微型揚(yáng)聲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電聲領(lǐng)域，具體的涉及一種微型揚(yáng)聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]揚(yáng)聲器作為一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為聲能的器件，已廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦、MP3、PDA等終端裝置中，其性能的優(yōu)劣影響著與之配合使用的終端裝置的聲放效果。隨著電子行業(yè)及科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，人們對(duì)揚(yáng)聲器產(chǎn)品性能的要求越來(lái)越高，而靈敏度又是衡量揚(yáng)聲器性能優(yōu)劣的重要指標(biāo)之一。所謂揚(yáng)聲器的靈敏度，也稱聲壓級(jí)，是指給揚(yáng)聲器輸入端施加額定功率為IW的電信號(hào)，距離揚(yáng)聲器軸方向Im處所產(chǎn)生的聲壓值，它往往體現(xiàn)了電能轉(zhuǎn)換為聲能的效率，靈敏度越高，揚(yáng)聲器越容易被驅(qū)動(dòng)。
[0003]對(duì)于微型揚(yáng)聲器而言，其靈敏度主要由磁路系統(tǒng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B值與音圈線的長(zhǎng)度L共同決定，二者乘積BL對(duì)靈敏度起決定作用。顯然，B值、L值越高，揚(yáng)聲器的靈敏度相應(yīng)越大。但由于受到微型揚(yáng)聲器產(chǎn)品外形尺寸的限制，增大L值會(huì)增加音圈的電阻或厚度，從而降低B值，目前，在B值不變的前提下增加L值尚無(wú)較好的策略。
[0004]因此，有必要對(duì)現(xiàn)有的音圈結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，以期在不改變磁感應(yīng)強(qiáng)度B值的同時(shí)增大音圈線的長(zhǎng)度L值，由此獲得較高的揚(yáng)聲器靈敏度，改善揚(yáng)聲器產(chǎn)品的性能。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種微型揚(yáng)聲器，對(duì)音圈本身的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，獲得較大的L值，并且不會(huì)因此降低磁路的磁感應(yīng)強(qiáng)度B值，從而獲得具有較高靈敏度的微型揚(yáng)聲器產(chǎn)品。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種微型揚(yáng)聲器，包括磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)；所述磁路系統(tǒng)包括導(dǎo)磁板、固定于所述導(dǎo)磁板表面的磁鐵和華司；所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜以及與所述振膜粘結(jié)固定的音圈，其中，所述音圈為矩形，包括分別相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)長(zhǎng)軸部和兩個(gè)短軸部；所述長(zhǎng)軸部和/或所述短軸部的外周設(shè)置有內(nèi)凹的凹陷部；所述磁鐵和所述華司對(duì)應(yīng)所述凹陷部的位置配合設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)。
[0007]作為一種改進(jìn)，所述凹陷部為楔形。
[0008]作為一種改進(jìn)，所述凹陷部于所述長(zhǎng)軸部和/或所述短軸部外周的任意位置對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0009]作為一種改進(jìn)，所述音圈的兩個(gè)長(zhǎng)軸部或者兩個(gè)短軸部之間的距離大于對(duì)應(yīng)的所述凹陷部之間的距離，并且距離差至少為3%。
[0010]作為一種改進(jìn)，所述磁路系統(tǒng)為單磁路結(jié)構(gòu)或者多磁路結(jié)構(gòu)。
[0011]作為一種改進(jìn)，所述磁路系統(tǒng)為多磁路結(jié)構(gòu)；所述磁鐵包括中心磁鐵；所述中心磁鐵兩個(gè)長(zhǎng)軸邊的外側(cè)相對(duì)設(shè)置有第一邊磁鐵，兩個(gè)短軸邊的外側(cè)相對(duì)設(shè)置有第二邊磁鐵；所述中心磁鐵、所述第一邊磁鐵和所述第二邊磁鐵的表面分別覆蓋有中心華司、第一邊華司和第二邊華司。
[0012]作為一種改進(jìn)，所述凹陷部于所述音圈的兩個(gè)長(zhǎng)軸部的外周對(duì)稱設(shè)置；所述中心磁鐵和所述中心華司的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有與所述凹陷部相一致的第一凹陷結(jié)構(gòu)；所述第一邊磁鐵和所述第一邊華司的對(duì)應(yīng)位置匹配設(shè)置有指向所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的第二凹陷結(jié)構(gòu)。
[0013]作為一種改進(jìn)，所述凹陷部于所述音圈的兩個(gè)短軸部的外周對(duì)稱設(shè)置；所述中心磁鐵和所述中心華司的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有與所述凹陷部相一致的第一凹陷結(jié)構(gòu)；所述第二邊磁鐵和所述第二邊華司的對(duì)應(yīng)位置匹配設(shè)置有指向所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的第二凹陷結(jié)構(gòu)。
[0014]作為一種改進(jìn)，所述凹陷部于所述音圈的兩個(gè)長(zhǎng)軸部和兩個(gè)短軸部的外周同時(shí)設(shè)置；所述中心磁鐵和所述中心華司的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有與所述凹陷部相一致的第一凹陷結(jié)構(gòu)；所述第一邊磁鐵、所述第一邊華司、所述第二邊磁鐵和所述第二邊華司的對(duì)應(yīng)位置均匹配設(shè)置有指向所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的第二凹陷結(jié)構(gòu)。
[0015]相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，本方案中，音圈的長(zhǎng)軸部和/或短軸部外周設(shè)置內(nèi)凹的凹陷部，并且磁路系統(tǒng)的磁鐵和華司的對(duì)應(yīng)位置配合設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步的，音圈的兩個(gè)長(zhǎng)軸部或者兩個(gè)短軸部之間的距離大于對(duì)應(yīng)的凹陷部之間的距離，并且距離差至少為3%，磁鐵總體積基本不變，故而磁路的磁感應(yīng)強(qiáng)度B值基本保持一致，但L值明顯增加，在同樣的音圈線徑和阻值的情況下，會(huì)得到更大的BL值，獲得更高的靈敏度；另外，在具有相同的音圈高度的情況下，本實(shí)用新型的微型揚(yáng)聲器可以適用更粗的音圈線徑，得到更好的低頻效果，提尚廣品的可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型微型揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)的爆炸圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型微型揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)的立體圖；
[0018]圖3為圖2沿A-A線的剖視圖；
[0019]圖4為本實(shí)用新型微型揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
[0020]圖5為圖4沿B-B線的剖視圖；
[0021]其中的附圖標(biāo)記包括:1、振膜，2、音圈，21、長(zhǎng)軸部，22、短軸部，23、凹陷部，3、導(dǎo)磁板，4、中心磁鐵，5、中心華司，6、第一邊磁鐵，7、第二邊磁鐵，8、第一邊華司，9、第二邊華司，10、第一凹陷結(jié)構(gòu)，11、第二凹陷結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖，詳細(xì)說(shuō)明本【實(shí)用新型內(nèi)容】:
[0023]實(shí)施例:
[0024]圖1-圖5示出了本實(shí)用新型微型揚(yáng)聲器的一種實(shí)施方式，該實(shí)施方式中，微型揚(yáng)聲器的磁路系統(tǒng)為多磁路結(jié)構(gòu)，并且音圈2的凹陷部23在其兩個(gè)長(zhǎng)軸部21的外周對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0025]參閱圖1、圖2、圖3和圖4，本實(shí)用新型的微型揚(yáng)聲器包括磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)，其中，磁路系統(tǒng)包括導(dǎo)磁板3、固定于導(dǎo)磁板3表面的磁鐵和華司，磁鐵包括中心磁鐵4，中心磁鐵4兩個(gè)長(zhǎng)軸邊的外側(cè)相對(duì)設(shè)置有第一邊磁鐵6，兩個(gè)短軸邊的外側(cè)相對(duì)設(shè)置有第二邊磁鐵7，中心磁鐵4、第一邊磁鐵6和第二邊磁鐵7的表面分別覆蓋有中心華司5、第一邊華司8和第二邊華司9 ;振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜I以及與振膜I粘結(jié)固定的音圈2，實(shí)施時(shí)，第一邊磁鐵6、第二邊磁鐵7與中心磁鐵4之間設(shè)置一定的距離，形成磁間隙，音圈2的一端懸置于上述磁間隙中。
[0026]參閱圖1和圖5所示，本實(shí)用新型的微型揚(yáng)聲器，音圈2為矩形，包括分別相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)長(zhǎng)軸部21和兩個(gè)短軸部22，兩個(gè)長(zhǎng)軸部21的外周設(shè)置有內(nèi)凹的凹陷部23，中心磁鐵4和中心華司5的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有與凹陷部23相一致的第一凹陷結(jié)構(gòu)10，第一邊磁鐵6和第一邊華司8的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有第二凹陷結(jié)構(gòu)11，第二凹陷結(jié)構(gòu)11與第一凹陷結(jié)構(gòu)10匹配設(shè)置并且指向第一凹陷結(jié)構(gòu)10。
[0027]通過(guò)上述技術(shù)方案，磁路的磁感應(yīng)強(qiáng)度B值基本保持不變，音圈線的長(zhǎng)度L值增加，BL值增大，從而提高微型揚(yáng)聲器產(chǎn)品的靈敏度。
[0028]優(yōu)選的，凹陷部23為楔形，需要說(shuō)明的是，實(shí)施時(shí)，凹陷部23的形狀并不限于本實(shí)施方式示出的楔形形狀，也可以是其他規(guī)則或者不規(guī)則的形狀。
[0029]優(yōu)選的，凹陷部23可以在兩個(gè)長(zhǎng)軸部21外周的任意位置對(duì)應(yīng)設(shè)置，可以是中間位置，也可以是其他位置，具體不受此限。
[0030]優(yōu)選的，音圈2的兩個(gè)長(zhǎng)軸部21的距離大于對(duì)應(yīng)的凹陷部23之間的距離，并且距離差至少為3%。
[0031]需要說(shuō)明的是，本技術(shù)方案不僅適用于本實(shí)施方式示出的多磁路結(jié)構(gòu)的微型揚(yáng)聲器，同樣也可以適用于單磁路結(jié)構(gòu)的微型揚(yáng)聲器；另外，對(duì)于在多磁路結(jié)構(gòu)微型揚(yáng)聲器中的應(yīng)用，也不限于本實(shí)施例示出的音圈長(zhǎng)軸部21內(nèi)凹的方式，還可以是音圈短軸部22內(nèi)凹或者長(zhǎng)軸部21和短軸部22同時(shí)內(nèi)凹。當(dāng)音圈短軸部22的外周對(duì)稱設(shè)置凹陷部時(shí)，中心磁鐵4和中心華司5的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置與凹陷部相一致的第一凹陷結(jié)構(gòu)，而第二邊磁鐵7和第二邊華司9的對(duì)應(yīng)位置匹配設(shè)置有指向第一凹陷結(jié)構(gòu)的第二凹陷結(jié)構(gòu)；當(dāng)長(zhǎng)軸部21和短軸部22同時(shí)設(shè)置凹陷部時(shí)，中心磁鐵4和中心華司5的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有與所述凹陷部相一致的第一凹陷結(jié)構(gòu)，而第一邊磁鐵6、第一邊華司8、第二邊磁鐵7和第二邊華司9的對(duì)應(yīng)位置均匹配設(shè)置有指向第一凹陷結(jié)構(gòu)的第二凹陷結(jié)構(gòu)。
[0032]以上僅為本實(shí)用新型實(shí)施案例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微型揚(yáng)聲器，包括磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)；所述磁路系統(tǒng)包括導(dǎo)磁板、固定于所述導(dǎo)磁板表面的磁鐵和華司；所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜以及與所述振膜粘結(jié)固定的音圈，其特征在于:所述音圈為矩形，包括分別相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)長(zhǎng)軸部和兩個(gè)短軸部；所述長(zhǎng)軸部和/或所述短軸部的外周設(shè)置有內(nèi)凹的凹陷部；所述磁鐵和所述華司對(duì)應(yīng)所述凹陷部的位置配合設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型揚(yáng)聲器，其特征在于:所述凹陷部為楔形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型揚(yáng)聲器，其特征在于:所述凹陷部于所述長(zhǎng)軸部和/或所述短軸部外周的任意位置對(duì)應(yīng)設(shè)置。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型揚(yáng)聲器，其特征在于:所述音圈的兩個(gè)長(zhǎng)軸部或者兩個(gè)短軸部之間的距離大于對(duì)應(yīng)的所述凹陷部之間的距離，并且距離差至少為3%。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型揚(yáng)聲器，其特征在于:所述磁路系統(tǒng)為單磁路結(jié)構(gòu)或者多磁路結(jié)構(gòu)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型揚(yáng)聲器，其特征在于:所述磁路系統(tǒng)為多磁路結(jié)構(gòu)；所述磁鐵包括中心磁鐵；所述中心磁鐵兩個(gè)長(zhǎng)軸邊的外側(cè)相對(duì)設(shè)置有第一邊磁鐵，兩個(gè)短軸邊的外側(cè)相對(duì)設(shè)置有第二邊磁鐵；所述中心磁鐵、所述第一邊磁鐵和所述第二邊磁鐵的表面分別覆蓋有中心華司、第一邊華司和第二邊華司。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型揚(yáng)聲器，其特征在于:所述凹陷部于所述音圈的兩個(gè)長(zhǎng)軸部的外周對(duì)稱設(shè)置；所述中心磁鐵和所述中心華司的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有與所述凹陷部相一致的第一凹陷結(jié)構(gòu)；所述第一邊磁鐵和所述第一邊華司的對(duì)應(yīng)位置匹配設(shè)置有指向所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的第二凹陷結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型揚(yáng)聲器，其特征在于:所述凹陷部于所述音圈的兩個(gè)短軸部的外周對(duì)稱設(shè)置；所述中心磁鐵和所述中心華司的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有與所述凹陷部相一致的第一凹陷結(jié)構(gòu)；所述第二邊磁鐵和所述第二邊華司的對(duì)應(yīng)位置匹配設(shè)置有指向所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的第二凹陷結(jié)構(gòu)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型揚(yáng)聲器，其特征在于:所述凹陷部于所述音圈的兩個(gè)長(zhǎng)軸部和兩個(gè)短軸部的外周同時(shí)設(shè)置；所述中心磁鐵和所述中心華司的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有與所述凹陷部相一致的第一凹陷結(jié)構(gòu)；所述第一邊磁鐵、所述第一邊華司、所述第二邊磁鐵和所述第二邊華司的對(duì)應(yīng)位置均匹配設(shè)置有指向所述第一凹陷結(jié)構(gòu)的第二凹陷結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種微型揚(yáng)聲器，包括磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)包括導(dǎo)磁板、固定于導(dǎo)磁板表面的磁鐵和華司，振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜以及與振膜粘結(jié)固定的音圈，音圈為矩形，包括分別相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)長(zhǎng)軸部和兩個(gè)短軸部，長(zhǎng)軸部和/或短軸部的外周設(shè)置有內(nèi)凹的凹陷部，磁鐵和華司對(duì)應(yīng)凹陷部的位置配合設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的微型揚(yáng)聲器，通過(guò)改變音圈的形狀，在不改變磁感應(yīng)強(qiáng)度B值的前提下，增大音圈線的長(zhǎng)度L值，使得BL值增大，從而提高了微型揚(yáng)聲器產(chǎn)品的靈敏度。
【IPC分類】H04R9/06
【公開號(hào)】CN204616076
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520235516
【發(fā)明人】韓丹, 楊赟, 霍新祥
【申請(qǐng)人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請(qǐng)日】2015年4月17日