專利名稱：母片、基片元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及母片、基片元件及其制造方法。本發(fā)明尤其涉及用于制造包含諸如諧振器和濾波器之類的電子單元的基片元件的母片。
已知關(guān)于本發(fā)明的技術(shù)在例如第8-293752，58-139513，8-97674和7-335995號日本未審查專利公告中有揭示。
在母片上形成電極圖案，并通過將母片切割成多片而得到基片元件的傳統(tǒng)的方法已經(jīng)被廣泛地使用。在傳統(tǒng)的方法中，使用了如圖20所示的母片1。如圖20所示的母片1在對應(yīng)于四個角的位置上以及每一個基片元件3的橫向側(cè)的中間部分設(shè)置有通孔4。電極2設(shè)置在每一個通孔4的內(nèi)部表面上以及每一個基片元件3的主平面上。通過切塊機或其它類似的切割裝置沿切割線切割母片1，由此得到如圖21所示的基片元件3。
但是，根據(jù)傳統(tǒng)的方法，產(chǎn)生一個問題，即要求根據(jù)基片元件3的通孔4的數(shù)量為用于形成母片的多個模子設(shè)置定位銷，由此增加了模子的成本，因而增加了基片元件3的制造成本。另外，在為母片1在基片元件3的橫向側(cè)位置設(shè)置多個通孔4的方法中，在通孔4過于相互接近時可能發(fā)生電極2之間的短路和基片的斷裂，從而妨礙了基片元件3的小型化。另外，在具有大量通孔4的基片元件3中，發(fā)現(xiàn)了一個問題，即基片元件3中設(shè)置密封材料和導(dǎo)電材料的面積受到限制。當(dāng)基片元件3與電子裝置元件或封裝基片連接時，這些材料必須施加得不滲入到通孔4中。通過減小密封材料和導(dǎo)電材料的面積，生產(chǎn)的電子裝置的可靠性降低。為了解決這些問題，必須將基片元件3做大，這妨礙了基片和元件的小型化。
為了克服上述問題，本發(fā)明的較佳實施例提供了一種制造由母片得到的基片元件的設(shè)備和方法，它減少了基片元件的制造成本，使基片元件的尺寸最小化，還提高了電子裝置的可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例，一種通過沿多條大體上相互平行的切割線切割母片而形成基片元件的母片，其特征在于所述母片包含其中形成多個通孔的區(qū)域，所述通孔相互分開預(yù)定距離，并設(shè)置在所述多條切割線的每一條切割線上；其中，多條所述切割線的每一條切割線上的通孔都設(shè)置得與相鄰的切割線上的通孔交錯。
根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例，一種母片設(shè)置有沿垂直和水平方向提供的部分。并且所述部分與基片元件聯(lián)合，其中所述基片元件通過沿垂直和水平方向延伸的切割線切割母片而形成；多條沿一條線延伸的第一切割線，所述第一切割線通過與每一個要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對。所述第一切割線上具有多個第一通孔，所述第一通孔相互分開預(yù)定距離地設(shè)置。多條沿另一條線延伸的第二切割線，所述第二切割線通過與每一個要形成的基片元件聯(lián)合的部分也相對。所述第二切割線上具有多個第二通孔，所述第二通孔以相互分開預(yù)定距離地設(shè)置。第一通孔和第二通孔相互交錯設(shè)置，從而通過第一通孔并基本上垂直于所述第一切割線延伸的第一條線與通過第二通孔并基本上垂直于所述第二切割線延伸的第二條線分開。
根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實施例，一種基片元件通過包含以下步驟的方法制造提供形成基片元件的母片，形成在母片的多條切割線的每一條切割線上相互分開預(yù)定距離地設(shè)置的多個通孔，在多條切割線的每一條切割線上形成通孔，所述通孔設(shè)置得與相鄰的切割線上的通孔交錯，并沿切割線切割母片。
根據(jù)本發(fā)明的第四較佳實施例，一種制造基片元件的方法包含步驟提供具有沿垂直和水平方向設(shè)置的部分的母片，形成多條第一切割線，所述第一切割線沿一條線延伸并通過與每一個所要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對，在所述第一切割線上形成多個第一通孔，并且設(shè)置得相互分開預(yù)定距離，形成多條第二切割線，所述第二切割線在另一條線上延伸并通過與每一個所要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對，在第二切割線上形成多個第二通孔，并設(shè)置得相互分開預(yù)定距離，將第一通孔和第二通孔交錯設(shè)置，從而通過第一通孔并基本上垂直于第一切割線延伸的第一條線與通過第二通孔并基本上垂直于第二切割線延伸的第二條線分開，以及沿切割線切割母片。
根據(jù)本發(fā)明的第五較佳實施例，一種制造基片元件的方法包含步驟提供具有設(shè)置在通過與要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對的第一條線和第二條線上的多個通孔的母片，第一條線上的通孔與第二條線上的通孔交錯設(shè)置，在母片的主平面和通孔的內(nèi)部表面上形成電極，以及沿第一條線和第二條線切割母片。
根據(jù)本發(fā)明的第六較佳實施例，電子裝置包含基片元件，所述基片元件通過包含如下步驟的方法制造提供用于形成基片元件并具有多條相互平行的切割線的母片，形成多個通孔，所述通孔設(shè)置在多條切割線的每條切割線上相互分開預(yù)定距離，在多條切割線的每一條切割線上形成通孔，并與相鄰的切割線上的通孔交錯的設(shè)置，以及沿切割線切割母片。電子裝置還包含安裝在基片元件上的電子裝置元件。根據(jù)本發(fā)明的第七較佳實施例，一種電子裝置包含通過包含如下步驟制造的基片元件提供具有部分并沿垂直和水平方向設(shè)置的母片，所述部分與所要形成的基片元件聯(lián)合，形成多條第一切割線，所述第一切割線沿一條線延伸并通過與所要形成的每一個基片元件聯(lián)合的部分相對，在所述第一切割線上形成多個第一通孔并設(shè)置得相互分開預(yù)定距離，形成多個第二切割線，所述第二切割線在另一個線上延伸，并通過與所要形成的基片元件聯(lián)合的部分相對，在第二切割線上形成多個第二通孔，并設(shè)置得相互分開預(yù)定距離，第一通孔和第二通孔交錯設(shè)置，從而通過第一通孔并基本上垂直于第一切割線延伸的第一條線與通過第二通孔并基本上垂直于第二條切割線延伸的第二條線分開，并且沿切割線切割母片。電子裝置還包含安裝在基片元件上的電子裝置元件。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的母片在每一個與基片元件聯(lián)合的部分的橫向側(cè)上設(shè)置有以交錯方式設(shè)置的通孔，由此減少了整個通孔數(shù)量，這減小了基片元件的制造成本。還有，可以使基片元件進(jìn)一步小型化。另外，通過減少通孔的數(shù)量，增加了設(shè)置密封材料和導(dǎo)電材料的面積，由此可以提供更為可靠的電子裝置。下面將參照本發(fā)明的較佳實施例和附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明的特點、要素和優(yōu)點。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例的母片的平面圖；圖2是從圖1所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖3是包含圖2所示的基片元件的電子裝置的分解透視圖；圖4是包含圖2所示的基片元件的另一個電子裝置的分解透視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例的母片的平面圖；圖6是從圖5所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖7是包含圖6所示的基片元件的電子裝置的分解透視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實施例的基片元件的透視圖；圖9是圖8所示的基片元件沿線A-A的縱向截面圖；圖10是設(shè)置在圖1中的母片上的電極圖案的修改例子的平面圖；圖11是從圖10所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖12是圖10所示的母片的修改例子的平面圖；圖13是從圖12所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖14是設(shè)置在圖1中的母片中的通孔的修改例子的平面圖15是從圖14所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖16是圖1所示的母片的通孔的另一個修改例子的平面圖；圖17是從圖16所示的母片得到的基片元件的透視圖；圖18是示出用于制造本發(fā)明的第四較佳實施例的基片元件的方法的平面圖；圖19是由參照圖18描述的方法得到的基片元件的透視圖；圖20是傳統(tǒng)母片的平面圖；及圖21是從圖20所示的傳統(tǒng)母片得到的基片元件的透視圖。
圖1是本發(fā)明的第一較佳實施例的母片的平面圖。圖2是從圖1所示的母片得到的基片元件的透視圖。
根據(jù)圖1所示的較佳實施例的母片10最好基本上是矩形的。母片10包含基本上垂直和水平設(shè)置在上面的區(qū)域，并按如下所述沿多條切割線D切割為多個基片元件14。根據(jù)圖1的第一較佳實施例，切割線D包含水平切割線DH1和DH2及垂直切割線DV1和DV2，它們設(shè)置得確定一個網(wǎng)格。每一個由切割線DH1、DH2、DV1和DV2包圍的區(qū)域確定一個基片元件14。
母片10最好由諸如合成樹脂或者電介質(zhì)之類的材料制成。如圖1所示，母片10設(shè)置有多個通孔12。通孔12沿其厚度方向通過母片10。
通過設(shè)置在作為基底的母片10上的直線狀的第一切割線DH1和第二切割線DH2(它們基本上相互平行地延伸，并相互分開相同的距離作為基片元件14的寬度)描述通孔12的配置。第一切割線DH1和第二切割線DH2是在母片10上水平延伸的切割線，第一切割線DH1和第二切割線DH2沿母片10的垂直方向以預(yù)定的距離重復(fù)設(shè)置。
將多個通孔12設(shè)置在每一條第一切割線DH1上，相互分開預(yù)定的距離。還將多個通孔12設(shè)置在每一條第二切割線DH2(它基本上平行于第一切割線DH1)上，相互分開預(yù)定距離。
第一切割線DH1上的通孔12和第二切割線DH2上的通孔12在確定基片元件14的區(qū)域的兩個橫向側(cè)相互交錯地設(shè)置。即，如此設(shè)置通孔12，從而基本上垂直于第一切割線DH1延伸并在位于第一切割線DH1上的通孔12上的第一條線L1不設(shè)置在第二條線L2上，其中第二條線L2基本上垂直于第二切割線DH2延伸并在位于第二切割線DH2上的通孔12上。根據(jù)圖1所示的本較佳實施例，第一條線L1位于垂直切割線DV上，而第二條線L2不位于垂直切割線DV2上。第一條線L1和第二條線L2是為了清楚而提供的虛擬線，并由圖1中的虛線表示，在要生產(chǎn)的制品上不存在這種線。通孔12可以通過使用具有多個凸出部的模子模制母片10或切削制備得大致上為矩形的母片10而形成。
母片10的主平面上設(shè)置有多個帶狀的電極圖案16，它沿通孔12基本上相互平行地延伸。還將電極圖案16設(shè)置在每一個通孔12的整個內(nèi)部表面上。母片10的主平面上的電極圖案16電氣連接到設(shè)置在通孔12的內(nèi)部表面上的電極圖案16。通孔12的內(nèi)部表面上的電極圖案16確定了基片單元14的側(cè)表面電極。較好地，通過選自諸如印刷、燒結(jié)、蒸發(fā)、電鍍之類的方法或方法的組合形成電極圖案16，根據(jù)基片的材料和用途選擇方法或方法的組合。
下面描述形成電極圖案16的較好的方法。在形成電極圖案16之前，通過用溶劑、酸、堿或其它類似的物質(zhì)使表面粗糙，或通過用電鍍催化劑涂敷表面，使母片10的表面活化。
然后，通過在表面上無電鍍銅薄膜，在母片10的整個表面上沉淀金屬薄膜。金屬薄膜還沉積得覆蓋通孔12的內(nèi)部表面。
注意，除了銅，金屬薄膜的材料還可以由銀、金、鈀和鋁或其合金制成。如果需要，金屬薄膜可以通過電鍍用這些材料中的另一種金屬薄膜涂敷。
然后，在具有金屬薄膜的母片10的整個表面上涂敷抗蝕膜。設(shè)置抗蝕膜以便覆蓋金屬薄膜的整個外部表面。
在母片10上設(shè)置具有多個開口的掩模。開口形成得與要生產(chǎn)的基片元件的部分聯(lián)合，其中未形成電極。
然后，將擴(kuò)散的射束施加到掩模上，并且掩模開口下面的抗蝕膜層暴露在那里。在這種情況下，通孔12的內(nèi)部表面也暴露于以擴(kuò)散方法提供的射束。通過在光源和掩模之間設(shè)置適當(dāng)?shù)臄U(kuò)散器，通過移動光源以便使掩模和母片10相對，或通過移動掩模和母片10以便相對于光源，得到擴(kuò)散的射束。為此，例如較好地利用市售的掃描型曝光設(shè)備。
使抗蝕膜層顯影，并通過使用諸如硝酸之類的強酸去掉抗蝕膜層的曝光部分。然后，通過蝕刻去掉了抗蝕膜層的部分而去掉金屬薄膜。然后通過具有大約65％重量的芳莖、大約20％重量的烷基磺酸和大約15％重量的烷基苯酚(alkyl hydroxybenzene)溶劑去除抗觸膜層未暴光且來蝕刻的其余部分。通過這種較好的方法，在母片10上形成電極圖案16。
此后通過切塊機或其它切割設(shè)備沿著切割線D將母片10切割成多個基片元件14。如圖12所示的每一個基片元件14包含設(shè)置在通孔12的內(nèi)部表面上的端子電極16b，它在橫向側(cè)表面之一上形成為大致上是字母U的形狀，并沿寬度方向相對，并包含設(shè)置在通孔12的內(nèi)部表面上的端子電極16a和16c，它在基片元件14的另一個橫向側(cè)表面的兩端形成為大致上U形。在每一個橫向側(cè)表面上交錯地設(shè)置端子電極16a和16c以及端子電極16b，它們沿基片元件14的寬度方向相對。換句話說，在傳統(tǒng)母片中，如此形成多對通孔，從而如圖21所示，多對通孔沿寬度方向相對。根據(jù)本較佳實施例的基片元件14較好地在基片元件14的橫向側(cè)表面上沿寬度方向相對的位置上僅設(shè)置一個通孔12，如圖2所示。每一個通孔12都設(shè)置有端子電極16a、16b或16c。端子電極16a、16b和16c延伸暴露在基片元件14的主平面上。母片10可以由切塊機或其它切割設(shè)備切割。
根據(jù)上述本較佳實施例，和傳統(tǒng)的制造基片元件的方法相比，通孔的數(shù)量可以減少一半。結(jié)果，大大減少了模制成本和切削成本，由此減少了每一個基片元件14的制造成本。根據(jù)本較佳實施例的基片元件14包含通孔12，它以交錯的方法設(shè)置，由此多個通孔12之間的電氣短路和基片元件14的機械斷裂得到防止，由此能夠進(jìn)一步使基片元件14小型化。
圖3是使用圖2所示的基片元件14的電子裝置的分解透視圖。如圖2所示的電子裝置20是內(nèi)裝負(fù)載電容型表面安裝諧振器。電子裝置20包含基片元件14。基片元件14上設(shè)置有電容器24，它通過例如三個第一導(dǎo)電片22固定到那里。電容器24包含設(shè)置在其底表面上的電極(圖中未示)，電極通過設(shè)置在基片元件14和第一導(dǎo)電片22上的電極圖案電氣連接到基片元件14的端子電極16a、16b和16c。電容器24上設(shè)置有通過例如兩個第二導(dǎo)電片22固定到那里的壓電諧振器26。壓電諧振器26在低表面上設(shè)置兩個電極(圖中未示)，電極通過第二導(dǎo)電片22連接到設(shè)置在電容器22的上表面上的兩個電極。壓電諧振器26僅僅通過壓電諧振器26的縱向端部附近的第二導(dǎo)電片22支持，從而未抑制其的振動。電子裝置20包含蓋子28，它覆蓋裝置。由此得到的電子裝置20的底表面上涂覆有液體導(dǎo)電材料和密封材料，并表面安裝在電子電路板上。
圖4是使用圖2所示的基片元件的另一個電子裝置的分解透視圖。圖4所示的電子裝置20包含了圖2所示的基片元件14。這種情況下所使用的基片元件14最好由具有高介電常數(shù)的材料制成，以形成負(fù)載電容。在端子電極16a和16b之間以及端子電極16b和16c之間設(shè)置負(fù)載電容?；?4上設(shè)置有壓電諧振器26，通過具有例如框形形狀的各向異性導(dǎo)電部件30固定到那里。各向異性導(dǎo)電部件30僅在厚度方向是導(dǎo)電的。設(shè)置在壓電諧振器26的底表面上的縱向相對的電極中的一個電極(圖中未示)電氣連接到基片元件14的端子電極16a，它和端子電極16c縱向相對，并且設(shè)置在壓電諧振器26的底表面上的縱向相對的電極中的另一個電極(圖中未示)電氣連接到基片元件14的端子電極16c，它與端子電極16a縱向相對。各向異性導(dǎo)電部件30設(shè)置有三個切割部分，設(shè)置得與基片元件14的通孔12聯(lián)合。壓電諧振器26上包含上部基片34，通過具有框形形狀的粘劑32固定到那里。通過使各向異性導(dǎo)電部件30和粘劑32形成得具有預(yù)定的厚度和框形形狀，圖4所示的電子裝置20在壓電諧振器26的上面和下面設(shè)置有空間，由此避免抑制壓電諧振器26的振動。由此得到的電子裝置20的底表面上涂覆有液體導(dǎo)電材料和密封材料，并表面安裝到電子電路板上。
圖3和圖4所示的電子裝置20包括基片元件14，其中和傳統(tǒng)的基片元件相比，通孔12的數(shù)量減少一半，由此雖然電子裝置20小型化，但是可以提供大面積的導(dǎo)電部件和絕緣部件，由此提供高度可靠的電子裝置。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例的母片的平面圖。圖6是從圖5所示的母片得到的基片元件14的透視圖。
圖5所示的母片10不同于圖1所示的母片10的地方在于，圖5所示的母片10在其形成每一個基片元件14的主平面的區(qū)域中，包含具有大致上平面為矩形形狀的凹口36，凹口36中容納諸如壓電諧振器26之類的電子裝置的電子裝置元件。從圖5所示的母片10可以得到如圖6所示的基片元件14。設(shè)置有用于容納電子裝置元件的凹口36的基片元件14可以用于各種用途。
圖7是包含如圖6所示的基片元件14的電子裝置20的分解透視圖。包含在如圖7所示的電子裝置20中的基片元件14由高介電常數(shù)的材料制成，以形成負(fù)載電容?；?4的主平面上設(shè)置有凹口36。凹口36包含引導(dǎo)暴露在其中的端子電極16a、16b和6c?；?4的凹口36中容納了壓電諧振器26。每一個設(shè)置在底表面上并縱向相對的電極(圖中未示)通過導(dǎo)電片22連接到端子電極16a或16c，端子電極16a和16c沿基片元件14的縱向相對。由蓋子28覆蓋壓電諧振器26和凹口36。由于電子裝置20包含設(shè)置在基片元件14的主平面上的凹口36，可以減小電子裝置20的厚度，由此當(dāng)將電子裝置29安裝到電路板上時，減小了從電路板突出的部分。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實施例的基片元件的透視圖。圖9是沿圖8所示的基片元件14的線A-A的縱向截面圖。圖8和9所示的基片元件14包含一塊多層基片。
圖8和9所示的基片元件14包含用低介電常數(shù)材料制作的第一基片15a。第一基片15a在橫向側(cè)之一的縱向端部設(shè)置有通孔12，它形成大致為U型的切去部分。通孔12設(shè)置有位于其內(nèi)部表面上的端子電極16a和16c。第一基片15a在其另一個橫向側(cè)的中間部分設(shè)置有通孔12，它形成大致上為字母U型的切去部分，通孔12的內(nèi)部表面上設(shè)置有端子電極16b。端子電極16b延伸，以便帶狀地暴露在第一基片15a的上表面。第一基片15a的上表面上通過端子電極16b覆蓋有高介電常數(shù)的材料制成的第二基片15b。端子電極16a和16c從第一基片15a的縱向端部延伸，以便暴露在第二基片15b的上表面上。第二基片15b的上表面上通過端子電極16a和16c覆蓋有低介電常數(shù)的材料制成并具有框形形狀的第三基片15c。母片10在其中形成有各個基片元件14的區(qū)域中覆蓋第一、第二和第三基片15a、15b和15c，并通過沿切割線切割如此安排的母片10而得到基片元件14。
在如圖8和9所示的基片元件14中，由低介電常數(shù)材料制成的第一和第三基片15a和15c以及由高介電常數(shù)材料制成的第二基片15b以集成的形式設(shè)置，由此在基片元件14中形成負(fù)載電容。基片元件14包含具有框形的第三基片15c，由此由框形形狀的第三基片15c形成的凹口確定了用于容納諸如壓電諧振器之類的電子裝置的電子裝置元件的空間。
圖10是圖1所示的母片10的電極圖案16的修改例子的平面圖。圖11是由圖10所示的母片10得到的基片元件14的透視圖。圖10所示的母片10不同于圖1所示的母片10的地方在于，圖10所示的母片10的電極圖案16形成為片，這些片由設(shè)置在切割線DH1和DH2上的間隙分開?？梢愿鶕?jù)基片元件14的用途修改電極圖案16。電極圖案16的上表面上可以具有大致上與設(shè)置在基片元件14的底表面的電極圖案相同的圖案，或者它們可以具有相互不同的圖案。
圖12是圖10所示的母片10的一個修改例子的平面圖。圖13是從圖12所示的母片10得到的基片元件14的透視圖。圖12所示的母片10包含基片元件14，每一個基片元件的面積都減小了，由此通孔12的密度增加了。每一個通孔12具有設(shè)置在通孔12周圍以及其內(nèi)部表面上的電極。
在圖12所示的傳統(tǒng)基片元件14(其中形成多對通孔12)中，每一對通孔12設(shè)置得沿基片元件14的寬度方向相對，基片元件14的尺寸需要滿足表達(dá)式W＞3a+α，其中，W指基片元件14的總長度，a指設(shè)置在通孔12上的電極圖案的寬度，α指為防止基片元件14斷裂和端子電極之間短路所設(shè)置的間隙的尺寸。
相反，在根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的基片元件14中，通孔以交錯形式設(shè)置，由此在基片元件14的橫向側(cè)的兩個位置上僅設(shè)置一個通孔12，這兩個位置沿基片元件14的寬度方向相對。通過這樣的安排，基片元件14可以具有滿足表達(dá)式W＜3a的尺寸，如圖13所示，由此根據(jù)修改的例子可以提供進(jìn)一步小型化的基片元件14。
圖14是圖1所示的母片10的通孔12的修改例子的平面圖。圖15是由圖14所示的母片10得到的基片元件14的透視圖。圖14所示的母片10不同于圖1所示的母片10的地方在于，圖14所示的母片10設(shè)置有通孔12a，通孔12a具有大致上為符號+的形狀，并位于作為圖中垂直延伸的第一和第二切割線DV1和DV2的第一條線L1上，還設(shè)置有基本上矩形的通孔12b，通孔12b位于第二條線L2上，第二條線L2和第一和第二切割線DV1和DV2分開。根據(jù)這種修改例子，可以得到如圖15所示的基片元件14，其中基片元件14在通孔12切去的內(nèi)部表面上設(shè)置有端子電極16b，基本上為U型，并在沿基片元件14的寬度方向相對的橫向側(cè)表面之一的中間部分，還有在通孔12切去的內(nèi)部表面上的端子電極16a和16c，基本上是W形狀的，位于沿基片元件14的寬度方向相對的另一個橫向側(cè)表面的縱向端部。通孔12的形狀不限于上述形狀，并且可以根據(jù)基片元件14的用途將通孔12形成為各種形狀。
圖16是如圖1所示的母片10的通孔12的另一個修改例子的平面圖。圖17是由圖16所示的母片10得到的基片元件14的透視圖。圖16所示的母片10不同于圖1所示的母片10的地方在于，在圖16所示的母片10的通孔12大致上形成為矩形的，并用和電極圖案16相同的導(dǎo)電材料填充。圖17所示的基片元件14根據(jù)這種修改例子而得到，它通過給通孔12填充導(dǎo)電材料16，設(shè)置有電極16a、16b和16c。當(dāng)表面安裝包含如圖16所示的基片元件14的電子裝置20時，不需要考慮滲入到通孔12中的導(dǎo)電材料和密封材料，因為通孔12中填充有導(dǎo)電材料16。通過這樣的安排，可以在大面積中施加導(dǎo)電材料和絕緣材料，由此提供可靠的電子裝置。
圖18是平面圖，示出用于制造根據(jù)本發(fā)明的第四較佳實施例的基片元件的方法。圖19是通過這種方法得到的基片元件14的透視圖。圖18所示的母片10不同于圖1所示的母片10的地方在于，以不同于設(shè)置圖1的切割線DV1和DV2的方式設(shè)置如圖18所示的垂直延伸的切割線DV1和DV2，除此之外，其配置是相同的。圖1所示的第一和第二切割線DV1和DV2垂直延伸，只通過設(shè)置在水平延伸的第一切割線DH1上的通孔12，并且設(shè)置在第二切割線DH2上的通孔12不被任何垂直延伸的切割線分割。通過根據(jù)第一較佳實施例的安排，從圖1所示的母片10得到圖2所示的具有三個端子的基片元件14。但是，根據(jù)第四較佳實施例，如圖18所示，第一垂直切割線DV1延伸通過設(shè)置在第二水平切割線DH2上的通孔12，第二垂直切割線DV2延伸通過設(shè)置在第一水平切割線DH1上的通孔12。根據(jù)第四較佳實施例，第一條線L1在第一垂直切割線DV1上，第二條線L2在第二垂直切割線DV2上。通過用已知的切割機器(諸如切塊機)沿切割線DV1、DV2、DH1和DH2切割如圖18所示的母片10，提供了如圖19所示的具有兩個端子的基片元件14。
根據(jù)本發(fā)明的各種較佳實施例，得到小型化的基片元件。根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的母片在每一條切割線上設(shè)置有通孔，與相鄰的切割線上的通孔交錯，由此減少了通孔數(shù)量，因而大大降低了基片單元的制造成本。另外，利用根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的基片元件的裝配，在使基片元件小型化時，防止了基片的斷裂和通孔之間的短路，由此提供了進(jìn)一步小型化的基片元件。還有，通過減少通孔的數(shù)量，可以相對增加施加密封材料和導(dǎo)電材料的面積，由此可以得到可靠的電子裝置。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的較佳實施例具體示出和描述了本發(fā)明，但是熟悉本領(lǐng)域的人將知道，在不背離本發(fā)明的主旨和范圍的條件下，可以有形式和細(xì)節(jié)上的上述和其它變化。
權(quán)利要求
1.一種通過沿多條設(shè)置得相互平行的切割線切割母片而形成基片元件的母片，其特征在于所述母片包含其中形成多個通孔的區(qū)域，所述通孔相互分開預(yù)定距離，并位于所述多條切割線的每一條切割線上；其中，多條所述切割線的每一條切割線上的通孔都設(shè)置得與相鄰的一條切割線上的通孔交錯。
2.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于還包含沿所述切割線直線延伸的電極圖案。
3.如權(quán)利要求2所述的母片，其特征在于所述電極圖案基本上覆蓋每一個通孔的整個內(nèi)部表面。
4.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于所述母片還包含凹口區(qū)域，所述凹口區(qū)域在由所述切割線為界的區(qū)域中。
5.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于在所述母片上面還包含第二基片。
6.如權(quán)利要求2所述的母片，其特征在于沿一線延伸的電極圖案沿所述線具有間隙。
7.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于還包含基本上設(shè)置在所述通孔周圍的電極圖案，所述電極圖案基本上覆蓋了所述通孔的內(nèi)部表面。
8.如權(quán)利要求1所述的母片，其特征在于所述通孔具有十字形、矩形和圓形中的至少一種近似的形狀。
9.一種母片，其特征在于包含多個沿垂直和水平方向設(shè)置的部分，并且所述部分與基片元件相關(guān)，其中所述基片元件通過沿垂直和水平方向延伸的切割線切割母片而形成；多個沿一條線延伸的第一切割線，所述第一切割線通過與每一個要形成的基片元件相關(guān)的部分相對，并且所述第一切割線上具有多個第一通孔，所述第一通孔相互分開預(yù)定距離地設(shè)置；及多個沿另一條線延伸的第二切割線，所述第二切割線通過與每一個要形成的基片元件相關(guān)的部分相對，所述第二切割線上具有多個第二通孔，所述第二通孔以相互分開預(yù)定距離地設(shè)置；其中，第一通孔和第二通孔相互交錯設(shè)置，從而通過設(shè)置在第一切割線上的第一通孔并基本上垂直于所述第一切割線延伸的第一條線與通過設(shè)置在第二切割線上的第二通孔并基本上垂直于所述第二切割線延伸的第二條線分開。
10.一種基片元件的制造方法，其特征在于，所述方法包含如下步驟提供母片，所述母片具有多條設(shè)置得基本上相互平行的切割線；在所述母片上形成多個通孔，該通孔在所述多條切割線的每一條上相互分開預(yù)定距離地設(shè)置，所述通孔與相鄰的切割線上的通孔交錯設(shè)置；及沿所述切割線切割所述母片。
11.一種制造基片元件的方法，其特征在于包含如下步驟提供母片；形成多條第一切割線，所述第一切割線沿一條線延伸，并在所述母片上基本上相互平行；形成多條第二切割線，所述第二切割線沿另一條線延伸，并且在所述母片上基本上相互平行；分別在所述第一切割線和所述第二切割線上形成多個第一通孔和多個第二通孔，相互分開預(yù)定距離地交錯設(shè)置所述第一和第二通孔，從而基本上垂直于所述第一切割線延伸并通過設(shè)置在第一切割線上的第一通孔的第一條線與基本上垂直于所述第二切割線延伸并通過設(shè)置在第二切割線上的第二通孔的第二條線分開；及沿切割線切割所述母片。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于還包含在所述切割線上沿一條線延伸的電極圖案。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于在沿所述線延伸的所述電極圖案中還包含形成間隙。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于還包含形成電極圖案，所述電極圖案基本上設(shè)置在所述通孔周圍，所述電極圖案基本上覆蓋所述通孔的內(nèi)部表面。
15.一種制造基片元件的方法，其特征在于，所述方法包含如下步驟提供母片；在通過母片上的部分相對的第一條線和第二條線上形成多個通孔，其中所述部分確定每一個所要形成的基片元件，并且所述第一條線上的所述通孔與所述第二條線上的所述通孔交錯設(shè)置；在所述母片的主平面上以及所述通孔的內(nèi)表面上形成電極；及沿所述母片的垂直和水平方向延伸的線切割所述母片。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于還包含在所述部分中形成所述凹口區(qū)域。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于還包含在所述母片上提供第二基片。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于所述通孔具有基本上十字形、矩形和圓形中的至少一個形狀。
19.一種電子裝置，其特征在于包含基片元件，由包含以下步驟的方法制造提供具有基本上平行的切割線的母片，在每一條所述切割線上相互分開預(yù)定距離地形成多個通孔，所述通孔相對于相鄰的切割線上的通孔交錯設(shè)置，并沿所述切割線切割所述母片；及安裝在所述基片元件上的電子元件。
20.一種電子裝置，其特征在于包含基片元件，所述基片元件通過包含如下步驟的方法制造提供母片；在所述母片上形成多條沿一條線延伸并基本上相互平行的第一切割線；在所述母片上形成多條沿另一條線延伸并基本上相互平行的第二切割線；分別在所述第一切割線和所述第二切割線上形成多個第一通孔和第二通孔；并以相互分開預(yù)定距離地交錯設(shè)置所述第一和第二通孔，從而基本上垂直于所述第一切割線延伸并通過設(shè)置在所述第一切割線上的所述第一通孔的第一條線和基本上垂直于所述第二切割線延伸并通過設(shè)置在所述第二切割線上的第二通孔的第二條線分離；及安裝在所述基片元件上的電子元件。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種制造基片元件的設(shè)備和方法,包括提供母片,在母片上通過部分而相對的第一條線和第二條線上形成多個通孔。所述部分確定了要形成的每一個基片元件。第一條線上的通孔設(shè)置得與第二條線上的通孔交錯。還將電極設(shè)置在母片的主平面上和通孔的內(nèi)部表面上。然后,沿垂直和水平方向的切割線切割母片。
文檔編號H05K1/09GK1269636SQ0010643
公開日2000年10月11日 申請日期2000年4月3日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月2日
發(fā)明者輪島正哉 申請人:株式會社村田制作所