專(zhuān)利名稱(chēng)：陶瓷生片和多層陶瓷電子元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷生片的制造方法。具體涉及制造諸如陶瓷電容器或多層陶瓷襯底的多層陶瓷電子元件用的陶瓷生片的制造方法，和用該方法制成的陶瓷生片制造多層陶瓷電子元件的方法。
2、相關(guān)技術(shù)的說(shuō)明通常制造多層陶瓷電容器，多層陶瓷襯底和其它多層陶瓷電子元件的方法中，是把陶瓷生片疊層，加壓和熱處理，由此燒結(jié)陶瓷和電極。
這里用

圖1所示結(jié)構(gòu)的多層陶瓷電容器為例。該多層陶瓷電容器包括陶瓷片1，內(nèi)電極2和一對(duì)多電極3a和3b。如圖所示，內(nèi)電極2設(shè)在陶瓷片1的里邊，并從陶瓷片的左邊和右邊交替地伸出，外電極3a和3b設(shè)在陶瓷片1的外邊與內(nèi)電極2電連接。這種多層陶瓷電容器通常用以下方法制成。
<1>，參見(jiàn)圖2，首先，陶瓷生片上形成構(gòu)成電容的內(nèi)電極2，由此生成加有電極的生片11。
<2>，之后，層疊預(yù)定層數(shù)的加有電極的生片11，制成層壓板，層疊在沒(méi)加有電極的陶瓷生片(最外層生片)21，加壓層壓板的上下兩邊，制成層壓板(沒(méi)燒結(jié)的層壓板)1a，該絕緣層壓板中，內(nèi)電極2從陶瓷片1的右邊和左邊交替伸出(圖2)。
<3>，之后，層壓板1a在預(yù)定條件下燒結(jié)，由此燒結(jié)陶瓷，燒結(jié)過(guò)的層壓板(陶瓷片)1的左邊和右邊上加導(dǎo)電漿料并焙燒，構(gòu)成與內(nèi)電極2電連接的外電極3a和3b。制成圖1所示的多層陶瓷電容器。
同樣，通過(guò)陶瓷生片層疊制成上述多層陶瓷電容器的層壓板的工藝，制成諸如多層陶瓷襯底的其它多層陶瓷電子元件。
制造多層陶瓷電子元件中用的陶瓷生片的制造方法如下陶瓷粉，分散媒質(zhì)(溶劑)，分散劑，粘接劑，增塑劑和其它添加劑按比例混合，制成混合物用媒介型分散設(shè)備，如珠磨機(jī)，球磨機(jī)，磨碎機(jī)，漿料振動(dòng)機(jī)或砂磨機(jī)，混合和分散，制成陶瓷稀漿，陶瓷稀漿用刮板加到載體(例如，承載膜)上，制成有預(yù)定厚度的生片，并干燥。
通常用含有粒徑為幾微米的有機(jī)或無(wú)機(jī)粉為填充劑的聚合膜，如聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜作載體。
像其它電子元器件一樣，也要求諸如多層陶瓷電容器的多層陶瓷電子元件小型化和高性能。至此，用于制造多層陶瓷電子元件的陶瓷生片必須極薄，薄膜厚度必須在3μm以下。
但是，載體，例如承載膜中含有粒徑為幾微米的填料，因此載體有明顯的凸點(diǎn)，因此，制成的陶瓷生片的某些部分的厚度中有0.3至2μm深處的凹坑或通孔?！鞍伎印笔侵笡](méi)有穿透生片的凹坑或閉合孔。
如果有凹坑，通孔和其它缺陷的陶瓷生片用來(lái)制造如多層陶瓷電容器和多層陶瓷襯底的多層陶瓷電子元件，則會(huì)引起短路和耐壓降低的缺點(diǎn)。
電子元件的制造工藝中，制成的陶瓷生片必須從載體上剝離，載體的頂表面上通常有包括硅氧烷為基的材料的脫離層。如果載體的頂表面是光滑的，載體頂表面有硅氧烷為基的材料構(gòu)成的脫離層，例如，栽體是卷繞的承載膜，那么，兩層陶瓷膜之間的可滑動(dòng)性被損壞，兩層載體膜相互粘在一起，嚴(yán)重地危及載體膜本身的制造工藝和用載體膜的陶瓷生片的制造工藝。
解決這些問(wèn)題的可行方法，在日本特許公開(kāi)10-229027中提出了一種方法，其中，用的載體膜有粗糙下表面(即與頂表面相反的一面或后背表面)，改善了可滑動(dòng)性。但是，用該方法制造陶瓷生片時(shí)，粗糙下表面上填料引起的凸點(diǎn)壓到卷繞的陶瓷生片的頂表面，造成陶瓷生片刺破，通孔，凸點(diǎn)和其它缺點(diǎn)。
如果有這些缺點(diǎn)的陶瓷生片用來(lái)制造如多層陶瓷電容器和多層陶瓷襯底的陶瓷電子元件，則會(huì)造成短路和耐壓下降的缺陷。
發(fā)明概述本發(fā)明的目的是，提供厚度小，無(wú)刺穿，無(wú)通孔和凸點(diǎn)，和高可靠性的多層陶瓷生片的制造方法，并提供用所述方法制成的陶瓷生片制造多層陶瓷電子元件的方法。
具體說(shuō)，一方面，本發(fā)明提供給載體加陶瓷稀漿制造用于多層陶瓷電子元件的陶瓷生片的方法，方法包括制備載體的步驟，其中，載體的頂表面上加有脫離層而且光滑，使至少要涂陶瓷稀漿的載體頂表面的區(qū)域基本上沒(méi)有高度為1μm以上的凸點(diǎn)，并給載體的脫離層上施加含有分散在媒質(zhì)中的陶瓷粉的陶瓷稀漿。
用該結(jié)構(gòu)，能有效而可靠地制成厚度小，例如厚度為0.3至3μm，無(wú)刺穿和通孔缺陷和高可靠的陶瓷生片。
這里用的“至少要涂陶瓷稀漿的區(qū)域基本上無(wú)高度為1μm以上的凸點(diǎn)”一句話(huà)，不排除有包括因污染或制造條件變化引起的不穩(wěn)定的或極局部的凸點(diǎn)的區(qū)域，而是指載體本身主要部分沒(méi)有高度為1m以上的凸點(diǎn)。
這里用的術(shù)語(yǔ)“載體”是指包括能卷繞的載體膜，例如聚對(duì)苯二甲酸乙酯(PET)和聚-2.6-苯二甲酸乙酯(PEN)以及薄片，薄膜，金屬帶，硬板，和其它能切割成預(yù)定尺寸，能層疊的制品，這里對(duì)制品的具體性能，材料，維度尺寸和其它性能無(wú)特別限定。
術(shù)語(yǔ)“包括分散在媒質(zhì)中的陶瓷粉的陶瓷稀漿”不僅是指含有分散在媒質(zhì)(分散媒質(zhì)或溶劑)中的陶瓷粉的組分，也指還包括分散劑，粘接劑，抗靜電劑和除陶瓷粉和媒質(zhì)以外的其它各種添加劑的組分。陶瓷稀漿可按需要包括有各種性能的各種物質(zhì)。
所述的制造方法中，載體最好光滑，使載體下表面的至少一部分區(qū)域基本沒(méi)有高度在1μm以上的凸點(diǎn)，在下表面(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“下表面”)和對(duì)應(yīng)要涂陶瓷稀漿的頂表面區(qū)的下表面區(qū)上加不陶瓷稀漿。
該結(jié)構(gòu)能防止陶瓷生片和載體卷繞時(shí)陶瓷生片與下表面接觸造成的損壞，能可靠提供基本上無(wú)缺陷的陶瓷生片。
用該方法制成的陶瓷生片的厚度最好是0.3至3μm。
如果制成的陶瓷生片薄，常規(guī)的制造方法在制造過(guò)程中會(huì)引起薄陶瓷生片出現(xiàn)例如刺穿，或通孔的缺陷，但本發(fā)明方法能可靠地制成厚0.3至3μm的基本上無(wú)這些缺陷的薄陶瓷生片。
要涂陶瓷稀漿的載體頂表面的靜摩擦系數(shù)和動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)最好在0.45以下。
本發(fā)明還有因該結(jié)構(gòu)能有效卷繞和運(yùn)輸載體的優(yōu)點(diǎn)。具體地說(shuō)，如果要涂陶瓷稀漿的載體的頂表面的靜態(tài)摩擦系數(shù)和動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)超過(guò)0.45，制成的載體涂脫離層后不能有效地卷繞，而且，在載體制造中還會(huì)出現(xiàn)其它問(wèn)題。但是，用靜態(tài)摩擦系數(shù)和動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)在0.45以下的載體能防止出現(xiàn)這些問(wèn)題。
要涂陶瓷稀漿的襯底頂表面的表面自由能無(wú)具體限定，但最好在55mj/m2以下。
該結(jié)構(gòu)能使生成的陶瓷生片以載體頂表面平滑地剝離，由此能更好地保持本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)若表面自由能超過(guò)55mj/m2，則會(huì)防礙陶瓷生片從載體剝離，陶瓷生片無(wú)損壞地從載體上剝離會(huì)需要更長(zhǎng)的時(shí)間，從而造成生產(chǎn)率下降。
按日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)K-7125規(guī)定的方法測(cè)本發(fā)明中所指的摩擦系數(shù)。
本發(fā)明中用的脫離層起控制陶瓷生片與載體之間的粘接力的作用。形成脫離層能減小陶瓷生片從載體剝離的力，由此能使陶瓷生片光滑地剝離。此外，脫離層有防止有極平滑表面的兩層載體之間粘接和減小載體的摩擦系數(shù)的作用。
載體在載體基底與脫離層之間還有附加的中間層。但是，該情況下，附加中間層不能在載體頂表面上形成高度為1μm以上的生成物。
另一方面，本發(fā)明提供多層陶瓷電子元件的制造方法，該方法包括以下步驟層疊用所述方法制成的陶瓷生片，切割并燒結(jié)陶瓷生片與基礎(chǔ)金屬內(nèi)電極的多層疊層體，由此制成燒結(jié)致密的組件，在燒結(jié)致密的組件上形成外電極。
用該結(jié)構(gòu)，制成短路率低，和有其它規(guī)定特性，高質(zhì)量和高可靠性，無(wú)內(nèi)部缺陷的多層陶瓷元件。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1是層疊陶瓷生片制成的多層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)剖視圖；和圖2是圖1所示陶瓷電容器的制造工藝的示意圖。
優(yōu)選實(shí)施例的說(shuō)明以下將用優(yōu)選實(shí)施例更詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
對(duì)用作脫離層的材料沒(méi)有特別的限制。包括硅材料和無(wú)硅材料，但脫離層最好含靜態(tài)摩擦和動(dòng)態(tài)摩擦小的氟。無(wú)硅材料包括例如，氟材料，包括聚硅氧烷和氟聚合物的有機(jī)無(wú)機(jī)組合材料。硅材料包括可固化的硅樹(shù)脂，但不限于此，例如可用熱或輻射固化的硅樹(shù)脂，例如，KS-847(H)和KS-776(商品名，可從Shin-Etsu Silicones購(gòu)買(mǎi))，和YSR-3022，TPR-6700，TPR-6720，和TPR-6721(商品名，可以Toshiba Silicone Corporation購(gòu)買(mǎi))。除這些硅材料以外的材料，這里限定為無(wú)硅材料。
把含陶瓷粉，分散劑，粘接劑，增塑劑，抗氧化劑和分散媒質(zhì)的陶瓷稀漿加到載體上，制備本發(fā)明中用的陶瓷生片。對(duì)構(gòu)成陶瓷稀漿的陶瓷粉的種類(lèi)和組分沒(méi)有特別的限制。這些陶瓷粉包括諸如鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸鉛的介質(zhì)陶瓷粉；諸如鐵氧體的磁性陶瓷粉；壓電陶瓷粉；諸如氧化鋁和氧化硅的絕緣陶瓷粉；和其它陶瓷粉。
對(duì)所用陶瓷粉的顆粒大小無(wú)特別限制，但當(dāng)發(fā)明方法用于厚度為0.3至3μm的極薄陶瓷生片時(shí)，用電子顯微鏡觀(guān)察確定的平均顆粒大小最好在0.01至1μm范圍內(nèi)。
陶瓷粉還可以含各種添加劑。例如，當(dāng)陶瓷粉主要含鈦酸鋇時(shí)，它還能含玻璃，氧化鎂，氧化錳(MnO)，氧化鋇，稀土金屬氧化物，氧化鈣和其它化合物。此外，陶瓷粉還會(huì)含由原材料衍生出來(lái)的或在制造工藝污染的雜質(zhì)。
對(duì)本發(fā)明中用的構(gòu)成陶瓷稀漿的媒質(zhì)(分散媒質(zhì)或溶劑)無(wú)特別限制，包括例如，甲苯、二甲苯和其它芳香族媒質(zhì)；乙醇，異丙醇，丁醇和其它醇類(lèi)媒質(zhì)，和其它各種媒質(zhì)。這些媒質(zhì)中的每一種均能單獨(dú)使用或者組合使用。此外，其它有機(jī)媒質(zhì)或水也能用作媒質(zhì)。
粘接劑包括聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂，纖維素樹(shù)脂，丙烯酸樹(shù)脂，乙烯基乙酸酯樹(shù)脂，和聚(乙烯醇)樹(shù)脂。但粘接劑不限于此。應(yīng)根據(jù)要制造的陶瓷生片的種類(lèi)適當(dāng)選擇粘接的類(lèi)型種數(shù)量。
陶瓷稀漿還可包含增塑劑。這些增塑劑包括聚乙二醇，鄰苯二甲酸脂，和聚酯樹(shù)脂，但不限于此。最好按要制造的陶瓷生片的種類(lèi)適當(dāng)選擇所用增塑劑的類(lèi)型和數(shù)量。
陶瓷稀漿還可含分散劑和/或抗靜電劑。本發(fā)明中用的這些抗靜電劑和分散劑可以是陶瓷稀漿中常用的任何分散劑和抗靜電劑。
層疊用發(fā)明方法制造的多層陶瓷生片與基礎(chǔ)金屬內(nèi)電極，切割并繞結(jié)制成燒結(jié)致密組件，并在燒結(jié)致密組件上形成外電極，由此，制成多層陶瓷電子元件，該情況下，對(duì)構(gòu)成基礎(chǔ)金屬內(nèi)電極的基礎(chǔ)金屬材料沒(méi)有特別限制，包括例如鎳，銅和其它基礎(chǔ)金屬材料。用基礎(chǔ)金屬材料制成的電極可以是用絲網(wǎng)印刷法制成的印刷電極，或者是用薄膜形成工藝制成的金屬箔電極。
以下用幾個(gè)實(shí)施更詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，但這些實(shí)例不限制發(fā)明范圍。
例1用在載體基體的頂表面上形成厚100nm的有機(jī)—無(wú)機(jī)組合材料層作為脫離層制成載體(載體膜)，它是用氟聚合物和聚硅氧烷構(gòu)成的有機(jī)—無(wú)機(jī)組合物材料層，載體基體是厚50μm的聚對(duì)苯二甲酸乙醇酯膜，它的兩個(gè)表面光滑，膜的兩個(gè)表面上的最大凸點(diǎn)高度為0.9μm。
載體膜的表面自由能為27mj/m2，靜態(tài)摩擦系數(shù)是0.20，動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)是0.25。用光干涉表面剖面測(cè)試儀測(cè)試?yán)?和以下多個(gè)實(shí)例中所指的最大凸點(diǎn)高度，測(cè)試儀的平面分辨率為1μm，高度方向的分辨率是0.1nm。
以下，把從Sakai Chemical Co，Ltd購(gòu)買(mǎi)的商品名叫“BTO2”的顆粒大小為0.2μm的介質(zhì)陶瓷粉，從Nippon Oils & Fats Corporation購(gòu)買(mǎi)的商品名叫“MALIALIM”的分散劑，從Sekisui Chemical Co.Ltd購(gòu)買(mǎi)的聚乙烯醇縮丁醛粘接劑，增塑劑，二-(2-乙基乙基鄰苯二甲酸酯)(DOP)，和抗靜電劑分散到分散媒質(zhì)中。制成的陶瓷烯漿加到以上制成的載體膜上，由此制成陶瓷生片。
本例中，用刮板工藝加陶瓷稀漿，制成3μm厚的陶瓷生片。
用以下方法用上面制成的陶瓷生片制成有圖1所示結(jié)構(gòu)的多層陶瓷電容器。
(1)首先，在上面制成的陶瓷生片上絲網(wǎng)印刷Ni漿，制成有在其頂表面上構(gòu)成電容的印刷內(nèi)電極的陶瓷生片11。
(2)之后，如圖2所示，層疊預(yù)定層數(shù)(本例中是70層)的加有電極的生片11，再層疊沒(méi)有加電極的多層陶瓷生片(最外層的生片)21，在該疊層件的上下兩邊加壓，構(gòu)成層壓件(未燒結(jié)的層壓件)1a，其中，內(nèi)電極從層壓件1a的左邊和右邊交替伸出內(nèi)電極2。
(3)用刀片把層壓件切割成預(yù)定大小，并除去粘接劑和燒結(jié)。
在氮?dú)庵袩崽幚韺訅杭?，除去粘接劑?br> 在弱還原氣氛中在預(yù)定溫度加熱層壓件實(shí)施燒結(jié)操作。
(4)之后，把含銀為導(dǎo)電組分的導(dǎo)電漿料加到燒結(jié)過(guò)的層壓件(陶瓷片)1的兩個(gè)邊緣部分上，構(gòu)成與內(nèi)電極2(見(jiàn)圖1)電連通的外電極3a和3b。
由此制成含Ni(鎳)作內(nèi)電極2的多層陶瓷電容器，如圖1所示。
測(cè)試制成的多層陶瓷電容器的短路率(短路出現(xiàn)率)。結(jié)果為0.7％，這是令人滿(mǎn)意的結(jié)果。靜電電容溫度特性滿(mǎn)足EIA(電子工業(yè)協(xié)會(huì))技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的X7R特性。
例2
按與例1相同的方式制備陶瓷生片。只是制成的陶瓷生片的厚度變?yōu)?μm。
用上面制成的陶瓷生片用與例1相同的方法制成多層陶瓷電容器。
測(cè)試制成的多層陶瓷電容器的短路率。結(jié)果是令人滿(mǎn)意的1-1％。靜電電容溫度特性滿(mǎn)足X7R特性。
例3按與例1相同的方式制備陶瓷生片，只是用光滑的兩個(gè)表面中凸點(diǎn)最大高度為0.3μm的聚對(duì)苯二甲酸乙酯，制成的陶瓷生片的厚度變?yōu)?.3μm。
用以上制成的陶瓷生片用與例1相同的方法制成多層陶瓷電容器。
測(cè)試制成的多層陶瓷電容器的短路率，結(jié)果是令人滿(mǎn)意的3.6％。靜電電容溫度特性滿(mǎn)足X7R特性。
例4按與例1相同的方式制備陶瓷生片，只是在載體基體上加厚100nm的硅基材料層作脫離層制成載體膜。
用以上制成的陶瓷生片用與例1相同的方法制成多層陶瓷電容器。
測(cè)試制成的多層陶瓷電容器的短路率，結(jié)果是令人滿(mǎn)意的0.8％。靜電電容的溫度特性滿(mǎn)足X7R特性。
對(duì)比例1載體基體的頂表面上形成100μm厚的有機(jī)—無(wú)機(jī)組合材料層作為脫離層。該產(chǎn)品中，有機(jī)—無(wú)機(jī)組合材料層包含氟聚合物和聚硅烷，載體基體包括膜厚為50μm光滑的表面中的最大凸點(diǎn)高度為2.2μm的聚對(duì)苯二甲酸乙酯。
載體膜的表面自由能為27mj/m2，靜態(tài)摩擦系數(shù)是0.16，動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)是0.20。
按與例1相同的方式制備3μm厚的陶瓷生片，只是用以上制備的載體膜。
用以上制成的陶瓷生片與例1相同的方法制造多層陶瓷電容器。
測(cè)試制成的多層陶瓷電容器的短路率。結(jié)果是高達(dá)51％。但是，靜電電容器溫度系數(shù)滿(mǎn)足X7R特性。
對(duì)比例2用與對(duì)比例1相同的載體膜用與例2相同的方式制備2μm厚的陶瓷生片。
用以上制成的陶瓷生片用與例1相同的方法制成多層陶瓷電容器。
測(cè)試制成的多層陶瓷電容器的短路率，結(jié)果高達(dá)76％。但是，靜電電容的溫度特性滿(mǎn)足X7R特性。
對(duì)比例3載體基體頂表面上形成100μm厚的有機(jī)—無(wú)機(jī)組合材料層制成載體膜。該產(chǎn)品中，有機(jī)—無(wú)機(jī)組合材料層用氟聚合物和聚硅氧烷制成。載體基體用50μm厚的光滑的兩個(gè)表面上最大凸點(diǎn)高度為1.3μm的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜制成。載體膜的表面自由能是27mj/m2，靜態(tài)摩擦系數(shù)是0.18，動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)是0.22。
按與例1相同的方式制備厚3mm的陶瓷生片，只是用以上制成的載體膜。
用以上制成的陶瓷生片用與例1相同的方法制成多層陶瓷電容器。
測(cè)試制成的多層陶瓷電容器的短路率，結(jié)果高達(dá)16％。但是，靜電電容的溫度特性滿(mǎn)足X7R特性。
對(duì)比例5用其頂表面上沒(méi)有脫離層的載體基體。該載體用50μm厚的光滑的兩個(gè)表面中的最大凸點(diǎn)高度為0.9μm的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜構(gòu)成，載體的頂表面要涂陶瓷稀漿，表面自由能為55mj/m2，靜態(tài)摩擦系數(shù)是0.31，動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)是0.37。按與例1相同的方式制備3mm厚的陶瓷生片，只是用所述的載體。
用以上制成的陶瓷生片，用與例1相同的方法制造多層陶瓷電容器。
測(cè)試制成的多層陶瓷電容器的短路率，結(jié)果是令人滿(mǎn)意的1％。靜電電容的溫度特性滿(mǎn)足X7R特性。
但是，該對(duì)比例5中，它從載體上剝離陶瓷生片所需的時(shí)間是例1中所用時(shí)間的3倍，這就明顯地降低了生產(chǎn)效率。
對(duì)比例6載體基體頂表面上形成硅脫離層，制成載體。該產(chǎn)品中，載體基體用50μm厚的光滑的兩個(gè)表面中的最大凸點(diǎn)高度為0.9μm的聚對(duì)苯二甲酸乙酯制成。載體膜的表面自由能為16mj/m2，靜態(tài)摩擦系數(shù)為0.64，動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)為0.56。打算在與例1相同的條件下制造陶瓷生片，只是用以上制成的載體。但是不能按照對(duì)比例6的條件下運(yùn)輸載體膜，即，不能以卷筒和纏繞方式運(yùn)輸載體膜，不能制成陶瓷生片。
表1和2列出了例1至4，和對(duì)比例1至6中載體兩個(gè)表面中的最大凸點(diǎn)高度，短路率，脫離層類(lèi)型，載體頂表面的摩擦系數(shù)，載體運(yùn)輸性能評(píng)估，載體的表面自由能，和對(duì)載體脫離性能的評(píng)估。
用光干涉系數(shù)的表面剖面測(cè)試儀(平面分辨率為1μm，高度分辨率為0.1μm)測(cè)試表1所列的載體的兩個(gè)表面中的最大凸點(diǎn)高度。
已參考目前認(rèn)為是優(yōu)選實(shí)施例的實(shí)例說(shuō)明了發(fā)明，要知道，本發(fā)明不限于這些已公開(kāi)的實(shí)施例和實(shí)例。相反，本發(fā)明在不脫離發(fā)明精神和發(fā)明范圍內(nèi)包括各種改型和等效設(shè)置，例如，陶瓷粉的種類(lèi)，分散劑，粘接劑，增塑劑，抗靜電劑，溶劑，陶瓷稀漿的制備方法(分散方法)載體的具體結(jié)構(gòu)和組分材料。以下權(quán)利要求保護(hù)的范圍考慮了最寬的解釋?zhuān)园ㄈ窟@些改型和等效結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.陶瓷生片的制造方法，把陶瓷稀漿加到載體上制成陶瓷生片，該陶瓷生片用于制造多層陶瓷電子元件，該方法包括以下步驟設(shè)置載體，它有頂表面和底表面，它的頂表面上有光滑的脫離層，使頂表面上至少是要涂陶瓷稀漿的區(qū)域中基本沒(méi)有高度為1μm以上的凸點(diǎn)；和含分散在媒質(zhì)中的陶瓷粉的陶瓷稀漿加到載體的脫離層上。
2.按權(quán)利要求1的方法，其中，載體是光滑的，使載體底表面的至少一個(gè)區(qū)域中基本上沒(méi)有高度為1μm以上的凸點(diǎn)，其中，所述底表面的一個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)頂表面要涂陶瓷稀漿的區(qū)域。
3.按權(quán)利要求2的方法，其中，加陶瓷稀漿，使制成的陶瓷生片的厚度范圍大約是0.3至3μm。
4.按權(quán)利要求3的方法，其中，要涂陶瓷稀漿的載體表面的靜電摩擦系數(shù)和動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)均為大約0.45以下。
5.按權(quán)利要求4的方法，還包括制造所述載體的步驟。
6.按權(quán)利要求1的方法，其中，加陶瓷稀漿，使制成的陶瓷生片的厚度范圍大約是0.3至3μm。
7.按權(quán)利要求6的方法，其中，要涂陶瓷稀漿的載體頂表面的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)均為大約0.45以下。
8.按權(quán)利要求1的方法，還包括制造載體的步驟。
9.按權(quán)利要求1的方法，其中，要涂陶瓷稀漿的載體頂表面的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)均是大約0.45以下。
10.按權(quán)利要求9的方法，還包括制造所述載體的步驟。
11.按權(quán)利要求1的方法，還包括制造所述載體的步驟。
12.多層陶瓷電子元件的制造方法，包括以下步驟用權(quán)利要求11的方法制成多層陶瓷生片；每個(gè)所述陶瓷生片的表面上設(shè)置基礎(chǔ)金屬電極；層疊有所述電極的多層陶瓷生片，制成層壓件；燒結(jié)所述層壓件，制成燒結(jié)致密的層壓件。在制成的燒結(jié)致密層壓件的外表面上形成電極。
13.多層陶瓷電子元件的制造方法，包括以下步驟用權(quán)利要求10所述方法制成多層陶瓷生片；每個(gè)陶瓷生片的表面上加基礎(chǔ)金屬電極；層疊有所述電極的多層陶瓷生片，制成層壓件；燒結(jié)所述層壓件，制成燒結(jié)致密的層壓件；和制成的燒結(jié)致密層壓件的外表面上形成電極。
14.多層陶瓷電子元件的制造方法，包括以下步驟用權(quán)利要求9的方法制成陶瓷生片；每個(gè)所述陶瓷生片的表面上加基礎(chǔ)金屬電極；有所述電極的多層陶瓷生片層疊在一起，制成層壓件；燒結(jié)所述層壓件，制成燒結(jié)致密的層壓件；制成的燒結(jié)致密的層壓件的外表面上形成電極。
15.多層陶瓷電子元件的制造方法，包括以下步驟用權(quán)利要求7的方法制成多層陶瓷生片；每個(gè)所述陶瓷生片的表面上加基礎(chǔ)金屬電極；有所述金屬電極的多層陶瓷生片層疊在一起，制成層壓件；燒結(jié)所述層壓件，制成燒結(jié)致密的層壓件；和制成的燒結(jié)致密的層壓件的外表面上形成電極。
16.多層陶瓷電子元件的制造方法，包括以下步驟用權(quán)利要求6的方法制成多層陶瓷生片；每個(gè)所述陶瓷生片的表面上加基礎(chǔ)金屬電極；有所述電極的多層陶瓷生片層疊在一起，制成層壓件；燒結(jié)所述層壓件，制成燒結(jié)致密的層壓件；制成的燒結(jié)致密的層壓件的外表面上形成電極。
17.多層陶瓷電子元件的制造方法，包括以下步驟用權(quán)利要求5的方法制成多層陶瓷生片；每個(gè)所述陶瓷生片的表面上加基礎(chǔ)金屬電極；有所述電極的多層陶瓷生片層疊在一起，制成層壓件；燒結(jié)所述層壓件，制成燒結(jié)致密的層壓件；制成的燒結(jié)致密的層壓件的外表面上形成電極。
18.多層陶瓷電子元件的制造方法，包括以下步驟用權(quán)利要求4的方法制成多層陶瓷生片；每個(gè)所述陶瓷生片的表面上加基礎(chǔ)金屬電極；有所述電極的多層陶瓷生片層疊在一起，制成層壓件；燒結(jié)所述層壓件，制成燒結(jié)致密的層壓件；制成的燒結(jié)致密的層壓件的外表面上形成電極。
19.多層陶瓷電子元件的制造方法，包括以下步驟用權(quán)利要求2的方法制成多層陶瓷生片；每個(gè)所述陶瓷生片的表面上加基礎(chǔ)電極；有所述電極的多層陶瓷生片層疊在一起，制成層壓件；燒結(jié)所述層壓件，制成燒結(jié)致密的層壓件；制成的燒結(jié)致密的層壓件的外表面上形成電極。
20.多層陶瓷電子元件的制造方法，包括以下步驟用權(quán)利要求1的方法制成多層陶瓷生片；每個(gè)所述陶瓷生片的表面上加基礎(chǔ)金屬電極；有所述電極的多層陶瓷生片層疊在一起，制成層壓件；燒結(jié)所述層壓件，制成燒結(jié)致密的層壓件；制成的燒結(jié)致密的層壓件的外表面上形成電極。
全文摘要
制備在其上表面上形成有脫離層和有光滑頂表面的載體,它的頂表面上至少要涂陶瓷稀漿的區(qū)域中基本上沒(méi)有高度在1μm以上的凸點(diǎn),含有分散在媒質(zhì)中的陶瓷粉的陶瓷稀漿涂在載體的脫離層上,制成陶瓷生片。陶瓷生片有0.3至3μm厚的小厚度,載體中沒(méi)有因填料引起的凹坑或通孔,光滑度優(yōu)異。
文檔編號(hào)H05K3/46GK1348194SQ01137908
公開(kāi)日2002年5月8日 申請(qǐng)日期2001年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月6日
發(fā)明者穴原俊哉, 中村一郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所