微型發(fā)聲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電聲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種微型發(fā)聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]微型發(fā)聲器是便攜式電子設(shè)備的重要聲學(xué)部件，用于完成電信號(hào)與聲音信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換，是一種能量轉(zhuǎn)換器件。現(xiàn)有的微型發(fā)聲器包括振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)包括盆架及依次固定在盆架內(nèi)側(cè)的磁鐵和華司，磁鐵和華司構(gòu)成中心磁路并與盆架的側(cè)壁之間設(shè)有磁間隙。其中磁鐵的結(jié)構(gòu)多為倒角矩形，即其四個(gè)角部均為圓角結(jié)構(gòu)(倒R角)，此圓角結(jié)構(gòu)在加工時(shí)是采用打磨工藝加工而成的，此種加工工藝加工難度大，效率低，且加工的誤差較大，廢品率高；同時(shí)此種圓角結(jié)構(gòu)導(dǎo)致磁鐵的直邊長度較小，不能夠充分的利用磁鐵的磁能，影響了微型發(fā)聲器的整體性能。另外此種結(jié)構(gòu)的磁路系統(tǒng)漏磁較多，易對(duì)電子設(shè)備中的其它部件產(chǎn)生干擾，造成電子設(shè)備的性能下降。
[0003]為了解決上述問題，技術(shù)人員通常將磁路系統(tǒng)改為三磁路或五磁路，即在中心磁路的兩側(cè)或四側(cè)再各增加一塊磁鐵和華司，減小中心磁路的尺寸以減小漏磁，提高磁場利用率;或者在微型發(fā)聲器的周邊包裹屏蔽金屬片來減小漏磁。此兩種方式雖然減小了漏磁，但增加了成本，同時(shí)也未充分的利用微型發(fā)聲器的有限空間，造成空間的浪費(fèi)，致使微型發(fā)聲器的整體聲學(xué)性能難以提升。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]針對(duì)以上缺陷，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種微型發(fā)聲器，此微型發(fā)聲器的磁路漏磁少，磁場利用率高，整體聲學(xué)性能好，生產(chǎn)成本低。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0006]—種微型發(fā)聲器，包括外殼，所述外殼內(nèi)收容有振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)包括疊加在一起的盆架、磁鐵和華司，所述華司的中部設(shè)有凹陷部，所述凹陷部設(shè)置在所述華司未結(jié)合所述磁鐵的一側(cè)表面上。
[0007]其中，所述磁鐵的四個(gè)角部均設(shè)有第一倒角斜面。
[0008]其中，所述華司的直邊長度與所述磁鐵的直邊長度相等。
[0009]其中，所述盆架包括底部及分別設(shè)置在所述底部周邊的側(cè)壁，所述磁鐵和所述華司固定在所述底部內(nèi)側(cè)的中心部位，所述磁鐵和所述華司與各所述側(cè)壁之間設(shè)有磁間隙。
[0010]其中，所述側(cè)壁的厚度大于所述底部的厚度。
[0011 ]其中，各所述側(cè)壁端面的外側(cè)均設(shè)有第二倒角斜面。
[0012]其中，所述底部外側(cè)的四個(gè)角部分別設(shè)有凹陷的避讓部。
[0013]其中，所述凹陷部為擴(kuò)口結(jié)構(gòu)。
[0014]采用了上述技術(shù)方案后，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0015]由于本實(shí)用新型微型發(fā)聲器的磁路系統(tǒng)包括疊加在一起的盆架、磁鐵和華司，華司的中部設(shè)有下沉的凹陷部，凹陷部設(shè)置在華司未結(jié)合磁鐵的一側(cè)表面上。如圖6和圖7所示，凹陷部的設(shè)置能夠?qū)⒋盆F產(chǎn)生的磁力線更多的聚攏到振動(dòng)系統(tǒng)的音圈區(qū)域，減小漏磁，增大了磁間隙內(nèi)的磁通密度，提高了磁場利用率，音圈受到的磁場力更大，使得音圈能夠提供更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)力，大大的提高了微型發(fā)聲器的聲學(xué)性能。同時(shí)結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本低。
[0016]由于磁鐵的四個(gè)角部均設(shè)有第一倒角斜面，即在磁鐵的四個(gè)角部倒C角，此結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)中的倒R角的結(jié)構(gòu)相比加工簡單，加工效率高，且加工誤差小，合格率高，有效的降低了磁鐵的生產(chǎn)成本；同時(shí)在磁鐵的對(duì)角線長度不變的情況下倒C角可以使得磁鐵的直邊長度更長，從而增加了磁路系統(tǒng)和音圈的直邊長度，充分的利用了磁鐵的磁能，進(jìn)一步的增大了音圈受到的磁場力，從而進(jìn)一步的增大了音圈提供的驅(qū)動(dòng)力，進(jìn)一步的提高了微型發(fā)聲器的聲學(xué)性能。
[0017]由于盆架的側(cè)壁厚度大于底部的厚度，能夠有效的將磁力線束縛在磁路系統(tǒng)中，在同等距離下漏磁量更低，減小了對(duì)電子設(shè)備其它部件的干擾，提高了電子設(shè)備的性能。
[0018]由于盆架側(cè)壁的端面外側(cè)設(shè)有第二倒角斜面，如圖6和圖7所示，此第二倒角斜面更進(jìn)一步的將磁力線束縛在磁路系統(tǒng)中，進(jìn)一步的減小了漏磁量，進(jìn)一步的減小了對(duì)電子設(shè)備其它部件的干擾。
[0019]由于盆架底部外側(cè)的四個(gè)角部均設(shè)有凹陷的避讓部，避讓部可避免在微型發(fā)聲器安裝到電子設(shè)備中后盆架與電子設(shè)備主板上的焊盤相接觸，規(guī)避了短路的風(fēng)險(xiǎn)，提高了電子設(shè)備及微型發(fā)聲器的可靠性和使用壽命。
[0020]綜上所述，本實(shí)用新型微型發(fā)聲器解決了現(xiàn)有技術(shù)中微型發(fā)聲器磁場利用率低、漏磁量大等技術(shù)問題，本實(shí)用新型微型發(fā)聲器的磁場利用率高，漏磁量小，生產(chǎn)成本低，可靠性高，整體聲學(xué)性能好。
【附圖說明】
[0021 ]圖1是本實(shí)用新型微型發(fā)聲器的磁路系統(tǒng)的分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是圖1的組合圖；
[0023]圖3是圖2的A-A線剖視圖；
[0024]圖4是圖1中盆架的結(jié)構(gòu)示意圖一外側(cè)朝上；
[0025]圖5是本實(shí)用新型微型發(fā)聲器與焊盤結(jié)合的局部示意圖；
[0026]圖6是現(xiàn)有技術(shù)中的微型發(fā)聲器的磁力線分布仿真圖；
[0027]圖7是本實(shí)用新型微型發(fā)聲器的磁力線分布仿真圖；
[0028]圖中:10、華司，12、凹陷區(qū)，14、倒角弧面，20、磁鐵，22、第一倒角斜面，30、盆架，32、底部，34、側(cè)壁，340、第二倒角斜面，36、避讓部，40、外殼，50、焊盤。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0030]本說明書中涉及到的內(nèi)側(cè)指靠近磁路系統(tǒng)中心的一側(cè)，外側(cè)指遠(yuǎn)離磁路系統(tǒng)中心的一側(cè)。
[0031]如圖1、圖2和圖3共同所示，一種微型發(fā)聲器，包括外殼(圖中未示出)，外殼內(nèi)收容有振動(dòng)系統(tǒng)(圖中未示出)和磁路系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)為矩形結(jié)構(gòu)。磁路系統(tǒng)包括疊加在一起的盆架30、磁鐵20和華司10。盆架30包括矩形的底部32，底部32的四側(cè)邊緣位置各設(shè)有一側(cè)壁34，側(cè)壁34與底部32相垂直。磁鐵20固定在底部32內(nèi)側(cè)的中心位置，華司10固定在磁鐵20上。磁鐵20和華司10與各側(cè)壁34之間設(shè)有磁間隙，振動(dòng)系統(tǒng)的音圈位于磁間隙內(nèi)。
[0032]如圖1、圖2和圖3共同所示，華司10的上表面的中部設(shè)有下沉的凹陷部12，即凹陷部12設(shè)置在華司10未與磁鐵20相結(jié)合的一側(cè)表面上。凹陷部12為矩形結(jié)構(gòu)，其側(cè)邊傾斜向外延伸，即凹陷部12為口大底小的擴(kuò)口結(jié)構(gòu)。凹陷部12能夠?qū)⒋盆F20產(chǎn)生的磁力線更多的聚攏到振動(dòng)系統(tǒng)的音圈區(qū)域，減小漏磁，提高磁場的利用率。
[0033]如圖1和圖2共同所示，磁鐵20的四個(gè)角部均設(shè)有第一倒角斜面22，即在磁鐵20的四個(gè)角部均倒C角，為直線倒角，倒C角不僅加工簡單，而且與倒R角相比能夠有效的增加磁鐵20直邊部分的長度，有利于提高磁場的利用率。華司10的四個(gè)角部均設(shè)有倒角弧面14，SP在華司10的四個(gè)角部均倒R角，為圓弧倒角，且華司10直邊部分的長度與磁鐵20直邊部分的長度相同。此結(jié)構(gòu)增加了磁路系統(tǒng)和音圈的直邊長度，充分的利用了磁鐵的磁能，提高了微型發(fā)聲器的聲學(xué)性能。
[0034]如圖1、圖2和圖3共同所示，盆架30的側(cè)壁34的厚度大于底部32的厚度，側(cè)壁34的厚度大能夠?qū)⒋盆F20產(chǎn)生的磁力線聚攏在磁路系統(tǒng)中，減小漏磁。各側(cè)壁34端面的外側(cè)均設(shè)有第二倒角斜面340，即在側(cè)壁34的頂端外側(cè)倒C角，此結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步的減少漏磁，提高磁場的利用率。
[0035]如圖4和圖5共同所示，盆架30的底部32的外側(cè)設(shè)有凹陷的避讓部36，避讓部36共設(shè)有四個(gè)，分別設(shè)置在底部32的四個(gè)角部。在微型發(fā)聲器組裝完畢后，盆架30的外側(cè)是裸露在外殼40的外部的，且其底部32的外表面基本上與外殼40的端面齊平，此結(jié)構(gòu)能夠有效的減小微型發(fā)聲器的厚度。在將組裝好后的微型發(fā)聲器安裝到電子設(shè)備中時(shí)，固定在外殼40上的電連接部件會(huì)與電子設(shè)備的電路板上的焊盤50進(jìn)行電連接，此時(shí)焊盤50會(huì)很容易的與盆架相接觸造成短路，避讓部36能夠有效的避免焊盤50與盆架30接觸，杜絕了短路現(xiàn)象，提高了電子設(shè)備的可靠性和使用壽命。
[0036]如圖6和圖7共同所示，本實(shí)用新型通過對(duì)盆架、磁鐵和華司三個(gè)部件在結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)，有效的提高了穿過音圈的磁力線數(shù)量，增大了音圈的驅(qū)動(dòng)力，減少了漏磁，提高了磁場的利用率，提高了微型發(fā)聲器的聲學(xué)性能。
[0037]本說明書僅是以上述結(jié)構(gòu)的磁路系統(tǒng)為例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行舉例說明，實(shí)際應(yīng)用中本實(shí)用新型的技術(shù)方案并不僅限于上述結(jié)構(gòu)的磁路系統(tǒng)中，其可應(yīng)用于任何一種單磁路的磁路系統(tǒng)中，如圓形、跑道形的磁路系統(tǒng)均可，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)上述實(shí)施例的闡述，不需要付出任何創(chuàng)造性的勞動(dòng)就可以將本實(shí)用新型的技術(shù)方案應(yīng)用到其它結(jié)構(gòu)的磁路系統(tǒng)及微型發(fā)聲器中，故無論磁路系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和形狀是否與上述實(shí)施例的相同，只要是在華司、磁鐵和盆架上做了相應(yīng)的改進(jìn)，用以減小漏磁，增加磁場利用率的產(chǎn)品均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0038]本說明書中涉及到的第一倒角斜面和第二倒角斜面的命名僅是為了區(qū)別技術(shù)特征，并不代表二者之間的位置關(guān)系，裝配順序等。
[0039]本實(shí)用新型不局限于上述具體的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出發(fā)，不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動(dòng)，所做出的種種變換，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.微型發(fā)聲器，包括外殼，所述外殼內(nèi)收容有振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)包括疊加在一起的盆架、磁鐵和華司，其特征在于，所述華司的中部設(shè)有凹陷部，所述凹陷部設(shè)置在所述華司未結(jié)合所述磁鐵的一側(cè)表面上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)聲器，其特征在于，所述磁鐵的四個(gè)角部均設(shè)有第一倒角斜面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)聲器，其特征在于，所述華司的直邊長度與所述磁鐵的直邊長度相等。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)聲器，其特征在于，所述盆架包括底部及分別設(shè)置在所述底部周邊的側(cè)壁，所述磁鐵和所述華司固定在所述底部內(nèi)側(cè)的中心部位，所述磁鐵和所述華司與各所述側(cè)壁之間設(shè)有磁間隙。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)聲器，其特征在于，所述側(cè)壁的厚度大于所述底部的厚度。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型發(fā)聲器，其特征在于，各所述側(cè)壁端面的外側(cè)均設(shè)有第二倒角斜面。7.根據(jù)權(quán)利要求4至6任一權(quán)利要求所述的微型發(fā)聲器，其特征在于，所述底部外側(cè)的四個(gè)角部分別設(shè)有凹陷的避讓部。8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一權(quán)利要求所述的微型發(fā)聲器，其特征在于，所述凹陷部為擴(kuò)口結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種微型發(fā)聲器，涉及電聲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，包括外殼，所述外殼內(nèi)收容有振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)包括疊加在一起的盆架、磁鐵和華司，所述華司的中部設(shè)有凹陷部，所述凹陷部設(shè)置在所述華司未結(jié)合所述磁鐵的一側(cè)表面上。本實(shí)用新型微型發(fā)聲器解決了現(xiàn)有技術(shù)中微型發(fā)聲器磁場利用率低、漏磁量大等技術(shù)問題，本實(shí)用新型微型發(fā)聲器的磁場利用率高，漏磁量小，生產(chǎn)成本低，可靠性高，整體聲學(xué)性能好。
【IPC分類】H04R9/02, H04R9/06
【公開號(hào)】CN205249475
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521087477
【發(fā)明人】王興龍, 葛連山
【申請(qǐng)人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2015年12月23日