專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，屬于有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域。
1987年，美國(guó)Kodak公司的C.W.TANG等人(C.W.Tang，S.A.Slyke，Appl.Phys.Lett.51，913(1987))首次采用雙層結(jié)構(gòu)，以芳香二胺類衍生物作為空穴傳輸材料，以一種熒光效率很高且能用真空鍍膜法制成均勻致密的高質(zhì)量薄膜的有機(jī)小分子材料——8-羥基喹啉鋁(以下簡(jiǎn)稱Alq3)作為發(fā)光層材料，制備出較高量子效率(1％)、高發(fā)光效率(＞1.5lm/W)、高亮度(＞1000cd/m2)和低驅(qū)動(dòng)電壓(＜10V)的有機(jī)電致發(fā)光器件(OrganicElectroluminescent Devices，以下簡(jiǎn)稱OLEDs)，使得該領(lǐng)域的研究工作進(jìn)入一個(gè)嶄新的時(shí)代。1990年，英國(guó)Cambridge大學(xué)卡文迪許實(shí)驗(yàn)室的Burroughes和他的同事發(fā)現(xiàn)聚合物材料也具有良好的電致發(fā)光性能，這個(gè)重要的發(fā)現(xiàn)將有機(jī)電致發(fā)光材料的研究推廣到聚合物領(lǐng)域。十余年來，人們不斷地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝，其相關(guān)技術(shù)發(fā)展迅速。
OLEDs的內(nèi)量子效率主要取決于載流子的注入、傳輸、復(fù)合效率，同時(shí)器件的發(fā)光效率也受到電子和空穴注入平衡的強(qiáng)烈影響。在傳統(tǒng)的N，N’-二-(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1-聯(lián)苯基-4，4-二胺(以下簡(jiǎn)稱NPB)/Alq3雙層OLDs中，NPB的空穴傳輸能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于Alq3對(duì)電子的傳輸能力，因此導(dǎo)致了在器件中載流子傳輸?shù)膰?yán)重不平衡，從而降低了器件的發(fā)光效率。人們發(fā)現(xiàn)，通過使用合適的空穴傳輸材料或者使用合適的器件結(jié)構(gòu)來匹配器件中的電子傳輸材料(如Alq3等)是提高器件性能的有效辦法。第一種方案是使用攙雜的辦法在空穴傳輸層中添加5，6，11，12-四苯基并四苯(以下簡(jiǎn)稱rubrene)材料，Y.Hamada和M.S.Jang等人(Y.Hamada，T.Sano，K.Shibata，andK.Kuroki，Jpn.J.Appl.Phys.，Part 234，L824(1995)；M.S.Jang，S.Y.Song，H.K.Shim，T.Zyung，S.D.Jung，L.M.Do，Synth.Met.91，317(1997))都進(jìn)行了類似的研究工作。Aziz等人(H.Aziz，Z.Popovic，N.X.Hu，A.M.Hor，and G.Xu，Science 283，1900(1999)；H.Aziz and Z.D.Popovic，Appl.Phys.Lett.80，2180(2002))認(rèn)為其作用的機(jī)理在于通過攙雜rubrene材料，使得攙雜的rubrene分子擔(dān)當(dāng)空穴陷阱的作用，從而使得器件的性能得以提高。另外一種方法就是使用量子阱結(jié)構(gòu)來提高器件效率。有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)在幫助降低OLEDs發(fā)光光譜寬度，提高器件發(fā)光效率，轉(zhuǎn)換器件發(fā)光顏色等方面取得了一些成功。但目前的研究中有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)普遍用來提高發(fā)光層的電子和空穴的濃度，進(jìn)而提高載流子的復(fù)合效率。比如，N.Tada等人(N.Tada，S.Tatsuhara，A.Fujii，Y.Ohmori and K.Yoshino，Jpn.J.Appl.Phys.36，421(1997))在OLEDs的發(fā)光層使用Alq3和N，N’-二苯基-N，N’-雙(間甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺(以下簡(jiǎn)稱TPD)交替多層量子阱結(jié)構(gòu)，器件的發(fā)光效率較傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)(發(fā)光層僅使用Alq3)有所提高。類似的實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步證實(shí)，這種性能的改善，主要?dú)w功于發(fā)光層載流子濃度的提高。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件包括透明基片、第一和第二電極層，以及夾在所述兩個(gè)電極層之間的空穴傳輸層、過渡層和可傳輸電子的有機(jī)發(fā)光層，其特征在于空穴傳輸層采用有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)，這種量子阱傳輸結(jié)構(gòu)由兩種能級(jí)互相匹配的有機(jī)材料層交替重疊組成，其中組成有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的一層為染料層。
上述技術(shù)方案提出的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)如下透明基片/第一電極層(陽極層)/空穴傳輸層—有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)/過渡層/可傳輸電子的有機(jī)發(fā)光層/第二電極層(陰極層) (1)其中結(jié)構(gòu)式(1)中的透明基片，可以采用玻璃或是柔性基片，柔性基片由聚酯類、聚酰亞胺類等化合物組成；第一電極層(陽極層)為導(dǎo)電薄膜，由無機(jī)材料或有機(jī)聚合物組成，無機(jī)材料一般為氧化銦錫(以下簡(jiǎn)稱ITO)、氧化鋅、氧化錫鋅等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，最優(yōu)化的選擇為ITO，有機(jī)聚合物優(yōu)選為聚噻吩(以下簡(jiǎn)稱PEDOT)、聚苯胺(以下簡(jiǎn)稱PANI)等；空穴傳輸層采用有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)，這種量子阱傳輸結(jié)構(gòu)由兩種有機(jī)材料層交替重疊組成，其中組成有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的一層為染料層，上述兩種有機(jī)材料的能級(jí)互相匹配，并且由于一種材料的能級(jí)勢(shì)壘作用，使得電子和空穴的勢(shì)阱在同一種材料中，本發(fā)明優(yōu)選為(NPB/rubrene)n、(NPB/銅酞菁(以下簡(jiǎn)稱CuPc))n、(NPB/4-4-二氰基亞甲基-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基-久洛尼定-9-乙烯基)-4H-吡喃(以下簡(jiǎn)稱DCJTB))n、(TPD/DCJTB)n、(4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺(以下簡(jiǎn)稱MTDATA)/rubrene)n、(MTDATA/4-二氰亞甲基-2-甲基-6-(p-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(以下簡(jiǎn)稱DCM))n的多層量子阱結(jié)構(gòu)，其中量子阱周期數(shù)n為1～10(整數(shù))；過渡層采用與發(fā)光層材料能級(jí)相匹配的材料，根據(jù)空穴傳輸層的多層量子阱結(jié)構(gòu)優(yōu)選的兩種材料的不同，過渡層可優(yōu)選為NPB、TPD；可傳輸電子的有機(jī)發(fā)光層一般為金屬配合物，經(jīng)過優(yōu)選為Alq3、(水楊醛縮鄰胺苯酚)-(8-羥基喹啉)合鋁(III)(以下簡(jiǎn)稱Al(Saph-q))、(水楊醛縮鄰胺苯酚)-(8-羥基喹啉)合鎵(III)(以下簡(jiǎn)稱Ga(Saph-q))、4-羥基吖啶鋅(以下簡(jiǎn)稱Zn(Ac)2)等；第二電極層(陰極層)為金屬層，一般為鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金，本發(fā)明優(yōu)選為依次的Mg∶Ag合金層、Ag層。另外，結(jié)構(gòu)式(1)中在第一電極層(陽極層)和空穴傳輸層之間可夾有一層緩沖層，由酞菁類化合物或聚丙烯酸酯類或聚酰亞胺類或含氟聚合物或無機(jī)氟化鹽或無機(jī)氧化物或金剛石組成。
本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件，具有以下優(yōu)點(diǎn)在空穴傳輸層采用的有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)能夠顯著控制空穴載流子在空穴傳輸層中的遷移，從而實(shí)現(xiàn)了發(fā)光層電子和空穴的注入平衡，進(jìn)而提高了器件的發(fā)光效率和發(fā)光亮度，而且可以通過控制有機(jī)量子阱周期數(shù)來實(shí)現(xiàn)調(diào)控該器件的發(fā)光中心。
下面通過


，本發(fā)明可變得更加清楚。
圖2是本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件(結(jié)構(gòu)為Glass/ITO/(NPB/rubrene)n/NPB/Alq3/Mg∶Ag/Ag)的能級(jí)示意圖。
圖3是本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件(結(jié)構(gòu)為Glass/ITO/(NPB/rubrene)n/NPB/Alq3/Mg∶Ag/Ag)隨量子阱周期數(shù)n變化的亮度—電流密度曲線。
圖4是本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件(結(jié)構(gòu)為Glass/ITO/(NPB/rubrene)n/NPB/Alq3/Mg∶Ag/Ag)隨量子阱周期數(shù)n變化的發(fā)光效率—電流密度曲線。
圖5是本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件(結(jié)構(gòu)為Glass/ITO/(NPB/rubrene)n/NPB/Alq3/Mg∶Ag/Ag)隨量子阱周期數(shù)n變化的光譜圖和具有結(jié)構(gòu)式(4)的器件的光譜圖(已歸一化)，其中(a)曲線的n＝0，(b)曲線的n＝2，(c)曲線的n＝4，(d)曲線的n＝6，(e)曲線對(duì)應(yīng)的器件結(jié)構(gòu)如結(jié)構(gòu)式(4)。
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
詳細(xì)闡述本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)該理解本發(fā)明并不局限于下述優(yōu)選實(shí)施方式，優(yōu)選實(shí)施方式僅僅作為本發(fā)明的說明性實(shí)施方案。
根據(jù)本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)，當(dāng)各層采用具體材料時(shí)結(jié)構(gòu)如下(見圖1)
Glass/ITO/(NPB/rubrene)n/NPB/Alq3/Mg∶Ag/Ag (2)其中結(jié)構(gòu)式(2)中n為(NPB/rubrene)量子阱的周期數(shù)，n值可為1～10(整數(shù))。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)式(2)，結(jié)合器件的制備步驟詳細(xì)實(shí)施方式闡述如下①利用洗滌劑煮沸和去離子水超聲的方法對(duì)透明導(dǎo)電基片ITO玻璃進(jìn)行清洗、烘干，其中導(dǎo)電基片上面的ITO膜作為器件的陽極，ITO膜的方塊電阻為5～100Ω，膜厚為80.0～280.0nm；②把上述清洗烘干后的ITO玻璃置于壓力為1×10-5～5×10-3Pa的真空腔內(nèi)，在上述ITO膜上蒸鍍空穴傳輸層，空穴傳輸層采用有機(jī)多量子阱結(jié)構(gòu)，即采用NPB/rubrene交替n層的量子阱結(jié)構(gòu)，n為1～10，其中rubrene的蒸鍍速率為0.02～0.1nm/s，量子阱結(jié)構(gòu)中每一層rubrene的膜厚為0.5～10.0nm，NPB的蒸鍍速率為0.1～0.6nm/s，量子阱結(jié)構(gòu)中每一層NPB的膜厚為1.5～30.0nm；③在上述空穴傳輸層上蒸鍍一層NPB作為器件的過渡層，薄膜的蒸鍍速率為0.1～0.6nm/s，膜厚為10.0～45.0nm；④在上述NPB薄膜之上繼續(xù)蒸鍍Alq3作為器件的發(fā)光層，Alq3也具有傳輸電子的能力，薄膜的蒸鍍速率為0.1～0.6nm/s，膜厚為40.0～100.0nm；⑤在上述Alq3薄膜之上依次蒸鍍Mg∶Ag合金層、Ag層作為器件的陰極，其中合金層Mg、Ag蒸鍍速率比為10∶1，蒸鍍總速率為0.6～2.0nm/s，蒸鍍總厚度為50.0～200.0nm，Ag保護(hù)層蒸鍍速率為0.3～0.8nm/s，厚度為40.0～200.0nm。
為了便于本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件的性能和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)(即n＝0)器件的性能的對(duì)比，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)(n＝0)各層使用的材料和本發(fā)明的具體實(shí)施方式
中使用的相同，其結(jié)構(gòu)如下Glass/ITO/NPB/Alq3/Mg∶Ag/Ag (3)而且為了便于器件性能的對(duì)比，保持器件中所有ITO層的厚度為240.0nm，NPB薄膜(包括過渡層部分)總厚度為40.0nm，在量子阱結(jié)構(gòu)中，各NPB層的厚度為5.0nm，空穴傳輸層中n層rubrene薄膜的總厚度為8.0nm，結(jié)構(gòu)式(3)中過渡層NPB的膜厚為40.0nm，Alq3層的厚度為60.0nm，Mg∶Ag合金層和Ag層的厚度均為100.0nm。隨量子阱周期數(shù)n不同時(shí)，OLEDs的結(jié)構(gòu)如表1所示，器件的亮度—電流密度曲線、發(fā)光效率—電流密度曲線分別見圖3、圖4。
表1.n OLEDs結(jié)構(gòu)(同實(shí)施例1～4)0 Glass/ITO/NPB(40.0nm)/Alq3(60.0nm)/Mg∶Ag/Ag2 Glass/ITO/[NPB(5.0nm)/rubrene(4.0nm)]2/NPB(30.0nm)/Alq3(60.0nm)/Mg∶Ag/Ag4 Glass/ITO/[NPB(5.0nm)/rubrene(2.0nm)]4/NPB(20.0nm)/Alq3(60.0nm)/Mg∶Ag/Ag6 Glass/ITO/[NPB(5.0nm)/rubrene(1.3nm)]6/NPB(10.0nm)/Alq3(60.0nm)/Mg∶Ag/Ag圖5是本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件的光譜圖，其中器件(a)，(b)，(c)，(d)分別是量子阱周期數(shù)n為0，2，4，6時(shí)的器件，其中曲線(e)對(duì)應(yīng)的器件結(jié)構(gòu)如下Glass/ITO/NPB/Alq3∶rubrene(2w％)/Mg∶Ag/Ag (4)結(jié)構(gòu)式(4)中的器件發(fā)光為rubrene材料的黃色發(fā)光?？梢钥吹剑骷?a)發(fā)出520nm的Alq3的綠色發(fā)光，然而器件(b)和(c)的光譜圖上則可以看到已經(jīng)呈現(xiàn)了rubrene的發(fā)光，同時(shí)在520nm附近伴有Alq3材料的肩峰。值得指出的是，當(dāng)量子阱器件周期數(shù)為6時(shí)，器件發(fā)光已經(jīng)基本上全部為rubrene的發(fā)光，器件(d)的光譜峰同器件(e)基本吻合。
上述工作證實(shí)，使用NPB/rubrene量子阱結(jié)構(gòu)，不僅能夠調(diào)控載流子的傳輸，同時(shí)也可以通過改變有機(jī)量子阱周期數(shù)來控制器件的發(fā)光中心。
在有機(jī)電致發(fā)光器件中引入有機(jī)量子阱空穴傳輸結(jié)構(gòu)，能夠有效的控制器件中空穴載流子的傳輸，從而有助于提高器件的發(fā)光效率。同時(shí)，由于有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)中使用染料單獨(dú)成層，EL光譜的研究表明，通過改變量子阱周期數(shù)能夠有效的控制器件的發(fā)光中心，這為實(shí)現(xiàn)不同顏色的發(fā)光提供了有益的借鑒。
以下結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，為參考起見，把本說明書中涉及的有機(jī)材料的縮寫及全稱對(duì)照表列示如下
表2.本說明書中涉及的有機(jī)材料的縮寫及全稱對(duì)照表 實(shí)施例表3.對(duì)比例NPB/rubrene有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的OLEDs中，周期數(shù)n對(duì)器件性能的影響

由表3可以看出，在本專利的實(shí)驗(yàn)條件下，量子阱周期數(shù)n為4時(shí)，OLEDs器件的亮度和發(fā)光效率最好。而當(dāng)量子阱周期數(shù)為6時(shí)，由于量子阱內(nèi)各層厚度太薄，不能形成高質(zhì)量的連續(xù)薄膜，從而破壞了量子阱的結(jié)構(gòu)，器件效率反而下降。因此，在不破壞量子阱結(jié)構(gòu)的前提下，提高器件的周期數(shù)，可以進(jìn)一步提高器件的效率。同時(shí)，我們還可以發(fā)現(xiàn)，隨著周期數(shù)n的提高，rubrene發(fā)光在器件發(fā)光中占據(jù)的比例越來越高，從而光譜顏色紅移，這充分證明器件的發(fā)光中心隨著周期數(shù)的提高向rubrene層轉(zhuǎn)移。而且，周期數(shù)n越高，越有利于向rubrene層發(fā)光轉(zhuǎn)移。
表4.對(duì)比例NPB/rubrene有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的OLEDs中，NPB厚度對(duì)器件性能的影響

由表4可以看出，當(dāng)NPB層厚度為3.0nm時(shí)候，OLEDs器件性能最好。而當(dāng)厚度為1.0nm時(shí)，器件因?yàn)榱孔于褰Y(jié)構(gòu)被破壞導(dǎo)致器件性能下降。因此，NPB層厚度變薄，有利于提高器件性能。
表5. 對(duì)比例NPB/rubrene有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的OLEDs中，rubrene厚度對(duì)器件性能的影響

由表5可以看出，改變r(jià)ubrene層厚度對(duì)器件性能影響較小。除1.0nm破壞周期結(jié)構(gòu)外，可以根據(jù)工藝的條件，選擇比較薄的厚度。本專利優(yōu)選為2.0nm。
表6.對(duì)比例有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的OLEDs中，發(fā)光層材料和量子阱結(jié)構(gòu)中材料變化對(duì)器件性能的影響

表7.對(duì)比例NPB/rubrene有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的OLEDs中，周期數(shù)n對(duì)器件壽命的影響

實(shí)施例22利用洗滌劑煮沸和去離子水超聲的方法對(duì)方塊電阻為60Ω的ITO玻璃進(jìn)行清洗、烘干，其中ITO的膜厚為100.0nm。把烘干后的ITO玻璃置于壓力為2×10-3Pa的真空腔內(nèi)，利用熱蒸發(fā)方法向ITO膜上蒸鍍交替多層空穴傳輸層(NPB/rubrene)4，其中NPB薄膜的蒸鍍速率為0.2nm/s，膜厚為5.0nm，rubrene薄膜的蒸鍍速率為0.1nm/s，膜厚為2.0nm。在該空穴傳輸層之上繼續(xù)蒸鍍20.0nm的NPB層作為過渡層，蒸鍍速率為0.2nm/s，之上繼續(xù)蒸鍍有機(jī)發(fā)光層Al(Saph-q)，蒸鍍速率為0.2nm/s，膜厚為60.0nm。在Al(Saph-q)層之上繼續(xù)蒸鍍金屬層，金屬層依次由Mg∶Ag合金和Ag組成，Mg∶Ag總的蒸鍍速率為1.5nm/s，Mg和Ag蒸鍍速率之比為10∶1，膜厚為150.0nm，Ag的蒸鍍速率為0.4nm/s，蒸鍍厚度為50.0nm。器件啟亮電壓為2.8V，最大發(fā)光亮度為16000cd/m2。
利用洗滌劑煮沸和去離子水超聲的方法對(duì)方塊電阻為15Ω的ITO玻璃進(jìn)行清洗、烘干，其中ITO的膜厚為260.0nm。把烘干后的ITO玻璃置于壓力為1×10-3Pa的真空腔內(nèi)，利用熱蒸發(fā)方法向ITO膜上蒸鍍10.0nm的CuPc緩沖層，蒸鍍速率為0.01nm/s。其后，在上面蒸鍍交替多層空穴傳輸層(NPB/rubrene)3，其中NPB薄膜的蒸鍍速率為0.2nm/s，膜厚為5.0nm，rubrene薄膜的蒸鍍速率為0.1nm/s，膜厚為2.0nm。在該空穴傳輸層之上繼續(xù)蒸鍍20.0nm的NPB層作為過渡層，蒸鍍速率為0.2nm/s，之上繼續(xù)蒸鍍有機(jī)功能層Al(Saph-q)，蒸鍍速率為0.2nm/s，膜厚為60.0nm。在Al(Saph-q)層之上繼續(xù)蒸鍍金屬層，金屬層依次由Mg∶Ag合金和Ag組成，Mg∶Ag總的蒸鍍速率為1.5nm/s，Mg和Ag蒸鍍速率之比為10∶1，膜厚為150.0nm；Ag的蒸鍍速率為0.4nm/s，蒸鍍厚度為50.0nm。器件啟亮電壓為2.5V，最大發(fā)光亮度為26000cd/m2。
盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明構(gòu)思的引導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可進(jìn)行各種修改和改進(jìn)，所附權(quán)利要求概括了本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件包括透明基片(1)第一(2)和第二電極層(6)，以及夾在所述兩個(gè)電極層之間的空穴傳輸層(3)、過渡層(4)和可傳輸電子的有機(jī)發(fā)光層(5)，其特征在于空穴傳輸層(3)采用有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)，這種量子阱傳輸結(jié)構(gòu)由兩種能級(jí)互相匹配的有機(jī)材料層交替重疊組成，其中組成有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的一層為染料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于其中所述的空穴傳輸層(3)采用的有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的周期數(shù)為1～10(整數(shù))。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于其中所述的第一電極層(2)和空穴傳輸層(3)之間可夾有一層緩沖層，緩沖層由酞菁類化合物或聚丙烯酸酯類或聚酰亞胺類或含氟聚合物或無機(jī)氟化鹽或無機(jī)氧化物或金剛石組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于其中所述的透明基片(1)采用玻璃或柔性基片，柔性基片由聚酯類或聚酰亞胺類化合物組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于其中所述的第一電極層(2)由無機(jī)材料或有機(jī)聚合物組成，無機(jī)材料優(yōu)選為氧化銦錫，有機(jī)聚合物優(yōu)選為聚噻吩或聚苯胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于其中所述的空穴傳輸層(3)采用的有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)的兩種材料優(yōu)選為N，N′-二-(1-萘基)-N，N′-二苯基-1，1-聯(lián)苯基-4，4-二胺/5，6，11，12-四苯基并四苯或N，N′-二-(1-萘基)-N，N′-二苯基-1，1-聯(lián)苯基-4，4-二胺/銅酞菁或N，N′-二-(1-萘基)-N，N′-二苯基-1，1-聯(lián)苯基-4，4-二胺/4-4-二氰基亞甲基-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基-久洛尼定-9-乙烯基)-4H-吡喃或N，N’-二苯基-N，N’-雙(間甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺/4-4-二氰基亞甲基-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基-久洛尼定-9-乙烯基)-4H-吡喃或4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺/5，6，11，12-四苯基并四苯或4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺/4-二氰亞甲基-2-甲基-6-(p-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于其中所述的過渡層(4)材料優(yōu)選為N，N′-二-(1-萘基)-N，N′-二苯基-1，1-聯(lián)苯基-4，4-二胺或N，N’-二苯基-N，N’-雙(間甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于其中所述的可傳輸電子的有機(jī)發(fā)光層(5)材料優(yōu)選為八羥基喹啉鋁或(水楊醛縮鄰胺苯酚)-(8-羥基喹啉)合鋁(III)或(水楊醛縮鄰胺苯酚)-(8-羥基喹啉)合鎵(III)或4-羥基吖啶鋅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于其中所述的第二電極層(6)材料優(yōu)選為依次的Mg∶Ag合金層、Ag層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，屬于有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域。該器件的空穴傳輸層(3)采用有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)，這種量子阱傳輸結(jié)構(gòu)由兩種有機(jī)材料層交替重疊組成，其中兩種材料的能級(jí)互相匹配，在量子阱界面處形成空穴的勢(shì)阱，并且在該有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)中使用染料單獨(dú)成層。本發(fā)明在空穴傳輸層采用的有機(jī)量子阱結(jié)構(gòu)能夠顯著控制空穴載流子在空穴傳輸層中的遷移，實(shí)現(xiàn)了發(fā)光層電子和空穴的注入平衡，從而提高了器件的發(fā)光效率和發(fā)光亮度。同時(shí)，可以通過控制該器件空穴傳輸層中的有機(jī)量子阱周期數(shù)來調(diào)控器件的發(fā)光中心。
文檔編號(hào)H05B33/14GK1398146SQ0212548
公開日2003年2月19日 申請(qǐng)日期2002年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月13日
發(fā)明者邱勇, 高裕弟, 魏鵬, 張德強(qiáng), 王立鐸 申請(qǐng)人:清華大學(xué)