專利名稱：母片、基片元件及其制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及母片、基片元件及其制造方法。尤其是，本發(fā)明涉及一種母片，用于制造包含諸如諧振器和濾波器之類的電子元件的基片元件。
關(guān)于本發(fā)明的已知技術(shù)在例如第8-293752、58-139513、8-97674和7-335995號日本未審查專利申請公告中有揭示。
已經(jīng)廣泛地使用了傳統(tǒng)的方法，其中在母片上形成電極圖案，并且通過將母片切割為多片而得到基片元件。在傳統(tǒng)的方法中，使用例如如圖20所示的母片。圖20所示的母片1在對應于四個角的位置上以及每一個基片元件3的橫向側(cè)的中間部分設置有通孔4。在每一個通孔4的內(nèi)部表面上以及每一個基片元件3的主平面上設置電極2。通過切塊機或其它類似的切割裝置沿切割線切割母片1，由此得到圖21所示的基片元件3。
但是，根據(jù)傳統(tǒng)的方法，產(chǎn)生一個問題，即需要根據(jù)基片元件3的通孔4的數(shù)量，需要為用于形成母片的多個模子設置定位銷，因此增加了模子的成本，由此增加了基片元件3的制造成本。而且，在為母片1在基片元件3的橫向側(cè)位置設置多個通孔4的方法中，當通孔4相互過于接近時，可能發(fā)生電極2之間的短路和基片的破裂，從而防礙了基片元件3的小型化。另外，在具有許多通孔4的基片元件3中，發(fā)現(xiàn)一個問題，即，設置密封材料和導電材料的基片元件3的面積受限制。必須如此提供這些材料，以便當基片元件3與電子裝置元件或封裝基片連接時不滲透到通孔4中。通過減小密封材料和導電材料的面積，生產(chǎn)的電子裝置的可靠性降低。為了解決這些問題，基片元件3必須做得大，這阻止了基片和元件的小型化。為了克服上述問題，本發(fā)明的較佳實施例提供了一種制造由母片得到的基片元件的設備和方法，它減少和基片元件的制造成本，使基片元件的尺寸最小化，并且提高了電子裝置的可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例，一種母片，用于通過沿多條設置得大致上相互平行的切割線切割母片形成基片元件，所述母片包含其中設置了多個通孔的區(qū)域，所述通孔在所述多條切割線的每一條切割線上相隔一預定距離。所述多條切割線的每一條切割線上的通孔都與相鄰的一條切割線上的通孔交錯地設置。
根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例，提供了一種母片，設置有多個沿垂直和水平方向設置的部分，并且所述部分與基片元件聯(lián)合，其中所述基片元件通過沿垂直和水平方向延伸的切割線切割所述母片形成；多個沿一條線延伸的第一切割線，所述第一切割線通過與每一個所要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對。在所述第一切割線上設置多個第一通孔，所述第一通孔設置得相互分開預定距離。多個在另一條線上延伸的第二切割線，所述第二切割線也通過與每一個所要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對。在所述第二切割線上設置多個第二通孔，所述第二通孔設置得相互分開預定的距離。錯開地設置所述第一和第二通孔，從而使通過第一通孔并且基本上垂直于所述第一切割線延伸的第一條線與通過第二通孔并基本上垂直于所述第二切割線延伸的第二條線分開的。
根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實施例，通過一種方法制造基片元件，這種方法包含步驟設置用于形成基片元件的母片，在母片上的多條切割線的每一條切割線上相互分開預定距離地形成多個通孔，在多條切割線的每一條切割線上形成通孔，以設置得與相鄰切割線上的通孔交錯，并沿切割線切割母片。
根據(jù)本發(fā)明的第四較佳實施例，提供了一種制造基片元件的方法，包含步驟設置具有沿垂直和水平方向設置的部分的母片，形成多個沿一條線延伸并通過與所要形成的每個基片元件聯(lián)合的部分相對的第一切割線，在第一切割線上形成多個第一通孔，并設置得相互分開預定距離，形成多個沿另一條線延伸，并通過與所要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對的第二切割線，在第二切割線上形成多個第二通孔，并設置得相互分開預定距離，相互交錯地設置所述第一和第二通孔，從而基本上垂直于所述第一切割線延伸并通過第一通孔的第一條線與基本上垂直于所述第二切割線延伸并通過第二通孔的第二條線分開；及沿所述切割線切割所述母片。
根據(jù)本發(fā)明的第五較佳實施例，制造基片元件的方法包括步驟設置母片，所述母片具有多個設置在通過與所要形成的基片元件聯(lián)合的部分相互相對的第一條線和第二條線上的通孔，第一條線上設置的通孔與第二條線上設置的通孔交錯地設置，在母片的主平面和通孔的內(nèi)部表面上形成電極，并沿第一和第二條線切割母片。
根據(jù)本發(fā)明的第六較佳實施例，電子裝置包括用某種方法制造的基片元件，所述方法包含步驟提供母片用于形成，具有多個相互平行的切割線的基片元件，在多條切割線的每一條切割線上形成多個設置得相互分開預定距離的通孔，在多條切割線的每一條切割線上形成與相鄰切割線上的通孔交錯設置的通孔，并沿切割線切割母片。電子裝置還包含安裝在基片元件上的電子裝置單元。
根據(jù)本發(fā)明的第七較佳實施例，提供了一種電子裝置，包含用某種方法制造的基片元件，所述方法包括步驟提供具有沿垂直和水平方向設置的部分的母片，所述部分與所要形成的基片元件聯(lián)合，形成多個沿一條線延伸并通過與所要形成的每一個基片元件聯(lián)合的部分相對的第一切割線，在第一切割線上形成多個第一通孔并設置得相互分開預定距離，形成多個沿另一條線延伸并通過與所要形成的每一個基片元件聯(lián)合的部分相對的第二切割線，在第二切割線上形成多個第二通孔并設置得相互分開預定距離，將第一通孔和第二通孔交錯地設置，從而使基本上垂直于所述第一切割線延伸并通過第一通孔的第一條線與沿基本上垂直于所述第二切割線延伸并通過第二通孔的第二條線分開，并沿切割線切割母片。電子裝置還包含安裝在基片元件上的電子裝置單元。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的母片在與基片元件聯(lián)合的每一個部分的橫向側(cè)以階級的方式設置通孔，由此整體地減少了通孔的數(shù)量，這減小了基片元件的制造成本。還有，可以使基片元件進一步小型化。另外，通過減少通孔的數(shù)量，增加了提供密封材料和導電材料的面積，由此可以提供更加可靠的電子裝置。
下面將參照本發(fā)明的較佳實施例和附圖詳細描述本發(fā)明的要素和優(yōu)點。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例的母片的平面圖；圖2是從圖1所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖3是包含圖2所示的基片元件的電子裝置的分解透視圖；圖4是包含圖2所示的基片元件的另一個電子裝置的分解透視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例的母片的平面圖；圖6是從圖5所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖7是包含圖6所示的基片元件的電子裝置的分解透視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實施例的基片元件的透視圖；圖9是圖8所示的基片元件沿線A-A的縱向截面圖10是設置在圖1所示的母片上的電極圖案的修改例子的平面圖；圖11是從圖10所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖12是圖10所示的母片的修改例子的平面圖；圖13是從圖12所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖14是設置在圖1所示的母片中的通孔的修改例子的平面圖；圖15是從圖14所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖16是圖1所示的母片中的通孔的另一個修改例子的平面圖；圖17是從圖16所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖18是示出根據(jù)本發(fā)明的第四較佳實施例的基片元件制造方法的平面圖；圖19是由參照圖18的方法得到的基片元件的透視圖；圖20是傳統(tǒng)母片的平面圖；及圖21是從圖20所示的傳統(tǒng)母片得到的基片元件的透視圖。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例的母片的平面圖。圖2是從圖1所示的母片得到的基片元件的透視圖。
根據(jù)圖1所示的本較佳實施例的母片10最好大致上為矩形。每片10包括大致上垂直和水平地設置在其上的區(qū)域，這些區(qū)域沿著多條切割線D切割為多個基片元件14，如下所述。根據(jù)圖1中的第一較佳實施例，切割線D包括水平切割線DH1和DH2以及垂直切割線DV1和DV2，這些切割線設置得確定一個網(wǎng)格。每一個由切割線DH1、DH2、DV1和DV2包圍的區(qū)域確定一個基片元件14。
較好地，母片由諸如合成樹脂或電介質(zhì)之類的材料制作。如圖1所示，母片10設置有多個通孔12。通孔12沿母片10的厚度方向穿過母片10。
通孔12的配置由線狀的第一切割線DH1和第二切割線DH2確定，它們設置在作為基底的母片10上，大致上相互平行地延伸，并相隔同樣的距離作為基片元件14的寬度。第一切割線DH1和第二切割線DH2是在母片10上水平延伸的切割線，第一切割線DH1和第二切割線DH2沿著母片10的垂直方向以預定的距離重復設置。
在每一個第一切割線DH1上相隔預定距離設置有多個通孔12。多個通孔12還以相隔預定距離設置在置于大致上平行于第一切割線DH1的第一條第二切割線DH2上。
在確定基片元件14的區(qū)域的兩個橫向側(cè)，相互交替地設置第一切割線DH1上的通孔12和第二切割線DH2上的通孔12。即，如此設置通孔12，從而第一條線L1(大致上垂直于第一切割線DH1延伸，并在位于第一切割線DH1上的通孔12上)并不設置在第二條線L2(大致上垂直于第二切割線DH2，并在第二切割線L2上的通孔12上)上。根據(jù)圖1所示的本較佳實施例，第一條線L1設置在垂直切割線DV1上，而第二條線L2不設置在垂直切割線DV2上。第一條線L1和第二條線L2是假想的線，由圖1中的虛線表示，它是為了清楚而設的，這些線不存在于要生產(chǎn)的產(chǎn)品上。可以通過使用具有多個凸出物的模子模制母片10，或者通過切削制備的大致上矩形的母片12來形成通孔12。
在母片10的主平面上設置多個帶狀的電極圖案16，它們沿通孔12大致上平行延伸。還將電極圖案16設置在每一個通孔12的整個內(nèi)表面上。將母片10的主平面上的電極圖案16電氣連接到設置在通孔12的內(nèi)表面上的電極圖案16。通孔12的內(nèi)表面上的電極圖案16確定了基片元件14的側(cè)表面電極。電極圖案16最好由選自印刷、燒結(jié)、蒸發(fā)和電鍍之類的一個方法或組合方法形成，方法或組合方法根據(jù)材料和基片的使用選擇。
一種較好的形成電極圖案16的方法如下。在形成電極圖案16之前，通過溶劑、酸性物、堿性物或類似的物質(zhì)使表面粗糙或用催化劑覆蓋表面以電鍍使母片10的表面活化。
然后，通過將銅薄膜無電鍍到表面上，將金屬薄膜沉積在母片10的整個表面上。該金屬薄膜也沉積得覆蓋通孔12的內(nèi)表面。
注意，除了銅以外，金屬薄膜的材料還可以是由銀、金、鈀和鋁或它們的合金制成。金屬薄膜可以按照需要，通過電鍍由這些材料中的一種制成的其它金屬薄膜覆蓋。
然后將抗蝕膜覆蓋在具有金屬薄膜的母片10的整個表面上。將抗蝕膜設置得覆蓋金屬薄膜的整個外部表面。
將具有多個開口的掩模設置在母片10上。開口形成得與要生產(chǎn)的基片元件的部分關(guān)聯(lián)，其中不形成電極。
然后，將漫射束提供給掩模，在掩模的開口下面的抗蝕膜層暴露在那里。在這種情況下，通孔12的內(nèi)表面還暴露于以漫射方式提供的射束。漫射射束通過設置在光源和掩模之間的漫射器得到，方法是移動光源，從而使掩模和母片10相對，或移動掩模和母片10以便與光源相對。為此，較好地使用例如商業(yè)掃描型曝光設備。
使抗蝕膜層顯影，并通過使用諸如硝酸之類的強酸去掉抗蝕膜層的曝光部分。然后通過蝕刻去掉了抗蝕膜層的部分，去掉金屬薄膜。通過具有例如大約65％重量的方?jīng)?、大約20％重量的烷基磺酸和大約15％重量的硫酸羥基苯的溶劑去掉抗蝕膜層的剩余部分(沒有曝光并且沒有蝕刻的部分)。通過這種較好的方法，在母片10上形成電極圖案16。
此后，通過切塊機或其它切割設備沿切割線D將母片10切割為多個基片元件14。每一個如圖2所示的基片元件14包括設置在通孔12的內(nèi)表面上的端子電極16b(它在一個沿寬度方向相對的橫向側(cè)表面上大致上形成為字母U形狀)，并包括設置在通孔12的內(nèi)表面上的端子電極16a和16c(它們在基片元件14的另一橫向側(cè)表面的兩端處大致上形成為字母U形狀)。將端子電極16a和16c以及端子電極16b以錯開的方式安排在每一個橫向側(cè)表面上，這些端子電極沿基片元件14的寬度方向相對。換句話說，在傳統(tǒng)母片中，如此形成多對通孔，從而如圖21所示，這些通孔對沿寬度方向相對。較好地，根據(jù)本較佳實施例的基片元件14僅設置一個通孔12，位于在基片元件14的橫向側(cè)表面上沿寬度方向相對的位置，如圖2所示。每一個通孔12設置有端子電極16a、16b或16c。端子電極16a、16b和16c延伸暴露在基片元件14的主平面上?？梢酝ㄟ^切塊機或其它切割設備切割母片10。
根據(jù)上述的本較佳實施例，通孔的數(shù)量和傳統(tǒng)用于制造基片元件的方法相比，可以減少一半。結(jié)果，模制成本和切削成本大大減小，由此減小了每一個基片元件14的制造成本。根據(jù)本較佳實施例的基片元件14包含錯開設置的通孔12，由此防止了多個通孔12之間的電氣短路以及基片元件14的機械損壞，由此可能進一步使基片元件14小型化。
圖3是使用圖2所示的基片元件14的電子裝置的分解透視圖。圖2所示的電子裝置20是內(nèi)裝負載電容型表面安裝諧振器。電子裝置20包含基片元件14?；?4上設置有通過例如三塊節(jié)一導電片22固定到那里的電容器24。電容器24包含設置在其底表面上的電極(圖中未示)，電極通過設置在基片元件14上的電極圖案和第一導電片22，電氣連接到基片元件14的端子電極16a、16b和16c。電容器24上設置有通過例如兩個第二導電片22固定到那里的壓電諧振器26。在有兩個電極(圖中未示)的底表面上設置壓電諧振器26，通過第二導電片22將電極連接到設置在電容器22的上表面上的兩根電極。壓電諧振器26僅僅在壓電諧振器26的縱向端部附近由第二導電片22支持，從而其振動不受抑制。電子裝置20包含覆蓋裝置的蓋子28。由此得到的電子裝置20在底表面處用液體導電材料和密封材料涂敷，并表面安裝到電子電路板上。
圖4是使用圖2所示的基片元件的另一種電子裝置的分解透視圖。圖4所示的電子裝置20包含如圖2所示的基片元件14。在這種情況下所使用的基片元件14最好由具有高介電常數(shù)的材料制成，以形成負載電容。負載電容設置在端子電極16a和16b之間以及端子電極16b和16c之間?；?4上設置有通過具有例如框形的各向異性導電部件30固定到那里的壓電諧振器26。各向異性導電部件30僅僅在厚度方向是導電的。設置在壓電諧振器26的底表面上，縱向相對的電極(圖中未示)中的一個電極電氣連接到基片元件14的端子電極16a，該端子電極16a與端子電極16c是縱向相對的，設置在壓電諧振器26的底表面上，縱向相對的電極(圖中未示)中的另一個電極電氣連接到基片元件14的端子電極16c，該端子電極16c與端子電極16a縱向相對。各向異性導電部件30設置有三個切去的部分，這些部分設置得與基片元件14的通孔12有關(guān)聯(lián)。壓電諧振器26上包含有通過具有框形的粘合劑32固定到那里的上部基片34。通過使各向異性導電部件30和粘合劑32形成得具有預定的厚度和框形形狀，如圖14所示的電子裝置20在壓電諧振器26的上面和下面設置有空間，由此避免抑制壓電諧振器26的振動。由此得到的電子裝置20的底表面上涂敷有液體導電材料和密封材料，并表面安裝在電子電路板上。
如圖3和4所示的電子裝置20包括基片元件14，其中通孔12的數(shù)量和傳統(tǒng)的基片元件相比減少了一半，由此雖然電子裝置20小型化了，仍然可以設置大面積的導電部件和絕緣部件，由此提供高度可靠的電子裝置。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例的母片的平面圖。圖6是由圖5所示的母片得到的基片元件14的透視圖。
如圖5所示的母片10與圖1所示的母片10的不同之處在于圖5所示的母片10在其中形成有各個基片元件14的主平面區(qū)域中包含凹口36，該凹口36的平面具有大致上矩形的形狀。凹口36中有諸如壓電諧振器26之類的電子裝置的電子裝置單元。如圖6所示的基片元件14可以由圖5所示的母片10得到。設置有凹口36以容納電子裝置單元的基片元件14可以應用于各種用途。
圖7是包含如圖6所示的基片元件14的電子裝置20的分解透視圖。包含在圖7所示的電子裝置20中的基片元件14由具有高的介電常數(shù)以形成負載電容的材料制成?；?4的主平面上設置有凹口36。凹口36包含端子電極16a、16b和16c，它們被引出以暴露在其中?；?4的凹口36中容納了壓電諧振器26。每一個設置在底表面上并縱向相對的電極(圖中未示)通過導電片22連接到端子電極16a或16c，端子電極16a和16c沿基片元件14的縱向相對。壓電諧振器26和凹口36由端帽28覆蓋。由于電子裝置20包含設置在基片元件14的主平面上的凹口36，可以減小電子裝置20的厚度，由此在將電子裝置29安裝到電路板上時減小從電路板上突出的部分。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實施例的基片元件的透視圖。圖9是沿圖8所示的基片元件14的線A-A的縱向截面圖。圖8和9所示的基片元件14包含多層基片。
圖8和9所示的基片元件14包含具有低介電常數(shù)材料制成的第一基片15a。第一基片15a在一個橫向側(cè)的縱向端設置有形成大致上為字母U形狀的切去部分的通孔12。通孔12在其內(nèi)表面上設置有端子電極16a和16c。第一基片15a在第一基片15a另一個橫向側(cè)的中間部分設置有形成大致上為字母U形狀的切去部分的通孔12，通孔12的內(nèi)表面上設置有端子電極16b。端子電極16b延伸，以便帶狀地暴露在第一基片15a的上表面上。第一基片15a的上表面通過端子電極16b覆蓋了由具有高介電常數(shù)的材料制成的第二基片15b。端子電極16a和16c從第一基片15a的縱向端延伸，以便暴露在第二基片15b的上表面上。第二基片15b的上表面通過端子電極16a和16c覆蓋了由具有低介電常數(shù)的材料制成并為框形的第三基片15c。從其中形成各個基片元件14的區(qū)域中覆蓋有第一、第二和第三基片15a、15b和15c的母片10，以及沿切割線切割如此設置的母片10，得到基片元件14。
在圖8和9所示的基片元件14中，以集成的形式設置由具有低介電常數(shù)的材料制成的第一和第三基片15a和15c以及由高介電常數(shù)的材料制成的第二基片15b，由此在基片元件14中形成負載電容?；?4包含具有框形的第三基片15c，由此，由框形的第三基片15c形成的凹口確定了一個空間，用于容納諸如壓電諧振器之類的電子裝置的電子裝置單元。
圖10是圖1所示的母片10的電極圖案16的修改例子的平面圖。圖11是由圖10所示的母片10得到的基片元件14的透視圖。圖10所示的母片10不同于圖1所示的母片10，其不同在于圖10所示的母片10的電極圖案16形成為片，它們被設置在切割線DH1和DH2上的空隙分離。電極圖案16可以根據(jù)基片元件14的用途修改。電極圖案16在上表面上可以具有和設置在基片元件14的底表面上大體上相同的形狀，或者它們可以具有相互不同的形狀。
圖12是圖10所示的母片10的修改例子的平面圖。圖13是由圖12所示的母片10得到的基片元件14的透視圖。圖12所示的母片10包含基片元件14，每一個基片單元的面積減小了，由此增加了通孔12的密度。每一個通孔12具有設置在通孔12周圍和其內(nèi)表面上的電極。
在如圖12所示的傳統(tǒng)的基片元件14中(其中形成有多對通孔12)，每一對通孔12設置得沿基片元件14的寬度方向相對，基片元件14的尺寸需要滿足關(guān)系W＞3a+α，其中W表示基片元件14的總長度，a表示設置在通孔12上的電極圖案的寬度，而α表示為防止基片元件14的損壞和端子電極之間的短路而設置的空隙的尺寸。
相反地，在本發(fā)明的較佳實施例的基片元件14中，通孔12以錯開的方式設置，由此，只有一個通孔12設置在基片元件14的橫向側(cè)的兩個位置上，這兩個位置沿基片元件14的寬度方向相對。通過這樣的安排，基片元件14可以具有滿足關(guān)系W＜3a的尺寸，如圖13所示，由此根據(jù)修改例子提供進一步小型化的基片元件14。
圖14是圖1所示的母片10的通孔12的修改例子的平面圖。圖15是由圖14所示的母片10得到的基片元件14的透視圖。圖14所示的母片10與圖1所示的母片10的不同之處在于，圖14所示的母片10設置有通孔12a，它具有大致上為符號+的形狀，位于第一條線L1上(L1是圖中垂直延伸的第一和第二切割線DV1和DV2)，并且設置有大致上為矩形的通孔12b，它位于第二條線L2上(L2與第一和第二切割線DV1和DV2分離)。根據(jù)這一修改的例子，可以得到如圖15所示的基片元件14，其中基片元件14設置有端子電極16b，該端子電極16b設置在切去的通孔12的內(nèi)表面上，其形狀大致上為U形，位于沿基片元件14的寬度方向相對的一個橫向側(cè)表面的中間部分，并設置有端子電極16a和16c，該端子電極16a和16c設置在切去的通孔12的內(nèi)表面上，大致上為W形，位于沿基片元件14的寬度方向相對的另一個橫向側(cè)表面的縱向端部。通孔12的形狀不限于上述形狀，并且通孔12可以根據(jù)基片元件14的用途形成為各種形狀。
圖16是圖1所示的母片10的通孔12的另一個修改例子的平面圖。圖17是由圖16所示的母片10得到的基片元件14的透視圖。圖16所示的母片10與圖1所示的母片10的不同在于，圖16所示的母片10的通孔12大致上形成為矩形，并且用和電極圖案16相同的材料填充。根據(jù)這種修改的例子得到如圖17所示的基片元件14，它通過用導電材料16填充通孔12設置有電極16a、16b和16c。當表面安裝包含圖16所示的基片元件14的電子裝置20時，不必關(guān)心滲透到通孔12中的導電材料和密封材料，因為通孔12中填充了導電材料16。通過這樣的安排，可以大面積地使用導電材料和絕緣材料，由此提供了可靠的電子裝置。
圖18是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的第四較佳實施例的制造基片元件的方法。圖19是由這種方法得到的基片元件14的透視圖。圖18所示的母片10與圖1所示的母片10的不同在于，如圖18所示的垂直延伸的切割線DV1和DV2以不同于圖1的切割線DV1和DV2的方法設置，除此之外的配置相同。如圖1所示的第一和第二切割線DV1和DV2垂直延伸，僅僅通過設置在水平延伸的第一切割線DH1上的通孔12，設置在第二切割線DH2上的通孔12未被任何垂直延伸的切割線分開。通過根據(jù)第一較佳實施例的安排，由圖1所示的母片10得到圖2所示的具有三個端子的基片元件14。但是，根據(jù)第四較佳實施例，如圖18所示，第一垂直切割線DV1通過設置在第二水平切割線DH2上的通孔12延伸，第二垂直切割線DV2延伸通過設置在第一水平切割線DH1上的通孔12。根據(jù)第四較佳實施例，第一條線L1在第一垂直切割線DV1上，第二條線L2位于第二垂直切割線DV2上。如圖19所示，通過使用已知的諸如切塊機之類的切割機器，沿切割線DV1、DV2、DH1和DH2切割圖18所示的母片10，提供具有兩個端子的基片元件14。
根據(jù)本發(fā)明的各種較佳實施例，得到小型化的基片元件。根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的母片設置有通孔，通孔設置在每一條切割線上，它和相鄰的切割線上的通孔是交錯的，由此減少通孔數(shù)量，因而大大降低基片元件的制造成本。另外，利用根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的基片元件的配置，防止了在使基片元件小型化時基片的損壞以及通孔之間的短路，由此使基片元件進一步小型化。還有，通過減少通孔的數(shù)量，要施加的密封材料和導電材料的面積可以相對地增加，由此可以得到可靠的電子裝置。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的較佳實施例具體示出和描述了本發(fā)明，熟悉本領域的人將知道，在不背離本發(fā)明的主旨和范圍的條件下可以有上述和其它形式的修改。
權(quán)利要求
1.一種母片，用于通過沿多條設置得大致上相互平行的切割線切割母片形成基片元件，所述母片包含其中形成有多個通孔的區(qū)域，所述通孔形成得相隔預定距離，并形成在所述多條切割線的每一條切割線上；其中所述多條切割線的每一條切割線上的通孔都相對于在相鄰的一條切割線上的通孔交錯地設置。
2.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于還包含沿所述切割線直線延伸的電極圖案。
3.如權(quán)利要求2所述的母片，其特征在于所述電極圖案基本上覆蓋了每一個通孔的整個內(nèi)部表面。
4.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于所述母片還包含在由所述切割線分界的區(qū)域內(nèi)的凹口區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于還包含在所述母片上的第二基片。
6.如權(quán)利要求2所述的母片，其特征在于沿直線延伸的所述電極圖案沿所述線具有間隙。
7.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于還包含基本上設置在所述通孔周圍的電極圖案，所述電極圖案基本上覆蓋了所述通孔的內(nèi)部表面。
8.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于所述通孔近似地具有十字形、矩形和圓形中的至少一個形狀。
9.一種母片，其特征在于包含多個沿垂直和水平方向設置的部分，并且所述部分與基片元件聯(lián)合，其中所述基片元件是通過沿垂直和水平方向延伸的切割線切割所述母片形成的；多條沿直線延伸的第一切割線，所述第一切割線通過與每一個所要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對，并且所述第一切割線上具有多個第一通孔，所述第一通孔設置得相互分開預定距離；和多條在另一直線上延伸的第二切割線，所述第二切割線通過與每一個所要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對，并且所述第二切割線上具有多個第二通孔，所述第二通孔設置得相互分開預定的距離；其中，相互錯開地設置所述第一和第二通孔，從而通過設置在所述第一切割線上的第一通孔并且基本上垂直于所述第一切割線延伸的第一條線與通過設置在所述第二切割線上的第二通孔并基本上垂直于所述第二切割線延伸的第二條線是分開的。
10.一種制造基片元件的方法，其特征在于包含如下步驟提供母片，所述母片具有多個設置得基本上相互平行的切割線；在所述母片上形成多個通孔，并且所述通孔在所述多條切割線的每一條切割線上設置得分開預定的距離，并且所述通孔與相鄰的切割線上的通孔交錯地設置；及沿所述切割線切割所述母片。
11.一種基片元件的制造方法，其特征在于包含如下步驟提供母片；在所述母片上形成多條第一切割線，所述第一切割線沿直線基本上相互平行地延伸；在所述母片上形成多條第二切割線，所述第二切割線沿另一條線基本上相互平行地延伸；分別在所述第一切割線和第二切割線上形成多個第一通孔和多個第二通孔，并且相隔預定的距離交錯地設置所述第一和第二通孔，從而基本上垂直于所述第一切割線延伸并通過設置在所述第一切割線上的第一通孔的第一條線與基本上垂直于所述第二切割線延伸并通過設置在第二切割線上的第二通孔的第二條線分開；及沿所述切割線切割所述母片。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于還包含在所述切割線上形成直線延伸的電極圖案。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于還包含在沿所述線延伸的所述電極圖案中形成間隙。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于還包含形成基本上圍繞所述通孔周圍設置的電極圖案，所述電極圖案基本上覆蓋了所述通孔的內(nèi)部表面。
15.一種制造基片元件的方法，其特征在于包含如下步驟提供母片；在第一條線和第二條線上形成多個通孔，所述通孔通過所述母片上的部分相對，所述部分確定了每一個所要形成的基片元件，并且所述第一條線上的通孔與所述第二條線上的通孔交錯地設置；在所述母片的主平面上以及所述通孔的內(nèi)部表面上形成電極；及沿母片垂直和水平方向延伸的線切割所述母片。
16.如權(quán)利要求15所述的母片，其特征在于還包含在所述部分中形成凹口區(qū)域。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于還包含在所述母片上設置第二基片。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于所述通孔具有基本上為十字形、基本上為矩形和基本上為圓形中的至少一個形狀。
19.一種電子裝置，其特征在于包含基片元件，所述基片元件是通過包含下述步驟的方法制造的提供具有基本上平行的切割線的母片，在每一條所述切割線上相隔預定距離形成多個通孔，所述通孔相對于相鄰的切割線上的通孔交錯設置，以及沿所述切割線切割所述母片；及安裝在所述基片元件上的電子裝置單元。
20.一種電子裝置，其特征在于包含基片元件，所述基片元件是通過包含下述步驟的方法制造的提供母片，在所述母片上形成多條沿直線延伸并基本上相互平行的第一切割線，在所述母片上形成多條沿另一條線延伸，并大致上相互平行的第二切割線，在所述第一切割線和所述第二切割線上分別形成多個第一通孔和多個第二通孔，并交錯地將所述第一和第二通孔設置得分開預定距離，從而基本上垂直于所述第一切割線延伸并通過設置在第一切割線上的第一通孔的第一條線與沿基本上垂直于所述第二切割線延伸，并通過設置在所述第二切割線上的所述第二通孔的第二條線分開；和安裝在所述基片元件上的電子裝置單元。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于制造基片元件的設備和方法,包含:提供母片,并在通過母片上的部分相對的第一條線和第二條線上形成多個通孔。所述部分確定了每一個所要形成的基片元件。第一條線上的通孔相對于第二條線上的通孔交錯地設置。還將電極設置在母片的主平面和通孔的內(nèi)部表面上。然后,按垂直和水平方向沿切割線切割母片。
文檔編號H05K3/40GK1269637SQ0010493
公開日2000年10月11日 申請日期2000年3月31日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月2日
發(fā)明者輪島正哉 申請人:株式會社村田制作所