      [0052]51第一金屬層
      [0053]52第二金屬層
      [0054]6抗損耗接地圖型結(jié)構(gòu)
      [0055]61鏤空區(qū)
      [0056]62、63 凸伸部
      [0057]64非對稱輪廓結(jié)構(gòu)
      [0058]7插接組件
      [0059]71插接組件本體
      [0060]72插接腳
      [0061]Al導(dǎo)通孔布設(shè)區(qū)
      [0062]A2交界轉(zhuǎn)換區(qū)
      [0063]dl對向焊墊寬度
      [0064]d2偏移焊墊寬度
      [0065]M延伸方向
      【具體實(shí)施方式】
      [0066]為令本發(fā)明的技術(shù)手段及其所能達(dá)成的效果,能夠有更完整且清楚的揭露,現(xiàn)詳細(xì)說明如下,請一并參閱揭露的圖式及圖號:
      [0067]請參閱圖1及圖2,其中圖1顯示本發(fā)明插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu)立體示意圖,圖2顯示本發(fā)明插接組件高頻信號連接墊的抗損耗結(jié)構(gòu)立體仰視示意圖。如圖所不,軟性電路板100包括有一基板1,該基板I具有一上表面11、一下表面12、一第一端13、一第二端14以及連接于該第一端13與第二端14間的一延伸區(qū)段15,該延伸區(qū)段15以一延伸方向M延伸。所述延伸區(qū)段15以一延伸方向M延伸是指延伸區(qū)段15的兩端分別朝向第一端13和第二端14所在的方向延伸。
      [0068]基板I的該上表面11布設(shè)至少一對上焊墊21、22(即上焊墊21和上焊墊22),及基板I的該
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