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      可堆疊式的積體電路裝置的制作方法

      文檔序號:8176852閱讀:277來源:國知局
      專利名稱:可堆疊式的積體電路裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型涉及積體電路。
      前已申請的中國實用新型專利第00257235.4號可堆疊式的積體電路,其可將多個積體電路予以堆疊,使每一電路板上可容置更多的積體電路,不但可增加產(chǎn)品功能,且可達到產(chǎn)品輕、薄、短小的要求,如

      圖1所示其上層的積體電路10與下層的積體電路12間以一較大的金屬球14連接而該金屬球14的制作較為不便,成品率較低,還浪費金屬球14所用的材料。
      本實用新型的目的是提供一種制作較為方便,成品率較高,節(jié)省材料,降低成本的可堆疊式的積體電路裝置。
      本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的可堆疊式的積體電路裝置,其為電連接于一電路板上,并與第二積體電路形成堆疊的一種電路裝置,其包括一積體電路本體、一個以上第一接點、一凸緣層及一個以上第二接點,其特征是積體電路本體具有一第一表面及一第二表面上;該等第一接點形成于與電路板電連接的積體電路本體的第一表面;該等第二接點設(shè)于凸緣層上,以與第二積體電路形成電連接。
      上述設(shè)計主要由于采用金屬球第一接點,從而達到了制作較方便,成品率較高,且節(jié)省材料和成本的效果。
      下面以附圖、實施例進一步說明。
      圖1為已有可難疊式的積體電路實施示意圖;圖2為本實用新型實施示意圖;圖3為本實用新型組合剖視示意圖;圖4為本實用新型分解立體示意圖。
      如圖2-4所示本實用新型為電連接于一電路板20上,并與第二積體電路24形成堆疊的一種電路裝置,其包括一積體電路本體16、一個以上第一接點18、一凸緣層34及一個以上第二接點22,其特征是積體電路本體1 6具有一第一表面26及一第二表面28;該等第一接點18形成于與電路板20電連接的積體電路本體16的第一表面26上;該等第二接點22設(shè)于凸緣層34上,以與第二積體電路24形成電連接。其中,該積體電路本體16包括有一基礎(chǔ)層30、一晶片38及一條以上導線36,基礎(chǔ)層30有一鏤空槽32,晶片38藉由該等導線36穿過鏤空槽32而與基礎(chǔ)層30形成電連接;其中,該等第一接點1 8設(shè)有金屬球,用以與電路板20形成電連接;其中,該等第二接點22設(shè)有金屬球,用以與電路板20形成電連接;其中,該第二積體電路24本體包括有一基礎(chǔ)層30、一晶片38及一條以上導線36,基礎(chǔ)層30有一鏤空槽32,使晶片38藉由該等導線36穿過鏤空槽32與基礎(chǔ)層30形成電連接。其中,凸緣層34為框形狀,并粘著于積體電路本體16的第二表面28上??墒沟谝环e體電路的金屬球大小相同,可單顆積體電路封裝后再行堆置,制作方便、省料。
      權(quán)利要求1.可堆疊式的積體電路裝置,其為電連接于一電路板上,并與第二積體電路形成堆疊的一種電路裝置,其包括一積體電路本體、一個以上第一接點、一凸緣層及一個以上第二接點,其特征是積體電路本體具有一第一表面及一第二表面;該等第一接點形成于與電路板電連接的積體電路本體的第一表面上;該等第二接點設(shè)于凸緣層上,以與第二積體電路形成電連接。
      2.如權(quán)利要求1所述的可堆疊式的積體電路裝置,其特征是其中,該積體電路本體包括有一基礎(chǔ)層、一晶片及一條以上導線,基礎(chǔ)層有一鏤空槽,晶片藉由該等導線穿過鏤空槽而與基礎(chǔ)層形成電連接
      3.如權(quán)利要求1所述的可堆疊式的積體電路裝置,其特征是其中,該等第一接點設(shè)有金屬球。
      4.如權(quán)利要求1所述的可堆疊式的積體電路裝置,其特征是其中,該等第二接點設(shè)有金屬球。
      5.如權(quán)利要求1所述的可堆疊式的積體電路裝置,其特征是其中,該第二積體電路本體包括有一基礎(chǔ)層、一晶片及一條以上導線,基礎(chǔ)層有一鏤空槽,使晶片藉由該等導線穿過鏤空槽與基礎(chǔ)層形成電連接。
      專利摘要本實用新型涉及電路板,使制作方便省料。其包括:一積體電路本體、一個以上第一接點、一凸緣層及一個以上第二接點,其特征是:積體電路本體具有一第一表面及一第二表面;該等第一接點形成于與電路板電連接的積體電路本體的第一表面上;該等第二接點設(shè)于凸緣層上,以與第二積體電路形成電連接。用于電器。
      文檔編號H05K1/00GK2461238SQ0026480
      公開日2001年11月21日 申請日期2000年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月13日
      發(fā)明者葉乃華, 杜修文, 彭國峰, 陳文銓, 何孟南, 邱詠盛, 吳志成, 范光宇 申請人:勝開科技股份有限公司
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