專利名稱：半導體器件及剝離方法以及半導體器件的制造方法
發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明涉及將剝離層剝離的方法，特別涉及剝離包含多種元素的剝離層的方法。此外，本發(fā)明涉及具有薄膜晶體管(下文稱做TFT)組成電路的半導體器件，在薄膜晶體管中，剝離掉的剝離層已粘貼并轉(zhuǎn)移到基底構(gòu)件上，并涉及半導體器件的制造方法。例如，本發(fā)明涉及由液晶組件代表的電光器件、由EL組件代表的發(fā)光器件以及作為一部分安裝所述器件的電子設備。
應該指出在本說明書中，術(shù)語“半導體器件”是指通常能夠利用半導體特性起作用的器件，電光器件、發(fā)光器件、半導體電路以及電子設備都是半導體器件。
背景技術(shù)：
近些年來，使用形成在具有絕緣表面的基片上的半導體薄膜(厚度約幾到幾百nm)的薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成的技術(shù)已引起注意。半導體薄膜廣泛地應用于例如IC、電光器件等的電子器件，特別是非常需要開發(fā)為用于圖像顯示器件的開關(guān)元件。
對于利用例如圖像顯示器件的應用，預期有多種應用，特別是，用于便攜裝置的應用已受到關(guān)注。目前，雖然使用了許多玻璃基片和石英基片，但存在易于破裂和太重的缺陷。此外，在大規(guī)模生產(chǎn)的基礎上玻璃基片和石英基片很難制得很大，不太適合這些應用。因此，現(xiàn)在已嘗試將TFT元件形成在具有柔性的基片上，代表性地，在柔性塑料膜上。
然而，由于塑料膜的熱阻很低，因此無助于降低工藝的最高溫度。由此，目前，與形成在玻璃基片上的TFT相比，形成的TFT不具有優(yōu)良的電特性。因此，采用塑料膜的具有高性能的液晶顯示器件和發(fā)光元件目前還沒有實現(xiàn)。
此外，現(xiàn)已提出借助隔離層從以上的基片上將存在于基片上的剝離層剝離的方法。例如，在日本待審專利公開No.H10-125929專利公報和日本待審專利公開No.H10-125931專利公報中介紹的技術(shù)就是提供由非晶硅(或多晶硅)組成的隔離層的技術(shù)，通過傳送基片用激光照射并使含在多晶硅中的氫釋放出，由此產(chǎn)生間隙并分離基片。此外，在日本待審專利公開No.H10-125930專利公報中還介紹了利用該技術(shù)，通過將剝離層(在專利公報中，是指傳送層)粘貼到塑料膜上完成液晶顯示器件。
然而，在以上介紹的方法中，實質(zhì)上是使用高半透明度的基片，此外，為了賦予足夠的能量以釋放出含在非晶硅中的氫，需要較大激光束的照射，因此發(fā)生剝離層受損的問題。而且，在以上介紹的方法中，當把元件制備在隔離層上時，如果在元件制備工藝中進行高溫熱處理等，那么含在隔離層中的氫會分散并減少。此時，即使激光束照射在隔離層上，也存在不能充分進行剝離的可能性。因此，為了保持含在隔離層中的氫量，發(fā)生形成隔離層之后的工藝受限制的問題。此外在以上介紹的專利公報中，還介紹了為了防止剝離層受損，而提供輻射屏蔽層或反射層。然而，此時，很難制備透射型液晶顯示器件。而且，通過以上介紹的方法，很難剝離具有較大面積的剝離層。
發(fā)明概述正是考慮以上介紹的問題實施了本發(fā)明，本發(fā)明提供一種剝離掉剝離層的剝離方法，不會損傷剝離層，目的在于能夠完整地剝離掉具有較大面積的剝離層表面，并且能夠剝離具有較小面積的剝離層。
此外，本發(fā)明目的在于提供一種剝離的剝離方法，同時能夠不接受剝離層的形成中例如熱處理溫度、基片種類等的限制。
此外，本發(fā)明目的在于通過將剝離層粘貼到多種基底構(gòu)件上提供一種節(jié)省重量的半導體器件，及其制備方法。具體地，本發(fā)明目的在于通過粘貼多種元件(薄膜二極管、由硅的PIN結(jié)組成的光電轉(zhuǎn)換元件)提供一種節(jié)省重量的半導體器件及其制備方法。當本發(fā)明人進行許多實驗并研究時，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在本發(fā)明人在基片上提供氮化物層最好為金屬氮化物層時，氧化層接觸上述的金屬氮化物層，進一步進行膜形成或在500℃以上的溫度進行熱處理期間，沒有發(fā)生例如膜剝離等的工藝異常，然而本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)通過施加物理力，代表性地為機械力(例如，通過人手剝離)可以容易且明確地在氧化層或它們之間的界面分離的剝離方法。
具體地，氮化物層和氧化層之間的結(jié)合力具有能承受熱能的強度，然而由于氮化物層和氧化層的膜應力相互不同并且在氮化物層和氧化層之間存在應力變形，因此動能很弱，適合于剝離。本發(fā)明人的剝離步驟是指以該方式利用膜應力作為應力剝離工藝進行剝離。
應該指出，在本說明書中，膜的內(nèi)應力(稱做膜應力)是指當考慮基片上形成的膜內(nèi)部的給定的截面時，每單位截面積的力，其中截面的一側(cè)對另一側(cè)有影響。內(nèi)應力總是或多或少地存在于通過真空淀積、濺射、汽相淀積法等形成的薄膜內(nèi)。值最大為109N/m2。通過薄膜的材料、基片的材料、薄膜的形成條件等可以改變內(nèi)部應力值。而且，也可以通過進行熱處理改變內(nèi)部應力值。
此外，當具有通過相對于基片表面垂直地分布的單位截面積對該對方的影響力在拉伸方向起作用力時，稱做拉伸狀態(tài)，此時的內(nèi)部應力稱做拉伸應力。當力在推擠方向中起作用力時，稱做處于壓縮狀態(tài)，此時的內(nèi)部應力稱做壓縮應力，當標繪在圖中或表示在表中時，這些拉伸應力標為正(+)數(shù)，壓縮應力標為負(-)數(shù)。本發(fā)明的構(gòu)成(constitution)1涉及在本說明書中公開的剝離方法，一種從基片剝離掉剝離層的剝離方法，其特征在于在上述的基片上，提供氮化物層，由含有與至少以上氮化物層接觸的氧化層的疊層組成的剝離層形成在已提供有以上氮化物層的基片上之后，從已提供有以上氮化物層的基片上氧化層內(nèi)或與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉剝離層。
此外，可以在使用粘合劑粘結(jié)支撐體之后進行剝離，本發(fā)明的構(gòu)成2涉及在本說明書中公開的剝離方法，一種從基片上剝離掉剝離層的剝離方法，其特征在于在上述基片上，提供氮化物層，由含有與至少以上氮化物層接觸的氧化層的疊層組成的剝離層形成在已提供有以上氮化物層的基片上之后，從已提供有以上氮化物層的基片上氧化層內(nèi)或與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉粘結(jié)到支撐體的相應剝離層。
此外，在以上介紹的構(gòu)成2中，為了促進剝離，在粘結(jié)以上的支撐體之前進行熱處理或激光束的照射。此時，通過選擇吸收激光束的材料并加熱氮化物層和氧化層之間的界面以便容易剝離。然而，使用激光束時，使用半透明材料作為基片。
此外，在以上介紹的構(gòu)成中，對于氮化物層，其它層也可以提供在基片和氮化物層之間，可以提供例如絕緣層、金屬層等。然而，為了簡化工藝，優(yōu)選形成氮化物層與基片表面接觸。
此外，代替該氮化物層，可以使用金屬層，最好為金屬氮化物層，可以提供金屬層，最好為金屬氮化物層，而且，提供氧化層與以上的金屬氮化物層接觸，進而，如果進行膜形成處理或500℃以上的熱處理，通過物理方式可以容易且明確地在氧化層內(nèi)或與氧化層的界面上分離。
本發(fā)明的構(gòu)成3涉及在本說明書中公開的剝離方法，一種從基片剝離掉剝離層的剝離方法，其特征在于在上述基片上，提供金屬層，由含有與至少以上金屬層接觸的氧化層的疊層組成的剝離層形成在已提供有以上金屬層的基片上之后，從已提供有以上金屬層的基片上氧化層內(nèi)或與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉相應剝離層。
此外，可以在使用粘合劑粘結(jié)支撐體之后進行剝離，本發(fā)明的構(gòu)成4涉及在本說明書中公開的剝離方法，一種從基片上剝離掉剝離層的剝離方法，其特征在于在上述基片上，提供金屬層，由含有與至少以上金屬層接觸的氧化層的疊層組成的剝離層形成在已提供有以上金屬層的基片上之后，從已提供有以上金屬層的基片上氧化層內(nèi)或與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉粘結(jié)到支撐體的剝離層。
此外，在以上介紹的構(gòu)成4中，為了促進剝離，在粘結(jié)以上的支撐體之前進行熱處理或激光束的照射。此時，通過選擇吸收激光束的材料并加熱金屬層和氧化層之間的界面以便容易剝離。然而，使用激光束時，使用半透明材料作為基片。
應該注意在本說明書中，物理方式是指通過物理而不是化學確認的方式，具體地，術(shù)語是指具有能夠歸因于動力學定律的過程的動力或機械方式，也指改變?nèi)魏蝿幽?機械能)的方式。
然而，在以上介紹的構(gòu)成2和4的任何一個中，當通過物理方式剝離時，需要使氧化層和金屬層之間的粘結(jié)力小于與支撐體的粘結(jié)力。
此外，在以上介紹的構(gòu)成3或4中，以上金屬層的特征在于它是選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為以上元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。
此外，在以上介紹的構(gòu)成3或4中，對于金屬層，例如絕緣層等的其它層可以提供在基片和金屬層之間，但是為了簡化工藝，優(yōu)選形成金屬層與基片的表面接觸。
此外，在以上介紹的本發(fā)明中，可以使用各種基片，不限于具有半透明性的基片，例如，玻璃基片、石英基片、半導體基片、陶瓷基片、金屬基片，提供在基片上的剝離層可以剝離。
此外，在上述的各個構(gòu)成中，上述氧化層的特征在于，這是由氧化硅材料或金屬氧化物材料或這些的疊層組成的單層。
此外，在以上介紹的各個構(gòu)成中，為了促進剝離，在通過以上的物理方式進行剝離之前進行熱處理或激光束的照射。
此外，可以使用以上介紹的本發(fā)明的剝離方法通過將提供在基片上的剝離層粘貼(傳送)到傳送體上制造半導體器件，本發(fā)明的構(gòu)成涉及半導體器件的制造方法，一種半導體器件的制造方法，其特征在于具有以下步驟在基片上形成氮化物層，在以上的氮化物層上形成氧化層，在以上的氧化層上形成絕緣層，在以上的絕緣層上形成元件，支撐體粘結(jié)到以上元件之后，從氧化層內(nèi)或基片上與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉相應支撐體，以及將傳送體粘結(jié)到以上絕緣層或以上氧化層，將以上元件夾在以上支撐體和以上傳送體之間。
此外，在以上介紹的各構(gòu)成中，為了促進剝離，在粘結(jié)以上支撐體之前，進行熱處理或激光束的照射。此時，通過選擇吸收激光束的材料并加熱氮化物層和氧化層之間的界面以便容易剝離。然而，使用激光束時，使用半透明材料作為基片。此外，為了促進剝離，通過在氮化物層上提供顆粒形氧化物可以容易地剝離，顆粒形氧化層覆蓋相應的氧化物，本發(fā)明的構(gòu)成涉及半導體器件的制造方法，一種半導體器件的制造方法，其特征在于具有以下步驟在基片上形成氮化物層，
在以上氮化物層上形成顆粒形氧化物，形成氧化層覆蓋以上氮化物層上的以上氧化物，在以上氧化層上形成絕緣層，在以上絕緣層上形成元件，支撐體粘結(jié)到以上元件之后，從氧化層內(nèi)或基片上與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉相應支撐體，以及將傳送體粘結(jié)到以上絕緣層或以上氧化層，將以上元件夾在以上支撐體和以上傳送體之間。
此外，本發(fā)明的構(gòu)成涉及半導體器件的制造方法，一種半導體器件的制造方法，其特征在于具有以下步驟在基片上形成含金屬材料的層，在以上含金屬材料的層上形成氧化層，在以上氧化層上形成絕緣層，在以上絕緣層上形成元件，支撐體粘結(jié)到以上元件之后，從氧化層內(nèi)或基片上與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉相應支撐體，以及將傳送體粘結(jié)到以上絕緣層或以上氧化層，將以上元件夾在以上支撐體和以上傳送體之間。
此外，在以上介紹的構(gòu)成中，為了促進剝離，在粘結(jié)以上支撐體之前，進行熱處理或激光束的照射。此時，通過選擇吸收激光束的材料并加熱氮化物層和氧化層之間的界面以便容易剝離。然而，使用激光束時，使用半透明材料作為基片。此外，為了促進剝離，通過在含金屬材料的層上提供顆粒形氧化物可以容易地剝離，顆粒形氧化層覆蓋相應的氧化物，本發(fā)明的構(gòu)成涉及半導體器件的制造方法，一種半導體器件的制造方法，其特征在于具有以下步驟在基片上形成含金屬材料的層，在以上含金屬材料的層上形成顆粒形氧化層，形成氧化層覆蓋以上氧化物，在以上氧化層上形成絕緣層，在以上絕緣層上形成元件，支撐體粘結(jié)到以上元件之后，從氧化層內(nèi)或基片上與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉相應支撐體，以及將傳送體粘結(jié)到以上絕緣層或以上氧化層，將以上元件夾在以上支撐體和以上傳送體之間。
在以上介紹的構(gòu)成中，優(yōu)選含金屬材料的以上層為氮化物，以上金屬材料的特征在于它是選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為以上元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。
此外，通過以上介紹的本發(fā)明的剝離方法將提供在基片上的剝離層粘貼到第一傳送體或第二傳送體制備半導體器件，本發(fā)明的構(gòu)成涉及半導體器件的制造方法，一種半導體器件的制造方法，其特征在于具有以下步驟在基片上形成含有金屬材料的層，在以上含有金屬材料的層上形成顆粒形的氧化物，在以上氧化層上形成絕緣層，在以上絕緣層上形成元件，通過物理方式在氧化層內(nèi)或基片上與以上氧化層的界面處剝離，將第一傳送體粘結(jié)到以上絕緣層或以上氧化層，以及將第二傳送體粘結(jié)到以上元件，并將以上元件夾在以上第一傳送體和以上第二傳送體之間。
在以上介紹的構(gòu)成中，優(yōu)選含金屬材料的以上層為氮化物，以上金屬材料的特征在于它是選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為以上元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。
此外，本發(fā)明的構(gòu)成涉及其它半導體器件的制備方法，一種半導體器件的制造方法，其特征在于具有以下步驟在基片上形成氮化物層，在以上氮化物層上形成氧化層，在以上氧化層上形成絕緣層，在以上絕緣層上形成元件，通過物理方式在氧化層內(nèi)或基片上與以上氧化層的界面處剝離，將第一傳送體粘結(jié)到以上絕緣層或以上氧化層，以及將第二傳送體粘結(jié)到以上元件，并將以上元件夾在以上第一傳送體和以上第二傳送體之間。
此外，在以上介紹的涉及以上半導體器件的制造方法的各構(gòu)成中，以上氧化層的特征在于它是由硅的氧化物材料或金屬氧化物材料或它們的疊層組成的單層。
此外，在以上介紹的涉及以上半導體器件的制造方法的各構(gòu)成中，為了進一步促進剝離，在通過以上的物理方式進行剝離之前，進行熱處理或激光照射。
此外，在以上介紹的涉及以上半導體器件的制造方法的各構(gòu)成中，以上元件的特征在于它是包括半導體層作為有源層的薄膜晶體管，形成以上半導體層的步驟為通過進行熱處理或激光照射晶化具有非晶結(jié)構(gòu)的半導體層并使半導體層具有晶化結(jié)構(gòu)的步驟。
應該指出在本說明書中，術(shù)語“傳送體”是指將剝離層剝離之后粘結(jié)到剝離層的部件，不必特別地限定，可以是任何成分的基底構(gòu)件，例如塑料、玻璃、金屬、陶瓷等。此外，在本說明書中，術(shù)語“支撐體”可以是通過物理方式剝離剝離層時粘結(jié)到剝離層剝離層的部件，不必特別地限定，可以是任何成分的基底構(gòu)件，例如塑料、玻璃、金屬、陶瓷等。此外，傳送體的形狀和支撐體的形狀不必特別地限定，可以是為平面、曲面、能夠彎曲的表面、或膜形。此外，節(jié)約重量最優(yōu)先考慮，優(yōu)選為膜形的塑料基片，例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龍、聚醚酮醚(PEEK)、聚砜(PSF)、聚乙烯亞胺(PEI)、聚芳基化合物(PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚酰亞胺等。在以上介紹的涉及以上半導體器件的制造方法的各構(gòu)成中，當制備液晶顯示器件時，支撐體制成相對基片，利用密封構(gòu)件作粘結(jié)構(gòu)件將支撐體粘結(jié)到剝離層。此時，提供在以上剝離層上的元件具有像素電極，將液晶材料裝在相關(guān)的像素電極和以上相對基片之間。
在以上介紹的涉及以上半導體器件的制造方法的各構(gòu)成中，制備具有OLED的發(fā)光器件代表的發(fā)光器件時，優(yōu)選發(fā)光元件完全不受外部影響，以防止促進有機化合物層退化的物質(zhì)如水份、氧或類似物從外部滲透。此外，如果節(jié)約重量最優(yōu)先考慮，優(yōu)選使用膜形的塑料基片。然而，由于塑料防止促進有機化合物層退化的物質(zhì)如水份、氧或類似物從外部滲透的效果很差，因此例如可以通過在支撐體上提供第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜，以便充分地防止進有機化合物層退化的物質(zhì)如水份、氧或類似物從外部滲透。然而，將夾在以上第一絕緣膜(阻擋膜)和以上第三絕緣膜(阻擋膜)之間的以上第二絕緣膜(應力釋放)制成它的膜應力小于以上第一絕緣膜和以上第三絕緣膜的膜應力。
此外，制備具有OLED的發(fā)光器件代表的發(fā)光器件時，優(yōu)選通過第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜不僅提供在支撐體上，也類似地提供在傳送體上，可以充分地防止例如水份、氧或類似物從外部侵入。
(實驗1)這里，提供與氮化物層或金屬層接觸的氧化層，為了檢驗剝離層是否能從基片剝離，進行以上實驗。
首先，在基片上形成圖3A所示的疊層。
對于基片30，可以使用玻璃基片(#1737)。然而，在基片30上，通過濺射法形成厚度300nm的鋁-硅合金層31。隨后，通過濺射法形成厚度100nm的氮化鈦層32。之后，通過濺射法形成厚度200nm的氧化硅層33。氧化硅層33的膜形成條件為利用RF法的濺射裝置和利用氧化硅靶(直徑，30.5cm)，150℃的基片溫度，0.4Pa的膜形成壓力，3kW的膜形成電功率，氬的體積流量/氧的體積流量＝35sccm/15sccm。
隨后，通過等離子體CVD法在氧化硅層33上形成初始覆蓋絕緣層。對于初始覆蓋絕緣層，通過等離子體CVD法在300℃的膜形成溫度下形成厚度50nm由原材料氣體SiH4、NH3和N2O制備的氮氧化硅34a(組分比Si＝32％，O＝27％，N＝24％和H＝17％)。之后，用臭氧水清洗表面之后，用稀釋的氫氟酸(1∶100)除去表面的氧化膜。接著，通過等離子體CVD法在300℃的膜形成溫度下疊置形成100nm厚由原材料氣體SiH4、NH3和N2O制備的氮氧化硅34b(組分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)，此外，通過等離子體CVD法在300℃的溫度不釋放空氣形成厚度54nm具有非晶結(jié)構(gòu)的半導體層(這里為非晶硅層35)(圖3A)。
接下來，用旋轉(zhuǎn)器涂敷轉(zhuǎn)變?yōu)橹亓繒r含10ppm鎳的乙酸鎳溶液。使用濺射法代替涂敷法在整個表面上散布鎳元素的方法。隨后，通過進行熱處理和晶化形成具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體膜(這里為多晶硅層36)(圖3B)。這里，進行用于脫氫作用的熱處理(500℃，1小時)，通過為了進行熱處理(550℃，4小時)得到具有晶體結(jié)構(gòu)的硅膜。應該注意雖然這里使用鎳作為促進硅晶化的金屬元素的晶化技術(shù)，但是也可以使用其它的晶化技術(shù)，例如固相晶化法或激光晶化法。隨后，對于粘結(jié)層37，使用環(huán)氧樹脂，膜基片38(這里為聚對苯二甲酸乙二酯(PET))粘貼在多晶硅層36上(圖3C)。
得到圖3C的狀態(tài)之后，用人手拉所得結(jié)構(gòu)，以便將膜基片38和基片30分開。應該意識到至少氮化鈦和鋁-硅合金層留在已拉開的基片30上。期望通過該實驗在氧化硅33內(nèi)或與氧化硅33的界面上剝離。
以此方式，通過提供與氮化物層或金屬層接觸的氧化層，并拉掉提供在相應氧化層上的剝離層，從基片30的整個表面上剝離掉剝離層。
(實驗2)為了確定發(fā)生剝離的位置，通過本發(fā)明的剝離方法部分進行部分剝離，進行實驗檢查它的分層面附近的剖面。
對于基片，使用玻璃基片(#1737)。然而，在基片上，通過濺射法形成厚度100nm的氮化鈦層32。
之后，通過濺射法形成厚度200nm的氧化硅層33。氧化硅層33的膜形成條件為利用RF法的濺射裝置和利用氧化硅靶(直徑，30.5cm)，150℃的基片溫度，0.4Pa的膜形成壓力，3kW的膜形成電功率，氬的體積流量/氧的體積流量＝35sccm/15sccm。
隨后，通過等離子體CVD法在氧化硅層33上形成初始覆蓋絕緣層。對于初始覆蓋絕緣層，通過等離子體CVD法在300℃的膜形成溫度下形成厚度50nm由原材料氣體SiH4、NH3和N2O制備的氮氧化硅34a(組分比Si＝32％，O＝27％，N＝24％和H＝17％)。
之后，用臭氧水清洗表面之后，用稀釋的氫氟酸(1∶100)除去表面的氧化膜。接著，通過等離子體CVD法在300℃的膜形成溫度下疊置形成100nm厚由原材料氣體SiH4、NH3和N2O制備的氮氧化硅(組分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)，此外，通過等離子體CVD法在300℃的溫度不釋放空氣形成厚度54nm具有非晶結(jié)構(gòu)的半導體層(這里為非晶硅層)。
接下來，用旋轉(zhuǎn)器涂敷轉(zhuǎn)變?yōu)橹亓繒r含10ppm鎳的乙酸鎳溶液。使用濺射法代替涂敷法在整個表面上散布鎳元素的方法。隨后，通過進行熱處理和晶化形成具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體膜(這里為多晶硅層)。這里，進行用于脫氫作用的熱處理(500℃，1小時)，通過為了進行熱處理(550℃，4小時)得到具有晶體結(jié)構(gòu)的硅膜。
隨后，粘結(jié)帶粘貼在部分多晶硅層上，用人手拉所得結(jié)構(gòu)，以便將粘結(jié)帶和基片分開。然后，僅剝離粘貼粘結(jié)帶的位置，并傳送到帶。基片側(cè)剝離界面上的TEM照片顯示在圖20A中，它的示意圖顯示在圖20B中。
如圖20所示，氮化鈦層整個地留在玻璃基片上，粘結(jié)并傳送帶的部分清楚地傳送，除去了疊層(通過濺射法形成的SiO2膜，通過PCVD法形成的絕緣膜(1)和(2)和多晶硅膜)。由此，應該明白剝離發(fā)生在通過濺射法形成的氮化鈦層和SiO2膜之間的界面上。
(實驗3)這里，當?shù)飳拥牟牧嫌蒚iN、W和WN制成時，為了檢驗提供在氧化層上的剝離層是否已剝離，通過提供與氮化物層或金屬層接觸的氧化層(氧化硅膜厚度，200nm)進行以下實驗。
作為樣品1，利用濺射法在玻璃基片上形成膜厚度100nm的TiN之后，通過濺射形成300nm厚的氧化硅膜。進行形成氧化硅的步驟之后，類似于實驗1進行疊置和晶化。
作為樣品2，通過濺射法在玻璃基片上形成膜厚50nm的W，利用濺射法形成200nm厚的氧化硅膜。形成氧化硅膜的步驟之后，類似于實驗1進行疊置和晶化。
作為樣品3，通過濺射法在玻璃基片上形成膜厚50nm的WN，利用濺射法形成200nm厚的氧化硅膜。形成氧化硅膜的步驟之后，類似于實驗1進行疊置和晶化。
以此方式，形成樣品1-3，為了確定通過將粘結(jié)帶粘貼到剝離層剝離層是否剝離，進行實驗。結(jié)果顯示在表1中。



此外，測量熱處理(550℃，4小時)之前和之后氧化硅膜、TiN膜、W膜各膜上的內(nèi)應力。結(jié)果顯示在表2中。


應該指出對于氧化硅膜，測量通過濺射法在硅基片上形成的400nm厚的膜。對于TiN膜和W膜，通過濺射法在玻璃基片上形成的400nm厚的膜之后，測量內(nèi)應力，然后疊置氧化硅膜作為帽蓋膜。進行熱處理之后，通過腐蝕除去帽蓋膜，然后再次測量帽蓋膜。此外，各樣品制備2件并進行測量。
對于W膜，雖然形成膜之后立即具有了壓應力(約-7×109(Dyne/cm2))，通過熱處理膜具有了拉伸應力(約8×109-9×109(Dyne/cm2))，并且剝離狀態(tài)優(yōu)良。對于TiN膜，熱處理之前和之后很難改變應力，始終具有拉伸應力(約3.9×109-4.5×109(Dyne/cm2))。此外，對于氧化硅膜，熱處理之前和之后很難改變應力，始終具有壓縮應力(約-9.4×109--1.3×109(Dyne/cm2))。
從這些結(jié)果中，可以看出剝離現(xiàn)象與粘附性有關(guān)歸因于多種因素，然而，具體地，主要與內(nèi)應力有關(guān)，在氮化物層或金屬層上形成氧化層時，剝離層會從氮化物層或金屬層與氧化層之間界面的整個表面上剝離。
(實驗4)為了檢查與加熱溫度的相關(guān)性，進行以下實驗。
作為樣品，通過濺射在襯底上形成50nm厚的W膜(鎢膜)之后，使用濺射形成厚度200nm的氧化硅膜(10sccm的氬氣流速，30sccm的氧氣流速，0.4Pa的膜形成壓力，3kW的濺射電能，300℃的基片溫度，使用硅靶)。接下來，以和實驗1相同的方式通過等離子體CVD形成初始覆蓋絕緣層(50nm的氮氧化硅膜和100nm的氮氧化硅膜)和54nm厚的非晶硅膜。
接著，進行熱處理同時改變加熱溫度的條件之后，使用粘結(jié)材料將石英基片粘在非晶硅膜上(或多晶硅膜)，通過拉拔將石英基片和玻璃基片相互分離，通過人眼檢查它們是否剝離。加熱溫度的條件1為500℃和1小時，條件2為450℃和1小時，條件3為425℃和1小時，條件4為410℃和1小時，條件5為400℃和1小時，條件6為350℃和1小時。
實驗的結(jié)果，在條件1-4下，樣品剝離。在條件5和6下，樣品沒有剝離。因此，在根據(jù)本發(fā)明的剝離方法，優(yōu)選在至少410℃以上進行熱處理。
此外，當剝離W膜時，W膜留在玻璃基片的整個表面上，疊層(濺射得到的SiO2膜，PCVD得到的絕緣膜(1)和(2)，以及非晶硅膜)傳送到石英基片上。圖21示出了通過TXRF測量傳送的SiO2膜表面的結(jié)果。通過AFM測量，表面粗糙度Rz(30點)為5.44nm。此外，圖22示出了測量形成在石英基片上50nm的W膜表面的結(jié)果作為參考。通過AFM測量表面粗糙度Rz(30點)為22.8nm。此外，圖23示出了通過TXRF僅測量石英基片的結(jié)果。由于比較圖21和22的W(鎢)峰值時兩者類似，所以發(fā)現(xiàn)小的金屬材料(這里為鎢)粘附在傳送的SiO2膜表面上。
根據(jù)在本說明書中公開的本發(fā)明的構(gòu)成，半導體器件包括支撐體，通過粘合劑材料粘貼到支撐體的剝離層，以及氧化硅膜，提供在氧化硅膜和粘結(jié)材料之間的小的金屬材料。
在以上構(gòu)成中，金屬材料包括選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為以上元素的合金材料或化合物材料。
附圖簡述

圖1A到1C示出了本發(fā)明的實施例1；圖2A到2C示出了本發(fā)明的實施例2；圖3A到3D示出了本發(fā)明的實施例；圖4A到4C示出了本發(fā)明的實施例3；圖5A到5C示出了本發(fā)明的實施例4；圖6A到6D示出了有源矩陣基板的制造步驟；圖7A到7C示出了有源矩陣基板的制造步驟；圖8示出了有源矩陣基板；圖9A到9D示出了本發(fā)明的例2；圖10A到10E示出了本發(fā)明的例3；圖11示出了本發(fā)明的例4；圖12示出了本發(fā)明的例5；圖13A到13D示出了本發(fā)明的例6；圖14A到14C示出了本發(fā)明的例7；圖15示出了本發(fā)明的例8；圖16A和16B示出了本發(fā)明的例9；圖17示出了本發(fā)明的例9；圖18A到18F示出了電子設備的一個例子；圖19A到19C示出了電子設備的一個例子；圖20A和20B示出了部分剝離的分界位置的剖面TEM照片和示意圖；圖21示出了剝離的氧化硅膜表面的TXRF測量結(jié)果的圖表；圖22示出了在石英基片上形成W膜表面的TXRF測量結(jié)果的圖表；(參考)圖23示出了石英基片表面的TXRF測量結(jié)果的圖表。(參考)優(yōu)選實施例的介紹本發(fā)明的最佳實施例。
實施例1
這里，利用本發(fā)明代表性的剝離過程示意性地顯示在圖1中。
在圖1A中，參考數(shù)字10表示基片，參考數(shù)字11表示氮化物層或金屬層，參考數(shù)字12表示氧化層，參考數(shù)字13表示剝離層。
在圖1A中，對于基片10，可以使用玻璃基片、石英基片、陶瓷基片等。此外，也可以使用硅基片、金屬基片或不銹鋼基片。
首先，如圖1A所示，氮化物層或金屬層11形成在基片10上。對于氮化物層或金屬層11，代表性的例子如下選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，或由主要成分為以上元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或它們的疊層，或這些氮化物組成的單層，可以使用例如氮化鈦、氮化鎢、氮化鉭、氮化鉬或它們的疊層。隨后，氧化層12形成在氮化物層或金屬層11上。對于氧化層12，代表性的例子可以使用氧化硅、氮氧化硅和金屬氧化物材料。對于氧化層12，可以使用膜形成法，例如濺射法、等離子體CVD法、涂敷法。在本發(fā)明中，所述氧化層12的膜應力和氮化物層或金屬層11的膜應力制得相互不同很重要。各膜的厚度適當?shù)卦O置在1nm到1000nm的范圍內(nèi)，各膜的應力可以調(diào)節(jié)。此外，在圖1中，為了簡化工藝，示出了形成與基片10接觸的氮化物層或金屬層11的一個例子，通過在基片10和氮化物層或金屬層11之間提供絕緣層或金屬層可以增強基片10的粘附性。
隨后，在氧化層12上形成剝離層13(圖1A)。剝離層可以是含有多種元件(薄膜二極管、包括硅的PIN結(jié)的光電轉(zhuǎn)換元件以及硅電阻元件)的層，代表性的為TFT。此外，可以進行基片10能夠承受范圍的熱處理。應該指出在本發(fā)明中，即使氧化層12的膜應力和氮化物層或金屬層11的膜應力不同，在剝離層13的制備步驟的熱處理中不會發(fā)生膜剝離等。
隨后，用物理方式拽掉提供在氮化物層或金屬層11上的基片10(圖1B)。由于氧化層12的膜應力和氮化物層或金屬層11的膜應力不同，用較小的力就可以拽開它們。此外，這里顯示了假設剝離層13有足夠的機械強度的一個例子，當剝離層13的機械強度不夠時，優(yōu)選粘貼到固定剝離層13的支撐體(未示出)之后，再進行剝離。以此方式，形成在氧化層12上的剝離層13與基片10分開。剝離之后的狀態(tài)顯示在圖1C中。在實驗中，當厚度為10nm的鎢膜作為金屬層11時，通過濺射法氧化硅膜具有200nm的厚度作為氧化層12，可以確認根據(jù)本發(fā)明的剝離方法是否剝離。當50nm的鎢膜作為金屬層11時，通過濺射法氧化硅膜具有100nm的厚度作為氧化層12，可以確認根據(jù)本發(fā)明的剝離方法是否剝離。當50nm的鎢膜作為金屬層11時，通過濺射法氧化硅膜具有400nm的厚度作為氧化層12，可以確認根據(jù)本發(fā)明的剝離方法是否剝離。此外，剝離之后，拽掉的剝離層13粘貼在傳送體(未示出)上。
此外，本發(fā)明適用于多種半導體器件的制備方法。特別是，使用塑料基片作為傳送體和支撐體可以制得很輕。當制備液晶顯示器件時，支撐體作為相對基片，利用密封部件作為粘結(jié)部件將支撐體粘貼到剝離層。此時，提供在以上剝離層上的元件具有像素電極，將液晶材料封在相關(guān)的像素電極和以上相對的基片之間。此外，制備液晶顯示器件的工藝順序不必特別限定，粘貼相對基片作為支撐體。注入液晶之后，將基片剝離并粘貼在塑料基片上作為傳送體，或形成像素電極之后，剝離基片，粘貼塑料基片作為第一傳送體之后，粘貼相對基片作為第二傳送體。
此外，制備由具有OLED的發(fā)光器件代表的發(fā)光器件時，優(yōu)選支撐體制成密封介質(zhì)，發(fā)光元件完全由外部斷開，以防止促進有機化合物層退化的物質(zhì)例如水分、氧等從外部滲透。此外，制備由具有OLED的發(fā)光器件代表的發(fā)光器件時，優(yōu)選能夠充分地防止促進有機化合物層退化的物質(zhì)例如水分、氧等從外部滲透到支撐體內(nèi)和傳送體內(nèi)。此外，制備液晶顯示器件的工藝順序不必特別限定。形成發(fā)光元件之后，粘貼塑料基片作為支撐體，將基片剝離，并粘貼塑料基片作為傳送體，或形成發(fā)光元件之后，剝離基片，以及粘貼塑料基片作為第一傳送體之后，粘貼塑料基片作為第二傳送體。
實施例2對于本實施例，剝離掉基片同時通過提供與剝離層接觸的初始覆蓋絕緣層可以防止雜質(zhì)由氮化物層或金屬層以及基片擴散的剝離過程示意性地顯示在圖2中。在圖2A中，參考數(shù)字20表示基片，參考數(shù)字21表示氮化物層或金屬層，參考數(shù)字22表示氧化層，參考數(shù)字和字符23a和23b表示初始覆蓋絕緣層，參考數(shù)字24表示剝離層。
在圖2A中，對于基片20，可以使用玻璃基片、石英基片、陶瓷基片等。此外，也可以使用硅基片、金屬基片或不銹鋼基片。
首先，如圖1A所示，氮化物層或金屬層21形成在基片20上。對于氮化物層或金屬層21，代表性的例子如下選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，或由主要成分為以上元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或它們的疊層，或這些氮化物組成的單層，例如氮化鈦、氮化鎢、氮化鉭、氮化鉬或它們的疊層。這些都可以使用。隨后，氧化層22形成在氮化物層或金屬層21上。對于氧化層22，代表性的例子可以使用氧化硅、氮氧化硅和金屬氧化物材料。對于氧化層22，可以使用膜形成法，例如濺射法、等離子體CVD法、涂敷法。
在本發(fā)明中，所述氧化層22的膜應力和氮化物層或金屬層21的膜應力制得相互不同很重要。各膜的厚度適當?shù)卦O置在1nm到1000nm的范圍內(nèi)，各膜的應力可以調(diào)節(jié)。此外，在圖2中，為了簡化工藝，示出了形成與基片20接觸的氮化物層或金屬層21的一個例子，通過在基片20和氮化物層或金屬層21之間提供絕緣層或金屬層可以增強基片10的粘附性。
隨后，通過等離子體CVD法在氧化層22上形成初始覆蓋絕緣層23a和23b。這里，通過等離子體CVD法在400℃的膜形成溫度下形成厚度50nm由原材料氣體SiH4、NH3和N2O制備的氮氧化硅23a(組分比Si＝32％，O＝27％，N＝24％和H＝17％)，接著，通過等離子體CVD法在400℃的膜形成溫度下疊置形成100nm厚由原材料氣體SiH4、NH3和N2O制備的氮氧化硅23b(組分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)。但不必特別限定，可以使用單層或具有三層或更多層的疊層。隨后，剝離層24形成在初始覆蓋絕緣層23b上(圖2A)。
以此方式，當制備兩層初始覆蓋絕緣層23a和23b時，在形成剝離層24的工藝中，可以防止雜質(zhì)由氮化物層或金屬層和基片20擴散。此外，利用初始覆蓋絕緣層23a和23b可以增強氧化層22和剝離層24之間的粘附性。
此外，由于氮化物層或金屬層21和氧化層22，在表面上形成有凹陷和凸起，因此形成初始覆蓋絕緣層之前和之后應平坦化表面。平坦化時，剝離層上的覆蓋變得更好，當形成含有元件24的剝離層24時，由于元件的特性變得容易穩(wěn)定，因此優(yōu)選。應該注意對于平坦化處理，可以使用形成涂敷膜(抗蝕劑或類似物)之后進行腐蝕等的深腐蝕法、化學機械拋光法(CMP法)等。
隨后，通過物理方式拽掉其上提供有氮化物層或金屬層21的基片20(圖2B)。由于氧化層22的膜應力和氮化物層或金屬層21的膜應力不同，因此可以較小的力拽掉。此外，雖然這里示出了假設剝離層24有足夠機械強度的一個例子，當剝離層24的機械強度不夠時，優(yōu)選粘貼固定剝離層24的支撐體(未顯示)之后進行剝離。
以此方式，形成在初始覆蓋絕緣層22上的剝離層24可以與基片20分離。剝離之后的狀態(tài)顯示在圖2C中。
然而，剝離之后，拽掉的剝離層24粘貼在傳送體(未顯示)上。
此外，本發(fā)明適用于多種半導體器件的制備方法。特別是，使用塑料基片作為傳送體和支撐體可以制得很輕。當制備液晶顯示器件時，支撐體作為相對基片，利用密封介質(zhì)作為粘結(jié)部件將支撐體粘貼到剝離層。此時，提供在剝離層上的元件具有像素電極，將液晶材料封在相關(guān)的像素電極和以上相對的基片之間。此外，制備液晶顯示器件的工藝順序不必特別限定，粘貼相對基片作為支撐體。注入液晶之后，將基片剝離并粘貼在塑料基片上作為傳送體，或形成像素電極之后，剝離基片，粘貼塑料基片作為第一傳送體之后，粘貼相對基片作為第二傳送體。此外，制備由具有OLED的發(fā)光器件代表的發(fā)光器件時，優(yōu)選支撐體制成密封介質(zhì)，發(fā)光元件完全由外部斷開，以防止促進有機化合物層退化的物質(zhì)例如水分、氧等從外部滲透。此外，制備由具有OLBD的發(fā)光器件代表的發(fā)光器件時，優(yōu)選能夠充分地防止促進有機化合物層退化的物質(zhì)例如水分、氧等從外部滲透到支撐體內(nèi)和傳送體內(nèi)。此外，制備液晶顯示器件的工藝順序不必特別限定。形成發(fā)光元件之后，粘貼塑料基片作為支撐體，將基片剝離，并粘貼塑料基片作為傳送體，或形成發(fā)光元件之后，剝離基片，以及粘貼塑料基片作為第一傳送體之后，粘貼塑料基片作為第二傳送體。
實施例3在本實施例中，除了實施例1，進行激光束照射或熱處理以促進剝離的一個例子顯示在圖4中。
在圖4A中，參考數(shù)字40表示基片，參考數(shù)字41表示氮化物層或金屬層，參考數(shù)字42表示氧化層，參考數(shù)字43表示剝離層。
由于形成它直到制備剝離層的步驟都與實施例1相同，因此省略了介紹。
形成剝離層之后，進行激光束照射(圖3A)。對于激光束，可以使用例如準分子激光器等的氣體激光器，例如YVO4激光器、YAG激光器等的固態(tài)激光器，以及半導體激光器。此外，激光的形式可以是連續(xù)振蕩或脈沖振蕩，激光束的形狀可以是直線、矩形、圓形或橢圓形中的任何一種。此外，使用的波長可以是基波、二次諧波或三次諧波。
此外，希望氮化物層或金屬層41使用的材料為容易吸收激光束的材料，優(yōu)選氮化鈦。應該注意為了使激光束穿過，使用具有透明度的基片作為基片40。
隨后，通過物理方式拽掉其上提供有氮化物層或金屬層41的基片40(圖4B)。由于氧化層42的膜應力和氮化物層或金屬層41的膜應力不同，因此可以較小的力拽掉。
通過激光束照射和加熱氮化物層或金屬層41和氧化層42之間的界面，膜應力可以相互改變并且可以促進剝離，可以用較小的力進行剝離。此外，雖然這里示出了假設剝離層43有足夠機械強度的一個例子，當剝離層43的機械強度不夠時，優(yōu)選粘貼固定剝離層43的支撐體(未顯示)之后進行剝離。
以此方式，形成在氧化層42上的剝離層24可以與基片40分離。剝離之后的狀態(tài)顯示在圖4C中。
此外，不限于激光束，可以使用例如鹵素燈等的光源發(fā)出的可見光、紅外線、紫外線、微波等。
此外，代替激光束，可以在電爐中進行熱處理。
此外，粘貼支撐體之前，或通過以上物理方式剝離之前，進行熱處理或激光束照射。
此外，本實施例可以與實施例2結(jié)合。
實施例4在本實施例中，除了實施例1，在氮化物層或金屬層和氧化層之間的界面上提供顆粒形氧化物以促進剝離的一個例子顯示在圖5中。
在圖5A中，參考數(shù)字50表示基片，參考數(shù)字51表示氮化物層或金屬層，參考數(shù)字52a表示顆粒形氧化層，參考數(shù)字52b表示氧化層，參考數(shù)字53表示剝離層。
由于形成它直到形成氮化物層或金屬層51的步驟都與實施例1相同，因此省略了介紹。
形成氮化物層或金屬層51之后，形成顆粒形氧化層52a。對于顆粒形氧化層52a，可以使用金屬氧化物材料，例如ITO(氧化銦-氧化錫合金)、氧化銦-氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等。
隨后，形成氧化層52b覆蓋顆粒形氧化層52a。對于氧化層52b，一個代表性的例子可以使用氧化硅、氮氧化硅和金屬氧化物材料。應該指出例如濺射法、等離子體CVD法、涂敷法等的任何膜形成法可以應用到氧化層52b。
隨后，在氧化層52b上形成剝離層(圖5A)。
隨后，用物理方式拽掉提供在氮化物層或金屬層51上的基片50(圖5B)。由于氧化層52的膜應力和氮化物層或金屬層51的膜應力不同，用較小的力就可以拽開它們。
氮化物層或金屬層51和氧化層52之間的結(jié)合力很弱，因此相互之間的粘附力可以改變，通過提供顆粒形氧化層52a可以促進剝離，可以用較小的力進行剝離。此外，雖然這里示出了假設剝離層53有足夠機械強度的一個例子，當剝離層53的機械強度不夠時，優(yōu)選粘貼固定剝離層53的支撐體(未顯示)之后進行剝離。
以此方式，形成在氧化層52b上的剝離層53可以與基片50分離。剝離之后的狀態(tài)顯示在圖5C中。
此外，本實施例可以與實施例2或3結(jié)合。
下面參考實例詳細地介紹包括以上介紹的各構(gòu)成的本發(fā)明。
實例例1下面參考圖6到8介紹本發(fā)明的各例。這里，下面詳細地介紹提供在像素部分(n溝道型TFT和p溝道型TFT)的周邊上提供像素部分和驅(qū)動電路的TFT同時制備在相同基片上的方法。
首先，氮化物層或金屬層101、氧化層12和初始覆蓋絕緣膜103形成在基片100上，得到具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體膜之后，通過需要形狀的腐蝕處理形成島形隔離的半導體層104-108。
對于基片100，可以使用剝離基片(#1737)。
此外，對于金屬層101，可以使用選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為以上元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或它們的的疊層。更優(yōu)選，可以使用這些氮化物組成的單層，例如，氮化鈦、氮化鎢、氮化鉭、氮化鉬或它們的疊層。這里，通過濺射法使用膜厚度100nm的氮化鈦膜。
此外，對于氧化層102，可以使用氧化硅材料或金屬氧化物材料組成的單層，或它們的疊層。這里，使用濺射法形成200nm膜厚的氧化硅膜。在熱處理中，金屬層101和氧化層102之間的結(jié)合力很強，不會發(fā)生膜剝離(也僅稱為“剝離”)等。然而，通過物理方式在氧化層內(nèi)或界面上容易剝離。
隨后，對于初始覆蓋絕緣層，通過等離子體CVD法在400℃的膜形成溫度下形成厚度50nm由原材料氣體SiH4、NH3和N2O制備的氮氧化硅103a(組分比Si＝32％，O＝27％，N＝24％和H＝17％)。隨后，用臭氧水清洗表面之后，用氫氟酸(1∶100稀釋)除去氧化膜的表面。之后，通過等離子體CVD法在400℃的膜形成溫度下疊置形成100nm厚(優(yōu)選，50-200nm)由原材料氣體SiH4和N2O制備的氮氧化硅103b(組分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)，此外，通過等離子體CVD法在300℃的膜形成溫度下不釋放空氣形成厚度54nm(優(yōu)選，25-80nm)具有非晶結(jié)構(gòu)的半導體層(這里為非晶硅層)。
在本例中，雖然初始覆蓋絕緣層103顯示為兩層結(jié)構(gòu)，但也可以形成以上絕緣膜的單層膜或疊置兩層以上的膜結(jié)構(gòu)。此外，對于半導體膜的材料沒有限制，但優(yōu)選，通過公知的方式(濺射法、LPCVD法、等離子體CVD法等)使用硅或硅鍺(SixGe1-x(X＝0.0001-0.02))合金等形成。此外，等離子體CVD裝置可以是薄片型或分批型裝置。此外，初始覆蓋絕緣膜和半導體膜可以在相同的膜形成室中不接觸空氣地連續(xù)地形成。
隨后，清洗具有非晶結(jié)構(gòu)的半導體膜表面之后，在表面上用臭氧水形成厚度約2nm極薄的氧化膜。接著，為了控制TFT的閾值，摻雜微量的雜質(zhì)元素(硼或磷)。利用進行等離子體激活的離子摻雜法，在15kV的加速電壓，30sccm的氣體流速，乙硼烷用氫稀釋為1％，2×1012/cm2的劑量，同時不大量(mass)分離乙硼烷(B2H6)的摻雜條件下，將硼添加到非晶硅膜。
隨后，用旋轉(zhuǎn)器涂敷當轉(zhuǎn)換為重量時含10ppm鎳的鎳催化劑溶液?？梢允褂脼R射法代替涂敷將鎳元素分布在整個表面的方法。
接著，通過熱處理和晶化形成具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體膜。對于所述熱處理，可以使用電爐或強光照射的熱處理。當通過利用電爐形成熱處理時，可以在500℃-650℃進行4-24小時。這里，進行脫氫作用的熱處理(500℃，1小時)之后，通過進行用于晶化的熱處理得到具有晶體結(jié)構(gòu)的硅膜。應該注意雖然這里使用通過電爐的熱處理進行晶化，然而，也可以通過燈退火裝置進行晶化。
應該注意這里使用鎳作為促進硅晶化的金屬元素的晶化技術(shù)。然而，也可以使用其它公知的晶化技術(shù)，例如，固相晶化法或激光晶化法。
之后，通過稀釋的氫氟酸燈除去具有晶體結(jié)構(gòu)的硅膜表面的氧化膜之后，在空氣或在氧氣氛中進行第一激光束(XeCl波長308nm)的照射以增強晶化率并修復保留在晶粒內(nèi)的缺陷。對于激光束，使用波長400nm以下的準分子激光束、YAG激光的二次諧波或三次諧波?？傊褂镁哂屑s10-1000Hz重復頻率的脈沖激光束，相應的激光束通過光學系統(tǒng)聚集在100-500mJ/cm2，用90-95％的重合度照射，用它掃描硅膜表面。這里，在空氣中30Hz的重復頻率、393mJ/cm2的能量密度進行第一激光束的照射。應該指出由于在空氣中或在氧氣氛中進行，通過第一激光束的照射，氧化膜形成在表面上。
隨后，用稀釋的氫氟酸除去第一激光束照射形成的氧化膜之后，在氮氣氛或真空中進行第二激光束的照射，由此平坦化半導體膜的表面。對于所述激光束(第二激光束)，使用波長400nm以下的準分子激光束、YAG激光的二次諧波或三次諧波。第二激光束的能量密度大于第一激光束的能量密度，優(yōu)選，大30-60mJ/cm2。這里，在30Hz的重復頻率、453mJ/cm2的能量密度進行第一激光束的照射，半導體膜表面中的凹陷和凸起的P-V值(峰到谷，最大值到最小值之間的差異)為50nm以下。通過AFM(原子力顯微鏡)得到所述p-V值。
此外，在本例中，在整個表面上進行第二激光束的照射。然而，由于OFF狀態(tài)電流減小對TFT的像素部分影響很大，進行選擇性地僅照射至少像素部分的步驟。
隨后，通過用臭氧水處理表面120秒形成總厚度1-5nm氧化膜組成的阻擋層。
接著，通過濺射法在阻擋層上形成膜厚150nm含有氬元素作為吸氣地點的非晶硅膜。本例濺射法的膜形成條件為0.3Pa的膜形成壓力、50(sccm)的氣體(Ar)體積流量、3kW的膜形成功率和150℃的襯底溫度。應該注意在以上介紹的條件下非晶硅膜中含有的氬元素的原子百分數(shù)在3×1020/cm3到6×1020/cm3的范圍內(nèi)，氧的原子百分數(shù)在1×1019/cm3到3×1019/cm3的范圍內(nèi)。然后，使用燈退火裝置進行650℃3分鐘的熱處理進行吸氣。
之后，阻擋層制成腐蝕終止層之后，選擇性地除去含有氬元素作為吸氣地點的非晶硅膜，用稀釋的氫氟酸選擇性地除去阻擋層。應該注意由于吸氣時，鎳容易移動到較高氧密度區(qū)域中內(nèi)，因此希望吸氣之后除去由氧化膜組成的阻擋層。
接下來，薄氧化膜用臭氧水形成在具有已得到的晶體結(jié)構(gòu)的硅膜(也稱做“多晶硅膜)表面上之后，形成由抗蝕劑組成的掩模，通過腐蝕工藝將隔離為島形半導體層104-108形成需要的形狀。形成半導體層之后，除去由抗蝕劑組成的掩模。
此后，通過含氫氟酸的腐蝕劑除去氧化膜，同時，清洗硅膜表面，形成主要成分為硅并且將為柵絕緣膜109的絕緣膜。在本例中，通過等離子體CVD法形成厚度115nm的氮氧化硅膜(組分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)。
接著，如圖6A所示，具有20-100nm膜厚的第一導電膜110a和具有100-400nm膜厚的第二導電膜110b疊置地形成在柵絕緣膜109上。在本例中，膜厚度50nm的氮化鈦膜和膜厚度370nm的鎢膜進而疊置在柵絕緣膜109上。
對于形成第一導電膜和第二導電膜的導電材料，使用選自Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu或主要成分為以上元素的的合金材料或化合物材料。此外，對于第一導電膜和第二導電膜，可以使用由摻雜磷等雜質(zhì)元素的多晶硅膜表示的半導體膜，以及Ag、Pd、Cu合金。此外，不限于兩層結(jié)構(gòu)。例如，可以是三層結(jié)構(gòu)，其中依次疊置50nm膜厚的鎢膜、500nm膜厚的鋁-硅(Al-Si)合金，以及膜厚30nm的氮化鈦膜。此外，對于三層結(jié)構(gòu)，代替鎢的第一導電膜，可以使用氮化鎢，代替鋁-硅(Al-Si)合金的第二導電膜，可以使用鋁-硅(Al-Ti)合金膜，或代替氮化鈦膜的第三導電膜，使用鈦膜。此外，可以是單層結(jié)構(gòu)。
接下來，如圖6B所示，通過曝光步驟形成由抗蝕劑組成的掩模112-117，進行形成柵電極和布線的第一腐蝕處理。在第一和第二腐蝕條件下進行第一腐蝕處理。對于腐蝕，可以使用ICP(感應耦合等離子體)腐蝕法。通過適當?shù)卣{(diào)節(jié)腐蝕條件(施加到線圈型電極的電能、施加到基片一側(cè)電極的電能、基片一側(cè)電極的溫度等)將膜腐蝕成需要的錐形。應該注意對于腐蝕氣體，可以適當?shù)厥褂糜蒀l2、BCl3、SiCl4、CCl4等代表的氯基氣體、由CF4、SF6、NF3等代表的氟基氣體或O2。
在本例中，對基片一側(cè)(樣品臺)，接通150W的RF(13.56MHz)電源，施加足夠的負自偏置電壓。應該注意基片一側(cè)電極面積的尺寸為12.5cm×12.5cm，線圈型電極(這里為其上提供線圈的石英圓盤)面積的尺寸為直徑為25cm的圓盤面積。通過在第一腐蝕條件下腐蝕W膜將第一導電層的端部制成錐形。第一腐蝕條件下對W的腐蝕速率為200.39nm/min，對TaN的腐蝕速率為80.32nm/min，W對TaN的選擇率約2.5。此外，W的錐角約26°。然后，不除去由抗蝕劑組成的掩模112-117改變第二腐蝕條件，使用CF4和Cl2作為腐蝕氣體，氣體的體積流量各比例制成30/30(sccm)，在1Pa壓力下將線圈型電極接通500W的RF(13.56MHz)電源，產(chǎn)生等離子體并進行約30秒的腐蝕，將電極一側(cè)(樣品臺)也接通20W的RF(13.56MHz)電源，并施加足夠的負自偏置電壓。第二腐蝕條件下對W的腐蝕速率為58.97nm/min，對TaN的腐蝕速率為66.34nm/min。應該注意為了腐蝕同時在柵絕緣膜上沒有剩余的殘留物，以約10-20％的比例增加腐蝕時間。通過適當?shù)卣{(diào)節(jié)由抗蝕劑組成的掩模由于施加到基片上的負偏壓的影響，在以上介紹的第一腐蝕處理中，第一導電層的部分和第二導電層變?yōu)殄F形。該錐形部分的角度在15到45°的范圍內(nèi)。
以此方式，通過第一腐蝕處理形成由第一導電層和第二導電層(第一導電層119a-124a和第二導電層119b-124b)組成的第一形狀的導電層119-123。腐蝕將成為柵絕緣膜的絕緣膜109約10-20nm，變成柵絕緣膜118，其中沒有被第一形狀的導電層119-123覆蓋的區(qū)域制得較薄。
隨后，進行第二腐蝕處理同時不除去由抗蝕劑組成的掩模。這里，使用SF6、Cl2和O2作為腐蝕氣體，使氣體的體積流量各比例制成24/12/24(sccm)，將線圈型電極接通700W的RF(13.56MHz)電源，產(chǎn)生1.3Pa壓力的等離子體。將電極一側(cè)(樣品臺)也接通10W的RF(13.56MHz)電源，并施加足夠的負自偏置電壓。第二腐蝕條件下對W的腐蝕速率為227.3nm/min，對TaN的腐蝕速率為32.1nm/min，W對TaN的選擇率7.1，對為絕緣膜118的SiON腐蝕速率為33.7nm/min，W對SiON的選擇率6.83。以此方式，當SF6用做腐蝕氣體時，由于對絕緣膜118的選擇率很高，因此可以抑制膜減少。在本例中，在絕緣膜118中，僅發(fā)生約8nm的膜減少。通過第二腐蝕處理，錐角變成70°。通過第二腐蝕處理形成第二導電層126b-131b。另一方面，幾乎不腐蝕第一導電層，變?yōu)榈谝粚щ妼?26a-131a。應該注意第一導電層126a-131a的尺寸幾乎與第一導電層119a-124ad相同。實際上，雖然有時與第二次腐蝕之前相比第一導電層的寬度減少約0.3μm，即，整個線寬減少約0.6μm，尺寸上幾乎沒有變化。
此外，代替兩層結(jié)構(gòu)，使用三層結(jié)構(gòu)，其中膜厚50nm的鎢膜、膜厚500nm的膜厚的鋁-硅(Al-Si)合金，以及氮化鈦膜依次疊置，對于第一腐蝕處理的第一腐蝕條件，利用BCl3、Cl2和O2作為原材料氣體，使氣體的體積流量各比例制成65/10/5(sccm)，將襯底一側(cè)(樣品臺)接通300W的RF(13.56MHz)電源，在1.2Pa壓力下將線圈型電極接通450W的RF(13.56MHz)電源，產(chǎn)生等離子體，對于第一腐蝕處理的第二腐蝕條件，利用CF4、Cl2和O2作為原材料氣體，使氣體的體積流量各比例制成25/25/10(sccm)，將襯底一側(cè)(樣品臺)接通20W的RF(13.56MHz)電源，在1Pa壓力下將線圈型電極接通500W的RF(13.56MHz)電源，產(chǎn)生等離子體進行約30秒的腐蝕，對于第二腐蝕處理，利用BCl3和Cl2作為原材料氣體，使氣體的體積流量各比例制成20/60(sccm)，將襯底一側(cè)(樣品臺)接通100W的RF(13.56MHz)電源，在1.2Pa壓力下將線圈型電極接通600W的RF(13.56MHz)電源，產(chǎn)生等離子體進行腐蝕。
隨后，除去由抗蝕劑組成的掩模，進行第一摻雜處理得到圖6D的狀態(tài)。通過離子摻雜法和離子注入法進行摻雜處理。離子摻雜法的條件為1.5×1014atom/cm2，60-100keV的加速電壓，在這些條件下進行。對于賦予n型的雜質(zhì)元素，通常使用磷(P)或砷(As)。此時，針對賦予n型的雜質(zhì)元素掩蔽第一導電層和第二導電層126-130，以自對準方式形成第一雜質(zhì)區(qū)132-136。在1×1016到1×1017/cm3的密度范圍內(nèi)添加賦予n型的雜質(zhì)元素。這里，具有與第一雜質(zhì)區(qū)域相同密度的區(qū)域也稱做n-區(qū)。應該注意在本例中，除去由抗蝕劑組成的掩模之后，進行第一摻雜處理。然而，也可以不除去由抗蝕劑組成的掩模進行第一摻雜處理。
接著，如圖7A所示，形成由抗蝕劑組成的掩模137-139，進行第二摻雜處理。掩模137為保護形成p溝道型TFT的驅(qū)動電路和它的周邊區(qū)的半導體層的溝道形成區(qū)的掩模，掩模138為保護形成n溝道型TFT的驅(qū)動電路之一的半導體層的溝道形成區(qū)的掩模，掩模139為保護形成TFT的像素部分和它的周邊區(qū)以及用于保持容量(retentionvolume)的半導體層的溝道形成區(qū)的掩模。
在第二摻雜處理中離子摻雜的條件為劑量1.5×1014atom/cm2，60-100keV的加速電壓，在這些條件下?lián)搅?P)。這里，通過利用第二導電層126b-128b作為掩模，以自對準方式在各半導體層上形成雜質(zhì)區(qū)。不必說，用掩模137-139覆蓋的區(qū)域不添加雜質(zhì)。由此，形成第二雜質(zhì)區(qū)140-142和第三雜質(zhì)區(qū)144。在1×1020到1×1021/cm3的密度范圍內(nèi)將賦予n型的雜質(zhì)元素添加到第二雜質(zhì)區(qū)140-142。這里，與第一雜質(zhì)區(qū)域具有相同密度的區(qū)域也稱做n+區(qū)。
此外，由第一導電層以低于第二雜質(zhì)區(qū)的密度形成第三雜質(zhì)區(qū)，在1×1018到1×1019/cm3的密度范圍內(nèi)添加賦予n型的雜質(zhì)元素。應該注意對于第三雜質(zhì)區(qū)，由于使雜質(zhì)穿過部分第一導電層并進行摻雜進行摻雜，因此它具有雜質(zhì)密度朝錐形部分的端部雜質(zhì)密度增加的密度梯度。這里，與第一雜質(zhì)區(qū)域具有相同密度的區(qū)域也稱做n-區(qū)。此外，雜質(zhì)元素沒有添加到通過第二摻雜處理由掩模138和139覆蓋的區(qū)域。因此，這些區(qū)域變成第一雜質(zhì)區(qū)145和146。
接著，除去由抗蝕劑組成的掩模137-139，新形成由抗蝕劑組成的掩模148-150，如圖7B所示，進行第三摻雜處理。
在驅(qū)動電路中，通過以上介紹的第三摻雜處理形成第四雜質(zhì)區(qū)151，152和第五雜質(zhì)區(qū)153，154，其中將賦予p導電類型的雜質(zhì)元素添加到形成p溝道型TFT和形成保持容量的半導體層。
然而，賦予p導電類型的雜質(zhì)元素1×1020到1×1021/cm3的密度范圍添加到第四雜質(zhì)區(qū)151，152。應該注意第四雜質(zhì)區(qū)151，152為在前面步驟中已添加磷(P)的區(qū)域(n-區(qū))，但添加1.5到3合并(fold)密度的賦予p型的雜質(zhì)元素。這里，與第四雜質(zhì)區(qū)域具有相同密度的區(qū)域也稱做p+區(qū)。
此外，在與第二導電層127a的錐形部分重疊的區(qū)域上形成第五雜質(zhì)區(qū)153，154。在1×1018到1×1020/cm3的密度范圍內(nèi)添加賦予n型的雜質(zhì)元素。這里，與第五雜質(zhì)區(qū)域具有相同密度的區(qū)域也稱做p區(qū)。
到以上介紹的步驟，具有n型或p型導電類型的雜質(zhì)區(qū)形成在各半導體層上。導電層126-129變?yōu)門FT的柵電極。此外，導電層變?yōu)橄袼夭糠种行纬杀３秩萘康碾姌O之一。此外，導電層131形成像素部分中的源布線。
隨后，形成覆蓋幾乎整個表面的絕緣膜(未示出)。在本例中，通過等離子體CVD法形成50nm膜厚的氧化硅膜。不必說，該絕緣膜不限于氧化硅膜，也可以使用其它含硅絕緣膜做為單層或疊層結(jié)構(gòu)。
接著，進行激活處理添加到各半導體層的雜質(zhì)元素的步驟。通過使用燈光源的快速熱退火方法(RTA法)、或從背面照射YAG激光或準分子激光的方法、或這些方法的組合的方法進行該激活步驟。
此外，在本例中，雖然示出了以上介紹的激活之前形成絕緣膜的例子，但也可以在以上介紹的激活之后進行該步驟。
接下來，形成由氮化硅組成的第一層間絕緣膜155，進行熱處理(在300-550℃進行1-12小時的熱處理)，以及氫化半導體層的步驟(圖7C)。該步驟為通過含在第一層間絕緣膜155中的氫終止半導體層的懸空鍵。無論是否存在由氧化硅組成的絕緣膜(未示出)，都可以氫化半導體層。然而，由于在本例中，主要成分為鋁的材料用做第二導電層，因此熱處理條件很重要，以便第二導電層能夠承受氫化步驟。對于其它的氫化方法，可以進行等離子體氫化(使用等離子體激活氫)。
隨后，在第一層間絕緣膜155上形成由有機絕緣材料組成的第二層間絕緣膜156。在本例中，形成膜厚1.6μm的丙烯樹脂膜。接著，形成到達源布線131的接觸孔、到達導電層129，130的接觸孔以及到達各雜質(zhì)區(qū)的接觸孔。在本例中，依次進行幾個腐蝕工藝。在本例中，利用第一層間絕緣膜作為腐蝕終止層腐蝕第二層間絕緣膜之后，利用絕緣膜(未示出)腐蝕第一層間絕緣膜之后腐蝕絕緣膜(未示出)。然后，然后使用Al、Ti、Mo、W等形成布線和像素電極。對于電極和像素電極的這些材料，優(yōu)選主要成分為Al或Ag的膜或反射性優(yōu)良的材料例如它們的疊層等。由此，形成源電極或漏電極157-162、柵極布線164、連接布線163和像素電極165。
如上所述，可以在相同的基片上形成具有n溝道型TFT210、p溝道型TFT202和n溝道型TFT203的驅(qū)動電路206、具有由n溝道型TFT和保持容量205組成的像素TFT204的像素部分207(圖8)。在本說明書中，為方便起見，這種基片稱做有源矩陣基片。
在像素部分207上，像素TFT204(n溝道型TFT)具有溝道形成區(qū)169、在形成柵電極的導電層129的外部形成的第一雜質(zhì)區(qū)(n-區(qū))147，以及起源區(qū)或漏區(qū)作用的第二雜質(zhì)區(qū)(n+區(qū))142，171。此外，第四雜質(zhì)區(qū)152、第五雜質(zhì)區(qū)154形成在半導體層上作為保持容量205的一個電極。利用絕緣膜(與柵絕緣膜相同的膜)作為介質(zhì)由第二電極130和半導體層152、154和170形成保持容量205。
此外，在驅(qū)動電路206中，n溝道型TFT201(第一n溝道型TFT)具有溝道形成區(qū)166、借助絕緣膜與形成柵電極的導電層126的一部分重疊的第三雜質(zhì)區(qū)(n區(qū))144，以及作為源區(qū)或漏區(qū)的第二雜質(zhì)區(qū)(n+區(qū))140。
此外，在驅(qū)動電路206中，p溝道型TFT202具有溝道形成區(qū)167、借助絕緣膜與形成柵電極的導電層127的一部分重疊的第五雜質(zhì)區(qū)(p區(qū))153，以及作為源區(qū)或漏區(qū)的第四雜質(zhì)區(qū)(p+區(qū))151。
此外，在驅(qū)動電路206中，n溝道型TFT203(第一n溝道型TFT)具有溝道形成區(qū)168、在形成柵電極的導電層128的外部形成的第一雜質(zhì)區(qū)(n-區(qū))146，以及作為源區(qū)或漏區(qū)的第二雜質(zhì)區(qū)(n+區(qū))141。
通過適當?shù)亟M合這些TFT201-203，形成移位寄存器電路、緩沖電路、電平移動電路、鎖存電路等，并且可以形成驅(qū)動電路206。例如，通過互補地連接n溝道型TFT201和p溝道型TFT202形成CMOS電路。特別是，對于驅(qū)動電壓高的緩沖電路，為了防止由于熱載流子效應造成的退化，n溝道型TFT203的結(jié)構(gòu)很適合。
此外，對于可靠性被認為是頭等重要的電路，為GOLD結(jié)構(gòu)的n溝道型TFT 201的結(jié)構(gòu)很適合。
此外，由于通過提高半導體膜的表面平坦度可以增強可靠性，因此在具有GOLD結(jié)構(gòu)的TFT中，通過減少借助柵絕緣膜與柵電極重疊的雜質(zhì)區(qū)面積也可以獲得足夠的可靠性。
具體地，在具有GOLD結(jié)構(gòu)的TFT中，通過減少為柵電極錐形部分的尺寸可以獲得足夠的可靠性，當柵絕緣膜較薄時，寄生電容增加。然而，柵電極(第一導電層)錐形部分的尺寸較小，寄生電容減少，f特性(頻率特性)也增強，進而可以高速操作，TFT得到足夠的可靠性。
應該注意同樣在像素部分207的像素TFT中，通過第二激光束的照射可以實現(xiàn)OFF態(tài)電流減少和變化減少。
此外，在本例中，顯示了制備形成反射型顯示器件的有源矩陣基片的例子，但當通過透明導電膜形成像素電極時，雖然光掩模的數(shù)量增加一片，但可以形成透明型顯示器件。
此外，在本例中，使用玻璃基片，但不必特別限定?？梢允褂檬⒒?、半導體基片、陶瓷基片和金屬基片。
此外，得到圖8的狀態(tài)之后，如果提供在氧化層102上含TFT的層(剝離層)具有足夠的機械強度，那么基片100可以拽掉。在本例中，由于剝離層的機械強度不夠，因此優(yōu)選粘貼固定剝離層的支撐體(未示出)之后，剝離掉剝離層。
例2在本例中，通過從例1中制備的有源矩陣基片上剝離掉基片100制備有源矩陣型液晶顯示器件，并如下面將介紹的用塑料基片粘貼它。用圖9介紹。
在圖9A中，參考數(shù)字400表示基片，參考數(shù)字401表示氮化物層或金屬層，參考數(shù)字402表示氧化層，參考數(shù)字和字符403表示初始覆蓋絕緣層，參考數(shù)字404a表示驅(qū)動電路413的元件，參考數(shù)字404b表示像素部分414的元件404b，參考數(shù)字405表示像素電極。這里術(shù)語“元件”是指有源矩陣型液晶顯示器件中像素的開關(guān)元件使用的半導體元件(通常為TFT)或MIM元件。圖9A中所示的有源矩陣基片為簡化的圖8所示有源矩陣基片，圖8中的基片100對應于圖9A中的基片400。類似地，圖9A中的參考數(shù)字401對應于圖8中的參考數(shù)字101，圖9A中的參考數(shù)字402對應于圖8中的參考數(shù)字102，圖9A中的參考數(shù)字403對應于圖8中的參考數(shù)字103，圖9A中的參考數(shù)字404a對應于圖8中的參考數(shù)字201和202，圖9A中的參考數(shù)字404b對應于圖8中的參考數(shù)字204，圖9A中的參考數(shù)字405b分別對應于圖8中的參考數(shù)字165。
首先，根據(jù)例1，得到圖8狀態(tài)的有源矩陣基片之后，在圖8的有源矩陣基片上形成取向膜406a，進行摩擦處理。應該注意在本例中，形成取向膜之前，通過構(gòu)圖例如丙烯樹脂等有機樹脂膜在需要的位置形成保持基片間隔的柱形(未示出)的間隔層。此外，代替柱形隔離層，也可以在基片的整個表面上分布球形間隔層。
隨后，制備將成為支撐體407的相對基片。在該相對基片上提供有根據(jù)各像素設置彩色層和輻射屏蔽層的濾色片(未示出)。此外，輻射屏蔽層提供在部分驅(qū)動電路上。提供覆蓋所述彩色層和輻射屏蔽層的平坦化膜(未示出)。接著，由透明導電膜組成的相對電極408形成在像素部分中的平坦化膜上，取向膜406b形成在相對基片的整個表面上，進行摩擦處理。
然后，形成有像素部分和驅(qū)動電路的有源矩陣基片400和支撐體407用將成為粘結(jié)層409的密封介質(zhì)粘貼在一起。在密封介質(zhì)內(nèi)，混入填料，借助所述填料和柱形間隔層，兩片基片一均勻的間隔粘貼在一起。然后，在基片之間，注入液晶材料410并用密封劑(未示出)完全密封(圖9B)。
之后，通過物理方式拽掉已提供有氮化物層或金屬層401的基片400(圖9C)。由于氧化層402的膜應力和氮化物層或金屬層401的膜應力不同，因此用較小的力就可以拽開它們。
接著，用由環(huán)氧樹脂或類似物組成的粘結(jié)層411將它粘貼在傳送體412上。在本例中，通過使用塑料膜基片作為傳送體412可以將它制得較輕。
以此方式，完成了柔性矩陣型液晶顯示器件。然后，如果需要，將柔性基片412切割成需要的形狀。此外，使用公知的技術(shù)適當?shù)靥峁O化板(未示出)或類似物。之后，使用公知的技術(shù)粘貼FPC(未示出)。
例3在例2中，示出了粘貼作為支撐體的相對基片和注入液晶之后，剝離基片并粘貼塑料基片作為傳送體的一個例子。然而，在本例中，介紹形成圖8所示的有源矩陣基片之后，剝離基片，塑料基片作為第一傳送體以及塑料基片作為第二傳送體粘貼在一起的例子。使用圖10進行介紹。
在圖10A中，參考數(shù)字500表示基片，參考數(shù)字501表示氮化物層或金屬層，參考數(shù)字502表示氧化層，參考數(shù)字和字符503表示初始覆蓋絕緣層，參考數(shù)字504a表示驅(qū)動電路514的元件，參考數(shù)字504b表示像素部分515的元件{504b？}，參考數(shù)字505表示像素電極。圖10A中所示的有源矩陣基片為簡化的圖8所示有源矩陣基片，圖8中的基片100對應于圖9A中的基片500。類似地，圖10A中的參考數(shù)字501對應于圖8中的參考數(shù)字101，圖10A中的參考數(shù)字402對應于圖8中的參考數(shù)字102，圖10A中的參考數(shù)字503對應于圖8中的參考數(shù)字103，圖10A中的參考數(shù)字504a對應于圖8中的參考數(shù)字201和202，圖10A中的參考數(shù)字504b對應于圖8中的參考數(shù)字204，圖10A中的參考數(shù)字505b分別對應于圖8中的參考數(shù)字165。
首先，根據(jù)例1，得到圖8狀態(tài)的有源矩陣基片之后，通過物理方式拽掉已提供有氮化物層或金屬層501的基片500(圖10B)。由于氧化層502的膜應力和氮化物層或金屬層501的膜應力不同，因此用較小的力就可以拽開它們。
接著，用由環(huán)氧樹脂或類似物組成的粘結(jié)層506將它粘貼在傳送體507(第一傳送體)上。在本例中，通過使用塑料膜基片作為傳送體507可以將它制得較輕(圖10C)。
隨后，形成取向膜508并進行摩擦處理。應該注意在本例中，形成取向膜之前，通過構(gòu)圖例如丙烯樹脂等有機樹脂膜在需要的位置形成保持基片間隔的柱形(未示出)的間隔層。此外，代替柱形隔離層，也可以在基片的整個表面上分布球形間隔層。
隨后，制備將成為支撐體510(第二支撐體)的相對基片。在該相對基片上提供有根據(jù)各像素設置彩色層和輻射屏蔽層的濾色片(未示出)。此外，輻射屏蔽層提供在部分驅(qū)動電路上。提供覆蓋所述彩色層和輻射屏蔽層的平坦化膜(未示出)。接著，由透明導電膜組成的相對電極509形成在像素部分中的平坦化膜上，取向膜508b形成在相對基片的整個表面上，進行摩擦處理。
然后，形成有像素部分和驅(qū)動電路的塑料膜基片507和支撐體510用將成為粘結(jié)層512的密封介質(zhì)粘貼在一起(圖10D)。在密封介質(zhì)內(nèi)，混入填料，借助所述填料和柱形間隔層，兩片基片一均勻的間隔粘貼在一起。然后，在基片之間，注入液晶材料513并用密封劑(未示出)完全密封(圖10D)。對于液晶材料513，可以使用公知的液晶材料。
以此方式，完成了柔性矩陣型液晶顯示器件。然后，如果需要，將柔性基片412切割成需要的形狀。此外，使用公知的技術(shù)適當?shù)靥峁O化板(未示出)或類似物。之后，使用公知的技術(shù)粘貼FPC(未示出)。
例4參考圖11中的俯視圖介紹通過例2或例3得到的液晶組件的結(jié)構(gòu)。例2中的基片412或例3中的基片507對應于基片301。
像素部分304設置在基片301的中央。驅(qū)動源極信號線的源極信號線驅(qū)動電路302設置在像素部分304上。驅(qū)動柵極信號線的柵極信號線驅(qū)動電路303設置在像素部分304上的左邊和右邊。雖然在本例中柵極信號線驅(qū)動電路303相對于像素部分對稱，但是液晶組件中也可以僅有一個柵極信號線驅(qū)動電路設置在像素部分的一邊。對于以上兩種選擇，設計者可以根據(jù)液晶組件的基片尺寸等選擇更適合的布局。然而，就電路工作的可靠性、驅(qū)動效率等而言，優(yōu)選圖11所示的柵極信號線驅(qū)動電路的對陣布局。
信號由柔性印制電路板(FPC)305輸入到驅(qū)動電路。通過在層間絕緣膜和樹脂膜中開出接觸孔并形成連接電極309之后，壓入FPC305穿過各向異性導電膜等以到達設置在基片301給定位置的布線。在本例中連接布線由ITO形成。
沿環(huán)繞驅(qū)動電路和像素部分的基片周邊施加密封劑307。通過密封劑307相對基片粘接到基片301，同時預先在膜基片上形成間隔層，以保持兩個基片之間的距離不變。通過沒有被密封劑307覆蓋的基片區(qū)域注入液晶元件。然后通過密封材料308密封基片。通過以上步驟完成了液晶組件。
雖然在這里顯示的例子中在膜基片上形成了所有的驅(qū)動電路，但是一些IC也可以用做一些驅(qū)動電路。
該例可與例1結(jié)合。
例5例1示出了由反射金屬材料形成像素電極的反射性顯示器件的一個例子。在本例中顯示的是像素電極由透光導電膜形成的透光顯示器件的一個例子。
直到形成層間絕緣膜的步驟的制造工藝都與例1的工藝相同，因此在這里省略了介紹。根據(jù)例1形成層間絕緣膜之后，由透光導電膜形成像素電極601。透光導電膜的例子包括ITO(氧化銦錫合金)膜、氧化銦-氧化鋅合金(In2O3-ZnO)膜、氧化鋅(ZnO)等。
此后，在層間絕緣膜600中形成接觸孔。接下來形成與像素電極重疊的連接電極602。連接電極602通過接觸孔連接到漏區(qū)。同時形成連接電極，形成其它TFT的源電極或漏電極。
雖然在這里顯示的例子中在膜基片上形成了所有的驅(qū)動電路，但是一些IC也可以用做一些驅(qū)動電路。
如上所述完成有源矩陣基片之后，使用該有源矩陣基片剝離基片以粘接塑料基片，根據(jù)例2-4制造液晶組件。液晶組件提供有背光604和導光板605，并由蓋板606覆蓋，完成了圖12所示部分剖面圖的有源矩陣液晶顯示器件。使用粘接劑或有機樹脂將蓋粘接到液晶組件。當將塑料基片粘接到相對基片時，給基片作框架以便框架和基片之間的空間填充用于粘接的有機樹脂。由于顯示器件為透光型，因此塑料基片和相對基片的每一個都需要粘接極化板603。
該例可以與例1到4組合。
例6在本例中，制備具有形成在塑料基片上有機發(fā)光器件(OLED)的發(fā)光器件的一個例子顯示在圖13中。
在圖13A中，參考數(shù)字600表示基片，參考數(shù)字601表示氮化物層或金屬層，參考數(shù)字602表示氧化層，參考數(shù)字和字符603表示初始覆蓋絕緣層，參考數(shù)字604a表示驅(qū)動電路611的元件，參考數(shù)字604b和604c表示像素部分612的元件{504b？}，參考數(shù)字605表示OLED(有機發(fā)光器件)。這里術(shù)語“元件”是指有源矩陣型液晶顯示器件中像素的開關(guān)元件使用的半導體元件(通常為TFT)或MIM元件等。然后形成覆蓋這些元件的層間絕緣膜606。優(yōu)選層間絕緣膜606比形成膜之后的表面平坦。應該注意不需要提供層間絕緣膜606。
應該注意可以根據(jù)實施例2到4形成提供在基片600上的參考數(shù)字601-603。
可以根據(jù)以上介紹的例1的n溝道型TFT201和/或以上介紹的p溝道型TFT202制備這些元件(包括604a、604b和604c)。
OLED605具有通過施加電場產(chǎn)生電致發(fā)光的有機化合物(有機發(fā)光材料)的層(下文稱做有機發(fā)光層)、陽極層和陰極層。雖然對于有機化合物中的電致發(fā)光，當由單激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時產(chǎn)生發(fā)光(熒光)，當由三重態(tài)返回到基態(tài)時產(chǎn)生發(fā)光(磷光)，本發(fā)明的發(fā)光器件使用以上介紹的一種發(fā)光或以上介紹的兩種發(fā)光。應該注意在本說明書中，形成在OLED的陽極和陰極之間的所有層都限定為有機發(fā)光層。具體地，有機發(fā)光層包括發(fā)光層、空穴注入層、電子注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層等?；旧?，OLED具有依次疊置的陽極/發(fā)光層/陰極的結(jié)構(gòu)，除了該結(jié)構(gòu)之外，還有以下一些結(jié)構(gòu)依次疊置陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極或陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極等。
根據(jù)以上介紹的方法，得到圖13A的狀態(tài)，使用粘結(jié)層607粘貼支撐體608(圖13B)。在本實施例中，塑料基片用做支撐體608。具體地，對于支撐體，可以使用具有10μm以上厚度的樹脂基片，例如，聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。應該注意當從OLED看支撐體608和粘結(jié)層607位于觀察者一側(cè)(發(fā)光器件的使用者一側(cè))時，支撐基片608和粘結(jié)層607為透光材料。
隨后，通過物理方式拽掉已提供有氮化物層或金屬層601的基片600(圖13C)。由于氧化層602的膜應力和氮化物層或金屬層601的膜應力不同，因此用較小的力就可以拽開它們。
接著，用由環(huán)氧樹脂或類似物組成的粘結(jié)層609將它粘貼在傳送體610上(圖13D)。在本例中，通過使用塑料膜基片作為傳送體412可以將它制得較輕。
以此方式，可以得到夾在具有柔性的支撐體608和具有柔性的傳送體610之間的柔性發(fā)光器件。應該注意如果支撐體608和傳送體610由相同的材料制成，那么熱膨脹系數(shù)相等，因此不容易受到溫度變化引起的熱應力變形的影響。
然后，如果需要，具有柔性的支撐體608和傳送體610切割成需要的形狀。之后，使用公知的技術(shù)粘貼FPC(未示出)。
例7在例6中，示出了粘貼支撐體之后，剝離基片并粘貼作為傳送體的塑料基片的一個例子。然而，在本例中，將示出基片剝離之后，粘貼作為第一傳送體的塑料基片和作為第二傳送體的塑料基片，以及制備配備OLED的發(fā)光器件的一個例子。參考圖14進行介紹。
在圖14A中，參考數(shù)字700表示基片，參考數(shù)字701表示氮化物層或金屬層，參考數(shù)字702表示氧化層，參考數(shù)字和字符703表示初始覆蓋絕緣層，參考數(shù)字704a表示驅(qū)動電路711的元件，參考數(shù)字704b和704c表示像素部分712的元件，參考數(shù)字705表示OLED(有機發(fā)光器件)。這里術(shù)語“元件”是指有源矩陣型液晶顯示器件中像素的開關(guān)元件使用的半導體元件(通常為TFT)或MIM元件等。然后形成覆蓋這些元件的層間絕緣膜706。優(yōu)選層間絕緣膜706比形成膜之后的表面平坦。應該注意不需要提供層間絕緣膜706。
應該注意可以根據(jù)實施例2到4形成提供在基片700上的參考數(shù)字701-703。
可以根據(jù)以上介紹的例1的n溝道型TFT201和/或以上介紹的p溝道型TFT202制備這些元件(包括704a、704b和704c)。
根據(jù)以上介紹的方法，得到圖14A的狀態(tài)，通過物理方式拽掉已提供有氮化物層或金屬層701的基片700(圖14BC)。由于氧化層702的膜應力和氮化物層或金屬層701的膜應力不同，因此用較小的力就可以拽開它們。
接著，用由環(huán)氧樹脂或類似物組成的粘結(jié)層709將它粘貼在傳送體(第一傳送體)710上。在本例中，通過使用塑料膜基片作為傳送體710可以將它制得較輕。
隨后，使用粘結(jié)層707粘貼基底構(gòu)件(第二傳送體)708(圖14C)。在本實施例中，塑料基片用做支撐體708。具體地，對于傳送體710和基底構(gòu)件708，可以使用具有10μm以上厚度的樹脂基片，例如，聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。應該注意當從OLED看基底構(gòu)件708和粘結(jié)層707位于觀察者一側(cè)(發(fā)光器件的使用者一側(cè))時，基底構(gòu)件708和粘結(jié)層707為透光材料。
以此方式，可以得到夾在具有柔性的基底構(gòu)件708和具有柔性的傳送體710之間的柔性發(fā)光器件。應該注意如果基底構(gòu)件708和傳送體710由相同的材料制成，那么熱膨脹系數(shù)相等，因此不容易受到溫度變化引起的熱應力變形的影響。
然后，如果需要，具有柔性的基底構(gòu)件708和傳送體710切割成需要的形狀。之后，使用公知的技術(shù)粘貼FPC(未示出)。
例8在例6或例7中，示出了柔性發(fā)光器件夾在具有柔性的基片之間的一個例子。然而，由于通常由塑料構(gòu)成的基片容易穿透水分和氧，并且它們會促進有機發(fā)光層的退化，因此發(fā)光器件的壽命容易縮短。
因此，在本例中，在塑料基片上，提供防止氧和水分滲透到OLED的有機發(fā)光層內(nèi)的多個膜(下文稱做阻擋膜)和位于以上阻擋膜之間應力比以上阻擋膜小的層(應力釋放膜)。在本說明書中，阻擋膜和應力釋放膜疊置組成的膜稱做“密封膜”。
具體地，提供由無機物質(zhì)組成的兩層或多層阻擋膜(下文稱做阻擋膜)，并且提供位于相關(guān)兩層阻擋膜之間具有樹脂的應力釋放膜(下文稱做應力釋放膜)。然后，通過在相關(guān)的三層或多層絕緣膜上形成OLED并緊密地密封形成發(fā)光器件。應該注意由于除了基片例6和例7相同，因此這里省略了介紹。
如圖15所示，兩層或多層阻擋膜提供在膜基片810上，此外，應力釋放膜提供在相關(guān)的兩層阻擋膜之間。由此，在膜基片810和第二粘結(jié)層809之間，形成阻擋膜和應力釋放膜疊置的密封膜。
這里，通過濺射法在膜基片810上以膜的形式形成由氮化硅組成的層作為阻擋膜811a，在阻擋膜811a上以膜的形式形成具有聚酰亞胺的應力釋放膜811b，通過濺射法在應力釋放膜811b上以膜的形式形成由氮化硅組成的層作為阻擋膜811c。阻擋膜811a、應力釋放膜811b和阻擋膜811c疊置的層通常稱做密封膜811。然后使用含元件的剝離層上的第二粘結(jié)層809將形成有相應密封膜811的膜基片810粘貼在一起。
類似地，通過濺射法在膜基片812上形成由氮化硅組成的層作為阻擋膜814a，在阻擋膜814a上形成具有聚酰亞胺的應力釋放膜814b。通過濺射法在應力釋放膜814b上形成由氮化硅組成的層作為阻擋膜814c。阻擋膜814a、應力釋放膜814b和阻擋膜814c疊置的層通常稱做密封膜814。然后使用含元件的剝離層上的第二粘結(jié)層809將形成有相應密封膜814的膜基片812粘貼在一起。
應該注意對于阻擋膜，如果提供兩層以上，也是可行的。然后，對于阻擋膜，可以使用氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁或氮氧化硅鋁(AlSiON)。
由于氮氧化硅鋁的導熱率較高，因此利用它作阻擋膜在元件中產(chǎn)生的熱可以有效地排出。
此外，對于應力釋放膜，可以使用具有透明度的樹脂。代表性的可以使用的有聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰亞胺酰胺(polyimideamide)、苯環(huán)丁烷(benzocyclobutene)、環(huán)氧樹脂等。應該注意也可以使用除了以上介紹的樹脂之外的其它樹脂。這里，涂敷熱聚合型的聚酰亞胺之后，固化并成型。
通過引入氬在0.4Pa的濺射壓力下保持襯底溫度為150℃進行氮化硅的膜形成。然后，使用硅做靶，除了氬引入氮和氫進行膜形成。對于氮氧化硅，通過引入氬在0.4Pa的濺射壓力下保持襯底溫度為150℃形成膜。然后，使用硅做靶，除了氬引入氮、二氧化氮和氫進行膜形成。應該注意，對于靶，可以使用氧化硅。
希望阻擋膜的膜厚在50nm到3μm的范圍內(nèi)。這里，形成1μm厚的氮化硅。
應該注意阻擋膜的膜形成法不限于濺射法，進行膜形成的人能適當?shù)剡x擇膜形成方法。例如，可以使用LPCVD法、等離子體CVD法等進行膜形成。此外，希望阻擋膜的膜厚在200nm到2μm的范圍內(nèi)。這里，形成1μm厚的聚酰亞胺。
通過采用其上提供有本例密封膜的塑料基片作為例6中的支撐體或傳送體610或例7中的基底構(gòu)件708或傳送體710，OLED可以完全與空氣隔絕，由此幾乎能夠完全抑制由于氧化有機發(fā)光材料的退化，能夠極大地增強OLED的可靠性。
例9下面參考圖16的俯視圖介紹根據(jù)例6或例7得到的具有OLED的組件的構(gòu)成，也稱做EL組件的構(gòu)成。例7中的傳送體610或例8中的傳送體710對應于膜基片900。
圖16A示出了具有OLED的組件稱做EL組件的俯視圖，圖16B為沿圖16A的線A-A’的剖面圖。在具有柔性的膜基片900上(例如，塑料基片等)形成像素部分902、源極側(cè)驅(qū)動電路901以及柵極側(cè)驅(qū)動電路903。根據(jù)以上介紹的例子得到這些像素部分和驅(qū)動電路。此外，參考數(shù)字918表示密封部件，參考數(shù)字919表示DLC膜，像素部分和驅(qū)動電路部分由密封部件918覆蓋，它的密封部件由保護膜919覆蓋。此外，使用密封部件用蓋部件920密封。蓋部件920的形狀和支撐體的形狀不特別限定，可以使用平面、曲面、能夠彎曲的表面、或膜形。希望能夠承受由于熱和外力變形的蓋部件920于膜基片900的材料相同，例如，使用塑料基片，使用圖16所示的凹形(深度3-10μm)加工的基片。希望進一步加工形成能放置干燥劑921的凹形部分(深度50-200μm)。此外，以多圖形制造EL組件時，將基片和蓋部件粘貼在一起之后，使用CO2激光等切割使端面相互匹配。
此外，這里在圖中沒有示出，為了防止由于采用的金屬層(這里為陰極或類似物)的反射背景反光，在基片900上提供由相差板(λ/4板)和極化板組成稱做圓形極化板的圓形極化裝置。
應該注意參考數(shù)字908表示傳送輸入到源側(cè)驅(qū)動電路901和柵極側(cè)驅(qū)動電路903內(nèi)信號的布線，它從為外部輸入端的FPC(柔性印制電路)接收視頻信號和時鐘信號。此外，本例的發(fā)光器件可以示數(shù)字驅(qū)動，或模擬驅(qū)動，或者視頻信號可以是數(shù)字信號或模擬信號。應該注意這里僅在圖中示出了FPC，但是印制布線板(PWB)安裝在該FPC上。限定本說明書中的發(fā)光器件不僅包括發(fā)光器件的主體也包括FPC或PWB安裝在主體上的狀態(tài)。此外，雖然復雜的集成電路(存儲器、CPU、控制器、D/A轉(zhuǎn)換器等)能夠形成在具有這些像素部分和驅(qū)動電路的相同基片上，但制造少量的掩模很難。因此，優(yōu)選通過COG(芯片上玻璃)法、TAB(載帶自動鍵合)法或引線鍵合法安裝配備有存儲器、CPU、控制器、D/A轉(zhuǎn)換器等的IC芯片。
接下來，參考圖16B介紹剖面圖。絕緣膜910提供在膜基片900上，像素部分902和柵極側(cè)驅(qū)動電路903已形成在絕緣膜910上，通過將含像素電極多個像素電連接到控制電流和它的漏極的TFT形成像素部分902。應該注意根據(jù)實施例1-4中的任何一個剝離形成在基片上的剝離層之后，粘貼膜基片900。
此外，使用組合n溝道型TFT913和p溝道型TFT914的CMOS電路形成柵極側(cè)驅(qū)動電路903。
根據(jù)以上介紹的例1的n溝道型TFT201和以上介紹的例1的p溝道型TFT202制造這些TFT(包括911、913和914)。
應該注意對于提供在TFT和OLED之間的絕緣膜，優(yōu)選材料不僅能阻擋例如堿金屬離子、堿土金屬離子等的雜質(zhì)離子的擴散，也可以主動地吸收例如堿金屬離子、堿土金屬離子等的雜質(zhì)離子，此外，材料能夠承受以后處理的溫度。對于適合這些條件的材料，作為一個例子，列舉了含大量氟的氮化硅膜。含在氮化硅膜中的氟密度為1×1019/cm3以上，優(yōu)選，氟的組分比在1到5％的范圍內(nèi)。氮化硅膜中的氟結(jié)合到堿金屬離子、堿土金屬離子等，并在膜中吸收。此外，對于其它的例子，含由銻(Sb)化合物、錫(Sn)化合物、或銦(In)化合物組成的細小顆粒的有機樹脂膜，例如也列舉了含五氧化銻細小顆粒(Sb2O5·nH2O)的有機樹脂膜。應該注意該有機樹脂膜含有10-20μm平均顆粒直徑的細小顆粒，透光度也很高。由該五氧化銻細小顆粒表示的銻化合物容易吸收例如堿金屬離子或堿土金屬離子。
此外，對于TFT的有源層和OLBD之間的絕緣膜的其它材料，可以使用由AlNxOy表示的層。通過在氬氣、氮化物氣體、氮氣和氧氣混合的氣氛中使用氮化鋁(AlN)作靶通過濺射法進行膜形成得到氮氧化層(由AlNxOy表示的層)為含氮在2.5atm％到47.5atm％范圍的膜，特征在于它具有能夠阻止水分和氧的效果，此外，具有高導熱性和散熱效果，而且具有很高的透明度。此外，它可以防止例如堿金屬、堿土金屬等的雜質(zhì)滲透到TFT的有源層內(nèi)。
像素電極912起OLED陽極的作用。此外，觸排(bank)915形成在像素電極912的兩端，發(fā)光元件的EL層916和陽極917形成在像素電極912上。
對于EL層916，通過自由地組合發(fā)光層、電荷注射層或電荷注入層可以形成EL層(用于發(fā)光并使載流子為此遷移的層)。例如，可以使用低分子系統(tǒng)有機EL材料和高分子系統(tǒng)有機EL材料。此外，對于EL層，可以使用由于單激發(fā)態(tài)發(fā)光(熒光)的發(fā)光材料(單態(tài)化合物)組成的薄膜，或由于三重激發(fā)態(tài)發(fā)光(磷光)的發(fā)光材料(三重態(tài)化合物)組成的薄膜。此外，例如碳化硅等的無機材料能夠用做電荷傳輸層和電荷注射層。對于這些有機EL材料和無機材料，可以使用已知的材料。陰極917也作為所有的像素共同的布線，并借助連接布線908電連接到FPC909。此外，含在像素部分902中和柵極側(cè)驅(qū)動電路903上的元件都由陰極917、密封部件918以及保護膜919覆蓋。
應該指出對于密封部件918，優(yōu)選如果可能優(yōu)選能夠透過可見光或半透明的材料。此外，希望密封部件918為盡可能少穿透水分和氧的材料。
此外，利用密封部件918完全覆蓋發(fā)光元件之后，優(yōu)選由至少DLC膜等組成的保護膜919提供在密封部件918的表面(露出的表面)上，如圖16所示。此外，保護膜提供在包括基片背面的整個表面上。這里，需要注意保護膜沒有形成在提供外部輸入端子(FPC)的那部分上。保護膜不是利用掩模形成，或者沒有用帶例如CVD裝置中使用的掩蔽帶覆蓋外部輸入端子部分形成保護膜。
通過用以上介紹結(jié)構(gòu)中的密封部件918和保護膜密封發(fā)光元件，發(fā)光器件可以完全阻止外部影響，它可以防止促進由于水份、氧或類似物發(fā)生的EL層氧化造成的有機化合物層退化的物質(zhì)從外部滲透。此外，如果具有高導熱性的膜(AlON膜、AlN膜等)用做保護膜，那么當它驅(qū)動時產(chǎn)生的能夠釋放。因此可以得到具有高可靠性的發(fā)光器件。
然而，像素電極制成陰極，EL層和陽極疊置，可以設置成在反方向中發(fā)光。它的一個例子顯示在圖17中。應該指出，由于俯視圖相同，因此省略了圖和說明。
下面介紹顯示在圖17中的剖面結(jié)構(gòu)。對于膜基片1000，使用塑料基片。應該注意根據(jù)實施例1-4中的任何一個剝離形成在基片上的剝離層之后，粘貼膜基片1000。絕緣膜1010提供在膜基片1000上，在絕緣膜1010上，形成像素部分和柵極側(cè)驅(qū)動電路1003，通過將含像素電極多個像素電連接到控制電流和它的漏極的TFT形成像素部分1002。此外，使用組合n溝道型TFT1013和p溝道型TFT1014的CMOS電路形成柵極側(cè)驅(qū)動電路1003。
像素電極1012作為發(fā)光元件的陰極。此外，觸排1015形成在像素電極1012的兩端，發(fā)光元件的EL層1016和陽極1017形成在像素電極1012上。
陽極1017也作為所有像素的公共布線，并借助連接布線1008電連接到FPC1009。此外，含在像素部分1002和柵極側(cè)驅(qū)動電路1003中的元件由保護膜1019覆蓋，保護膜由陽極1017、密封部件1018和DLC等組成。此外，使用粘接劑粘貼蓋部件1021和基片1000。此外，在蓋部件中提供凹陷部分，干燥劑1021放置在蓋部件中。
應該指出對于密封部件1018，優(yōu)選如果可能優(yōu)選能夠透過可見光或半透明的材料。此外，希望密封部件1018為盡可能少穿透水分和氧的材料。
此外，在圖17中，由于像素電極制成陰極，EL層和陽極疊置，因此發(fā)光的方向為圖17中箭頭所指的方向。
此外，這里在圖中沒有示出，為了防止由于采用的金屬層(這里為陰極或類似物)的反射背景反光，在基片1000上提供由相差板(λ/4板)和極化板組成稱做圓形極化板的圓形極化裝置。
由于在本例中，使用在例1中得到的高質(zhì)量電特性和高可靠性的TFT，可以形成與常規(guī)元件相比具有較高可靠性的發(fā)光元件。此外，利用具有這種發(fā)光元件作為顯示部分的的發(fā)光器件可以得到高性能的電裝置。
應該注意本例可以自由地結(jié)合例1、例7、例8或例9。
由于通過物理方式從基片上剝離，因此本發(fā)明能增加元件的可靠性，同時不損傷半導體層。
此外，本發(fā)明不僅能夠剝離具有較小面積的剝離層，而且也可以優(yōu)良的產(chǎn)額比剝離整個表面的大面積上剝離層。
此外，由于本發(fā)明能夠通過物理方式容易地剝離，例如能夠通過人手拽掉，據(jù)說工藝適合于大規(guī)模生產(chǎn)。此外，制備制造設備以便進行大規(guī)模生產(chǎn)時拽掉剝離層，因此可以低成本制備大尺寸的制造設備。
例10通過本發(fā)明可以完成各種組件(有源矩陣液晶組件、有源矩陣EL組件以及有源矩陣EC組件)。即，通過實施本發(fā)明可以完成所有的電子裝置。
以下為所述電子裝置
攝像機；數(shù)字攝象機；頭戴式顯示器(護目鏡型顯示器)；汽車導航系統(tǒng)；投影儀；汽車音響；個人計算機；便攜信息終端(移動式計算機、移動電話或電子書等)等。這些例子顯示在圖18和19中。
圖18A為個人計算機，包括主機2001；圖像輸入部分2002；顯示部分2003；以及鍵盤2004。
圖18B為攝像機，包括主體2101；顯示部分2102；聲音輸入部分2103；操作開關(guān)2104；電池2005以及圖像接收部分2106。
圖18C為移動式計算機，包括主機2201；攝像部分2202；圖像接收部分2203；操作開關(guān)2204以及顯示部分2205。
圖18D為護目鏡型顯示器，包括主體2301；顯示部分2302；以及臂部分2303。
圖18E為使用記錄程序的記錄介質(zhì)(下文稱做記錄介質(zhì))的播放器，包括肢體2401；顯示部分2402；揚聲器部分2403；記錄介質(zhì)2404；操作開關(guān)2405。該裝置使用DVD(數(shù)字多用途盤)、CD等，用于記錄介質(zhì)，能夠進行音樂欣賞、電影欣賞、游戲和用于因特網(wǎng)。
圖18F為數(shù)字攝象機，包括主體2501，顯示部分2502；取景器2503；操作開關(guān)2504以及圖像接收部分(圖中未示出)。
圖19A為移動電話，包括；主體2901，聲音輸出部分2902；聲音輸入部分2903；顯示部分2904；操作開關(guān)2905；天線2906；以及圖像輸入部分(CCD、圖像傳感器等)2907等。
圖19B為便攜書(電子書)，包括主體3001；顯示部分3002和3003；記錄介質(zhì)3004；操作開關(guān)3005；天線3006等。
圖19C為顯示器，包括主體3101；支撐部分3102；以及顯示部分3103等。
此外，圖19C中顯示的顯示器具有小尺寸和中尺寸或大尺寸，例如5到20英寸的尺寸。此外，為了制造具有所述尺寸的顯示部分，優(yōu)選通過排字印刷機使用一側(cè)上為1米的基片大規(guī)模生產(chǎn)。
如上所述，本發(fā)明的應用范圍很廣，本發(fā)明能應用到多種領(lǐng)域的電子裝置。注意通過利用例1到9的構(gòu)成的任何組合可以獲得本例中的電子器件。
權(quán)利要求
1.一種剝離方法，包括在已提供有氮化物層的基片上形成與氮化物層接觸的由氧化層的疊層組成的剝離層；然后從所述基片上的氧化層內(nèi)或與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離所述剝離層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述氧化物層包含由從氧化硅和金屬氧化物或其疊層組成的組中選出的材料組成的單層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在由所述物理方式進行所述剝離之前，進行熱處理或激光照射。
4.一種剝離方法，包括在已提供有氮化物層的基片上形成與氮化物層接觸的由氧化層的疊層組成的剝離層；將所述剝離層粘附到支撐體上；然后從所述基片上的氧化層內(nèi)或與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離粘附在所屬支撐體上的所述剝離層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中在粘結(jié)所述支撐體之前進行熱處理或激光束的照射。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述氧化物層包含由從氧化硅和金屬氧化物或其疊層組成的組中選出的材料組成的單層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，還包括在由所述物理方式進行所述剝離之前，進行熱處理或激光照射。
8.一種剝離方法，包括在已提供有氮化物層的基片上形成與氮化物層接觸的由氧化層的疊層組成的剝離層；然后從所述基片上的氧化層內(nèi)或與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離所述剝離層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述金屬層為氮化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述金屬層包括選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為所述元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述氧化層包括由硅的氧化物材料或金屬氧化物材料或它們的疊層組成的單層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，還包括在通過所述物理方式進行剝離之前，進行熱處理或激光照射。
13.一種剝離方法，包括在已提供有氮化物層的基片上形成與氮化物層接觸的由氧化層的疊層組成的剝離層；將所述剝離層粘附到支撐體上；然后從所述基片上的氧化層內(nèi)或與以上氧化層的界面上，通過物理方式剝離所述剝離層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述金屬層為氮化物。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述金屬層包括選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為所述元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述氧化層包括由硅的氧化物或金屬氧化物或它們的疊層組成的單層。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，還包括在通過所述物理方式進行剝離之前，進行熱處理或激光照射。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，還包括在粘結(jié)所述的支撐體之前進行熱處理或激光照射。
19.一種半導體器件的制造方法，包括在基片上形成氮化物層；在所述氮化物層上形成氧化層；在所述氧化層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成元件；將所述元件粘附到支撐體上；將所述元件粘附到支撐體上之后，從所述氧化層內(nèi)或基片上與所述氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉所述支撐體；以及將傳送體粘結(jié)到所述絕緣層或所述氧化層，將所述元件夾在所述支撐體和所述傳送體之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述支撐體為膜基片或基底構(gòu)件。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述傳送體為膜基片或基底構(gòu)件。
22.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中在粘結(jié)所述支撐體之前，進行熱處理或激光束的照射。
23.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中在通過所述物理方式進行剝離之前，進行熱處理或激光束的照射。
24.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述元件是包括半導體層作為有源層的薄膜晶體管，并且在形成所述半導體層的所述步驟中，通過進行熱處理或激光照射晶化具有非晶結(jié)構(gòu)的半導體層使半導體層具有晶化結(jié)構(gòu)。
25.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述支撐體為相對基片，所述元件具有像素電極，并且在所述像素電極和所述相對基片之間提供液晶材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述支撐體為密封構(gòu)件，并且所述元件為發(fā)光元件。
27.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述氧化物層包含由從氧化硅和金屬氧化物或其疊層組成的組中選出的材料組成的單層。
28.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述半導體器件在所述膜基片上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜，并且夾在所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜間的所述第二絕緣膜的膜應力小于所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜的膜應力。
29.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中所述半導體器件在所述膜基片上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜，并且夾在所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜間的所述第二絕緣膜的膜應力小于所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜的膜應力。
30.一種半導體器件的制造方法，包括在基片上形成氮化物層；在所述氮化物層上形成顆粒形氧化物；形成用于復蓋所述氧化物的氧化物層；在所述氧化物上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成元件；將支撐體粘附到所述元件上；將所述支撐體粘附到所述元件上之后，從所述氧化層內(nèi)或基片上與所述氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉所述支撐體；以及將傳送體粘結(jié)到所述絕緣層或所述氧化層，將所述元件夾在所述支撐體和所述傳送體之間。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述支撐體為膜基片或基底構(gòu)件。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述傳送體為膜基片或基底構(gòu)件。
33.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中在粘結(jié)所述支撐體之前，進行熱處理或激光束的照射。
34.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中在通過所述物理方式進行剝離之前，進行熱處理或激光束的照射。
35.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述元件是包括半導體層作為有源層的薄膜晶體管，并且在形成所述半導體層的所述步驟中，通過進行熱處理或激光照射晶化具有非晶結(jié)構(gòu)的半導體層使半導體層具有晶化結(jié)構(gòu)。
36.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述支撐體為相對基片，所述元件具有像素電極，并且在所述像素電極和所述相對基片之間提供液晶材料。
37.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述支撐體為密封構(gòu)件，并且所述元件為發(fā)光元件。
38.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述氧化物層包含由從氧化硅和金屬氧化物或其疊層組成的組中選出的材料組成的單層。
39.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中所述半導體器件在所述膜基片上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜，并且夾在所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜間的所述第二絕緣膜的膜應力小于所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜的膜應力。
40.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其中所述半導體器件在所述膜基片上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜，并且夾在所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜間的所述第二絕緣膜的膜應力小于所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜的膜應力。
41.一種半導體器件的制造方法，包括在基片上形成含有金屬材料的層；在所述含有金屬材料的層上形成氧化層；在所述氧化層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成元件；將支撐體粘附到所述元件上；將所述支撐體粘附到所述元件上之后，從所述氧化層內(nèi)或基片上與所述氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉所述支撐體；以及將傳送體粘結(jié)到所述絕緣層或所述氧化層，將所述元件夾在所述支撐體和所述傳送體之間。
42.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中所述支撐體為膜基片或基底構(gòu)件。
43.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中所述傳送體為膜基片或基底構(gòu)件。
44.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中在粘結(jié)所述支撐體之前，進行熱處理或激光束的照射。
45.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中在通過所述物理方式進行剝離之前，進行熱處理或激光束的照射。
46.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中所述元件是包括半導體層作為有源層的薄膜晶體管，并且在形成所述半導體層的所述步驟中，通過進行熱處理或激光照射晶化具有非晶結(jié)構(gòu)的半導體層使半導體層具有晶化結(jié)構(gòu)。
47.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中所述支撐體為相對基片，所述元件具有像素電極，并且在所述像素電極和所述相對基片之間提供液晶材料。
48.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中所述支撐體為密封構(gòu)件，并且所述元件為發(fā)光元件。
49.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中所述氧化物層包含由從氧化硅和金屬氧化物或其疊層組成的組中選出的材料組成的單層。
50.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中所述含有金屬材料的層是氮化物。
51.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中所述金屬材料選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為所述元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。
52.根據(jù)權(quán)利要求42的方法，其中所述半導體器件在所述膜基片上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜，并且夾在所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜間的所述第二絕緣膜的膜應力小于所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜的膜應力。
53.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其中所述半導體器件在所述膜基片上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜，并且夾在所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜間的所述第二絕緣膜的膜應力小于所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜的膜應力。
54.一種半導體器件的制造方法，包括在基片上形成含有金屬材料的層；在所述氮化物層上形成顆粒形氧化物，形成氧化層覆蓋所述氧化物，在所述氧化層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成元件；將支撐體粘附到所述元件上；將所述支撐體粘附到所述元件上之后，從所述氧化層內(nèi)或基片上與所述氧化層的界面上，通過物理方式剝離掉所述支撐體；以及將傳送體粘結(jié)到所述絕緣層或所述氧化層，將所述元件夾在所述支撐體和所述傳送體之間。
55.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中所述支撐體為膜基片或基底構(gòu)件。
56.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中所述傳送體為膜基片或基底構(gòu)件。
57.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中在粘結(jié)所述支撐體之前，進行熱處理或激光束的照射。
58.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中在通過所述物理方式進行剝離之前，進行熱處理或激光束的照射。
59.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中所述元件是包括半導體層作為有源層的薄膜晶體管，并且在形成所述半導體層的所述步驟中，通過進行熱處理或激光照射晶化具有非晶結(jié)構(gòu)的半導體層使半導體層具有晶化結(jié)構(gòu)。
60.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中所述支撐體為相對基片，所述元件具有像素電極，并且在所述像素電極和所述相對基片之間提供液晶材料。
61.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中所述支撐體為密封構(gòu)件，并且所述元件為發(fā)光元件。
62.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中所述氧化物層包含由從氧化硅和金屬氧化物或其疊層組成的組中選出的材料組成的單層。
63.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中所述含有金屬材料的層是氮化物。
64.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中所述金屬材料選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為所述元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。
65.根據(jù)權(quán)利要求55的方法，其中所述半導體器件在所述膜基片上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜，并且夾在所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜間的所述第二絕緣膜的膜應力小于所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜的膜應力。
66.根據(jù)權(quán)利要求56的方法，其中所述半導體器件在所述膜基片上具有第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜，并且夾在所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜間的所述第二絕緣膜的膜應力小于所述第一絕緣膜和所述第三絕緣膜的膜應力。
67.一種半導體器件的制造方法，包括在基片上形成含有金屬材料的層；在所述含金屬材料的層上形成氧化層，在所述氧化層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成元件；從所述氧化層內(nèi)或基片上與所述氧化層的界面上，通過物理方式剝離；將第一傳送體粘結(jié)到所述絕緣層或所述氧化層；以及將第二傳送體粘結(jié)到所述元件上，將所述元件夾在所述第一傳送體支撐體和所述第二傳送體之間。
68.根據(jù)權(quán)利要求67的方法，其中所述含有金屬材料的層是氮化物。
69.根據(jù)權(quán)利要求67的方法，其中所述金屬材料選自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為所述元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。
70.根據(jù)權(quán)利要求67的方法，其中在通過所述物理方式進行剝離之前，進行熱處理或激光束的照射。
71.一種半導體器件的制造方法，包括在基片上形成氮化物層；在所述氮化物層上形成氧化層，在所述氧化層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成元件；從所述氧化層內(nèi)或基片上與所述氧化層的界面上，通過物理方式剝離；將第一傳送體粘結(jié)到所述絕緣層或所述氧化層；以及將第二傳送體粘結(jié)到所述元件上，將所述元件夾在所述第一傳送體支撐體和所述第二傳送體之間。
72.根據(jù)權(quán)利要求71的方法，其中在通過所述物理方式進行剝離之前，進行熱處理或激光束的照射。
73.一種半導體器件，包括支撐體；通過粘合劑材料粘貼到支撐體的剝離層，所述剝離層由氧化硅膜組成；以及在氧化硅膜和粘結(jié)材料之間提供的金屬材料。
74.根據(jù)權(quán)利要求73的器件，其中所述金屬材料選自W、Ti、Al、Ta、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一種元素，由主要成分為所述元素的合金材料或化合物材料組成的單層，或這些金屬或它們的混合物的疊層。
75.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述半導體器件引入到從含有個人計算機、視頻攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、使用記錄介質(zhì)的播放器，數(shù)字攝像機、移動電話、移動圖書以及顯示器的組中選擇的至少一種設備中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不會損傷剝離層的剝離方法，目的在于不僅能夠剝離具有較小面積的剝離層，而且能夠以出色的生產(chǎn)率剝離掉在整個表面上具有較大面積的剝離層。在基片上提供金屬層或氮化物層11，并且，提供與前述金屬層或氮化物層11接觸的氧化層12，此外，如果進行疊層膜形成或者500℃或更高溫度的熱處理，可以通過物理方式容易地并且明確地在與氧化層12的界面上將層分開。
文檔編號H05B33/02GK1397984SQ0212613
公開日2003年2月19日 申請日期2002年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月16日
發(fā)明者高山徹, 丸山純矢, 水上真由美, 山崎舜平 申請人:株式會社半導體能源研究所