專利名稱：電子部件及電子部件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子部件及電子部件的制造方法。
背景技術：
不知道何時會停止要求信息處理速度的高速化，年年進行著半導體芯片的高頻化。為了實現(xiàn)半導體工作的高速化，不僅要求集成芯片的高密度化、高性能化，而且有必要提高外圍電路的特性。其中確保傳輸線路和電源線路的穩(wěn)定性是高速穩(wěn)定工作所必須的重要條件之一，說構成外圍的裝置關系到半導體芯片本身的存亡并不過分。
作為確保傳輸線路和電源線路的穩(wěn)定性的一個重要的器件，可以舉出電容器。對于實現(xiàn)高速工作的電容器來說，除了電容器本身的高頻性能以外，還要求至電容器的布線的阻抗低等。
為了使半導體芯片在高頻下工作時減少布線損失，有必要將電容器等配置在半導體芯片附近。在現(xiàn)有的技術中只限于在半導體內(nèi)部形成微小的電容器等方法，要進一步穩(wěn)定地進行高頻工作，效果并不理想。另外，在將電容器等配置在半導體芯片的外圍的情況下，還存在安裝板面積增大的問題。
發(fā)明的公開本發(fā)明就是為了解決這些課題而完成的，目的在于提供一種雖然稍微增加一些安裝面積但能將電容器等配置在半導體芯片附近的電子部件及電子部件的制造方法。
為了達到上述目的，本發(fā)明如下構成。
即，本發(fā)明的電子部件是具有夾住電介質相對配置的電極層以及連接在上述電極層上的連接電極的電子部件，其特征在于有不連接上述電極層而貫通上述電子部件的貫通電極。由于本發(fā)明的電子部件有貫通電極，所以例如將本發(fā)明的電子部件安裝在布線基板上，再將其他電子部件(例如半導體芯片)設置在它上面，其他電子部件能通過上述貫通電極與布線基板連接。另外，由于本發(fā)明的電子部件有電介質和夾住它的電極層，所以例如能在電子部件內(nèi)形成電容器。以上的結果，雖然稍微增加一些安裝面積，但能將電容器配置在半導體芯片附近，能兼顧半導體芯片的高頻驅動和抑制安裝面積的增加。
另外，上述貫通電極最好沿著與電極層和電介質的層疊方向大致平行的方向貫通。這樣構成的電子部件容易制造。
在上述本發(fā)明的電子部件中，上述貫通電極配置成柵格點狀，上述電極層由配置在上述貫通電極之間的第一電極層及第二電極層構成，上述第一電極層和上述第二電極層夾住上述電介質，從上述貫通電極的貫通方向看時，能構成呈柵格狀交叉配置的結構?；蛘?，為了有規(guī)定大小的相對部分，上述電極層也可作成由夾住上述電介質配置的第一電極層及第二電極層構成的結構。如果采用這樣的結構，則在電子部件內(nèi)能容易地形成具有所希望的電容的電容器。
在上述本發(fā)明的電子部件中，能將上述連接電極作為與上述貫通電極在同一平面上形成的取出電極。即，能使連接電極(取出電極)和貫通電極形成為在電子部件的同一表面上露出。如果采用這樣的結構，則能在與貫通電極同一的面內(nèi)(例如電子部件的上面或下面)同樣地進行對電子部件內(nèi)的電極層供給電壓用的布線基板等的連接。其結果，能使安裝面積更小。另外，能容易地進行將設置在本發(fā)明的電子部件上的其他電子部件連接在取出電極上。
另外，在上述本發(fā)明的電子部件中，能將上述連接電極作為與上述貫通電極在不同的面上形成的外部電極。例如，使貫通電極形成為在電子部件的上下外表面上露出，在電子部件的周圍面上形成連接電極(外部電極)。如果采用這樣的結構，則在布線基板等上面安裝本發(fā)明的電子部件的情況下，能用焊錫等容易地將外部電極焊接在布線基板上。
另外，在上述本發(fā)明的電子部件中，在上述第一電極層和上述第二電極層之間最好形成多個靜電電容形成區(qū)域。因此，能在電子部件內(nèi)形成電容器。
這時，連接在形成各個靜電電容形成區(qū)域的第一電極層和第二電極層上的連接電極最好互相絕緣。例如這樣構成，則在電子部件內(nèi)能形成多個獨立的電容器。
另外，如果形成靜電電容不同的靜電電容形成區(qū)域，則在電子部件內(nèi)能形成多個電容不同的電容器。
其次，與本發(fā)明的第一種結構有關的電子部件的制造方法是有重復層疊金屬薄膜和電介質薄膜的工序的電子部件的制造方法，其特征在于層疊了金屬薄膜后，層疊有開口的電介質薄膜，再層疊金屬薄膜，從而通過上述開口導電性地連接上述金屬薄膜。如果這樣構成，則能用簡單的方法，使電子部件內(nèi)層疊的金屬薄膜中所希望的金屬薄膜互相連接。因此，通過在這樣連接的金屬薄膜中形成取出電極，能使被連接的多個金屬薄膜具有作為電位相同的電極層的功能。
在上述本發(fā)明的第一種結構的電子部件的制造方法中，在層疊了電介質薄膜后，通過用激光照射規(guī)定的部位，將上述電介質薄膜的一部分除去，能獲得有上述開口的電介質薄膜。因此，能容易且有效地在所希望的位置上準確地形成有開口的電介質薄膜。
這時，上述激光最好是二氧化碳激光。如果這樣構成，則不會使金屬薄膜變質等，能有效地只將電介質薄膜除去。
或者，在上述本發(fā)明的第一種結構的電子部件的制造方法中，利用油掩模法能獲得有上述開口的電介質薄膜。因此，能容易且有效地、低成本地形成有開口的電介質薄膜。
這時，上述油掩模法中使用的油最好是烴系列油、礦物油、氟系列油中的任意一種。這些油由于往金屬上的涂敷性能好，所以能可靠地防止樹脂薄膜材料的附著，因此在邊界部上能可靠地形成清晰的開口。
另外，在上述本發(fā)明的第一種結構的電子部件的制造方法中，在上述金屬薄膜和電介質薄膜的重復層疊工序結束后獲得的層疊體的層疊方向的表面上，最好露出上述金屬薄膜的一部分。如果這樣構成，則能將取出金屬薄膜的露出部分作為電極。
這時，最好將導電性物質附加在上述露出的金屬薄膜的表面上。即，最好將導電性物質附著于金屬薄膜的露出部分上，以便與電子部件的外表面呈同一面或比它突出，從而容易實現(xiàn)電極的取出，容易進行布線基板和其他電子部件的連接作業(yè)。
其次，上述本發(fā)明的第二種結構的電子部件的制造方法是有重復層疊電介質薄膜的工序的電子部件的制造方法，其特征在于通過在規(guī)定的部位上重復層疊有開口的電介質薄膜，獲得由具有沿層疊方向貫通的貫通孔的上述電介質薄膜構成的層疊體。如果這樣構成，則能用簡單的方法，形成沿層疊方向貫通的貫通電極用的貫通孔。
在上述本發(fā)明的第二種結構的電子部件的制造方法中，在層疊了電介質薄膜后，通過用激光照射規(guī)定的部位，將上述電介質薄膜的一部分除去，能獲得有上述開口的電介質薄膜。因此，能容易且有效地在所希望的位置上準確地形成有開口的電介質薄膜。
這時，上述激光最好是二氧化碳激光。如果這樣構成，則能有效地只將電介質薄膜除去。
或者，在上述本發(fā)明的第二種結構的電子部件的制造方法中，利用油掩模法能獲得有上述開口的電介質薄膜。因此，能容易且有效地、低成本地形成有開口的電介質薄膜。
這時，上述油掩模法中使用的油最好是烴系列油、礦物油、氟系列油中的任意一種。這些油由于往金屬上的涂敷性能好，所以能可靠地防止樹脂薄膜材料的附著，因此在邊界部上能可靠地形成清晰的開口。
另外，在上述本發(fā)明的第二種結構的電子部件的制造方法中，最好將導電性物質填充在上述電介質薄膜的重復層疊工序結束后獲得的層疊體的上述貫通孔中。因此，能獲得沿貫通方向貫通的貫通電極。這時，如果填充了導電性物質的表面與層疊體的外表面呈同一面或比它突出，則容易進行布線基板和其他電子部件的連接作業(yè)。
另外，本發(fā)明的第三種結構的電子部件的制造方法，其特征在于包括形成被刻蝕成規(guī)定形狀的金屬薄膜的工序；在未形成上述金屬薄膜的區(qū)域上形成有開口的電介質薄膜的工序；在上述電介質薄膜上，且在除去上述開口以外的區(qū)域上形成被刻蝕成規(guī)定形狀的金屬薄膜的工序；以及將導電性物質填充在上述開口內(nèi)的工序。如果這樣構成，則能用簡單的方法形成沿層疊方向貫通、而且不與電子部件內(nèi)的金屬薄膜接觸的貫通電極。另外，能在同一電子部件內(nèi)構成獨立于這樣的貫通電極的所希望的電路結構。因此，例如將采用本發(fā)明的方法獲得的電子部件安裝在布線基板上，再將其他電子部件(例如半導體芯片)設置在它上面，其他電子部件能通過上述貫通電極與布線基板連接。另外，由于采用本發(fā)明的方法獲得的電子部件有電介質薄膜和夾住它的金屬薄膜，所以例如能在電子部件內(nèi)形成電容器。以上的結果，雖然稍微增加一些安裝面積，但能將電容器配置在半導體芯片附近，能兼顧半導體芯片的高頻驅動和抑制安裝面積的增加。
在上述本發(fā)明的第三種結構的電子部件的制造方法中，上述導電性物質最好與上述金屬薄膜電氣絕緣。如果采用這樣的結構，則例如電路基板和其他電子部件通過貫通電極的導電性連接就好象不存在本發(fā)明的電子部件一樣地進行。
另外，在上述本發(fā)明的第三種結構的電子部件的制造方法中，最好大致呈條紋狀地形成上述金屬薄膜。如果采用這樣的結構，則能有效地制造具有上述結構的電子部件。
這時，最好在每一層與上述條紋方向交叉地(呈扭曲的位置關系)形成上述條紋狀的金屬薄膜。因此，由于電介質薄膜的上下的金屬薄膜在層疊方向上具有規(guī)定的重疊部分，故能在該部分中形成靜電電容形成區(qū)域。另外，金屬薄膜的條紋交叉方向不必呈直角，也可以是傾斜的。
另外，在上述本發(fā)明的第三種結構的電子部件的制造方法中，在上述電介質薄膜的兩側形成的兩金屬薄膜最好沿層疊方向有規(guī)定的重疊部分。如果這樣處理，則能任意地設計金屬薄膜的圖形刻蝕形狀，同時能形成靜電電容形成區(qū)域。
另外，在上述本發(fā)明的第三種結構的電子部件的制造方法中，在與上述金屬薄膜的形成面大致平行的面上，最好形成與上述金屬薄膜的至少一部分導電性連接的電極。如果采用這樣的結構，則在與形成了貫通電極的面(在電子部件的外表面上露出了貫通電極的面)不同的面上能獲得有外部電極的電子部件。
這時，最好形成多個上述電極，其一部分或全部分別呈電氣絕緣狀態(tài)。因此，在電子部件內(nèi)能形成多個獨立的電容器。另外，通過改變連接在一個電極上的金屬薄膜的大小或數(shù)量，能改變各個電容器的靜電電容。
最好采用包括噴鍍、電鍍、涂敷的任意一種方法，形成上述電極。因此，能有效地形成外部電極。
另外，在上述本發(fā)明的第三種結構的電子部件的制造方法中，上述電介質薄膜最好在形成了上述金屬薄膜的區(qū)域上有第二開口，通過上述第二開口導電性地連接在上述電介質薄膜的兩側形成的兩金屬薄膜。如果采用這樣的結構，則能用簡單的方法使電子部件內(nèi)層疊的金屬薄膜中所希望的金屬薄膜互相連接。因此，通過在這樣連接的金屬薄膜上形成取出電極，能使連接的多個金屬薄膜具有作為電位相同的電極層的功能。
在以上說明中，在層疊了電介質薄膜后，通過用激光照射規(guī)定的部位，將上述電介質薄膜的一部分除去，能獲得有上述開口(及上述第二開口)的電介質薄膜?；蛘卟捎糜脱谀７ǎ材塬@得有上述開口(及上述第二開口)的電介質薄膜。
另外，在上述本發(fā)明的第三種結構的電子部件的制造方法中，采用附加固體掩?；蛘舭l(fā)性掩模后形成金屬薄膜的方法、或形成了金屬薄膜后進行激光刻蝕的方法，能形成上述圖形刻蝕后的金屬薄膜。如果采用這樣的結構，則能容易且有效地獲得呈所希望的圖形的金屬薄膜。
其次，本發(fā)明的第四種結構的電子部件的制造方法的特征在于包括重復層疊刻蝕成規(guī)定形狀的圖形的金屬薄膜和電介質薄膜，獲得層疊體的工序；沿上述層疊體的層疊方向形成孔的工序；以及將導電性物質填充在上述孔中的工序。如果采用這樣的結構，則由于在層疊體的制造工序中不在電介質薄膜上形成開口，而是在獲得了層疊體后形成孔，所以能簡化層疊體的制造裝置。
在上述本發(fā)明的第四種結構的電子部件的制造方法中，能將上述孔作成不貫通上述金屬薄膜而形成的貫通孔。如果這樣處理，則能容易地形成貫通電極。
另外，也能形成多層上述金屬薄膜，使其一部分金屬薄膜在上述孔的內(nèi)壁露出，形成上述孔。然后，通過填充導電性物質，以便與露出的金屬薄膜連接，能容易地形成取出電極。另外，這時的孔既可以貫通，也可以不貫通。
另外，在上述本發(fā)明的第四種結構的電子部件的制造方法中，最好通過照射激光形成上述孔。如果采用這樣的結構，則能有效地形成孔。另外，可以考慮是否同時貫通金屬薄膜層來選擇這時使用的激光光源。
另外，在上述本發(fā)明的第四種結構的電子部件的制造方法中，也能在與上述金屬薄膜的形成面大致垂直的面上形成與上述金屬薄膜的至少一部分導電性連接的電極。如果采用這樣的結構，則能在與形成了孔的面不同的面上獲得有外部電極的電子部件。
附圖的簡單說明圖1是表示本發(fā)明的實施形態(tài)1的電子部件之一例的示意平面圖。
圖2是表示圖1所示的電子部件的一部分內(nèi)部結構的斜視圖。
圖3是表示制造圖1所示的電子部件用的制造裝置的簡略斜視圖。
圖4是表示圖1所示的電子部件的使用例的示意圖。
圖5是表示本發(fā)明的實施形態(tài)2的電子部件之一例的示意平面圖。
圖6是表示圖5所示的電子部件的一部分內(nèi)部結構的斜視圖。
圖7是表示制造圖5所示的電子部件用的制造裝置的簡略斜視圖。
圖8是表示圖5所示的電子部件的使用例的示意圖。
圖9是表示本發(fā)明的實施形態(tài)3的電子部件之一例的示意平面圖。
圖10是表示圖9所示的電子部件的一部分內(nèi)部結構的斜視圖。
圖11是表示圖9所示的電子部件的使用例的示意圖。
實施發(fā)明用的最佳形態(tài)以下，用


本發(fā)明的實施形態(tài)。
(實施形態(tài)1)圖1是表示本發(fā)明的實施形態(tài)1的電子部件10之一例的示意平面圖。圖2是表示圖1所示的電子部件的一部分內(nèi)部結構的斜視圖。
在大致同一平面上呈多條的條紋狀形成的第一電極層1和在大致同一平面上呈多條的條紋狀形成的第二電極層2將電介質層3夾在中間層疊起來。通過使各電極層1、2的條紋方向交叉，在各交叉部形成靜電電容形成區(qū)域9，具有電容器的功能。
第一取出電極4連接在第一電極層1上，第二取出電極5連接在第二電極層2上。在發(fā)揮上述電容器功能時它們能作為連接端子用。如圖1及圖2所示，取出電極4、5也可以沿電子部件10的層疊方向貫通形成，或者也可以形成為只在電子部件的一側表面上出現(xiàn)，或者也可以是它們的組合方式。
在電子部件10上除了上述取出電極4、5以外，還形成貫通電極6。通過介入貫通電極6，所以就好象不存在本發(fā)明的電子部件一樣，確保配置在本發(fā)明的電子部件10上下的與本發(fā)明的電子部件不同的電子部件之間的導電性連接。
作為形成電極層1、2的材料，可以使用鋁、銅、金等金屬或金屬化合物。另外，作為形成電介質層3的材料，可以使用以丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、乙烯樹脂為主的樹脂材料、或鋇鈦氧化物系列陶瓷或鍶鈦氧化物系列陶瓷等陶瓷材料、或氧化鈦、氧化鋁、氧化硅等金屬氧化物或半金屬氧化物。另外，作為取出電極4、5及貫通電極6，除了金、銀、鋁、銅或焊錫材料等金屬以外，還能使用導電性膏劑或導電性高分子材料。
電極層1、2的形成可以采用真空蒸鍍法、濺射法、電鍍法等進行。另外，作為呈條紋狀地形成電極層1、2的方法，可以采用圖形刻蝕形狀的固體掩模的方法或使用油等蒸發(fā)性掩模的方法、進行激光刻蝕的方法等。作為油掩模材料，可以使用以烴系列的油或礦物油、氟系列油為主的各種油等。
如果用樹脂系列材料形成電介質層3，則可以采用利用加熱器加熱氧化、或利用超聲波或噴霧進行霧化淀積的方法，如果用陶瓷材料或金屬系列材料形成電介質層3，則能采用濺射、蒸鍍等方法。
為了形成取出電極4、5或貫通電極6，在電介質層3上形成孔狀的開口時，能采用形成電介質層后通過激光刻蝕，除去規(guī)定部位的電介質的方法、或預先附加油等蒸發(fā)性掩模后形成電介質層的方法等。為了附加點狀的蒸發(fā)性掩模，利用從微細孔噴出掩模材料的微小液滴的噴墨方式進行附加的方法特別有效。
在附加油掩模的情況下，作為能使用的油，可以舉出烴系列的油、礦物油、氟系列油等。
另外，在使用蒸發(fā)性掩模的情況下，在各層成膜后剩下了多余的掩模材料時，根據(jù)需要可以使用遠紅外線加熱器、電子射線、紫外線燈照射、等離子照射等方法將其除去。
圖3是說明制造圖1及圖2所示的電子部件用的制造工序之一例的一部分用的裝置的簡略斜視圖。
從設置在裝置的右側的支撐體運入室11運入支撐體，經(jīng)過規(guī)定的工序后從設置在左側的支撐體取出口22取出。隔離閥12a和隔離閥12b之間由被分成各個工序的多個室構成它們在維持著規(guī)定的真空度的真空槽內(nèi)形成。利用設置在裝置的大致中央的輸送系統(tǒng)21，使支撐體依次經(jīng)過各室移動，進行規(guī)定的處理。作為支撐體可以使用例如片狀或板狀的由樹脂、陶瓷、或金屬等構成的基體材料，在它上面層疊電介質薄膜及金屬薄膜。
被運入支撐體運入室11中的支撐體在打開隔離閥12a后被運入真空槽內(nèi)。最初，利用下部絕緣體成膜源13在支撐體的表面上進行下部絕緣體膜的形成。這時在形成貫通電極及取出電極的位置上附加圖形刻蝕掩模，或者也可以通過照射激光形成開口(孔)。接著通過金屬薄膜成膜源14和圖形刻蝕掩模的組合，形成進行了第一圖形刻蝕了的金屬薄膜(第一電極層)。其次利用電介質薄膜成膜源15，形成第一電介質薄膜(電介質層)。第一電介質薄膜形成后，利用激光加工機16除去形成取出電極及貫通電極的位置上的電介質薄膜。接著通過金屬薄膜成膜源17和圖形刻蝕掩模的組合，形成進行了第二圖形刻蝕的金屬薄膜(第二電極層)。其次利用電介質薄膜成膜源18，形成第二電介質薄膜(電介質層)。第二電介質薄膜形成后，利用激光加工機19，除去形成取出電極及貫通電極的位置上的電介質薄膜。這樣處理后，再依次送給金屬薄膜成膜源14、電介質薄膜成膜源15、激光加工機16、金屬薄膜成膜源17、電介質薄膜成膜源18、激光加工機19，使這些作業(yè)重復進行規(guī)定的次數(shù)。進行了規(guī)定次數(shù)的成膜后，利用上部絕緣體成膜源20進行上部絕緣體膜的成膜。這時，在形成貫通電極及取出電極的位置上附加圖形刻蝕掩模，或者也可以通過照射激光形成開口(孔)。此后，打開隔離閥12b，從支撐體取出口22取出。
通過將導電性膏劑涂入所形成的貫通孔中后使膏劑固定，形成貫通電極。
同樣，也可以通過將導電性膏劑涂入開口中，以便與在上部絕緣體膜及/或下部絕緣體膜上形成的開口中露出的金屬薄膜連接，也可使取出電極與層疊體表面呈同一平面或突出一些。
此后，在適當?shù)墓ば螂A段，根據(jù)需要，按照規(guī)定的大小切斷層疊體。
例如圖4中示意性地示出的形態(tài)所示，所形成的本發(fā)明的電子部件10被配置在安裝了半導體芯片27的載體28和布線基板30之間使用。載體28下面的信號端子29a根據(jù)需要，能通過本發(fā)明的電子部件10的貫通電極6與在布線基板30上形成的布線圖形31連接。另外載體28下面的電源端子29b通過貫通電極6連接在布線基板30上，再連接在第一取出電極4上。另外，載體28下面的另一電源端子29b通過貫通電極6連接在布線基板30上，再連接在第二取出電極5上。貫通電極6和取出電極4、5的連接，如圖4所示，可以是使用布線基板30表面上的布線圖形31的方法，還可以采用布線基板30內(nèi)部的連接等其他方法。
與第一取出電極4連接的第一電極層1和與第二取出電極5連接的第二電極層2夾住電介質層被絕緣，所以如果例如與第一取出電極4連接的電源端子定為Vcc端子，與第二取出電極5連接的電源端子定為GND端子，則第一取出電極4和第二取出電極5之間形成的電容器幾乎不增加安裝面積，而且在半導體芯片附近位置具有作為電源用旁路電容器的功能，所以在高頻驅動和減少安裝面積等方面有好處。
作為金屬薄膜材料使用鋁，作為電介質材料使用氧化鋁，作為導電性膏劑使用銀系列膏劑。作為在電介質層上形成電極用的孔的方法，采用在電介質層形成前在規(guī)定的位置附加油掩模材料的噴墨方式，作為該油掩模材料，使用氟系列油。在17mm見方的面積內(nèi)，在0.8mm間距的柵格點上形成484個直徑為0.25mm的貫通電極，而且在貫通電極之間的0.8mm間距的柵格點上分別形成直徑為0.25mm的462個電極層1及電極層2的取出電極4、5。電極層1和電極層2都為0.65mm寬的多條條紋，重復層疊電極層的厚度30nm、電介質層的厚度0.5微米、構成80層電介質層。出于提高層疊體強度的目的，在層疊體的上下各形成了4微米的絕緣體層。為了簡單，用與絕緣體層相同的材料構成了上下絕緣體層。為了形成貫通電極和取出電極，用掩模在下部絕緣體層上進行了孔加工。為了形成貫通電極，用掩模在上部絕緣體層上也進行了孔加工。將導電性膏劑涂入在進行了孔加工的貫通電極的位置及取出電極的位置上發(fā)生的凹部(開口部)中固定。
其結果，用LCR計確認了在厚度約為50微米的層疊體內(nèi)部能形成總電容為1μF、tanδ1.2％的電容器。另外，用焊錫材料的細線代替導電性膏劑時，也獲得了同樣的結果。
(實施形態(tài)2)圖5是表示本發(fā)明的實施形態(tài)2的電子部件10之一例的示意平面圖。另外，圖6是表示圖5所示的電子部件的一部分內(nèi)部結構的斜視圖。
在大致同一平面上呈多條的條紋狀形成的第一電極層1和在大致同一平面上呈多條的條紋狀形成的第二電極層2將電介質層3夾在中間層疊起來。通過使各電極層1、2的條紋方向交叉，在各交叉部形成靜電電容形成區(qū)域9，具有電容器的功能。
在電子部件10的外周面上形成外部電極7、8。第一外部電極7與第一電極層1導電性連接，第二外部電極8與第二電極層2導電性連接，它們發(fā)揮上述電容器功能時能作為連接端子用。外部電極7、8如圖5所示，也可以在電子部件相對的兩個側面上形成，或者也可以只在相對的側面中的一個側面上形成，或者也可以是它們的組合。另外，如圖6所示，外部電極7、8也可以形成為到達電子部件10的層疊方向的兩表面(上表面及下表面)，或者也可以形成為只到達電子部件的一側表面上，或者也可以是它們的組合。另外，在一個外部電極7(或8)上也可以連接多條電極層1(或2)。因此，能改變所形成的電容器的電容。
在電子部件10上除了上述外部電極7、8以外，還形成貫通電極6。由于通過貫通電極6，所以就好象不存在本發(fā)明的電子部件一樣地仍能確保配置在本發(fā)明的電子部件10上下的與本發(fā)明的電子部件不同的電子部件之間的導電性連接。
作為形成電極層1、2的材料，可以使用鋁、銅、金等金屬或金屬化合物。另外，作為形成電介質層3的材料，可以使用以丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、乙烯樹脂為主的樹脂材料、或鋇鈦氧化物系列陶瓷或鍶鈦氧化物系列陶瓷等陶瓷材料、或氧化鈦、氧化鋁、氧化硅等金屬氧化物或半金屬氧化物。另外，作為外部電極7、8及貫通電極6，除了金、銀、鋁、銅或焊錫材料等金屬以外，還能使用導電性膏劑或導電性高分子材料。
電極層1、2的形成可以采用真空蒸鍍法、濺射法、電鍍法等進行。另外，作為呈條紋狀地形成電極層1、2的方法，可以采用圖形刻蝕形狀的固體掩模的方法或使用油等蒸發(fā)性掩模的方法、進行激光刻蝕的方法等。作為油掩模材料，可以使用以烴系列的油或礦物油、氟系列油為主的各種油等。
如果用樹脂系列材料形成電介質層3，則可以采用利用加熱器加熱氧化、或利用超聲波或噴霧進行霧化淀積的方法，如果用陶瓷材料或金屬系列材料形成電介質層3，則能采用濺射、蒸鍍等方法。
為了形成外部電板7、8，能采用噴鍍、電鍍、涂敷導電性膏劑等方法。
為了形成貫通電極6，在電介質層3上形成孔狀的開口時，可采用形成電介質層后通過激光刻蝕，除去規(guī)定部位的電介質的方法、或預先附加油等蒸發(fā)性掩模后形成電介質層的方法等。為了附加點狀的蒸發(fā)性掩模，利用從微細孔噴出掩模材料的微小液滴的噴墨方式進行附加的方法特別有效。
在附加油掩模的情況下，作為能使用的油，可以舉出烴系列的油、礦物油、氟系列油等。
另外，在使用蒸發(fā)性掩模的情況下，在各層成膜后剩下了多余的掩模材料時，根據(jù)需要可以使用遠紅外線加熱器、電子射線、紫外線燈照射、等離子照射等方法將其除去。
圖7是說明制造圖5及圖6所示的電子部件用的制造裝置之一例的一部分的簡略剖面圖。
真空槽24內(nèi)由分成每個工序的多個室構成，由真空泵等構成的排氣系統(tǒng)25連接在金屬薄膜成膜源14、17的室上。真空槽內(nèi)的各室維持著規(guī)定的真空度。作為運送系統(tǒng)沿箭頭方向旋轉移動的支撐體(圖7中圓筒形狀的容器23)配置在真空槽24的大致中央部分。
首先，利用絕緣體成膜源(在圖7中電介質薄膜成膜源15或18)在容器23上形成下部絕緣體膜。成膜后，也可以利用激光加工機16或19除去形成貫通電極位置的絕緣體膜，形成開口(孔)。另外，這時金屬薄膜成膜源14、17的擋板26閉合。使容器23旋轉規(guī)定的次數(shù)，形成規(guī)定厚度的下部絕緣體膜。接著打開擋板26，通過金屬薄膜成膜源14和圖形刻蝕掩模的組合，形成進行了第一經(jīng)圖形刻蝕了的金屬薄膜(第一電極層)。其次利用電介質薄膜成膜源15，形成第一電介質薄膜(電介質層)。第一電介質薄膜形成后，利用激光加工機16除去形成貫通電極的位置上的電介質薄膜。接著通過金屬薄膜成膜源17和圖形刻蝕掩模的組合，形成進行了第二經(jīng)圖形刻蝕了的金屬薄膜(第二電極層)。其次利用電介質薄膜成膜源18，形成第二電介質薄膜(電介質層)。第二電介質薄膜形成后，利用激光加工機19，除去形成貫通電極的位置上的電介質薄膜。這樣處理后，再依次送給金屬薄膜成膜源14、電介質薄膜成膜源15、激光加工機16、金屬薄膜成膜源17、電介質薄膜成膜源18、激光加工機19，使這些作業(yè)重復進行規(guī)定的次數(shù)。進行了規(guī)定次數(shù)的成膜后，關閉擋板26，利用絕緣體成膜源(圖7中電介質薄膜成膜源15或18)進行上部絕緣體膜的成膜。成膜后，利用激光加工機16或19，除去貫通電極位置的絕緣體膜，形成開口(孔)即可。使容器23旋轉規(guī)定次數(shù)，形成規(guī)定厚度的上部絕緣體膜。
通過將導電性膏劑涂入所形成的貫通孔中后使膏劑固定，形成貫通電極。
此后，在適當?shù)墓ば螂A段，根據(jù)需要，按照規(guī)定的大小切斷層疊體。
利用噴鍍或涂敷膏劑等方法，在切成規(guī)定大小的層疊體的端面上形成外部電極。
另外，通過利用掩模、抗蝕劑等分割形成外部電極，能調整連接在各個外部電極上的條紋電極的條數(shù)。
例如圖8中示意地示出的形態(tài)所示，所形成的本發(fā)明的電子部件10被配置在安裝了半導體芯片27的載體28和布線基板30之間使用。載體28下面的信號端子29a根據(jù)需要，能通過本發(fā)明的電子部件10的貫通電極6與在布線基板30上形成的布線圖形31連接。另外載體28下面的電源端子29b通過貫通電極6連接在布線基板30上，再連接在第一外部電極7上。另外，載體28下面的另一電源端子29b通過貫通電極6連接在布線基板30上，再連接在第二外部電極8上。貫通電極6和外部電極7、8的連接如圖8所示，也可以是使用布線基板30表面上的布線圖形31的方法，還可以采用布線基板30內(nèi)部的連接或本發(fā)明的電子部件的上表面上的連接等其他方法。外部電極7、8和布線基板30的連接可以采用焊錫32、或其他方法。
與第一外部電極連接的第一電板層1和與第二外部電極8連接的第二電極層2夾住電介質層被絕緣，所以如果例如與第一外部電極7連接的電源端子定為Vcc端子，與第二外部電極8連接的電源端子定為GND端子，則第一外部電極7和第二外部電極8之間形成的電容器幾乎不增加安裝面積，而且在半導體芯片附近位置具有作為電源用旁路電容器的功能，所以在高頻驅動和減少安裝面積等方面有好處。

作為金屬薄膜材料使用鋁，作為電介質材料使用丙烯酸脂，作為導電性膏劑使用銀系列膏劑。作為在電介質層上形成貫通電極用的孔的方法，采用在電介質層形成后利用激光刻蝕除去規(guī)定位置的電介質的方法，作為該激光，使用輸出功率為10W的二氧化碳激光。在17mm見方的面積內(nèi)，在0.8mm間距的柵格點上形成484個直徑為0.25mm的貫通電極。電極層1和電極層2都為0.8mm寬的多條條紋，重復層疊電極層的厚度30nm、電介質層的厚度0.25微米、構成140層電介質層。出于提高層疊體強度的目的，在層疊體的上下各形成了5微米的絕緣體層。為了簡單，用與絕緣體層相同的材料構成了上下絕緣體層。對上部絕緣體層及下部絕緣體層進行了形成貫通電極用的激光加工。此后，對層疊體進行切斷加工，利用噴鍍方法在切斷面上形成厚度為20微米的黃銅層，接著形成60微米的焊錫曾，作為外部電極。將導電性膏劑涂入進行了孔加工的貫通電極的位置上發(fā)生的凹部(開口部)中固定。
其結果，用LCR計確認了在厚度約為50微米的層疊體內(nèi)部能形成總電容為1μF、tanδ0.8％的電容器。
(實施形態(tài)3)圖9是表示本發(fā)明的實施形態(tài)3的電子部件10之一例的示意平面圖。另外，圖10是表示圖9所示的電子部件的一部分內(nèi)部結構的斜視圖。
在大致同一平面上呈規(guī)定的圖形地形成的多個第一電極層1和在大致同一平面上呈規(guī)定的圖形地形成的多個第二電極層2將電介質層3夾在中間層疊起來。通過使各第一電極層1和各第二電極層2至少一部分層疊(相對)，在各層疊部分(相對部分)形成靜電電容形成區(qū)域9，具有電容器的功能。通過改變各層疊部分(靜電電容形成區(qū)域9)的大小，能改變靜電電容。
第一取出電極4與第一電極層1連接，第二取出電極5與第二電極層2連接。它們發(fā)揮上述電容器功能時能作為連接端子用。取出電極4、5如圖9及圖10所示，也可以貫通電子部件10的層疊方向形成，或者也可以形成為只在電子部件的一側表面上露出，或者也可以是它們的組合。
在電子部件10上除了上述取出電極4、5以外，還形成貫通電極6。由于通過貫通電極6，所以就好象不存在本發(fā)明的電子部件一樣仍能確保配置在本發(fā)明的電子部件10上下的與本發(fā)明的電子部件不同的電子部件之間的導電性連接。
作為形成電極層1、2的材料，可以使用鋁、銅、金等金屬或金屬化合物。另外，作為形成電介質層3的材料，可以使用以丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、乙烯樹脂為主的樹脂材料、或鋇鈦氧化物系列陶瓷或鍶鈦氧化物系列陶瓷等陶瓷材料、或氧化鈦、氧化鋁、氧化硅等金屬氧化物或半金屬氧化物。另外，作為取出電極4、5及貫通電極6，除了金、銀、鋁、銅或焊錫材料等金屬以外，還能使用導電性膏劑或導電性高分子材料。
電極層1、2的形成可以采用真空蒸鍍法、濺射法、電鍍法等進行。另外，作為呈多邊形形狀等規(guī)定的圖形(形狀)形成電極層1、2的方法，可以采用圖形刻蝕形狀的固體掩模的方法或使用油等蒸發(fā)性掩模的方法、進行激光刻蝕的方法等。作為油掩模材料，可以使用以烴系列的油或礦物油、氟系列油為主的各種油等。
如果用樹脂系列材料形成電介質層3，則可以采用利用加熱器加熱氧化、或利用超聲波或噴霧進行霧化淀積的方法，如果用陶瓷材料或金屬系列材料形成電介質層3，則能采用濺射、蒸鍍等方法。
為了形成取出電極4、5或貫通電極6，在電介質層3上形成孔狀的開口時，能采用形成電介質層后通過激光刻蝕，除去規(guī)定部位的電介質的方法、或預先附加油等蒸發(fā)性掩模后形成電介質層的方法等。為了附加點狀或線狀的蒸發(fā)性掩模，利用從微細孔噴出掩模材料的微小液滴的噴墨方式進行附加的方法有效。
在附加油掩模的情況下，作為能使用的油，可以舉出烴系列的油、礦物油、氟系列油等。
另外，在使用蒸發(fā)性掩模的情況下，在各層成膜后剩下了多余的掩模材料時，根據(jù)需要可以使用遠紅外線加熱器、電子射線、紫外線燈照射、等離子照射等方法將其除去。
使用例如實施形態(tài)1或2中所示的裝置，同樣能制造本實施形態(tài)的電子部件。
例如圖11中示意地示出的形態(tài)所示，所形成的本發(fā)明的電子部件10被配置在安裝了半導體芯片27的載體28和布線基板30之間使用。載體28下面的信號端子29a根據(jù)需要，能通過本發(fā)明的電子部件10的貫通電極6與在布線基板30上形成的布線圖形31連接。另外載體28下面的電源端子29b通過貫通電極6連接在布線基板30上，再連接在第一取出電極4上。另外，載體28下面的另一電源端子29b通過貫通電極6連接在布線基板30上，再連接在第二取出電極5上。貫通電極6和取出電極4、5的連接如圖11所示，也可以是使用布線基板30表面上的布線圖形31的方法，還可以采用布線基板30內(nèi)部的連接等其他方法?；蛘邔⑤d體28下面的電源端子29b連接在載體下面取出電極4、5上，也可以在布線基板30的表面上連接本發(fā)明的電子部件10和布線基板30。圖中9是在第一金屬薄膜和第二金屬薄膜的層疊部分形成的靜電電容形成區(qū)域。
與第一取出電極4連接的第一電極層1和與第二取出電極5連接的第二電極層2夾住電介質層進行絕緣，所以如果例如與第一取出電極4連接的電源端子定為Vcc端子，與第二取出電極5連接的電源端子定為GND端子，則第一取出電極4和第二取出電極5之間形成的電容器幾乎不增加安裝面積，而且在半導體芯片附近位置具有作為電源用旁路電容器的功能，所以在高頻驅動和減少安裝面積等方面有好處。
作為金屬薄膜材料使用鋁，作為電介質材料使用氧化鋁，作為導電性膏劑使用銀系列膏劑。形成電極層時用窗形孔的固體掩模、形成電介質層時作為用噴墨方式附加的油掩模材料，使用氟系列油，在15mm見方的面積內(nèi)，形成每一列20個間距為0.7mm、直徑為0.3mm的貫通電極，總計20個×10列=200個，而且在貫通電極列之間以各種長度形成1～2mm寬的矩形電極層1和電極層2，構成了兩電極層的層疊面積不同的電容器。將導電性膏劑填充在0.25mm×1mm的孔狀部中，在每個電容器上各形成兩個取出電極。重復層疊電極層的厚度30nm、電介質層的厚度0.3微米、構成130層電介質層。出于提高層疊體強度的目的，在層疊體的上下各形成了8微米的絕緣體層。為了簡單，用與絕緣體層相同的材料構成了上下絕緣體層。在下部絕緣體層上為了形成貫通電極或取出電極，用掩模進行了孔加工。在上部絕緣體層上為了形成貫通電極，也用掩模進行了孔加工。將導電性膏劑涂入進行了孔加工的貫通電極的位置及取出電極的位置上發(fā)生的凹部(開口部)中固定。
其結果，用LCR計確認了在tanδ1.2％厚度約為60微米的層疊體內(nèi)部能形成電容為0.047μF×4個、0.068μF×2個、0.1μF×2個、0.47μF×1個共計9個電容器。
作為形成本發(fā)明的電極層的材料，不限于上述的實施形態(tài)1～3及實施例1～3，能使用鋁、銅、金等金屬或金屬氧化物。另外，作為形成電介質層的材料，能使用以丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、乙烯樹脂為主的樹脂材料、鋇鈦氧化物系列陶瓷或鍶鈦氧化物系列陶瓷等陶瓷材料、或氧化鈦、氧化鋁、氧化硅等金屬氧化物或半金屬氧化物。另外，作為貫通電極及取出電極，除了導電性膏劑以外，能使用金、銀、鋁、銅或焊錫材料等金屬或導電性高分子材料。另外，作為外部電極，除了導電性膏劑以外，能單獨使用黃銅、鋅、焊錫材料、金、銀、銅等金屬或導電性高分子材料等，或者還能例如在形成了黃銅層后，形成導電性膏劑層等，適當?shù)亟M合起來使用。
另外，在實施形態(tài)1～3的說明圖中，形成靜電電容形成區(qū)域用的電極層的配置結構，從層疊方向上方看時，雖然形成電極層互相正交的相等的矩形靜電電容形成區(qū)域，但靜電電容形成區(qū)域不一定必須呈矩形。例如，也可以使條紋狀的電極層傾斜交叉等，使在交叉部分形成的靜電電容形成區(qū)域的形狀呈平行四邊形等另外的形狀。
另外，取出電極和貫通電極的形狀不限定于附圖中示意地示出的形狀，也可以變更為另外的形狀。
另外，在同一電子部件內(nèi)，也可以混合地存在實施形態(tài)1～3所示的結構。例如，也可以形成實施形態(tài)1、2所示的條紋狀的電極層，將實施形態(tài)1所示的取出電極連接在一部分電極層上，將實施形態(tài)2所示的外部電極連接在另一部分電極層上?；蛘咭部梢孕纬蓪嵤┬螒B(tài)1、2所示的條紋狀的電極層和實施形態(tài)3所示的規(guī)定圖形的電極層，將實施形態(tài)1或3所示的取出電極連接在一部分電極層上，將實施形態(tài)2所示的外部電極連接在另一電極層上。
另外，雖然每當層疊電介質層時，進行激光刻蝕或附加蒸發(fā)性油，形成了貫通電極或取出電極用的電介質層上的開口(孔)，但也可以例如在層疊過程中不采用這樣的方法，而是在層疊后用激光照射規(guī)定的部位等，形成開口(孔)。即，不與任何電極層接觸地沿層疊方向形成貫通孔，將導電性材料填充在該貫通孔中，從而能形成貫通電極。另外，也可以形成規(guī)定深度的孔(或貫通孔)，使其只接觸所希望的電極層，通過填充導電性材料，使其與該孔的內(nèi)周壁上露出的電極層接觸，能形成導電性地連接了所希望的電極層的取出電極。
另外，本發(fā)明的電子部件雖然以具有電容器功能的電子部件為例進行了說明，但除了電容器功能以外，還可以與電容器功能同時具有其他功能(例如線圈、去噪濾波器、層疊電路基板等)。
以上說明的實施形態(tài)及實施例只不過都是為了說明本發(fā)明的技術內(nèi)容用的例，不能解釋成本發(fā)明只限于這樣的具體例，在本發(fā)明的精神和權利要求所述的范圍內(nèi)可以進行各種變更實施，應廣義地解釋本發(fā)明。
工業(yè)上利用的可能性如上所述，如果采用本發(fā)明的電子部件及電子部件的制造方法，則能在半導體芯片附近形成靜電電容形成區(qū)域、線圈、去噪濾波器、層疊電路基板等，所以能進行半導體芯片的高頻驅動，同時能抑制安裝面積的增加。因此，本發(fā)明能對要求信息處理高速化的電子裝置特別有用。
權利要求
1．一種電子部件，具有夾住電介質相對配置的電極層以及連接在上述電極層上的連接電極，其特征在于有不連接上述電極層而貫通上述電子部件的貫通電極。
2．根據(jù)權利要求1所述的電子部件，其特征在于上述貫通電極配置成柵格點狀，上述電極層由配置在上述貫通電極之間的第一電極層及第二電極層構成，上述第一電極層和上述第二電極層夾住上述電介質，從上述貫通電極的貫通方向看時，構成了呈柵格狀交叉配置的結構。
3．根據(jù)權利要求1所述的電子部件，其特征在于為了有規(guī)定大小的相對部分，由夾住上述電介質配置的第一電極層及第二電極層構成上述電極層。
4．根據(jù)權利要求1所述的電子部件，其特征在于上述連接電極是與上述貫通電板在同一平面上形成的取出電極。
5．根據(jù)權利要求1所述的電子部件，其特征在于上述連接電極是與上述貫通電極在不同的面上形成的外部電極。
6．根據(jù)權利要求2或3所述的電子部件，其特征在于上述第一電極層和上述第二電極層之間形成多個靜電電容形成區(qū)域。
7．根據(jù)權利要求6所述的電子部件，其特征在于連接在形成各個靜電電容形成區(qū)域的第一電極層和第二電極層上的連接電極互相絕緣。
8．根據(jù)權利要求6所述的電子部件，其特征在于形成了靜電電容不同的靜電電容形成區(qū)域。
9．一種電子部件的制造方法，有重復層疊金屬薄膜和電介質薄膜的工序，其特征在于層疊了金屬薄膜后，層疊有開口的電介質薄膜，再層疊金屬薄膜，從而通過上述開口導電性地連接多個上述金屬薄膜。
10．根據(jù)權利要求9所述的電子部件的制造方法，其特征在于在層疊了電介質薄膜后，通過用激光照射規(guī)定的部位，將上述電介質薄膜的一部分除去，來獲得具有上述開口的電介質薄膜。
11．根據(jù)權利要求10所述的電子部件的制造方法，其特征在于上述激光是二氧化碳激光。
12．根據(jù)權利要求9所述的電子部件的制造方法，其特征在于利用油掩模法獲得有上述開口的電介質薄膜。
13．根據(jù)權利要求12所述的電子部件的制造方法，其特征在于上述油掩模法中使用的油是烴系列油、礦物油、氟系列油中的任意一種。
14．根據(jù)權利要求9所述的電子部件的制造方法，其特征在于在上述金屬薄膜和電介質薄膜的重復層疊工序結束后獲得的層疊體的層疊方向的表面上，露出上述金屬薄膜的一部分。
15．根據(jù)權利要求14所述的電子部件的制造方法，其特征在于將導電性物質附加在上述露出的金屬薄膜的表面上。
16．一種電子部件的制造方法，有重復層疊電介質薄膜的工序，其特征在于通過在規(guī)定的部位重復層疊有開口的電介質薄膜，獲得由具有沿層疊方向貫通的貫通孔的上述電介質薄膜構成的層疊體。
17．根據(jù)權利要求16所述的電子部件的制造方法，其特征在于在層疊了電介質薄膜后，通過用激光照射規(guī)定的部位，將上述電介質薄膜的一部分除去，能獲得有上述開口的電介質薄膜。
18．根據(jù)權利要求17所述的電子部件的制造方法，其特征在于上述激光是二氧化碳激光。
19．根據(jù)權利要求16所述的電子部件的制造方法，其特征在于利用油掩模法獲得有上述開口的電介質薄膜。
20．根據(jù)權利要求19所述的電子部件的制造方法，其特征在于上述油掩模法中使用的油是烴系列油、礦物油、氟系列油中的任意一種。
21．根據(jù)權利要求16所述的電子部件的制造方法，其特征在于將導電性物質填充在上述電介質薄膜的重復層疊工序結束后獲得的層疊體的上述貫通孔中。
22．一種電子部件的制造方法，其特征在于包括形成被刻蝕成規(guī)定形狀的金屬薄膜的工序；在不形成上述金屬薄膜的區(qū)域上形成有開口的電介質薄膜的工序；在上述電介質薄膜上，且在除去上述開口以外的區(qū)域上形成被刻蝕成規(guī)定形狀的金屬薄膜的工序；以及將導電性物質填充在上述開口內(nèi)的工序。
23．根據(jù)權利要求22所述的電子部件的制造方法，其特征在于上述導電性物質與上述金屬薄膜電絕緣。
24．根據(jù)權利要求22所述的電子部件的制造方法，其特征在于大致呈條紋狀地形成上述金屬薄膜。
25．根據(jù)權利要求24所述的電子部件的制造方法，其特征在于以上述條紋方向在每一層中交叉的方式形成上述條紋狀的金屬薄膜。
26．根據(jù)權利要求22所述的電子部件的制造方法，其特征在于在上述電介質薄膜的兩側形成的兩金屬薄膜沿層疊方向有規(guī)定的重疊部分。
27．根據(jù)權利要求22所述的電子部件的制造方法，其特征在于在與上述金屬薄膜的形成面大致平行的面上，形成與上述金屬薄膜的至少一部分導電性連接的電極。
28．根據(jù)權利要求27所述的電子部件的制造方法，其特征在于形成多個上述電極，其一部分或全部分別呈電絕緣狀態(tài)。
29．根據(jù)權利要求27所述的電子部件的制造方法，其特征在于采用包括噴鍍、電鍍、涂敷中的任意一種方法，形成上述電極。
30．根據(jù)權利要求22所述的電子部件的制造方法，其特征在于上述電介質薄膜在形成上述金屬薄膜的區(qū)域上有第二開口，通過上述第二開口導電性地連接在上述電介質薄膜的兩側形成的兩金屬薄膜。
31．根據(jù)權利要求22所述的電子部件的制造方法，其特征在于在層疊了電介質薄膜后，通過用激光照射規(guī)定的部位，將上述電介質薄膜的一部分除去，獲得有上述開口的電介質薄膜。
32．根據(jù)權利要求30所述的電子部件的制造方法，其特征在于在層疊了電介質薄膜后，通過用激光照射規(guī)定的部位，將上述電介質薄膜的一部分除去，獲得有上述開口及上述第二開口的電介質薄膜。
33．根據(jù)權利要求22所述的電子部件的制造方法，其特征在于采用油掩模法，獲得有上述開口的電介質薄膜。
34．根據(jù)權利要求30所述的電子部件的制造方法，其特征在于采用油掩模法，獲得有上述開口及上述第二開口的電介質薄膜。
35．根據(jù)權利要求22所述的電子部件的制造方法，其特征在于采用附加了固體掩?；蛘舭l(fā)性掩模后形成金屬薄膜的方法、或形成了金屬薄膜后進行激光刻蝕的方法，形成上述進行了圖形刻蝕的金屬薄膜。
36．一種電子部件的制造方法，其特征在于包括重復層疊刻蝕成規(guī)定形狀的圖形的金屬薄膜和電介質薄膜以獲得層疊體的工序；沿上述層疊體的層疊方向形成孔的工序；以及將導電性物質填充在上述孔中的工序。
37．根據(jù)權利要求36所述的電子部件的制造方法，其特征在于上述孔是以不貫通上述金屬薄膜的方式形成的貫通孔。
38．根據(jù)權利要求36所述的電子部件的制造方法，其特征在于形成多層上述金屬薄膜，以使其一部分金屬薄膜在上述孔的內(nèi)壁露出的方式形成上述孔。
39．根據(jù)權利要求36所述的電子部件的制造方法，其特征在于通過照射激光形成上述孔。
40．根據(jù)權利要求36所述的電子部件的制造方法，其特征在于在與上述金屬薄膜的形成面大致垂直的面上形成與上述金屬薄膜的至少一部分導電性連接的電極。
全文摘要
以構成電容器的方式將電極層(1、2)相對地配置在電介質層(3)的兩側。在電極層(1、2)上形成取出電極(4、5)。另外,形成與電極層(1、2)絕緣的貫通電極(6)。將這樣構成的電子部件(10)安裝在布線基板上,能將半導體芯片安裝在其上。通過貫通電極(6)連接半導體芯片和布線基板,同時將半導體芯片或布線基板連接在取出電極(4、5)上。由此,雖然安裝面積稍微增加,但能將電容器等配置在半導體芯片附近。因此,容易高速地驅動半導體芯片。
文檔編號H05K3/00GK1315044SQ00801169
公開日2001年9月26日 申請日期2000年4月19日 優(yōu)先權日1999年4月23日
發(fā)明者本田和義, 越后紀康, 小田桐優(yōu), 杉本高則 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社