專利名稱：半導體存儲器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將存儲器芯片安裝在模塊基板上的半導體存儲器模塊。
背景技術(shù)：
半導體存儲裝置大多用于個人計算機和工作站等。此外，近年來，伴隨個人計算機的高速化、高密度化和高功能化，必須進一步增大半導體存儲裝置的存儲容量。此外，大量使用低成本的存儲器的市場正在擴大。因此，要求半導體存儲裝置進一步大容量化和低成本化。
在上述那樣的半導體存儲裝置中，因在單位比特的成本上的優(yōu)勢，故個人計算機等的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)的使用量大大增加。因為即使增加DRAM的容量，通過增大晶片的直徑，也可以降低單位比特的成本，所以，DRAM被頻繁使用。
但是，在DRAM中，伴隨大容量化，測試時間增加，測試成本增大，伴隨加工技術(shù)的高度微細化，開發(fā)費用和設(shè)備費用等都很大，能否降低這方面的成本便成了問題。
DRAM輸入輸出的比特的結(jié)構(gòu)通常是4比特、8比特或16比特。因此，DRAM的比特數(shù)種類的范圍窄。結(jié)果，一般將多個DRAM作為1個模塊使用。這樣，DRAM等半導體存儲裝置大多在模塊的狀態(tài)下使用。
在圖21和圖22中，示出先有的半導體存儲模塊的例子。先有的半導體存儲模塊的構(gòu)造象與能在印刷線路板的兩面安裝元件的表面安裝技術(shù)對應(yīng)的SOP(小型封裝)和TSOP(小而薄的封裝)那樣，是將裸芯片101、安裝島104、鍵合線105、引線框110模壓在模塑樹脂上形成單體芯片117，再將該單體芯片117安裝在模塊基板102上，。再有，在本說明書中，所謂單體芯片是指將裸芯片以單體的形式模壓形成的芯片。
此外，伴隨存儲器芯片的高性能化和高功能化，對于存儲器封裝，其開發(fā)朝著小型化和超薄化方向發(fā)展。而且，存儲器封裝采用插入方式，但近年來，正象使用表面安裝方式那樣，封裝形式有很大的變化。
現(xiàn)在，與直插方式相比，表面安裝方式已成為主流方式，更加進一步要求封裝小型化和輕薄化。現(xiàn)在，通過使用半導體模塊來謀求簡化設(shè)計和提高可靠性以及降低成本。
此外，在先有的半導體存儲模塊的制造過程中，對于制造半導體存儲器模塊之后的模塊測試，當發(fā)生次品芯片時，進行測試并將次品換掉，直到?jīng)]有次品為止。
如上所述前，先有的半導體存儲模塊如圖21所示，因?qū)⒍鄠€已封裝的一例單體芯片117的單體存儲器芯片IC(集成電路)安裝在模塊基板102上，故存在單體存儲器芯片IC的安裝面積大的問題。
對于上述問題，本發(fā)明者對通過將設(shè)在模塊基板上的多個裸芯片一體模塑來實現(xiàn)模塊基板的高密度安裝進行探討。
此外，在先有的半導體存儲器模塊的制造過程中，存在替換已檢測出是次品的存儲器芯片很費事的問題。進而，作為容易進行高密度安裝的半導體存儲器模塊，有COB(在板芯片)化的存儲器模塊，但是，在先有的COB存儲器模塊中，存在在模塑密封裸芯片之后不能修復(fù)已檢測出的不良裸芯片的問題。
本發(fā)明者對上述問題進行了探討，當利用模塑樹脂模塑芯片之后檢測出不良芯片時，通過重新安裝正品芯片，可以有效地利用多個裸芯片中的除不良裸芯片之外的裸芯片。
但是，如前所述，當通過在模塊基板上安裝正品芯片來修復(fù)半導體存儲器模塊時，若只在模塊基板的與已檢測出為不良的裸芯片對應(yīng)的位置安裝正品芯片，則多個半導體存儲器模塊各自外形會變成不規(guī)則的形狀。即，因不同的半導體存儲器模塊其不良裸芯片亦不相同，故模塊基板安裝正品芯片的位置也因半導體存儲器模塊而異。
因此，當運送很多半導體存儲器模塊時，難以將很多半導體存儲器模塊整齊地放在包裝箱內(nèi)進行捆包。即，在用來對很多半導體存儲器模塊進行包裝的包裝箱內(nèi)，半導體存儲器模塊之間會形成間隙。結(jié)果，在半導體存儲器模塊搬運過程中，半導體存儲器模塊在包裝箱內(nèi)會產(chǎn)生沖撞，從而損壞半導體存儲器模塊。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導體存儲器模塊，對于已安裝了作為替換品的正品芯片的半導體模塊，在包裝搬運過程中可以防止損傷。
此外，在象前述那樣的把由本發(fā)明者探討過的設(shè)在模塊基板上的多個裸芯片一體模塑的半導體存儲器模塊中，在用樹脂對多個裸芯片進行模塑之后，不能對半導體存儲器的存儲容量進行變更、增加或修復(fù)。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種半導體存儲器模塊，在用樹脂對多個裸芯片進行模塑之后，能對半導體存儲器的存儲容量進行變更、增加或修復(fù)。
本發(fā)明第1方面的半導體存儲器模塊包括模塊基板；安裝在模塊基板主表面上的多個裸芯片；將多個裸芯片和模塊基板的主表面一起一體覆蓋的一塊模塑樹脂；作為模塊基板主表面的一個區(qū)域，當檢測出多個裸芯片中的某1個或2個以上的裸芯片不好時，可以安裝1個或2個以上的正品芯片去代替已檢測出為次品的1個或2個以上的裸芯片的正品芯片安裝區(qū)域；當假定與該多個正品芯片安裝區(qū)是否安裝1個或2個以上的正品芯片無關(guān)而在多個正品芯片安裝區(qū)上安裝了所有能安裝的正品芯片時，將所有的多個正品芯片安裝區(qū)和所有的正品芯片一起一體覆蓋的另一塊模塑樹脂。
若按照上述構(gòu)成，因具有另一塊模塑樹脂，與該多個正品芯片安裝區(qū)是否安裝正品芯片無關(guān)，當將半導體存儲器模塊包裝在包裝箱內(nèi)進行搬運時，可以將半導體存儲器模塊做成一定的形狀，使多個半導體存儲器模塊之間難以形成間隙。因此，當將半導體存儲器模塊包裝在包裝箱內(nèi)進行搬運時，可以防止半導體存儲器模塊發(fā)生損傷。
本發(fā)明第1方面的半導體存儲器模塊也可以在多個正品芯片安裝區(qū)中的1個區(qū)域內(nèi)安裝1個虛擬芯片，其形狀和大小與1個裸芯片大致相同，但不具有正品芯片的功能。
若按照上述構(gòu)成，可以做成其它模塑樹脂的外形，當將半導體存儲器模塊包裝在包裝箱內(nèi)進行搬運時，使多個半導體存儲器模塊之間難以形成間隙。
本發(fā)明第2方面的半導體存儲器模塊包括模塊基板；安裝在模塊基板主表面上的包含不能正常工作的1個或2個以上的不良裸芯片的多個裸芯片；將多個裸芯片和模塊基板的主表面一起一體覆蓋的模塑樹脂；在模塑樹脂的外側(cè)且安裝在模塊基板主表面上并與多個裸芯片分別起作用的1個或2個以上的存儲器芯片。
若按照上述構(gòu)成，當在利用模塑樹脂將多個裸芯片一體覆蓋的工序之后檢測出在多個裸芯片中存在不良裸芯片時，可以使用與多個裸芯片功能不同的1個或2個以上的存儲器芯片，有效地利用不良裸芯片。
本發(fā)明第3方面的半導體存儲器模塊包括模塊基板；安裝在模塊基板主表面上的多個裸芯片；將多個裸芯片和模塊基板的主表面一起一體覆蓋的模塑樹脂；安裝在模塊基板主表面上并與多個裸芯片分別起作用的1個或2個以上的存儲器芯片，在1個或2個以上的存儲器芯片中，至少有1個存儲器芯片失去作用。
若按照上述構(gòu)成，在判別存儲器芯片是不是不良芯片之后，可以與測試結(jié)果對應(yīng)改變半導體存儲器模塊的存儲容量。
再有，可以根據(jù)情況，將上述本發(fā)明的第1方面到第3方面的半導體存儲器模塊組合起來。
附圖的簡單說明

圖1是表示在實施形態(tài)1的半導體存儲器模塊中利用模塑樹脂將安裝在模塊基板上的多個裸芯片一體模塑的狀態(tài)的圖。
圖2是用來說明實施形態(tài)1的安裝在模塊基板上的裸芯片的圖。
圖3是用來說明實施形態(tài)1的安裝在模塊基板上的裸芯片和正品芯片(單體芯片)的截面構(gòu)造的圖。
圖4是用來說明實施形態(tài)1的安裝在模塊基板上的一部分裸芯片是次品的圖。
圖5是用來說明實施形態(tài)1的使用安裝在模塊基板的背面的正品芯片去修復(fù)半導體存儲器模塊的圖。
圖6是用來說明實施形態(tài)1的修復(fù)之前的模塊基板的構(gòu)成的圖。
圖7是用來說明實施形態(tài)1的修復(fù)之后的模塊基板的構(gòu)成的圖。
圖8是用來說明實施形態(tài)1的半導體存儲裝置(裸芯片或正品芯片)的內(nèi)部構(gòu)成的圖。
圖9是用來說明實施形態(tài)1的已修復(fù)的半導體存儲器模塊的表面的圖。
圖10是用來說明實施形態(tài)1的已修復(fù)的半導體存儲器模塊的背面的圖。
圖11是用來說明實施形態(tài)1的用模塑樹脂涂敷且將不僅包含已修復(fù)的半導體存儲器模塊的背面的正品芯片(裸芯片)還包含其它區(qū)域的模塊基板的主表面整個覆蓋的狀態(tài)的圖。
圖12是圖11的XII-XII線的剖面圖。
圖13是表示實施形態(tài)1的用模塑樹脂涂敷且不僅將已修復(fù)的半導體存儲器模塊的背面的正品芯片(裸芯片)覆蓋還將虛擬芯片覆蓋的狀態(tài)的圖。
圖14是圖13的XIV-XIV線的剖面圖。
圖15是用來說明實施形態(tài)2和3的安裝在模塊基板上的裸芯片和正品芯片(單體芯片)的截面構(gòu)造的圖。
圖16是用來說明實施形態(tài)2和3的修復(fù)之前的半導體存儲器模塊的構(gòu)成的圖。
圖17是用來說明實施形態(tài)2和3的修復(fù)之后的半導體存儲器模塊的構(gòu)成的圖。
圖18是用來說明實施形態(tài)2和3的修復(fù)后的半導體存儲器模塊的表面的構(gòu)成的圖。
圖19是用來說明實施形態(tài)2和3的修復(fù)后(安裝作為正品芯片的裸芯片之后)的半導體存儲器模塊的背面的構(gòu)成的圖。
圖20是用來說明圖19的XX-XX線剖面的圖。
圖21是用來說明先有的從半導體存儲器模塊的上面看去的構(gòu)成的圖。
圖22是用來說明先有的半導體存儲器模塊的截面構(gòu)成的圖。
發(fā)明的
具體實施例方式
下面，使用圖1～圖8說明在用模塑樹脂將裸芯片覆蓋之后可進行修復(fù)的本發(fā)明恕實施形態(tài)的半導體存儲器模塊。
本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊在檢測出已模塑的裸芯片為不良芯片時，通過將作為該裸芯片的替換品的修復(fù)芯片安裝在模塊基板上來進行修復(fù)。
圖1示出實施形態(tài)的半導體存儲器模塊。如圖1所示，實施形態(tài)的半導體存儲器模塊，其多個裸芯片1直接安裝在模塊基板2的一個主表面，并利用模塑樹脂8將多個裸芯片1一體模塑。
此外，如圖2所示，利用焊接線5將設(shè)在裸芯片1上的芯片焊盤6與設(shè)在模塊基板2上的引線焊盤7連接。
此外，實施形態(tài)的半導體存儲器芯片模塊當在多個裸芯片1中檢測出某裸芯片1為不良芯片時，如圖3所示，用來替換裸芯片1的正品芯片3是能夠安裝在設(shè)置多個裸芯片1的主表面的里側(cè)的結(jié)構(gòu)。
安裝在半導體存儲器模塊基板2的表面的裸芯片1和用來替換裸芯片1且安裝在背面的作為正品芯片的修復(fù)芯片3使用共同的電線20。換言之，當安裝了正品芯片3時，如圖2所示，其電線20經(jīng)貫通模塊基板2的通孔，與表面上安裝的多個裸芯片1和背面的準備安裝多個正品芯片的預(yù)定區(qū)域安裝的正品芯片3分別電連接。
在本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊的制造方法中，如圖2所示，在將多個裸芯片1安裝在模塊基板2上之后，利用焊接線5將設(shè)在裸芯片1上的芯片焊盤6與設(shè)在模塊基板2上的引線焊盤7連接。其后，如圖3所示，通過利用模塑樹脂8將多個裸芯片1一體模塑，完成半導體存儲器模塊。而且，在完成半導體存儲器模塊之后，必要時可以在模塊基板2的背面安裝已模塑的正品芯片3。
再有，圖3示出使用利用模塑樹脂將裸芯片單體覆蓋的單體芯片作為起替換裸芯片1的作用的正品芯片3時的例子。但是，在本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊中，作為正品芯片3使用裸芯片。此外，當使用裸芯片作為正品芯片3，如后述那樣，有必要利用模塑樹脂將模塊基板2的背面和裸芯片一起，一體覆蓋。
此外，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊在系統(tǒng)測試等半導體存儲器模塊的一例存儲器模塊制造之后的各種測試中，當在多個裸芯片1中檢測出次品時，將正品芯片3安裝在模塊基板2的背面，由正品芯片3來實現(xiàn)次品裸芯片1的功能，從而，形成可修復(fù)的結(jié)構(gòu)。
但是，為了使正品芯片3實現(xiàn)檢測出是次品的裸芯片1的功能，有必要停止檢測出是次品的裸芯片1的工作。因此，必須能對裸芯片1是工作狀態(tài)還是不工作狀態(tài)進行控制。
本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊通過向?qū)嶋H使用時不用的端子輸入規(guī)定的電壓的信號來對安裝在模塊基板2上的裸芯片1的輸入輸出進行通斷控制，使正品芯片3實現(xiàn)檢測出是次品的裸芯片1的功能。
再有，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊在將多個裸芯片1安裝在模塊基板2上且使裸芯片1上的芯片焊盤6與模塊基板2上的引線焊盤7電連接之后，利用模塑樹脂8進行一體模塑。因此，可以減小半導體存儲器模塊的實際安裝面積。
圖4和圖5示出修復(fù)后的模塊基板的構(gòu)成例。如圖4和圖5所示，半導體存儲器模塊在模塊基板2的表面安裝裸芯片1(D0～D7)，在背面設(shè)置多個修復(fù)時用來安裝正品芯片3(D’0～D’7)的正品芯片安裝區(qū)。
圖6示出修復(fù)前安裝有裸芯片1(D0～D7)的模塊基板2的表面和背面的方框圖。如圖6所示，在裸芯片1(D0～D7)中，設(shè)置QFC引腳(只要是通常不使用的端子，不限于QFC引腳)，用來對檢測出是次品的裸芯片1的輸入輸出進行控制。圖6示出修復(fù)后安裝有修復(fù)時使用的正品芯片3(D’0～D’7)的模塊基板2的表面和背面的方框圖。再有，假定裸芯片1(D0～D7)和正品芯片3(D’0～D’7)使用分別由公共電線20連接的輸入輸出端子DQ0～DQ63。再有，輸入輸出端子DQ0～DQ63與其它電路或存儲器連接，是用于其它電路或存儲器的電信號的輸入輸出的端子。
在圖6所示的修復(fù)前的半導體存儲器模塊的構(gòu)成中，因沒有安裝正品芯片3所以沒有什么問題，但在圖7所示的修復(fù)后的半導體存儲器模塊的構(gòu)成中，因裸芯片1(D0)和正品芯片3(D’0)使用由公共電線20連接的輸入輸出端子DQ0～DQ63，故在裸芯片1(D0)和正品芯片3(D’0)都工作的狀態(tài)下，裸芯片1(D0)和正品芯片3(D’0)各自的輸入輸出信號發(fā)生沖突而出現(xiàn)不良狀況。
因此，在本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊中，通過將檢測出是次品的裸芯片1的QFC引腳固定在規(guī)定的電位上，使從該裸芯片1的輸入輸出端子來的信號不能輸入輸出，由此，可以防止上述不良狀況的發(fā)生。再有，因QFC引腳露出在模塑樹脂8的外面，故即使在用模塑樹脂8將裸芯片1覆蓋后，也可以從外部將QFC引腳固定在規(guī)定的電位上。此外，裸芯片1的內(nèi)部電路構(gòu)成是，當QFC引腳的電位固定為規(guī)定的電位時，從裸芯片1的輸入輸出端子來的電信號可以進行輸入輸出。
例如，如圖6所示，當QFC引腳打開(OPEN)時，通過圖8所示的芯片控制裝置12的動作，裸芯片1(D0～D7)或正品芯片(D’0～D’7)從圖8所示的輸入輸出裝置14向輸入輸出端子DQ0～DQ63輸出電信號，或從輸入輸出端子DQ0～DQ63向圖8所示的輸入輸出裝置14輸入電信號。當QFC引腳固定在接地電位(GND)時，通過圖8所示的芯片控制裝置12的動作，裸芯片1(D0～D7)或正品芯片(D’0～D’7)停止從使用了圖8所示的輸入輸出裝置14的輸入輸出端子DQ來的信號的輸入或從輸入輸出端子DQ輸出。
因此，當不存在已檢測出的次品裸芯片1時，可以不必安裝正品芯片3(D’0～D’7)，而實現(xiàn)將多個裸芯片1直接安裝在模塊基板2上的半導體存儲器模塊。此外，通常，在半導體裝置工作時，裸芯片1(D0～D7)實際工作時不使用的QFC引腳利用芯片控制裝置12控制成OPEN，從裸芯片1(D0～D7)向輸入輸出端子DQ0～DQ63輸出信號，或者，從輸入輸出端子DQ0～DQ63向裸芯片1(DQ)輸入信號。
進而，在半導體存儲器模塊中，當存在已檢測出的次品裸芯片1時，在模塊基板2的設(shè)有裸芯片1的面的背面安裝正品芯片3(D’0～D’7)，通過將裸芯片1(D0)的QFC引腳固定在接地電位(GND)，裸芯片1(D0)停止向輸入輸出端子DQ0～DQ7輸出信號或從輸入輸出端子DQ0～DQ7輸入信號。由此，正品芯片3(D’0)向輸入輸出端子DQ0～DQ7輸出電信號或從輸入輸出端子DQ0～DQ7輸入電信號。因此，正品芯片3取代次品裸芯片1的功能，可以修復(fù)半導體存儲器模塊。
其次，使用圖9和圖10說明系統(tǒng)測試結(jié)束后的已修復(fù)的半導體存儲器模塊。如圖9和圖10所示，在系統(tǒng)測試后的模塊基板的背面，只在與已檢測出為次品的裸芯片1的位置對應(yīng)的位置上設(shè)置正品芯片3。
再有，在圖3中，作為正品芯片3，示出了使用單體模塑裸芯片的單體模塑品的例子，但在后面的圖10～圖14所示的半導體存儲器模塊中，作為正品芯片3，示出使用裸芯片的例子。
此外，在圖10所示狀態(tài)下的半導體存儲器模塊中，不管是不是設(shè)置正品芯片3的區(qū)域，如圖11和圖12所示那樣，假定所有用來安裝正品芯片3的正品芯片安裝區(qū)都安裝正品芯片3，為了覆蓋該假定的正品芯片3，利用模塑樹脂8將模塊基板2的背面的幾乎整個面一體模塑。
這是為了防止出現(xiàn)如前面所述那樣的情況，當通過將正品芯片安裝在模塊基板上來修復(fù)半導體存儲器模塊時，若只在模塊基板的與已檢測出為不良的裸芯片對應(yīng)的位置安裝正品芯片，則多個半導體存儲器模塊各自外形會變成不規(guī)則的形狀。即，因不良裸芯片因半導體存儲器模塊而異，故模塊上安裝正品芯片的位置也因半導體存儲器模塊而異。
更具體一點說，當不將模塊基板2的背面一體覆蓋時，在搬運半導體存儲器模塊時，難以將很多半導體存儲器模塊整齊地碼放在搬運用包裝箱內(nèi)進行捆包。即，在將半導體存儲器捆包的包裝箱內(nèi)，半導體存儲器模塊之間形成間隙。結(jié)果，在半導體存儲器模塊搬運過程中，半導體存儲器模塊在包裝箱內(nèi)會產(chǎn)生沖撞，從而損壞半導體存儲器模塊。
因此，如圖11和圖12所示，不管是否安裝修復(fù)用正品芯片3，假定安裝了所有的修復(fù)用正品芯片3，為了覆蓋該假定的正品芯片，將模塊基板2的背面的幾乎整個面一體模塑。因此，可以將正品芯片安裝區(qū)附近的模塑樹脂的外形做成當對半導體存儲器模塊進行捆包時難以在半導體存儲器模塊之間產(chǎn)生間隙的形狀。結(jié)果，在半導體存儲器模塊捆包搬運時，可以防止因半導體存儲器模塊之間的沖撞而損壞半導體存儲器模塊。
此外，在前述圖11和圖12所示的修復(fù)后的半導體存儲器模塊中，在未使用修復(fù)芯片的模塊基板2上的用來安裝正品芯片的正品芯片安裝區(qū)內(nèi)，除模塑樹脂之外沒有安裝任何東西。但是，如圖13和圖14所示，希望在未安裝正品芯片3的正品芯片安裝區(qū)上安裝虛擬芯片30。該虛擬芯片30是不具有正品芯片功能的芯片，可以是內(nèi)部未封入裸芯片的單體模塑品(單體芯片)、已檢測出單體模塑品不合格的地方的單體不合格模塑品或單單切出和模塑品的形狀及大小相同的基板。
若按照這樣的本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊，通過設(shè)置虛擬芯片30，容易使未安裝正品芯片3的模塊基板2上的模塑樹脂8的外形和已安裝正品芯片3的模塊基板2上的模塑樹脂8的外形大致相同。因此，可以將半導體存儲器模塊的外形做成當對半導體存儲器模塊進行捆包裝箱搬運時難以在多個半導體存儲器模塊之間產(chǎn)生間隙的形狀。結(jié)果，若按照本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊，可以防止半導體存儲器模塊在搬運過程中產(chǎn)生損壞。
此外，虛擬芯片30和正品芯片3因其形狀和大小相同，故容易將模塑樹脂8的外形做成在多個半導體存儲器模塊之間難以產(chǎn)生間隙的形狀。
再有，在本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊中，示出了在所有可安裝正品芯片3的區(qū)域安裝虛擬芯片30的例子，但也可以不在所有可安裝正品芯片3的區(qū)域安裝虛擬芯片30，而只在可安裝正品芯片3的多個正品芯片安裝區(qū)域中的某一個區(qū)域、或在從可安裝正品芯片3的多個正品芯片安裝區(qū)域中選出的2個以上的區(qū)域安裝虛擬芯片30。若即使存在1個虛擬芯片30，也容易將半導體存儲器模塊的外形做成在多個半導體存儲器模塊之間難以產(chǎn)生間隙的形狀。
(實施形態(tài)2)其次，使用圖15～圖20說明本實施形態(tài)的半導體裝置。
本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊如圖15～圖17所示，和實施形態(tài)1的半導體存儲器模塊的結(jié)構(gòu)大致相同，但在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，在模塊基板2上形成的多根電線20并不貫通模塊基板2而與裸芯片1和正品芯片3電連接，這一點和實施形態(tài)1記載的半導體存儲器模塊不同。
即，本實施形態(tài)的正品芯片3如圖16和圖17所示，具有相對裸芯片1個別獨立的電線20和分別與該電線20連接的輸入輸出端子DQ0～63。因此，本實施形態(tài)的正品芯片3在用模塑樹脂8將多個裸芯片1模塑之后，可以作為多個裸芯片1中的某一個裸芯片1或多個裸芯片中的某幾個裸芯片1的組合的存儲器的替換品起作用，同時，可以作為用來使半導體存儲器模塊的容量改變或增加的存儲器起作用。再有，在本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊中，作為修復(fù)用正品芯片3，可以如圖19和圖20所示那樣使用裸芯片，也可以如圖15所示那樣使用單體芯片。
更詳細地說，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊如圖16和圖17所示，電線20分別與裸芯片1和正品芯片3獨立連接，該獨立的電線20分別與不同的輸入輸出端子DQ0～63連接，這一點與實施形態(tài)1的半導體存儲器模塊不同。反過來說，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊對于圖1、圖2、圖4和圖5的結(jié)構(gòu)而言，和實施形態(tài)1的半導體存儲器模塊具有相同的結(jié)構(gòu)。
此外，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊如圖18～圖20所示，在模塊基板2的整個背面安裝和裸芯片1相同數(shù)量的正品芯片3。因此，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊具有在模塊基板2上安裝多個裸芯片1的半導體存儲器模塊的2倍的存儲容量。
例如，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊，其1個裸芯片1的存儲容量是8MB，當將總存儲容量是64MB的8個裸芯片1安裝在模塊基板2的表面時，其總存儲容量是64MB。進而，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊通過在半導體存儲器模塊的模塊基板2的背面安裝8個8MB單體正品芯片3，使總存儲容量達到128MB，完成時，則具有表面安裝8個裸芯片1時的存儲容量的2倍存儲容量。
此外，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊經(jīng)過下面的制造工序制造。首先，經(jīng)過和實施形態(tài)1記載的半導體裝置的制造方法相同的制造工序，利用模塑樹脂8在表面上將64MB的多個裸芯片1一體模塑。其次，當制造128MB的模塊時，進行系統(tǒng)測試。根據(jù)該系統(tǒng)測試的結(jié)果，只對已檢測出模塊基板2表面的所有裸芯片1都是合格品的半導體存儲器模塊，在其模塊基板2的背面安裝64MB的8個正品芯片3，制造出128MB的半導體存儲器模塊。其次，和模塊基板2的背面一起，用模塑樹脂8將多個正品芯片3一體覆蓋。
象上述制造方法那樣，根據(jù)系統(tǒng)測試的結(jié)果，只對已檢測出模塊基板2表面的所有裸芯片1都是合格品的半導體存儲器模塊，在其模塊基板2的背面安裝64MB的8個正品芯片3，由此，可得到以下效果。
若按照本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊的制造方法，當根據(jù)系統(tǒng)測試的結(jié)果，檢測出安裝在模塊基板2的表面上的裸芯片1存在次品，因模塊基板2的一部分表面的裸芯片不合格而不能制造出128MB的半導體存儲器模塊時，可以只在不合格的地方安裝模塑正品而變成64MB的合格品模塊。
結(jié)果，通過系統(tǒng)測試，當檢測出次品裸芯片1時，通過在模塊基板2上安裝正品芯片3去取代次品裸芯片1，可以和實施形態(tài)1的半導體存儲器模塊一樣，在用模塑樹脂8將多個裸芯片1覆蓋之后，對半導體存儲器模塊進行修復(fù)。
因此，當一體覆蓋的多個裸芯片1中的一部分不合格而必須廢棄其余部分的合格的裸芯片1時，可以靈活使用其余部分的合格的裸芯片1來制造半導體存儲器模塊。
此外，當在系統(tǒng)測試之后，不管是否檢測出次品裸芯片1，而必須改變或增加半導體存儲器模塊的總存儲容量時，也可以在模塊基板2上安裝必要數(shù)量的正品芯片3。由此，即使在用模塑樹脂8將多個裸芯片1模塑之后，即使半導體存儲器模塊的存儲容量的設(shè)計改變了，也可以很快地與其對應(yīng)。
(實施形態(tài)3)其次，使用圖15～圖20說明本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊。
本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊和實施形態(tài)1的半導體存儲器模塊的結(jié)構(gòu)大致相同，但如圖15～圖17所示，和實施形態(tài)2記載的半導體存儲器模塊一樣，在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，在模塊基板2上形成的多根電線20并不貫通模塊基板2與裸芯片1和正品芯片3電連接，這一點和實施形態(tài)1記載的半導體存儲器模塊不同。
換言之，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊如圖6和圖7所示，電線20分別與裸芯片1和正品芯片3獨立連接，該獨立的電線20分別與不同的輸入輸出端子DQ連接，這一點與實施形態(tài)1的半導體存儲器模塊不同。反過來說，對于圖1、圖2、圖4和圖5的結(jié)構(gòu)而言，和實施形態(tài)1的半導體存儲器模塊具有相同的結(jié)構(gòu)。
此外，本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊經(jīng)過下面的制造工序制造。首先，經(jīng)過和實施形態(tài)1記載的半導體裝置的制造方法相同的制造工序，利用模塑樹脂8在表面上將多個裸芯片1一體模塑。然后，對模塊基板2的表面安裝了裸芯片1的半導體存儲器模塊進行系統(tǒng)測試。在該系統(tǒng)測試結(jié)束的階段，當安裝在模塊基板2的表面的所有裸芯片1都是合格品時，如圖18～圖20所示，在模塊基板2的背面，分別與裸芯片1對應(yīng)安裝所有可安裝的正品芯片3。其次，和模塊基板2的背面一起，用模塑樹脂8將多個正品芯片3一體覆蓋。
然后，對在模塊基板2的背面安裝多個正品芯片3的半導體存儲器模塊進行系統(tǒng)測試。在該系統(tǒng)測試中，當檢測出正品芯片3有不合格品時，分別切斷多個正品芯片3與其它電路的電連接，或者，分別使多個正品芯片3處于非激活狀態(tài)。
例如，對于實施形態(tài)2已說明的128MB半導體存儲器模塊的例子，當利用系統(tǒng)測試檢測出安裝在模塊基板2的表面的8個裸芯片1全都合格時，則在模塊基板2的背面安裝8個正品芯片3。然后，進而對已安裝正品芯片3的半導體存儲器模塊進行系統(tǒng)測試。當由該系統(tǒng)測試的結(jié)果檢測出8個正品芯片3中有次品時，分別切斷正品芯片3與其它電路的電連接，或者，分別使正品芯片3處于非激活狀態(tài)。
因此，8正品芯片3與其它電路的電連接分別被切斷的半導體存儲器模塊可以作為64MB的正品半導體存儲器模塊使用，該半導體存儲器模塊只起模塊基板2表面安裝的8個裸芯片1的作用。
再有，在本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊的制造方法中，在正品芯片3分別斷開與其它電路的連接或不被激活之后，將模塊基板2的表面和正品芯片一起一體覆蓋。
若按照上述那樣的半導體存儲器模塊的制造方法，在安裝多個正品芯片3之后，當檢測出在該安裝的多個正品芯片3中有次品芯片時，使多個正品芯片3全部不能工作，即通過分別斷開多個正品芯片3與其它電路的連接或分別使多個正品芯片3不被激活，可以制造出只有效地利用裸芯片1的功能的半導體存儲器模塊。
此外，在前述的說明中，斷開多個正品芯片3與其它電路的全部連接或使多個正品芯片3全部不被激活，但也可以與檢測出正品芯片3中是否有次品的測試結(jié)果對應(yīng)，只斷開多個正品芯片3中的1個或2個以上的指定正品芯片3與其它電路的連接或使其不被激活。若按照這樣的制造方法，在檢測正品芯片3中是否有次品的測試之后，可以改變或增加半導體存儲器模塊的存儲容量。
此外，對于本實施形態(tài)的半導體存儲器模塊，和實施形態(tài)1和實施形態(tài)2的半導體存儲器模塊一樣，作為修復(fù)用正品芯片3，可以是圖15所示的單體芯片，也可以是圖19和圖20所示的裸芯片。
再有，在實施形態(tài)1～3的半導體存儲器模塊中，示出了在模塊基板2的一個面(表面)安裝裸芯片1，在另一面(背面)安裝正品心拍3的例子，但當可以將模塊基板做得大時，也可以只在模塊基板的一個面安裝裸芯片和正品芯片，而在另一面不安裝芯片。
此外，可以根據(jù)情況，將上述實施形態(tài)1至3的半導體存儲器模塊及其制造方法組合起來使用。
權(quán)利要求
1.一種半導體存儲器模塊，其特征在于，包括模塊基板；安裝在該模塊基板主表面上的多個裸芯片；將上述多個裸芯片和上述模塊基板的主表面一起一體覆蓋的一塊模塑樹脂；作為上述模塊基板主表面的區(qū)域，當檢測出上述多個裸芯片中的某1個或2個以上的裸芯片不好時，可以安裝1個或2個以上的正品芯片去代替已檢測出為次品的上述1個或2個以上的裸芯片的正品芯片安裝區(qū)域；當假定與該多個正品芯片安裝區(qū)是否安裝上述1個或2個以上的正品芯片無關(guān)而在上述多個正品芯片安裝區(qū)上安裝了所有能安裝的上述正品芯片時，將所有的上述多個正品芯片安裝區(qū)和所有的假定正品芯片一起一體覆蓋的另一塊模塑樹脂。
2.權(quán)利要求1記載的半導體存儲器模塊，其特征在于在上述多個正品芯片安裝區(qū)中的1個區(qū)域安裝1個虛擬芯片，其形狀和大小與上述1個裸芯片大致相同，但不具有上述正品芯片的功能。
3.權(quán)利要求1記載的半導體存儲器模塊，其特征在于在上述多個正品芯片安裝區(qū)中的各個區(qū)域安裝虛擬芯片，其形狀和大小與上述1個裸芯片大致相同，但不具有上述正品芯片的功能。
4.一種半導體存儲器模塊，其特征在于，包括模塊基板；安裝在該模塊基板主表面上的包含不能正常工作的1個或2個以上的不良裸芯片的多個裸芯片；將上述多個裸芯片和上述模塊基板的主表面一起一體覆蓋的模塑樹脂；在該模塑樹脂的外側(cè)且安裝在上述模塊基板主表面上并與上述多個裸芯片分別起作用的1個或2個以上的存儲器芯片。
5.權(quán)利要求4記載的半導體存儲器模塊，其特征在于上述1個或2個以上的存儲器芯片作為代替上述不良芯片起作用的修復(fù)芯片使用。
6.權(quán)利要求4記載的半導體存儲器模塊，其特征在于上述1個或2個以上的存儲器芯片作為改變半導體存儲器模塊的總存儲容量的芯片使用。
7.一種半導體存儲器模塊，其特征在于，包括模塊基板；安裝在該模塊基板主表面上的多個裸芯片；將上述多個裸芯片和上述模塊基板的主表面一起一體覆蓋的模塑樹脂；安裝在上述模塊基板主表面上并與上述多個裸芯片分別起作用的1個或2個以上的存儲器芯片，在上述1個或2個以上的存儲器芯片中，至少有1個存儲器芯片失去作用。
8.權(quán)利要求7記載的半導體存儲器模塊，其特征在于上述1個或2個以上的存儲器芯片全部失去作用。
全文摘要
在模塊基板的背面，只在與已檢測出為次品的裸芯片的位置對應(yīng)的位置上設(shè)置修復(fù)用正品芯片。此外，將模塊基板的背面全部模塑，而不管是否安裝有正品芯片。由此，將半導體存儲器模塊做成一定的形狀，當用包裝箱將半導體存儲器模塊捆包以便搬運時，在多個半導體存儲器模塊之間很難形成間隙。結(jié)果，對于安裝有修復(fù)用正品芯片的半導體模塊，可以防止其在包裝搬運時發(fā)生損傷。
文檔編號H05K1/18GK1453869SQ0215939
公開日2003年11月5日 申請日期2002年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月24日
發(fā)明者柏崎泰宏, 筆保吉雄, 小林辰治 申請人:三菱電機株式會社, 三菱電機工程株式會社