電容C2的值。載波頻率f取值為4MHz或8MHz，感應(yīng)線圈10的電感值L取值為5uH，代入公式f= 1/2JT入LC計算可得到第一電容Cl和第二電容C2的值，且Cl =C2，該計算值為第一電容Cl和第二電容C2的理想值，在實(shí)際電路設(shè)計中還需要不斷微調(diào)第一電容Cl和第二電容C2的值，直至用示波器測得第一電容Cl和第二電容C2的信號頻率與載波頻率f 一致；
[0032](3)低通濾波電路30的設(shè)計:根據(jù)數(shù)據(jù)的碼率和載波頻率設(shè)置低通濾波器的截止頻率fp，當(dāng)碼率和載波頻率差異較大時候，可選擇碼率的5倍到10倍作為截止頻率，例如對2K碼率，2M載波而言，可選擇1KHz作為低通濾波器的截止頻率fP，根據(jù)設(shè)置的低通濾波器的截止頻率fP計算出所需的時間常數(shù)，利用公式fP = l/23iRC，第一電阻Rl與第二電阻R2為耗能元器件，故取值范圍為5Ω <R1 < 100Ω，5Ω < R2 < 100 Ω，優(yōu)選值為R1 = R2 = 50 Ω，例如，當(dāng)截止頻率fP取值為15ΚΗζ時，計算得到第三電容C3和第四電容C4的值為C3 = C4 = 2.08nF，在選定截止頻率4后，可以得到多組第一電阻R1、第三電容C3和第二電阻R2、第四電容C4的值，由于該低通濾波電路30介于匹配電路20和信號放大電路40之間，該低通濾波電路30的與輸入端與匹配電路20的輸出端相連，此時該低通濾波電路30可等效為匹配電路20的負(fù)載，要求其內(nèi)阻值越大越好，該低通濾波電路30的與輸出端與信號放大電路40的輸入端相連，此時該低通濾波電路30可等效為信號放大電路40的輸入源，要求其內(nèi)阻值越小越好，故第一電阻Rl、第三電容C3和第二電阻R2、第四電容C4的選值存在最優(yōu)值的選擇過程；
[0033](4)信號放大電路40的設(shè)計:根據(jù)信號放大電路40的原理可知第一輸出電流1utl和第二輸出電流Icmt2滿足關(guān)系式Icmt2= (R4/R3) Icmt1，因此只需調(diào)整第三電阻R3與第四電阻R4的比值，即可調(diào)整控制放大倍數(shù)。
[0034]本實(shí)用新型提供一種用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，包括:感應(yīng)線圈10、匹配電路20、低通濾波電路30和信號放大電路40，其中，感應(yīng)線圈10可耦合低頻磁場發(fā)出的信號，將信號轉(zhuǎn)化成電流；匹配電路20連接感應(yīng)線圈10兩端，包括第一電容Cl和第二電容C2，用于降低耦合進(jìn)入線圈中的電流在傳輸時的損耗;低通濾波電路30，包括第一電阻R1、第三電容C3、第二電阻R2、第四電容C4，用于過濾高頻信號留下低頻信號；信號放大電路40包括第三電阻R3、第四電阻R4和信號放大器A，用于將傳輸造成衰減的電流放大。該低頻信號檢測電路具有較高的抗干擾能力，可接收低頻信號并將SM卡的通信距離控制在1cm范圍之內(nèi)。
[0035]實(shí)施例2
[0036]如圖2所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例2—種用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路的檢測結(jié)構(gòu)示意圖，該低頻信號檢測電路的檢測結(jié)構(gòu)包括低頻信號發(fā)射端I和一帶有低頻信號檢測電路的S頂卡2，低頻信號發(fā)射端I可發(fā)射IMHz，2MHz，4MHz和8MHz的載波磁場，S頂卡2中的低頻信號檢測電路首先通過感應(yīng)線圈10將低頻載波磁場耦合形成電流，再進(jìn)過匹配電路20降低耦合進(jìn)入線圈中的電流在傳輸時的損耗，低通濾波電路30用于過濾高頻信號留下低頻信號，最后經(jīng)過信號放大電路40將傳輸造成衰減的電流放大。
[0037]該低頻信號檢測電路的檢測結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，每個部分相互配合使得射頻SM卡具有較高的抗干擾能力，能將射頻S頂卡的通信距離控制在合理的范圍之內(nèi)。
[0038]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述檢測電路包括: 感應(yīng)線圈，用于耦合低頻磁場發(fā)出的信號，將所述信號轉(zhuǎn)化成電流； 匹配電路，用于降低耦合進(jìn)入線圈中的電流在傳輸時的損耗，所述匹配電路連接感應(yīng)線圈兩端，包括第一電容和第二電容，所述第一電容與感應(yīng)線圈的一端相連后接地，所述第二電容與感應(yīng)線圈的另一端相連后接地； 低通濾波電路，用于過濾高頻信號留下低頻信號，包括第一電阻、第三電容、第二電阻、第四電容，所述第一電阻一端與第一電容的非接地端相連，另一端與第三電容的非接地端相連，所述第二電阻一端與第二電容的非接地端相連，另一端與第四電容的非接地端相連，所述第三電容一端與第一電阻相連，另一端接地，所述第四電容一端與第二電阻相連，另一端接地； 信號放大電路，用于將傳輸造成衰減的電流放大，包括第三電阻、第四電阻和信號放大器，所述第三電阻一端與第三電容的非接地端相連，另一端與信號放大器的正輸入端相連，所述第四電阻一端與信號放大器的正輸入端相連，另一端與信號放大器的輸出端相連，所述信號放大器的負(fù)輸入端與第四電容的非接地端相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述感應(yīng)線圈的形狀與S頂卡的形狀和大小匹配，為圓形、矩形、弧形、W形、S形或棍狀。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述感應(yīng)線圈用陶瓷、磁性材料或銅質(zhì)材料制成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述感應(yīng)線圈電感值L的取值范圍為IuHS LS 10uH。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述感應(yīng)線圈品質(zhì)因數(shù)Q的取值范圍為10 < Qg 30。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述感應(yīng)線圈品質(zhì)因數(shù)Q為20。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述第一電阻Rl的取值范圍為5 Ω <R1 < 100Ω。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述第一電阻Rl為10 Ω。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述第二電阻R2的取值范圍為5 Ω <R2<100Q。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路，其特征在于，所述第二電阻R2為10Ω。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及檢測電路領(lǐng)域，提供了一種用于射頻SIM卡的低頻信號檢測電路。該檢測電路包括：感應(yīng)線圈、匹配電路、低通濾波電路和信號放大電路。其中，感應(yīng)線圈可耦合低頻磁場發(fā)出的信號，將信號轉(zhuǎn)化成電流；匹配電路連接感應(yīng)線圈兩端，包括第一電容和第二電容，用于降低耦合進(jìn)入線圈中的電流在傳輸時的損耗；低通濾波電路包括第一電阻、第三電容、第二電阻、第四電容，用于過濾高頻信號留下低頻信號；信號放大電路包括第三電阻、第四電阻和信號放大器，用于將傳輸造成衰減的電流放大。本實(shí)用新型電路具有較高的抗干擾能力，可接收低頻信號并將SIM卡的通信距離控制在10cm范圍之內(nèi)。
【IPC分類】H04B17/21, G06K19/077
【公開號】CN205249240
【申請?zhí)枴緾N201521134528
【發(fā)明人】江建文, 陳毅成, 張明宇
【申請人】深圳中科訊聯(lián)科技有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2015年12月30日