專利名稱：電路板及其制作方法和高輸出模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體器件的陶瓷電路板，并涉及制作這種電路板的方法，以及涉及到高輸出模塊。
通過參考圖4A-4F描述一種常規(guī)電路板。如圖4A-4E所示，目前為止該方法一直如下所述。把金屬掩?；蛘吖庋谀?應(yīng)用到陶瓷基底1上(圖4A)，用蒸鍍或?yàn)R射形成第一金屬層3，并且把金屬掩?；蛘吖庋谀?去除(圖4B)，之后形成抗蝕劑層4(圖4C)，然后用蒸鍍或?yàn)R射形成第二金屬層5(圖4D)，去除抗蝕劑層得到最終產(chǎn)品(圖4E)。
陶瓷基底1用AlN或氧化鋁制成。這已經(jīng)被公開，比如在日本專利2-271585中。第一金屬層用作抗蝕劑層，在其中一般使用TaN、NiCr或者鎢。第二金屬層用作導(dǎo)線或者電感，并且具有層迭結(jié)構(gòu)包括Ti/Mo/Au、Ti/Pt/Au、Cr/Mo/Au或者Ti/V/Au。該層使用鈦或者鉻與陶瓷基底接觸的原因是為了提高對(duì)于基底的粘和強(qiáng)度。因?yàn)殂K、鉬或者釩有高的熔點(diǎn)，把它插入中間就是為了防止頂層與用在上述接觸部分的金屬比如鈦或者鉻形成合金。金用作頂層，選擇它是為了順利進(jìn)行引線接合或者芯片焊接。在最終產(chǎn)品中材料組合的例子如圖4F所示。
對(duì)于用于功率半導(dǎo)體的基底，把銅或者金用蒸鍍、鍍覆或熔融應(yīng)用到陶瓷基底的全部上表面，之后用蝕刻形成布線圖。
為了生產(chǎn)高輸出模塊，把半導(dǎo)體元件用芯片焊接方法安裝在這些電路板上。
對(duì)于目前的高輸出模塊，除了使模塊更小來減少最終器件的尺寸，也需要使布線圖更精細(xì)、尺寸減小，使其能夠處理更高的頻率。為了降低高頻性能的損失和降低功耗，也有必要降低引線金屬部分的電阻，為此有必要采用厚膜技術(shù)來提高布線圖的厚度。
為了同時(shí)滿足這兩個(gè)要求，用作引線的金屬層的厚度小于5μm是必須的，引線厚度D和相鄰的布線圖線條之間的距離L之間的縱橫比(D/L)為D/L＞0.4也是必須的，但是常規(guī)電路板不能被處理使得這兩個(gè)要求能被滿足。
這里的原因是用常規(guī)實(shí)際使用的精細(xì)布線方法，在依靠金屬掩?；蛘吖庋谀Ｓ谜翦兎椒ㄐ纬闪撕衲た刮g劑層的基底上面，不能形成精細(xì)的布線圖，并且為了獲得厚膜，蒸鍍必須連續(xù)進(jìn)行很長時(shí)間，因此實(shí)際應(yīng)用是困難的。此外，當(dāng)布線圖通過蝕刻形成時(shí)，因?yàn)槌霈F(xiàn)側(cè)面腐蝕，難于進(jìn)行比引線厚度小的圖形的精細(xì)處理，并且蝕刻去除尤其困難。因此，不能實(shí)現(xiàn)小型化的高性能、高輸出模塊。
本發(fā)明的發(fā)明人在日本專利2001-204457中提出了具有厚膜和精細(xì)布線圖的電路板，也提出了小型化高性能、高輸出模塊?？墒?，在這個(gè)電路拌種，布線圖和基底之間的粘接強(qiáng)度不夠。
為了解決以上問題，本發(fā)明構(gòu)成如下。
一種電路板包括圖形化的第一金屬層，形成在陶瓷基底上；圖形化的第二金屬層，形成在第一金屬層上；和第三金屬層，形成為覆蓋第二金屬層整個(gè)上表面和側(cè)表面、以及一部分第一金屬層的上表面，其中第一金屬層沒有被第三金屬層覆蓋的部分通過蝕刻寬度減小。
按照上面[1]的電路板，其中第一、第二和第三金屬層的合并厚度D(μm)和相鄰的布線圖線條之間的距離L(μm)之間滿足如下關(guān)系，D/L＞0.4[3]按照上面[1]或者[2]的電路板，其中第二金屬層的寬度(L1)，第三金屬層的寬度(L2)，和第一金屬層和陶瓷基底之間的連接表面部分的寬度(L3)，滿足關(guān)系L1＜L3＜L2。
按照上面[1]到[3]中任意的電路板，其中第一、第二和第三金屬層的合并厚度D(μm)至少為5μm。
按照上面[1]到[4]中任意的電路板，其中第二金屬層包括至少一種金屬選自銅、鎳、銀和鋁。
按照上面[1]到[5]中任意的電路板，其中第三金屬層的最外層是金。
按照上面[1]到[6]中任意的電路板，其中陶瓷基底包含至少一種選自氧化鋁、AlN和Si3N4重量含量至少90％的陶瓷。
按照上面[1]到[6]的電路板，其中陶瓷基底為金剛石或者cBN。
一種用于制作按照[1]到[8]中任意的電路板的方法包括(1)在陶瓷基底上蒸鍍或者濺射第一金屬層；(2)形成抗蝕劑層圖形；(3)用抗蝕劑層作為掩模在第一金屬層上鍍覆形成第二金屬層；(4)通過保持抗蝕劑層高溫收縮抗蝕劑層；(5)在第二金屬層上表面和側(cè)表面以及第一金屬層的部分上表面上鍍覆形成第三金屬層；(6)去除抗蝕劑層；(7)蝕刻第一金屬層，使得第一金屬層沒有被第三金屬層覆蓋的部分通過蝕刻寬度減小。
一種用于制作按照[1]到[8]中任意的電路板的方法包括(1)在陶瓷基底上蒸鍍或者濺射第一金屬層；(2)形成抗蝕劑層圖形；(3)用抗蝕劑層作為掩模在第一金屬層上鍍覆形成第二金屬層；(4)通過保持抗蝕劑層高溫收縮抗蝕劑層；(5)增寬抗蝕劑層和第二金屬層之間的間隙；(6)在第二金屬層上表面和側(cè)表面以及第一金屬層的部分上表面上鍍覆形成第三金屬層；(7)去除抗蝕劑層；(8)蝕刻第一金屬層，使得第一金屬層沒有被第三金屬層覆蓋的部分通過蝕刻寬度減小。
一種高輸出模塊，其中至少一種發(fā)熱至少10mW的高輸出半導(dǎo)體元件，經(jīng)過焊料或者導(dǎo)電樹脂安裝在按照[1]到[8]中任意的電路板上。
圖2A-2I是描述本發(fā)明例子的電路板制作的步驟說明圖，圖2J是表示構(gòu)成圖2A-2I所示獲得的電路板各層材料說明圖。
圖3是在例子中生產(chǎn)的高輸出模塊的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖。
圖4A到4E是描述常規(guī)電路板制作步驟的說明圖，圖4F表示完成后電路板的材料組合說明圖。
優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述本發(fā)明的電路板按如下方法制作。首先，在陶瓷基底上蒸鍍或者濺射形成與該基底粘接良好的第一金屬層，比如Ti/Mo/Ni。在第一金屬層上用光掩模形成光刻膠圖形。在這個(gè)階段，基底的整個(gè)表面能用作電極，因此在沒有光刻膠的地方能選擇性地鍍覆形成第二金屬層。
然后，抗蝕劑層被保持在高溫。通過保持抗蝕劑層在高溫下，該抗蝕劑層收縮，并且在第二金屬層和抗蝕劑層的側(cè)邊之間形成間隙。然后，在形成這樣的間隙之后，進(jìn)行下一個(gè)步驟形成第三金屬層時(shí)，第三金屬層在第二金屬層的上表面形成一層涂層，也在第二金屬層的側(cè)邊和第一金屬層被間隙暴露出來的上表面形成涂層。這樣，第三金屬層的寬度能比第二金屬層的寬度大。在本申請(qǐng)的全部說明書中，名詞“第三金屬層的寬度”指的是第二金屬層的寬度與形成在第一金屬層上的第三金屬層的寬度之和。高溫保持期間的環(huán)境沒有什么要求，只要該環(huán)境不會(huì)破壞Cu或者抗蝕劑層，優(yōu)選真空或者惰性氣體環(huán)境。高溫保持期間的溫度優(yōu)選60到100℃，最終收縮會(huì)引起形成1到10μ的間隙。
然后，在第二金屬層上面用鍍覆形成第三金屬層，比如Au、Ni/Au或者具有多層結(jié)構(gòu)的層，多層結(jié)構(gòu)中中間層(防止Au擴(kuò)散的層)Pd，Pt，Mo，W，V等被插入在鎳和金層之間，例如是Ni/Pt/Au層。當(dāng)時(shí)，鍍覆液也在較早的處理步驟中進(jìn)入到抗蝕劑層收縮形成的間隙，因此第三金屬層形成在第二金屬層的上表面和側(cè)表面、以及第一金屬層的上表面的一部分上。
然后，抗蝕劑層去除之后，用蝕刻去除沒有被第三金屬層覆蓋的第一金屬層部分。這里，通過使第三金屬層的最外層由不會(huì)被用于第一金屬層上的蝕刻液蝕刻的材料制成，被第三金屬層覆蓋的部分不會(huì)在蝕刻期間被蝕刻，這樣使能夠進(jìn)行選擇性蝕刻。例如，通過使第三金屬層的最外層是Au，使第一金屬層是Ti/Mo/Ni，Au不會(huì)被用于鎳和鉬的蝕刻液蝕刻，因此能用鍍覆的金作為掩模進(jìn)行蝕刻。此外，Ti只溶解于獨(dú)立的氫氟酸類型的蝕刻液。然而Au甚至不會(huì)被這種蝕刻液蝕刻，因此Au最外層能夠作為掩模進(jìn)行選擇性蝕刻。
用這種方法獲得的電路板金屬層的層結(jié)構(gòu)例子如

圖1A和1B所示。沒有被第三金屬層的Au覆蓋的第一金屬層側(cè)表面表面，被雕刻出稍微傾斜的底切圖形，Ti層的蝕刻甚至更大。
如圖1B所示，通過使用上述制作過程，第三金屬層的寬度(L2)比第二金屬層的寬度(L1)大，就是(L1＞L2)。結(jié)果，防止第一金屬層與陶瓷基底接觸的部分寬度(L3)在蝕刻期間變小是可能的。這樣，保持陶瓷基底和第二金屬層(例如Cu導(dǎo)線)之間的粘結(jié)強(qiáng)度在0.5kgf/mm2或者更大是可能的，即使在銀焊中的830℃。
在本申請(qǐng)的書面說明中，上述“第二金屬層的寬度(L1)”指的是包括第二金屬層側(cè)表面表面上形成的第三金屬層的厚度。
在上述制作方法中，在保持基底高溫和使抗蝕劑層收縮之后，形成第三金屬層?？墒?，有時(shí)候，不可能使第三金屬層的寬度(L2)充分大，因?yàn)閮H僅經(jīng)過抗蝕劑層收縮難于形成足夠的間隙。在這種情況下，為了使第三金屬層的寬度(L2)充分大，在抗蝕劑層收縮步驟和第三金屬層形成步驟之間，可以增加加寬抗蝕劑層和第二金屬層之間間隙的步驟，比如抗蝕劑層拋光步驟。
經(jīng)過抗蝕劑層拋光，抗蝕劑層收縮形成的間隙能進(jìn)一步加寬，并且第一金屬層被第三金屬層通過鍍覆覆蓋的表面積能進(jìn)一步增加，使得第三金屬層的寬度(L2)能夠充分大。結(jié)果，經(jīng)蝕刻形成的第一金屬層和陶瓷基底之間的粘結(jié)表面寬度(L3)，能比第二金屬層寬度(L1)大(L1＜L3＜L2)，并且陶瓷基底和第二金屬層(例如Cu導(dǎo)線)之間經(jīng)由第一金屬層的粘結(jié)強(qiáng)度能提高到0.6kgf/mm2或者更大經(jīng)過拋光，間隙能制作成需要的大小，形成達(dá)到200μm的間隙是可接受的。實(shí)際上，100μm左右的間隙是充分的。
對(duì)于以上制作方法，討論了直接在陶瓷基底上形成第一金屬層的情況?？墒?，電阻或者圖形化的金屬化Cr類型材料，比如NiCr等等，用于定位光掩模，能提早在陶瓷基底上形成，這也是在本申請(qǐng)的發(fā)明范圍內(nèi)。因?yàn)樽畹讓咏饘賹硬粫?huì)被任何蝕刻液蝕刻，它會(huì)保留到最后。此外，它與陶瓷基底的粘結(jié)是充分的。
按照本發(fā)明，能用鍍覆方法形成第二金屬層，因此該金屬層能容易地制成厚膜。此外，如上所述，通過用第三金屬層覆蓋第二金屬層的上表面和側(cè)面，就能通過蝕刻形成布線圖，第三金屬層具有不會(huì)被用于第一金屬層的蝕刻液蝕刻的最外層。
此外，因?yàn)槟軌蛟谖g刻之后使第一金屬層和陶瓷基底之間的連接表面寬度(L3)變大，使陶瓷基底和第二金屬層(例如銅導(dǎo)線)之間經(jīng)過第一金屬層的粘結(jié)強(qiáng)度甚至更大成為可能。
作為第一金屬層，可以使用一種多層結(jié)構(gòu)例如包括Ti/Mo/Ni，Ti/Pt/Ni，Ti/V/Ni，Ti/Pd/Ni等等。第一金屬層的厚度適宜為0.12到1.2μm。如果這一層較薄，在基底的整個(gè)上表面上獲得均勻金屬化是困難的，但是如果這一層較厚，“側(cè)表面蝕刻”在蝕刻期間會(huì)增加，難于實(shí)現(xiàn)高分辨率精細(xì)圖形的形成。當(dāng)?shù)谝唤饘賹佑蒚i/Mo/Ni組成時(shí)，鈦的厚度應(yīng)該為0.01到0.3μm，鉬的厚度應(yīng)該為0.01到0.3μm，鎳的厚度應(yīng)該為0.1到0.6μm。
為了使第一、第二和第三金屬層的全部厚度至少為5μm，要求形成在第一金屬層上面的抗蝕劑層的厚度應(yīng)該至少為5μm。不期望該抗蝕劑層太薄，因?yàn)榈诙饘賹尤缓蟾采w在抗蝕劑層上，過分形成不合要求的蘑菇形狀，結(jié)果金屬層的相鄰部分甚至越過抗蝕劑層相連接。提高抗蝕劑層的厚度是困難的，但是通過優(yōu)化曝光條件能夠使形成帶有垂直側(cè)表面的精細(xì)布線圖成為可能。用SOR(同步加速器軌道輻射)光曝光。由于形成厚膜抗蝕劑層，使蘑菇形狀的形成得到抑制是可能的。
用于電解鍍覆的光刻膠圖形的精度從亞微米到10nm。通過使用表面活化劑，甚至光刻膠圖形之間非常窄的部分的鍍覆成為可能的。
對(duì)于本發(fā)明的電路板，第二金屬層適宜包含至少一種金屬選自Cu，Ni，Ag和Al。用電解鍍覆能形成厚度至少5μm的厚膜。甚至比如說厚度可以到200μm。通過使第二金屬層的厚度大于5μm，能降低接線的電阻，這是理想的對(duì)于例如需要粗接線以釋放熱應(yīng)力的熱電半導(dǎo)體元件，比如珀耳帖元件。第二金屬層的例子，下面的能被指出Cu、Cu/Ni、Ni/Cu/Ni、Al、Ni/Al/Ni、Al/Ni和Ag等等。如果后續(xù)要進(jìn)行合金化處理來提高粘接強(qiáng)度，一單層銅是可接受的，并且如果在銅層的上表面形成厚度至少為0.5μm的鎳，第二金屬層對(duì)第三金屬層的Au或者Ni/Au的粘接程度會(huì)提高。
對(duì)于第三金屬層，能使用下面任意的Au，Ni/Au或者一種多層結(jié)構(gòu)，其中間層(防止Au擴(kuò)散的層)Pd，Pt，Mo，W或者V被插入在Ni和Au層之間，比如Ni/Pt/Au等等。作為第三金屬層的最外層，任何能不被用于第一金屬層的蝕刻液蝕刻的金屬是可接受的，但是使用Au作為最外層是特別合適的，因?yàn)楹罄m(xù)加工能夠容易地進(jìn)行。
在本發(fā)明的電路板中，因?yàn)槟苡缅兏残纬傻诙饘賹?，所以能?shí)現(xiàn)厚膜金屬層，并且因?yàn)槟芡ㄟ^使用抗蝕劑層形成帶有垂直側(cè)表面的精細(xì)布線圖，所以能形成結(jié)構(gòu)使得引線厚度D(μm)和相鄰的布線圖線條之間的距離L(μm)之間縱橫比(D/L)成為D/L＞0.4。在本發(fā)明中，引線厚度D是第一、第二和第三金屬層的全部厚度，線條間隔L代表被第三金屬層覆蓋的第二金屬層圖形的線條之間的距離。
對(duì)于陶瓷基底，可以用氧化鋁，但是對(duì)于高輸出模塊，散熱是重要的，因此更適宜用金剛石、cBN或包括AlN和/或Si3N4重量含量至少90％的陶瓷。AlN是最低成本的基底并且也有高抗漏性。在需要強(qiáng)度的情況，使用Si3N4是合乎要求的。也可以使用AlN和Si3N4的混合物。如果基底表面太粗糙，取決于形成在基底上的第一金屬層的厚度關(guān)系，會(huì)發(fā)生線條斷開，因此為了防止該現(xiàn)象，可能需要進(jìn)行表面處理。
本發(fā)明也包括高輸出模塊，其中至少一個(gè)產(chǎn)生至少10mW熱量的高輸出半導(dǎo)體元件，通過焊料或者導(dǎo)電樹脂連接在上述得到的電路板上。
下面是參照?qǐng)D1到3描述的本發(fā)明的實(shí)例。
圖2A到2I是描述本發(fā)明加工步驟順序的實(shí)例說明圖。圖2E所示步驟在例2中采納，但是不在例1中采納。
例1如圖2A所示，含有AlN重量比至少90％并進(jìn)一步包括釔的陶瓷基底，被用作陶瓷基底11。該基底具有高散熱基底，熱導(dǎo)率為170W/(m·K)。金屬掩模12應(yīng)用到陶瓷基底11上。陶瓷基底11的表面被處理成表面粗糙度Ra小于0.8μm。這是因?yàn)楹罄m(xù)形成的第一金屬層小于0.5μm厚，所以如果該基底太粗糙可能發(fā)生線條斷開。
然后，用蒸鍍形成NiCr金屬層作為最下面的金屬層13。該金屬層13可以用作抗蝕劑層或者用作后續(xù)基底劃線期間的定位掩模，這里NiCr層被選擇用作抗蝕劑層。圖2B描述當(dāng)金屬掩模12已經(jīng)被除去后的階段，NiCr圖形作為最下面的金屬層13形成在陶瓷基底11的表面上。
然后，如圖2C所示，在陶瓷基底11的整個(gè)上表面蒸鍍Ti/Mo/Ni層作為第一金屬層14。鈦層的厚度為0.05μm，鉬層的厚度為0.05μm，鎳層的厚度為0.3μm。
如圖2D所示，在這樣的金屬化基底上面，用光掩模形成抗蝕劑層15?？刮g劑層15的厚度設(shè)定為120μm以匹配第二金屬層16的厚度。
然后，如圖2E所示，用電解鍍覆層迭形成多層結(jié)構(gòu)Ni/Cu作為第二金屬層16。為了鍍覆的良好粘接性，Ni層的厚度為0.5μm，Cu層的厚度為100μm。
然后，上述具有第二金屬層16和抗蝕劑層15的陶瓷基底在85℃高溫氮?dú)鈼l件下保持30分鐘。
經(jīng)過加熱，抗蝕劑層收縮，并且在第二金屬層16和抗蝕劑層15的側(cè)表面表面之間形成5μm的間隙，如圖2F所示。
然后，如圖2G所示，多層結(jié)構(gòu)Ni/Au被鍍覆作為第三金屬層17，該Ni/Au第三金屬層覆蓋第二金屬層的上表面、側(cè)表面表面和第一金屬層被間隙暴露出的上表面。Ni層的厚度為1.3μm，Au層的厚度為1.0μm。
在形成第三金屬層17之后，抗蝕劑層15如圖2H所示被去除，并且Ti，Ni，Mo如圖2I所示被蝕刻。這里，當(dāng)抗蝕劑層被去除的時(shí)候，在表面上會(huì)形成氧化鎳膜，因此該氧化物膜被除去之后在一個(gè)步驟中用反應(yīng)蝕刻液蝕刻鎳和鉬，并且鈦用氫氟酸蝕刻液去除。
第一、第二和第三金屬層的全部厚度D(μm)為100μm，圖形線條之間的距離L(μm)為40μm。
構(gòu)成這樣獲得的電路板的每一部分的材料如圖2中的圖2J所示。引線之間的電阻至少為1MΩ，表明已經(jīng)得到具有極好絕緣特性的電路板。此外，AlN基底和Cu引線之間的粘結(jié)強(qiáng)度良好，從常規(guī)值0.4kgf/mm2提高到0.5kgf/mm2。
例2例2用例1所描述的相同方法實(shí)現(xiàn)，不同在于在保持抗蝕劑層高溫使其收縮步驟和形成第三金屬層步驟之間，進(jìn)行氧氣拋光加工步驟直到上述收縮形成的間隙達(dá)到100μm。
引線之間的電阻至少為1MΩ，表明已經(jīng)得到具有極好絕緣特性的電路板。此外，AlN基底和Cu引線之間的粘結(jié)強(qiáng)度提高到0.6kgf/mm2，超過了例1。
例3利用上述例1所示的方法，制作了具有如圖3所示圖形的電路板。這里，對(duì)于布線層20，第一金屬層由Ti/Mo/Ni構(gòu)成，第二金屬層由Ni/Cu構(gòu)成，第三金屬層由Ni/Au構(gòu)成，抗蝕劑層21由Ni/Cr構(gòu)成。如圖3所示，一種高輸出模塊在電路板上通過芯片焊接制成，高輸出LD(半導(dǎo)體激光器)18帶有集成調(diào)制器，發(fā)熱至少10mW，用焊線19進(jìn)行引線接合。在安裝步驟之后，該模塊工作的調(diào)制性能SN比為0.1dB，比使用常規(guī)電路板好。用于安裝LD的電路板的尺寸能減少到常規(guī)電路板的1/4，速度限制提高到40Gbps或者更高。
在上述例子中，金屬層形成在陶瓷基底的一側(cè)，但是也能同時(shí)應(yīng)用到兩側(cè)。
本發(fā)明使獲得具有厚膜、與基底之間有高粘結(jié)強(qiáng)度的精細(xì)布線圖形、和高可靠性的電路板成為可能。此外，能獲得小型化高輸出模塊，并提供高性能。
權(quán)利要求
1.一種電路板，包括圖形化的第一金屬層，其形成在陶瓷基底上，圖形化的第二金屬層，其形成在第一金屬層上，和第三金屬層，其形成為覆蓋第二金屬層整個(gè)上表面和側(cè)表面、以及第一金屬層的上表面的一部分，其中第一金屬層沒有被第三金屬層覆蓋的部分通過蝕刻寬度減小。
2.如權(quán)利要求1的電路板，其中第一、第二和第三金屬層的合并厚度Dμm和相鄰的布線圖線條之間的距離Lμm之間滿足如下關(guān)系，D/L＞0.4
3.如權(quán)利要求1的電路板，其中第二金屬層的寬度L1，第三金屬層的寬度L2，和第一金屬層和陶瓷基底之間的連接表面部分的寬度L3，滿足關(guān)系L1＜L3＜L2。
4.如權(quán)利要求1到3之一的電路板，其中第一、第二和第三金屬層的合并厚度Dμm至少為5μm。
5.如權(quán)利要求1-3之一的電路板，其中第二金屬層包括至少一種金屬選自銅、鎳、銀和鋁。
6.如權(quán)利要求1-3之一的電路板，其中第三金屬層的最外層是金。
7.如權(quán)利要求1-3之一的電路板，其中陶瓷基底包含至少一種選自氧化鋁、AlN和Si3N4重量含量至少90％的陶瓷。
8.如權(quán)利要求1-3之一的電路板，其中陶瓷基底為金剛石或者cBN。
9.一種用于制作電路板的方法，包括在陶瓷基底上蒸鍍或者濺射第一金屬層；形成抗蝕劑層圖形；用抗蝕劑層作為掩模在第一金屬層上鍍覆形成第二金屬層；通過在一高溫下保持抗蝕劑層來收縮抗蝕劑層；在第二金屬層上表面和側(cè)表面以及第一金屬層的部分上表面上鍍覆形成第三金屬層；去除抗蝕劑層；蝕刻第一金屬層，使得第一金屬層沒有被第三金屬層覆蓋的部分通過蝕刻寬度減小。
10.一種用于制作電路板的方法包括在陶瓷基底上蒸鍍或者濺射第一金屬層；形成抗蝕劑層圖形；用抗蝕劑層作為掩模在第一金屬層上鍍覆形成第二金屬層；通過保持抗蝕劑層處于一高溫下來收縮抗蝕劑層；增寬抗蝕劑層和第二金屬層之間的間隙；在第二金屬層上表面和側(cè)表面以及第一金屬層的部分上表面上鍍覆形成第三金屬層；去除抗蝕劑層；蝕刻第一金屬層，使得第一金屬層沒有被第三金屬層覆蓋的部分通過蝕刻寬度減小。
11.一種高輸出模塊，其中至少一種發(fā)熱至少10mW的高輸出半導(dǎo)體元件，經(jīng)過焊料或者導(dǎo)電樹脂安裝在權(quán)利要求1到8之一的電路板上。
全文摘要
一種電路板包括在陶瓷基底11上形成圖形化的第一金屬層14，在第一金屬層上形成圖形化的第二金屬層16，和形成覆蓋第二金屬層整個(gè)上表面和側(cè)表面、以及一部分第一金屬層的上表面的第三金屬層17，其中第一金屬層沒有被第三金屬層覆蓋的部分通過蝕刻寬度減小。該電路板具有與基底粘結(jié)強(qiáng)度高的厚膜精細(xì)布線圖和高可靠性，使通過在其上面安裝至少一個(gè)高輸出半導(dǎo)體元件，能實(shí)現(xiàn)小尺寸高性能高輸出模塊。
文檔編號(hào)H05K3/06GK1412836SQ0214129
公開日2003年4月23日 申請(qǐng)日期2002年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月17日
發(fā)明者田遠(yuǎn)伸好, 依田潤 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社