專利名稱：載帶自動鍵合式半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別是涉及TAB方式的球柵陣列型半導(dǎo)體裝置。


圖1A是現(xiàn)有TAB帶的平面圖，圖1B是沿圖1A中的1B-1B線的剖面圖，圖1C是沿圖1A中的1C-1C線的剖面圖。
如圖1A～圖1C所示，在聚酰亞胺帶(絕緣性基材)1的表面上邊，形成由銅(Cu)構(gòu)成的Cu圖形2。Cu圖形2，例如可以采用用粘接劑把例如Cu箔粘接到聚酰亞胺帶1上，以具有例如與Cu圖形對應(yīng)的圖形的抗蝕劑層為掩模，刻蝕Cu箔的辦法形成。在聚酰亞胺帶1的表面上邊，形成阻焊劑層3，該阻焊劑層3，至少除去金屬絲鍵合部分2WB和球形焊盤2BP之外，把Cu圖形2被覆起來。
在聚酰亞胺帶1的背面上邊形成粘接劑層4。把保護(hù)帶5粘貼到粘接劑層4上邊。
半導(dǎo)體芯片6裝載到上述TAB帶上邊的同時，中間存在著粘接劑層4粘接到TAB帶上。
如圖2A所示，該粘接，首先從裝載裝置的晶片·芯片托盤中拾取半導(dǎo)體芯片6，然后，把芯片6裝載到壓粘裝置的下側(cè)的模具22上邊。
其次，如圖2B所示，在進(jìn)行了已剝掉了保護(hù)帶5的TAB帶與芯片6之間的位置修正之后，使上側(cè)模具23下降，把TAB帶熱壓粘接到芯片6上。借助于此，芯片6被粘接到TAB帶上。
但是，在現(xiàn)有的TAB帶中，如圖1B、圖1C或圖2B所示，在已形成了Cu圖形2的面上，由于Cu圖形的有無而形成有凹凸。凹部20是沒有Cu圖形2的部分，凸部21是有Cu圖形2的部分。
為此，在把芯片6熱壓粘接到TAB帶上時，如圖2C所示，壓力將集中于凸部21上，對于凹部20則難于加上壓力。該壓力的分布差，將產(chǎn)生TAB帶與芯片6之間貼緊力之差，會變成為日后剝落的原因。
此外，在現(xiàn)有的TAB帶中，如圖3A、圖3B所示，阻焊劑層3與金屬絲鍵合部分2WB之間的交叉角度θ將形成不足90度的部分。
為此，在向TAB帶上邊印刷阻焊劑時，特別是在金屬絲鍵合部分2WB附近的Cu圖形2中，在膏狀的阻焊劑的阻焊劑流內(nèi)將產(chǎn)生不均勻，氣泡24易于卷入到阻焊劑層3內(nèi)來。
當(dāng)在阻焊劑層3內(nèi)或在阻焊劑層3與聚酰亞胺帶1之間發(fā)生了氣泡時，水分將從外部侵入氣泡內(nèi)，隨著時間的流逝，Cu圖形會不斷地被腐蝕。
本發(fā)明就是有鑒于上述的問題而發(fā)明的，其第1個目的在于，提供減小帶與芯片之間的貼緊力之差，且具有穩(wěn)定的貼緊性的半導(dǎo)體裝置。
此外，第2個目的在于，提供抑制氣泡的發(fā)生，對于導(dǎo)電性圖形的腐蝕具有高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
為了實現(xiàn)上述第1個目的，在本發(fā)明的第1方案中，提供了一種半導(dǎo)體裝置，具備具有焊盤的半導(dǎo)體芯片；已粘接到上述半導(dǎo)體芯片上邊的絕緣性基材；在上述絕緣性基材上邊形成，分別含有連接到上述半導(dǎo)體芯片的焊盤上的鍵合部分、連接到外部電極上的焊盤部分和把上述鍵合部分與上述焊盤部分連接起來的布線部分的導(dǎo)電性圖形；和在上述絕緣性基材上邊形成的電懸浮的島狀部分。
倘采用具有上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置，則可以采用在導(dǎo)電性圖形上設(shè)置電懸浮的島狀部分的辦法，來緩和因?qū)щ娦詧D形的有無而產(chǎn)生的凹凸。為此，與現(xiàn)有技術(shù)比，可以緩和壓力分布之差，減小帶與芯片之間的貼緊力之差。因而，可以得到具有穩(wěn)定的貼緊性的半導(dǎo)體裝置。
此外，為了實現(xiàn)上述第1個目的，在本發(fā)明的第2方案中，提供了一種半導(dǎo)體裝置，具備具有焊盤的半導(dǎo)體芯片；已粘接到上述半導(dǎo)體芯片上邊的絕緣性基材；和分別具有在上述絕緣性基材上邊形成的，連接到上述半導(dǎo)體芯片的焊盤上的鍵合部分、連接到外部電極上的焊盤部分和把上述鍵合部分與上述焊盤部分連接起來的同時具有寬度不同的擴(kuò)張部分的布線部分的導(dǎo)電性圖形。
倘采用具有上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置，則可以采用在導(dǎo)電性圖形的布線部分上設(shè)置寬度彼此不同的部分的辦法。來緩和因?qū)щ娦詧D形2的有無而產(chǎn)生的凹凸。為此，與實施方案1一樣，與現(xiàn)有技術(shù)比可以緩和壓力分布之差，減小帶與芯片之間的貼緊力之差。因而，可以得到具有穩(wěn)定的貼緊性的半導(dǎo)體裝置。
為了實現(xiàn)上述第2個目的，在本發(fā)明的第3方案中，提供了一種半導(dǎo)體裝置，具備具有焊盤的半導(dǎo)體芯片；已粘接到上述半導(dǎo)體芯片上邊的絕緣性基材；分別具有在上述絕緣性基材上邊形成的，連接到上述半導(dǎo)體芯片的焊盤上的鍵合部分、連接到外部電極上的焊盤部分和把上述鍵合部分與上述焊盤部分連接起來的布線部分的導(dǎo)電性圖形；和至少除去上述鍵合部分和上述焊盤部分之外，把在上述絕緣性基材上邊形成的上述導(dǎo)電性圖形被覆起來的被覆層，其中，上述被覆層的邊沿與上述鍵合部分之間的交角大于90度。
倘采用具有上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置，采用使被覆層與端子部分之間的交叉角度變成為90度以上的辦法，在形成被覆層之際，特別是在端子部分附近的導(dǎo)電性圖形上邊，被覆層就難于卷進(jìn)氣泡。為此可以得到氣泡的發(fā)生受到抑制，對于導(dǎo)電性圖形的腐蝕具有高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
圖1A是現(xiàn)有的TAB帶的平面圖。
圖1B是沿圖1A中的1B-1B線的剖面圖。
圖1C是沿圖1A中的1C-1C線的剖面圖。
圖2A、圖2B和圖2C的剖面圖分別示出了熱壓粘接工序。
圖3A是現(xiàn)有的TAB帶的平面圖。
圖3B是沿圖3A中的3B-3B線的剖面圖。
圖4A是本發(fā)明的實施例1的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖4B是沿圖4A中的4B-4B線的剖面圖。
圖4C的剖面圖示出了裝置完成后的情況。
圖5A、圖5B、圖5C和圖5D的剖面圖分別示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
圖6A的平面圖示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所具備的TAB帶的第1基本圖形。
圖6B是沿圖6A中的6B-6B線的剖面圖。
圖6C是沿圖6A中的6C-6C線的剖面圖。
圖7A、圖7B和圖7C的剖面圖分別示出了熱壓粘接工序。
圖8A、圖8B、圖8C和圖8D的平面圖分別示出了島狀部分的基本的圖形。
圖9A的平面圖示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所具備的TAB帶的第2基本圖形。
圖9B是沿圖9A中的9B-9B線的剖面圖。
圖9C是沿圖9A中的9C-9C線的剖面圖。
圖10A、圖10B和圖10C的剖面圖分別示出了熱壓粘接工序。
圖11A、圖11B、圖11C和圖11D的平面圖分別示出了擴(kuò)張部分的基本的圖形。
圖12A的平面圖示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所具備的TAB帶的第3基本圖形。
圖12B是沿圖12A中的12B-12B線的剖面圖。
圖13A和圖13B的平面圖分別示出了印刷工序。
圖14A和圖14B的平面圖分別示出了鍵合部分的基本圖形。
圖15是本發(fā)明的參考例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖16是本發(fā)明的實施例2的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖17是本發(fā)明的實施例3的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖18是本發(fā)明的實施例4的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖19是本發(fā)明的實施例5的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖20是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖21是本發(fā)明的實施例6的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
以下，參看附圖，說明本發(fā)明的一個實施例。在進(jìn)行該說明之際，在所有的附圖中，對于相同的部分賦予相同的參照標(biāo)號。
(實施例1)圖4A是本發(fā)明的實施例1的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖4B是沿圖4A中的4B-4B線的剖面圖。
如圖4A、圖4B所示，在聚酰亞胺帶(絕緣性基材)1的表面上邊，形成由銅(Cu)構(gòu)成的Cu圖形2。Cu圖形2，具有金屬絲鍵合部分2WB、球形焊盤部分2BP和布線部分2WR。球形焊盤2BP，矩陣狀地配置在在聚酰亞胺帶1的大體上中央設(shè)置的焊盤區(qū)域12上。布線部分2WR把金屬絲鍵合部分2WB和球形焊盤部分2BP連接起來。
在聚酰亞胺帶1的主要面上邊，形成阻焊劑層3。阻焊劑層3，至少除去金屬絲鍵合部分2WB和球形焊盤2BP之外，把Cu圖形2被覆起來。聚酰亞胺帶1具有使半導(dǎo)體芯片6的焊盤7露出來的開孔部分8。金屬絲鍵合部分2WB通過例如由金(Au)構(gòu)成的鍵合金絲9與在開孔部分8內(nèi)露出來的焊盤7連接。
在聚酰亞胺帶1的背面上邊，形成粘接劑層4。中間存在著該粘接劑層4把聚酰亞胺帶粘接到半導(dǎo)體芯片6上。粘接劑的一個例子是丙烯環(huán)氧樹脂粘接劑。除此之外，也可以使用硅酮(silicone)系粘接劑等。
圖4C的剖面圖示出了半導(dǎo)體裝置完成后的情況。
在開孔部分8內(nèi)，形成用來使鍵合金絲9或焊盤7與外界隔絕進(jìn)行密封的密封樹脂10。此外，在球形焊盤部分2BP上邊，形成例如由焊料構(gòu)成的焊料凸點(也叫焊料球)11。焊料凸點11將成為半導(dǎo)體芯片6的外部電極。在該狀態(tài)下的聚酰亞胺帶的厚度的一個例子是0.075mm±0.008mm，粘接劑層4的厚度一個例子是0.05mm±0.01mm，芯片6的厚度的一個例子是0.38mm±0.02mm。
此外，在焊盤區(qū)域12的外側(cè)的周邊區(qū)域13上形成的焊料凸點11’被稱之為備用球，起著提高TAB方式的球柵陣列式半導(dǎo)體裝置的機(jī)械強(qiáng)度的作用。
焊料凸點(備用球)11’在備用焊盤部分2BP’上邊形成，備用焊盤部分2BP’則配置在周邊區(qū)域13內(nèi)。
圖5A、圖5B、圖5C和圖5D的剖面圖分別示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
首先，如圖5A所示，準(zhǔn)備已形成了Cu圖形2的聚酰亞胺帶。
其次，如圖5B所示，使具有與阻焊劑層形成圖形對應(yīng)的窗口50的絲網(wǎng)51靠近到Cu圖形2上邊。其次，使滑動輥52向圖中箭頭所示的方向移動，通過絲網(wǎng)51把膏狀的阻焊劑53印刷到帶1上邊，形成阻焊劑層3。借助于此，完成TAB帶。
其次，如圖5C所示，把半導(dǎo)體芯片6載置到下側(cè)模具22上邊。其次，在進(jìn)行了已剝掉了保護(hù)帶5的TAB帶與芯片6之間的位置修正之后，使上側(cè)模具23下降，把TAB帶熱壓粘接到芯片6上。借助于此，芯片6被粘接到TAB帶上。
其次，如圖5D所示，用鍵合金絲9把Cu圖形2的金屬絲鍵合部分2WB連接到芯片6的焊盤7上。其次，采用用樹脂10密封鍵合金絲9和焊盤7在球形焊盤部分2BP上邊形成焊料凸點11的辦法，就可以制造本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。
上述實施例1的半導(dǎo)體裝置粗分起來具有3個要素。
以下，按順序進(jìn)行說明。
(第1要素)圖6A的平面圖示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所具備的TAB帶的第1基本圖形，圖6B是沿圖6A中的6B-6B線的剖面圖，圖6C是沿圖6A中的6C-6C線的剖面圖。
實施例1的Cu圖形2，如圖6A～6C所示，除去金屬絲鍵合部分2WB、球形焊盤部分2BP和布線部分2WR等之外，還具有電懸浮的島狀部分2IL。島狀部分2IL，例如配置在布線部分2WR之間或球形焊盤部分2BP之間。
采用使Cu圖形2具有電懸浮的島狀部分2IL的辦法，就可以增加凸部21的面積，可以緩和因Cu圖形2的有無而產(chǎn)生的凹凸。其結(jié)果是，在圖7A～7C所示的熱壓粘接工序時，例如與圖2C所示的現(xiàn)有技術(shù)比，可以緩和加在芯片6上的壓力分布之差。其結(jié)果是，可以減小TAB帶與芯片6之間的貼緊力之差，可以得到具有穩(wěn)定的貼緊性的半導(dǎo)體裝置。
作為配置島狀部分2IL的區(qū)域，理想的是至少沿著焊盤區(qū)域12的外側(cè)的周邊區(qū)域13，即沿著芯片6的周邊部分進(jìn)行配置。
采用象這樣把島狀部分2IL配置在周邊區(qū)域13上的辦法，在芯片6的周邊部分中，就可以提高TAB帶的貼緊性，就可以得到對于剝離更為牢固的耐性。
圖8A、圖8B、圖8C和圖8D的平面圖分別示出了島狀部分的基本的圖形。
然而，如果Cu圖形2具有島狀部分2IL，則會有下述懸念布線部分2WR的寄生電容增加，會對布線部分2WR的電學(xué)特性特別是RCL特性有影響。
該影響，可以采用不把島狀部分2IL的設(shè)計作成為圖8A所示的平面狀圖形，而代之以變更為圖8B所示的條狀圖形、圖8C所示的交錯狀圖形、圖8D所示的網(wǎng)格圖形的辦法，將之抑制到最小限度。例如，圖8B～8C所示的圖形具有間隙。例如，布線部分2WR的寄生電容，就可以減少該間隙的量那么大的量，就可以把對布線部分2WR的電學(xué)特性，特別是RCL特性的影響抑制到最小限度。此外，采用改變島狀部分2IL的設(shè)計的辦法，也可以調(diào)節(jié)布線部分2WR的電學(xué)特性。
(第2要素)圖9A的平面圖示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所具備的TAB帶的第2基本圖形，圖9B是沿圖9A中的9B-9B線的剖面圖，圖9C是沿圖9A中的9C-9C線的剖面圖。
實施例1的Cu圖形2，如圖9A～圖9C所示，至少在其布線部分2WR的一部分內(nèi)，具有寬度被展寬的擴(kuò)張部分2WRW。擴(kuò)張部分2WRW將減小布線部分2WR之間或球形焊盤2BP之間的間隙D。
采用使Cu圖形2具有擴(kuò)張部分2WRW的辦法，與具有島狀部分2IL的情況下一樣，可以增加凸部21的面積，可以緩和因Cu圖形2的有無而產(chǎn)生的凹凸。其結(jié)果是，在圖10A～10C所示的熱壓粘接工序時，例如與圖2C所示的現(xiàn)有技術(shù)比，可以緩和加在芯片6上的壓力分布之差。其結(jié)果是，可以減小TAB帶與芯片6之間的貼緊力之差，可以得到具有穩(wěn)定的貼緊性的半導(dǎo)體裝置。
作為設(shè)置擴(kuò)張部分2WRW的部分，與島狀部分同樣，理想的是至少沿著焊盤區(qū)域12的外側(cè)的周邊區(qū)域13，即沿著芯片6的周邊部分進(jìn)行配置。
此外，由于擴(kuò)張部分2WRW可以采用例如擴(kuò)張布線部分2WR的寬度的辦法得到，故具有在難于設(shè)置島狀部分2IL的部分，例如在布線密度密的部分處也可以容易地設(shè)置的優(yōu)點。
但是，對于島狀部分2IL來說，具有易于在設(shè)置難于設(shè)置擴(kuò)張部分2WRW的部分，例如布線密度稀疏的部分內(nèi)設(shè)置的優(yōu)點。這是因為在布線密度稀疏的部分內(nèi)設(shè)置擴(kuò)張部分2WRW的情況下，需要大的擴(kuò)張部分2WRW，因而將增大布線部分2WR的電容的緣故。
這些島狀部分2IL、擴(kuò)張部分2WRW分別可以在考慮半導(dǎo)體裝置的電學(xué)特性的同時進(jìn)行適宜的配置。適宜配置的一個例子，如圖4A所示，是在布線密度比較稀疏的周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置島狀部分2IL，在布線密度比較密的焊盤區(qū)域12內(nèi)設(shè)置擴(kuò)張部分2WRW的例子。
圖11A、圖11B、圖11C和圖11D的平面圖分別示出了擴(kuò)張部分的基本的圖形。
擴(kuò)張部分2WRW的基本圖形的形狀，如圖11A所示，是向布線部分2WR的單側(cè)或兩側(cè)突出出來的或鼓出來的凸片狀。凸片狀的擴(kuò)張部分2WRW，如圖11A所示，被設(shè)置為使得在布線部分2WR的途中，減小與之相鄰的布線部分2WR之間的間隙D?；蛘呷鐖D11B所示，被設(shè)置為使得在別的Cu圖形2之間延伸，減小這些別的Cu圖形2的球形焊盤部分2BP間的間隙，或者如圖11C所示，被設(shè)置為使得減小別的Cu圖形2的布線部分2WR間的間隙。此外，如圖11D所示，凸片狀的擴(kuò)張部分2WRW，也可以設(shè)置在布線部分2WR的末端。
作為含有這些擴(kuò)張部分2WRW或島狀部分2IL的Cu圖形2的硬度，理想的是用威氏(Vickers)硬度來說為170HV以上。這是從抑制Cu圖形2的倒坍的觀點來考慮的。
此外具有含有本發(fā)明的擴(kuò)張部分2WRW或島狀部分2IL的Cu圖形2的情況下的布線密度的一個例子，是Cu圖形面積/帶面積=68.5％。現(xiàn)有的布線密度是Cu圖形面積/帶面積=45.7％。從該觀點來看，若布線密度(Cu圖形面積/帶面積)超過了45.7％，則與現(xiàn)有的裝置比，會提高貼緊性。
(第3要素)圖12A的平面圖示出了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所具備的TAB帶的第3基本圖形，圖12B是沿圖12A中的12B-12B線的剖面圖。
實施例1的Cu圖形2，如圖12A、圖12B所示，金屬絲鍵合部分2WB與阻焊劑層3的邊緣之間的交角θ具有90度以上的角度。采用使交角θ具有90度以上的角度的辦法，與圖3A所示的出現(xiàn)交角不足90度的部分的現(xiàn)有技術(shù)比，在金屬絲鍵合部分2WB附近的Cu圖形2中，在印刷時，氣泡就難于卷進(jìn)來。氣泡難于卷進(jìn)的結(jié)果，在阻焊劑層3內(nèi)或阻焊劑層3與聚酰亞胺帶之間就難于產(chǎn)生氣泡，就可以抑制隨著時間的流逝Cu圖形2被腐蝕的事情。因此，可以得到對于導(dǎo)電性圖形的腐蝕具有高的可靠性的半導(dǎo)體裝置。
圖13A和圖13B的平面圖分別示出了向具有上述Cu圖形2的帶1上印刷阻焊劑的印刷工序的例子。
如圖13A所示，使具有與阻焊劑層形成圖形對應(yīng)的窗口50的絲網(wǎng)51靠近到Cu圖形2上邊。
其次，如圖13B所示，使滑動輥52向圖中箭頭所示的方向移動，具體地說，使金屬絲鍵合部分2WB沿著向帶1的開孔部分8突出出來的方向移動，通過絲網(wǎng)51把膏狀的阻焊劑53印刷到帶1上邊，借助于此，形成難于發(fā)生氣泡的阻焊劑層3。
圖14A和圖14B的平面圖分別示出了鍵合部分的基本圖形。
圖14A所示的Cu圖形2，是在交角θ保持為90度的情況，圖14B所示的Cu圖形2，是交角θ保持為超過90度的情況。在交角θ保持為超過90度的情況下，可以把金屬絲鍵合部分2WB的形狀作成為向著頂端逐漸變細(xì)的錐狀。
其次，說明本發(fā)明的另外的若干實施例。
實施例2圖15是本發(fā)明的參考例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖16是本發(fā)明的實施例2的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
如圖16所示，實施例2的半導(dǎo)體裝置，是相對于圖15所示的參考例的Cu圖形2來說，還設(shè)置有島狀部分2IL的例子。本例的島狀部分2IL在焊盤區(qū)域12的外側(cè)即在周邊區(qū)域13上設(shè)置。
另外，實施例2示出的是不具有實施例1所示的備用焊盤部分2BP’的例子。
實施例3圖17是本發(fā)明的實施例3的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
如圖17所示，實施例3的半導(dǎo)體裝置，是相對于圖15所示的參考例的Cu圖形2來說，還設(shè)置有擴(kuò)張部分2WRW的例子。本例的擴(kuò)張部分2WRW在焊盤區(qū)域12的外側(cè)即在周邊區(qū)域13上設(shè)置。
實施例4圖18是本發(fā)明的實施例4的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
如圖18所示，實施例4的半導(dǎo)體裝置，是相對于圖15所示的參考例的Cu圖形2來說，還分別設(shè)置有島狀部分2IL、擴(kuò)張部分2WRW的例子。本例的島狀部分2IL、擴(kuò)張部分2WRW分別在焊盤區(qū)域12的外側(cè)即在周邊區(qū)域13上設(shè)置。
實施例5圖19是本發(fā)明的實施例5的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
如圖19所示，實施例5的半導(dǎo)體裝置，是相對于圖15所示的參考例的Cu圖形2來說，還設(shè)置有擴(kuò)張部分2WRW的例子，并且將擴(kuò)張部分2WRW分別在焊盤區(qū)域12和周邊區(qū)域13上設(shè)置。特別是，本例相對于焊盤區(qū)域12和周邊區(qū)域13的大致全部設(shè)置擴(kuò)張部分2WRW。
實施例6圖20是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖21是本發(fā)明的實施例6的半導(dǎo)體裝置的平面圖。另外，圖20、圖21分別是從芯片6一側(cè)看時的平面圖而不是從帶1一側(cè)看的平面圖。
如圖20所示，如果從芯片6一側(cè)來看實施例1到實施例5的半導(dǎo)體裝置，則密封樹脂10僅僅存在于帶1的開孔部分8的周圍。
在實施例6中，如圖21所示，作成為使得在整個芯片6的周圍都存在密封樹脂。采用使得在整個芯片6的周圍都存在密封樹脂的辦法，就可以使芯片6與帶1之間貼緊性更為穩(wěn)定。
以上，用實施例1到實施例6說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不受限于這些實施例，在不脫離本發(fā)明的的要旨的范圍內(nèi)，可以有各種各樣的變形。
例如，作為導(dǎo)電性圖形2的例子，雖然示出的是銅(Cu)的例子，但也可以變更為銅合金或其它的導(dǎo)電物質(zhì)。此外，在變更為銅合金或其它的導(dǎo)電物質(zhì)的情況下，希望其硬度至少在170HV以上。
此外，作為半導(dǎo)體芯片的焊盤配置，雖然例示的是把焊盤配置在芯片的周邊和芯片的中心，但焊盤配置例如也可以變更為僅僅配置在芯片的周邊或僅僅配置在芯片的中心。
此外，作為在半導(dǎo)體芯片內(nèi)形成的半導(dǎo)體產(chǎn)品，特別理想的是SRAM、FLASH-EEPROM、DRAM、混載DRAM、CPU等等要求小型封裝的那些產(chǎn)品。
此外，在上述實施例1～6中，雖然分別可以單獨實施，但也可以把這些實施例各種各樣地組合起來實施。
如上所述，倘采用本發(fā)明，則可以提供減小帶與芯片之間的貼緊力之差且具有穩(wěn)定的貼緊性的半導(dǎo)體裝置。
此外，還可以提供抑制氣泡的發(fā)生、對于導(dǎo)電性圖形的腐蝕具有高的可靠性的半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體裝置，具備具有焊盤的半導(dǎo)體芯片；已粘接到上述半導(dǎo)體芯片上邊的絕緣性基材；在上述絕緣性基材上邊形成，分別含有連接到上述半導(dǎo)體芯片的焊盤上的鍵合部分、連接到外部電極上的焊盤部分和把上述鍵合部分與上述焊盤部分連接起來的布線部分的導(dǎo)電性圖形；和在上述絕緣性基材上邊形成的電懸浮的島狀部分。
2．權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述電懸浮的島狀部分，含有平面狀(planar)、條狀(stripe)、交錯狀(checker)、網(wǎng)格狀(mesh)中的至少任何一種圖形。
3．權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述電懸浮的島狀圖形，至少配置在把上述絕緣性基材的上述焊盤部分配置成矩陣狀的焊盤區(qū)域內(nèi)。
4．權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述電懸浮的島狀圖形，至少配置在把上述絕緣性基材的上述焊盤部分配置成矩陣狀的焊盤區(qū)域外。
5．權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述導(dǎo)電性圖形包括配置在上述焊盤區(qū)域外的備用焊盤部分。
6．權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述電懸浮的島狀圖形，用與構(gòu)成上述導(dǎo)電性圖形的導(dǎo)電性材料相同的材料構(gòu)成。
7．權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述導(dǎo)電性材料，至少具有170HV的威氏硬度。
8．權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述絕緣性基材是TAB帶。
9．一種半導(dǎo)體裝置，具備具有焊盤的半導(dǎo)體芯片；已粘接到上述半導(dǎo)體芯片上邊的絕緣性基材；和分別具有在上述絕緣性基材上邊形成的，連接到上述半導(dǎo)體芯片的焊盤上的鍵合部分、連接到外部電極上的焊盤部分和把上述鍵合部分與上述焊盤部分連接起來的同時具有寬度不同的擴(kuò)張部分的布線部分的導(dǎo)電性圖形。
10．權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述擴(kuò)張部分的形狀是凸片狀。
11．權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述凸片狀的擴(kuò)張部分，在與上述導(dǎo)電性圖形不同的另外的導(dǎo)電性圖形間延伸。
12．權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述擴(kuò)張部分，至少配置在把上述絕緣性基材的上述焊盤部分配置成矩陣狀的焊盤區(qū)域內(nèi)。
13．權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述擴(kuò)張部分，至少配置在把上述絕緣性基材的上述焊盤部分配置成矩陣狀的焊盤區(qū)域外。
14．權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述導(dǎo)電性圖形包括配置在上述焊盤區(qū)域外的備用焊盤部分。
15．權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是構(gòu)成上述導(dǎo)電性圖形的導(dǎo)電性材料，至少具有170HV的威氏硬度。
16．權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述絕緣性基材是TAB帶。
17．一種半導(dǎo)體裝置，具備具有焊盤的半導(dǎo)體芯片；已粘接到上述半導(dǎo)體芯片上邊的絕緣性基材；分別具有在上述絕緣性基材上邊形成的，連接到上述半導(dǎo)體芯片的焊盤上的鍵合部分、連接到外部電極上的焊盤部分和把上述鍵合部分與上述焊盤部分連接起來的布線部分的導(dǎo)電性圖形；和至少除去上述鍵合部分和上述焊盤部分之外，把在上述絕緣性基材上邊形成的上述導(dǎo)電性圖形被覆起來的被覆層，其中，上述被覆層的邊沿與上述鍵合部分之間的交角大于90度。
18．權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述鍵合部分的形狀，是向著頂端逐漸變細(xì)的錐狀。
19．權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述被覆層是抗蝕劑層。
20．權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述被覆層用印刷法形成。
全文摘要
公開一種TAB方式的BGA型半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置,由已形成了集成電路的半導(dǎo)體芯片、具有導(dǎo)電性圖形且已粘接到該半導(dǎo)體芯片上邊的聚酰亞胺帶構(gòu)成。上述導(dǎo)電性圖形,除去連接到半導(dǎo)體芯片的焊盤上的鍵合部分、連接到外部電極上的焊盤部分、和把上述鍵合部分與上述焊盤部分連接起來的布線部分之外,還具有電懸浮的島狀部分。
文檔編號H05K1/02GK1300101SQ00135290
公開日2001年6月20日 申請日期2000年12月8日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月10日
發(fā)明者牛島利弘, 馬場勲, 住吉貴充 申請人:株式會社東芝