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      用于向半導電介質材料施加射頻電磁場的工業(yè)設備的制作方法

      文檔序號:8142360閱讀:235來源:國知局
      專利名稱:用于向半導電介質材料施加射頻電磁場的工業(yè)設備的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及向半導電介質材料施加射頻電磁場的工業(yè)設備和施加部件。具體地但非限制性地,該設備可用于對最好是低滯度的并且可以用輸送裝置輸送的流體食品進行熱處理。更具體地,該設備可以非常有益地用于牛奶和它的衍生物以及果汁、啤酒、各種類型的飲料、混合飲料、湯、羹、調味糖漿和蕃茄沙司的巴氏滅菌或消毒處理。
      背景技術
      在許多技術過程中并且尤其在食品領域的技術過程中,產品受到熱處理以便烘干、脫水、除霜、巴氏滅菌、消毒或者其它熱加工。對產品施加的熱可以通過外部熱源利用對流、傳導或輻射效應傳送,或者可以在產品內直接產生。在后一種情況下,可以利用振蕩電磁場在要處理的產品中產生電流場;通過和構成該產品的材料的交互作用,該場導致內部溫度的上升。所施加的電磁場可以具有各種強度和各種振蕩頻率。
      實現(xiàn)這種類型的加熱的已知設備包括一個射頻發(fā)生器,當提供干線電壓時該發(fā)生器在其輸出端產生振幅可變和預定頻率的振蕩電壓。該設備還包括一個容性或感性的施加部件,其把該發(fā)生器的振蕩電壓變換成分別具有該振蕩場的主要電分量或磁分量的電磁場。上面提到的頻率典型地在國際標準確定的范圍內,其中心值是6.78-13.56-27.12-40.68-433.92兆赫。所產生的振蕩電磁場的強度取決于對該施加部件的端子施加的射頻電壓的振幅并且取決于該施加部件的結構,該施加部件可以在用來容納要處理的產品的區(qū)域中提高或減小場強。
      已知各種類型的用來對具有不同的物理、尺寸和電氣特性的產品施加射頻電磁場的部件。最廣泛的應用通常涉及紙、纖維、紡織材料(尤其著色后)、皮革、橡膠、木材、塑料層板和食品的熱處理。這些情況的大多數中,通過外加電磁場在產品中感應的位移電流造成介質損耗而不是通過傳導電流發(fā)生產品的加熱。每一種這樣的部件具有適應于所使用的頻率以及適應所要求的應用的結構和技術特性。此外,這些部件可具有產生強度預定的電磁場以及根據所需的具體熱處理向產品發(fā)送特定功率(比功率)的結構。
      例如,本申請人的歐洲專利申請EP 0946104說明一種通過射頻振蕩電磁場加熱食品的工業(yè)設備。這種設備可以烹調例如火腿等的以肉類食品,這種食品具有相當大的質量和體積并且最好放在模子中。
      使用射頻技術進行熱處理的主要限制之一是難以在不會造成對食品有害的不希望有的效應的情況下于非常短的時間內把要處理的產品提到高溫上。例如但非限制性地,在巴氏滅菌或消毒處理期間或者在羹式食品的去霜期間,需要在短時間內對連續(xù)流提供高的功率,尤其對單位體積的食品提供高的功率。該操作是特別困難的,尤其是對于半導電介質產品,因為它們的相當大電導率限制了介質損耗效應,即外加電磁場在其中感應的位移電流所造成的效應。
      另外,如果每單位時間內通過射頻處理區(qū)的產品體積特別大,若射頻處理時間不是特別短產品中可能出現(xiàn)不希望的化學和器官感覺效應。
      在一些已知的解決辦法中,利用部件中的高電壓和高電流能在短時段內向產品傳送高的比功率。但是,這些辦法導致困難的管理以及復雜的控制。實際上,提供高功率可能導致該施加部件不同點之間的不希望的放電,導致該部件以及其中容納的產品的損傷,甚至更加不益地導致產品各部分的不均勻加熱和/或燒焦。
      流體食品的巴氏滅菌和/或消毒處理理論上應包括瞬時把產品加熱到巴氏滅菌和/或殺菌溫度的第一階段,由在固定時間內降溫到零度表征的后續(xù)階段,以及最后瞬時冷卻到初始溫度的階段。由于不能通過已知技術達到這種類型的處理,必須根據可使用的設備尋求最佳狀態(tài)以便能建造可實現(xiàn)盡量和理論處理相似的處理的工廠。
      這樣,在牛奶熱處理領域中,一種最廣泛采用的巴氏滅菌過程包括把牛奶加熱到某低于其沸點的溫度上的階段,在這些條件下按預定時間保持產品的階段,以及冷卻階段。恒溫下的時間必須足夠長以便殺死所有存在類型的致病和產芽孢的微生物并且殺死一部分非致病性但仍會在產品中引起各種類型變化的微生物。
      已知加熱處理的一些例子是慢巴氏滅菌(除其它外包括加熱到63°-65℃的階段和大約30分鐘的保持階段)以及稱為H.T.S.T.的快巴氏滅菌(作其它外包括加熱到72℃的階段和大約20秒的保持階段)。這二種處理用來對牛奶進行巴氏滅菌以供消費或者供制造奶制品例如干酪、奶油、黃油、凝固乳酪等。
      牛奶熱處理的另一種已知類型的方法在產品要供直接消費的情況下采用。在該稱為U.H.T.的處理中,把牛奶加熱到比巴氏滅菌溫度高得多的溫度并且保持比上面描述的處理短得多的時間,例如155℃下2到5秒。在這種情況下,其目標是盡可能快地消除任何會縮短產品的擱置壽命的因素,因為在這種情況下牛奶必須具有至少120天的室溫保持的擱置壽命。在U.H.T.處理中,通常分二步實現(xiàn)加熱階段首先通過間接交換,例如利用諸如盤狀熱水熱交換器的外部熱源,然后通過直接交換,例如高溫對牛奶噴入蒸氣(稱為“超速消毒”階段)。
      上面說明的這二種處理具有一些缺點。采用高溫蒸氣能使產品快速達到所需的溫度,但是同時導致物理和器官感覺特征的改變。事實上,噴入的蒸氣不僅改變牛奶中水的百分比,并且還導致營養(yǎng)質的降低,因為一旦達到期望溫度與注入數量相同的蒸氣以及一些原來含在牛奶中的營養(yǎng)質一起被抽出。從而,它是一種侵入技術,其中利用某種外部成分即蒸氣達到其它已知技術不能實現(xiàn)的特別迅速的加熱時間。相反,由于不是侵入處理的間接交換處理不改變產品的化學特性,但是它不能有效地在短時間內達到期望溫度,從而在巴氏消毒牛奶中引起嚴重的和不希望的副效應。
      在這些所述處理中,還已經知道,對于給定的最高處理溫度,還可以在有限持續(xù)時間的保持階段情況下達到牛奶消毒效果,而如果在最短可能時間內達到該期望溫度該保持階段會造成產品器官感覺的退化。對于已知技術很明顯它們帶有和所采用的技術關聯(lián)的物理限制。例如,利用熱交換器的間接交換為了保證完全處理則要求產品和該產品的加熱裝置之間足夠長的接觸時間以便徹底和均勻地加熱。
      多年來已經知道,由于和新的致病劑、孢子、酶、細菌和微生物關連的新污染,為達到正確消毒牛奶所需的溫度持續(xù)提高。事實上這些有害物質甚至變得更加耐熱并且因此難以鈍化。但是,過度加熱處理明顯和公眾對產品的香味、氣味以及顏色盡可能和產品的自然性質接近的更甚要求相沖突。這些原因已經并且仍在迫使許多公司制造消毒工廠或消毒食品,并且研究、實現(xiàn)和使用與產生對流、傳導或輻射效應的熱源一起使用的而且和工廠的改進相關的更新以及更加復雜的技術過程。就此而論,廣泛認為已知技術已經達到如此高程度的發(fā)展,從而可以把它們看成是“成熟技術”并且要進行改進極為困難。

      發(fā)明內容
      本發(fā)明的主要目的是提供一種用于向半導電介質材料施加射頻電磁場的工業(yè)設備從而克服已知設備的缺點,這種工業(yè)設備可以在不會對產品造成物理、化學或器官感覺特性上的特別改變的情況下非常快速地處理大量產品。
      本發(fā)明的另一個目的是提供一種對半導電介質材料進行加熱處理的工業(yè)設備,該工業(yè)設備可以利用設備中的有限電壓和電流施加強度相當大的射頻電磁場,從而易于管理和控制、避免不必要的無載荷功率耗散以及避免食品的局部加熱和由此造成的產品燒壞。
      本發(fā)明的再一個目的是提供一種用于對半導電介質材料施加射頻電磁場的工業(yè)設備,該設備可以方便地在特別大的可調范圍時間內施加強度較大或較小的電磁場并且從而它可以用于各種各樣的甚至可能涉及食品之外的產品的技術過程中。
      不僅如此,本發(fā)明的另一個目的是提供一種容易和便宜制造、易于檢查、容易進行清潔和維護操作并且容易拆開的工業(yè)設備。
      為了達到上面指出的目的,本發(fā)明的主題是帶有附屬權利要求書中指出的特征的設備。
      根據本發(fā)明的一個特別有益的特征,該工業(yè)設備包括用來容納和傳送要處理的產品的裝置,該裝置可以方便地和快速地和用于在生產線上傳送這些產品的裝置連接。從而可以把本發(fā)明的設備插入到食品-最好是低滯性在無菌管道里輸送的食品的生產線中,其不改變現(xiàn)有部件的布局和配置或者甚至不改變輸送產品的生產線和管道的橫截面和/或配置。
      本發(fā)明的另一個優(yōu)點是,在不必設置輔助施加部件和/或工廠的情況下可以工業(yè)性地處理以非??斓乃俣攘鬟^生產線的產品。除了尺寸大從而難以使用和維護外,這些輔助部件通常在射頻處理區(qū)中需要大體積的產品從而涉及到處理時間過長因此會對產品造成不希望的化學/器官感覺效應。


      從下面對一優(yōu)選實施例的詳細說明本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點會變得清楚,該優(yōu)選實施例是參照各附圖僅作為一個非限制性的例子給出的,附圖中圖1是本發(fā)明的設備的示意側視圖,以及圖2是沿圖1的線II-II取的本發(fā)明的該設備的示意剖面圖。
      具體實施例方式
      現(xiàn)參照各附圖,一種用來向半導電介質材料施加射頻電磁場的工業(yè)設備包括一個通常已知類型的發(fā)電機10,其在它的端子上產生振幅預定的振蕩電壓并且具有典型射頻范圍內的預定頻率,例如但不限制性地從幾千赫到幾百兆赫。
      射頻發(fā)電機1產生的電壓提供到施加部件1,后者的結構允許在它的內部產生強度相當大的射頻電磁場。要受到加熱處理的材料,例如但非限制性地為半導電食品,最好是巴氏滅菌或消毒處理期間的牛奶,按該電磁場把它加熱到預定溫度以及按預定時間的方式通過施加部件1。
      和大部分在生產線中輸送的食品一樣,對于牛奶非常重要的是使它包含在消毒管道中,從而防止和空氣以及更一般地和可能損害它的化學和物理性質的外部媒劑接觸。
      本發(fā)明的工業(yè)設備包括以密封方式和輸送材料的管道連接的進給裝置和排出裝置,從而不會造成上面提到的問題。這種特征還有助于把本發(fā)明的設備插入到工業(yè)生產線中,因為它不僅不要求修改結構或布局甚至也不要求修改其中已有部件的配置。
      本發(fā)明的施加部件1包括至少一對電極并且最好如附圖中示出那樣包括兩對電極12、13和14、15,電極的表面例如但不限制性地是通過鍍上彼此相對但平行的導電材料,最好為不銹鋼,形成的。每對電極包括電氣上和發(fā)電機10的一個端子連接的第一板12、14以及電氣上和不同電位的端子,例如發(fā)電機10的另一個端子,或者和地連接的第二板13、15。每對電極的第一板12、14電氣上彼此連接,例如通過兩個也用導電材料做成的并且部署在它們的端頭上的連接件16,從而二者等電勢即保持在相同電位上。另兩個和地連接的板13、15排列成對著兩個等電勢的第一板12、14。使用時,在板12和板13之間生成的第一電磁場具有定向成大致和板的表面垂直的擇優(yōu)方向的通量線。類似地,在板14和板15之間生成的第二電磁場具有大致也按所述擇優(yōu)方向取向的通量線。最后,和發(fā)電機10連接的等電勢電極對12、14定義一個大致垂直于所述擇優(yōu)方向的平面。
      當然,在不背離本發(fā)明的范圍和本發(fā)明的目的下,電極12、13、14、15和連接件16的數量、形狀和尺寸以及上面描述的電氣連接可以大大地和附圖中所示出的不同。
      每個板12、13、14、15包括多個開口30,這些開口中插入用來容納和輸入食品的裝置,例如但非限制性地,用絕緣材料做成的導管,最好是用塑料做成的管。這樣,食品在大致和施加部件1產生的電磁場的通量線基本平行的擇優(yōu)方向情況下通過施加部件1并且這兩個電極12、14基本排列成和該擇優(yōu)方向對齊。
      施加裝置,例如但非限制性的金屬圓柱40,和每塊板嚙合,例如但非限制性地以包圍輸送要處理的產品的管32的方式配合在孔30中。可以根據生產處理線中使用的管道的橫截面有益地選擇輸送管32的內徑并且相應地選擇金屬圓柱40的內徑。從而消除各種管道內部表面之間的任何不規(guī)則,以防止意外沉積一部分的要受到處理的產品。事實上這些部分的產品的延長沉積以及相應的退化例如會導致要受到處理的產品的結構污染,從而對它的消毒變成不可能。
      金屬圓柱40還具有防止輸送管道32損壞的加固作用。受處理的材料在等電勢管中歷經的熱沖擊趨于改變材料的體積,從而在輸送管32中形成膨脹。由于輸送管最好用絕緣材料并且一般用柔性材料做成,管壁的反復變形會導致管內壓力改變、彈性喪失或者甚至是塑料撕裂,其后果是材料泄漏。
      金屬圓柱40包括相應的支座件,例如但非限制性地支座凸塊42,這些凸塊能預置出電極板12、13、14、15相互移動不能超過的最小距離。該最小距離防止如果電極移動成彼此過近在設備的特定操作頻率下可能發(fā)生不希望的副效應。
      施加部件1還包括其它加固輸送管32的裝置,例如但非限制性地由絕緣材料最好特氟隆做成的圓柱50,其包圍輸送管32在支座凸塊42之間的部分。從而這些塑料圓柱50提高在該工業(yè)設備內部的高壓下應輸送的產品在輸送管32中的保留質量。
      根據產品類型或者其中采用本發(fā)明的技術過程,可以在不同尺寸和幾何形狀下形成輸送裝置32、施加裝置40和加固裝置50。重要的是保證該工業(yè)設備具有足夠靈活性從而保證它的各種技術過程的應用性。
      在附圖中示出的該實施例中,施加部件1包括支持裝置,例如但非限制性地兩個“L”狀金屬板18,它們還能使第一電極對的二塊板中之一和地電位連接。通過用絕緣材料,最好是特氟隆,做成的支持件其余板12、13、14被支持在一對電極的第二板15上,這樣不會干擾兩對電極之間存在的電磁場。每個支持件例如包括一個通過定位件24與電極對的兩個第二板13、15連接的螺紋棒22。另一對定位件26以它們之間的相對距離可改變的方式嚙合在棒22上并且分別支持第一板12、14。當然,這些支持件可以包括或者用業(yè)內人士容易確定的其它已知類型的裝置替代,只要它們的功能是從本說明理解出的并且只要它們能夠改變施加部件1的板12、13、14、15之間的相對距離。事實上這些支持件的一個特別優(yōu)點是,能夠通過改變單位時間內受到該射頻電磁場的作用的產品體積來改變施加到產品上的電磁場強度以及產品處理時間。
      如圖1中所示,對板13和15涂上一層絕緣材料44,從而防止在金屬管各端之間以及在各對電極之間形成任何電弧。為了更加簡明未在圖2中示出絕緣層44。
      在使用情況下,當發(fā)電機10在它的端子上產生預定振幅和預定頻率的振蕩電壓時,在板12和板13之間產生第一電磁場并且該場具有沿大致垂直于板的表面的擇優(yōu)方向取向的通量線。類似地,在板14和板15之間產生第二電磁場并且其具有大致也按該擇優(yōu)方向取向的通量線。在管32中容納和輸送食品,并且食品沿大致和施加部件1中產生的電磁場的通量線平行的擇優(yōu)方向通過施加部件1。
      金屬圓柱40能使沿著管32的壁傳送各電極的相反或者不同的電勢。從而處理中的產品受到電磁場的影響,其中大致沿產品流動的方向施加該電磁場的場線并且由于等電勢和由于這些金屬管的長度該電磁場特別強。實際上電場的場線彼此決不相交并且產生在等電勢金屬管內,由于管的長度遠大于管的直徑具有相當大的強度而且必須靠近上面提到的形狀相同的各個表面或者靠近不同的但帶有不同電位的表面。
      該電磁場在該部件中容納的產品上產生大致兩種類型的電流,即,稱為位移電流的第一類型和稱為傳導電流的第二類型。該第一類型是由于構成產品的物質的介質位移造成的,該位移是通過外加交變電磁場的振蕩引起的(類似于分子振蕩類型)。它對不是自由離子電荷的產品部分起作用,引起分子振蕩,并且因此不同分子之間的分子摩擦產生熱(介質加熱)。該第二類型是由于產品中存在的使它呈半導電性的自由離子電荷的傳導造成的,其是由施加到產品上的射頻電勢差引起的,因為管32的壁的容性效應允許射頻電流通過壁。通過這種對在產品中自由移動的離子電荷的作用,該電流通過焦耳效應造成加熱。這兩種電流都以提供到施加部件1的射頻發(fā)電機的標準頻率。很明顯,這兩個電流相差90°彼此不同相,因為一個是感性的而另一個是阻性的。當然,這些金屬管的長度使得能把較大的電磁場施加到產品上。
      各對電極12、13和14、15之間的并且從而各金屬管40之間的距離有益地使得能減少產品的處理時間,因為在具有不同電位的金屬管之間部署的產品的體積較小。
      這種類型的配置特別有益于用射頻電磁場熱處理諸如牛奶的半導電材料。事實上,即使如輸送牛奶的連續(xù)生產線情況中那樣材料快速通過施加部件1,在非常短的時間內發(fā)生熱處理并且該熱處理要比其它任何已知的部件均勻得多。
      另外,該施加部件1把高強度電磁場集中在小空間中的能力使得發(fā)電機可對施加部件1提供足夠低的電壓,從而在不會限制在非常短的時間內非??斓匕巡牧霞訜岬礁邷厣系墓逃刑卣髑闆r下消除掉可能損壞輸送材料的管道或者造成產品的燒壞的不希望有的放電風險。
      當然,施加部件1還可以包括多于一條的管子從而增加同一時間內受到熱處理的材料的體積,或者可以包括幾條橫截面不同的管子從而在本發(fā)明的工業(yè)設備的輸入和/或輸出處與輸送材料的管道的尺寸配合。
      本發(fā)明的一個重要技術特征是,電極12、13、14、15以及和它們連接的金屬管40,即施加部件1的各端,都連接到地,以防止在施加部件1的外面不希望的電流會流過產品,這些隨產品越導電越大的電流產生不希望的副效應,例如和浸入在產品中的探子發(fā)生電磁干擾,或者造成屏蔽-即把射頻電磁場包含在該設備之內-的困難。此外,整個設備電氣上和生產線以及它的組成部件隔離,而且出于明顯的安全原因避免電流散布到它的外表上。另外,由于要處理的材料的電位實際上處于該施加部件的各端外面的地電位上,金屬管特別是不銹鋼管可有益地連接到管32上,從而能使該部件相當完美地插入到通常采用不銹鋼管的生產線中。另一個在該施加部件的各端上插入絕緣材料的優(yōu)點是解決了屏蔽問題并且限制了該設備連接的電部件例如探子、變換器、PLC等中的漏電流和干擾。
      可以在發(fā)電機10和地之間即第二板13、15和等電勢板12、14之間設置調相裝置,例如但非限制性地通過電感形成,為了使部件的負載和射頻發(fā)電機10相適應調相裝置是必須的。電感52例如但非限制性地通過厚度大于該設備的工作射頻電流的穿透深度的管子,最好鍍銀銅管,做成。此外,可有益地把一個或多個調節(jié)件連接到每個電感上,從而根據它們的位置對電流以及對應的磁鏈形成較長或較短的路徑,由此調節(jié)調相電流并且進而調節(jié)被處理產品類型所需的射頻電壓范圍。該特性是特別有用的,因為它使該設備可以特別靈活地用于可能具有明顯不同的電和介電特性的產品上。
      該調相裝置還完成負載匹配功能,為了使發(fā)電機和負載之間的功率傳輸為最大,它是根據把該包括其中容納著產品的射頻施加部件1的系統(tǒng)的阻抗值轉換成該發(fā)電機的可用阻抗的準則設計的。通過在發(fā)電機10和施加部件1之間插入適當的負載匹配網絡以及通過上面提到的調相裝置,還可以把在該施加部件的結構中循環(huán)的射頻電流減小到為在管32中產生電磁場所需的準確值。從而可以防止該施加部件的物理限制之外的不希望有的射頻功率輻射,這樣還限制了無負載損耗,這種在別的情況下產生的無負載損耗會導致不必要的功耗并且會在該部件內部產生或多或少的局部熱點。
      射頻發(fā)電機10可以包括已知類型的調節(jié)所發(fā)送的功率的系統(tǒng),例如,通過提供給該發(fā)電機的干線電壓振幅的限幅器,或者通過在該發(fā)電機和該施加部件之間的容性、感性、互感或阻抗變換耦合變換阻抗的系統(tǒng)。這些用來調整該發(fā)電機的功率的系統(tǒng)可以有益地由電子部件控制,其中所述電子部件可以通過利用溫度傳感器檢測該施加部件的輸入和/或輸出端處的產品溫度保持輸出產品溫度穩(wěn)定或者通過對發(fā)電機功率調節(jié)系統(tǒng)提供反饋改變該溫度。
      一種替代的反饋系統(tǒng)例如可以是通過改變產品速度或者改變受處理產品的類型把發(fā)送到產品的射頻功率保持穩(wěn)定在預定值上。當然,上面描述的控制只是一些可對本發(fā)明使用的反饋控制。類似地,自動化中常規(guī)使用的并且生產線中普遍存在的電子監(jiān)視和控制部件,例如PLC或PC部件等,也可以插入到本發(fā)明的設備中。
      當然,在保持本發(fā)明的原理不變下,可以在不會背離本發(fā)明的范圍的前提下大范圍地改變實施例形式以及結構細節(jié)。
      權利要求
      1.一種用于向半導電介質材料施加射頻電磁場的施加部件,包括多個電極(12,13,14,15),它們使用中和發(fā)電機(10)連接,該發(fā)電機用來在它們之間沿擇優(yōu)方向產生包含電分量和磁分量的射頻電磁場,以及用于容納和輸送半導電介質材料的材料輸送裝置(32),其特征在于還包括在該擇優(yōu)方向大致對齊排列的至少一對等電位電極(12,14),并且該材料輸送裝置(32)在該施加部件(1)內沿大致和該擇優(yōu)方向平行的方向輸送該材料。
      2.根據權利要求1的施加部件,其特征在于包括至少一對的使用中電氣上可和地電位連接的第一電極(13,15),至少一對的使用中電氣上可和該發(fā)電機(10)連接的第二電極(12,14),以及和該第二電極對(12、14)連接從而把兩個電極保持在相同電位上的連接件(16),其中第二電極對(12,14)排列在第一電極對(13,15)之間。
      3.根據權利要求2的施加部件,其特征在于還包括,和至少一對電極(12,13,14,15)嚙合的并且部署在輸送裝置(32)附近的施加裝置(40)。
      4.根據權利要求3的施加部件,其特征在于,該施加裝置由金屬圓柱(40)構成。
      5.根據權利要求3的施加部件,其特征在于包括,布置在該輸送裝置(32)周圍的加固裝置(50),用于防止該輸送裝置在使用中由于其中所含材料的熱沖擊造成變形。
      6.根據權利要求5的施加部件,其特征在于,它包括設置在施加裝置(40)之間的由絕緣材料構成的圓柱(50)。
      7.根據權利要求6的施加部件,其特征在于,它可以包括數個彼此能串聯(lián)或并聯(lián)連接的輸送裝置(32)。
      8.根據上述任一權利要求的施加部件,其特征在于,它還包括用于支持各對電極的支持部件(22,24,26),使用中該支持部件能使各電極的相對距離被選擇性地改變。
      9.一種用于向半導電材料施加射頻電磁場的工業(yè)設備,包括一個射頻電壓發(fā)電機(10)和一個用于向半導電介質材料施加射頻電磁場的施加部件(1),其特征在于該施加部件由上述任一權利要求定義。
      10.根據權利要求9的工業(yè)設備,其特征在于,在至少一對電極(12,13)之間設置可選擇性調節(jié)的調相裝置,以便使用中移動該至少一對電極相對其它電極的電勢的相位。
      11.根據權利要求9的工業(yè)設備,其特征在于,該施加部件的每個電極可以和一個由無源阻性、感性和/或容性電元件構成的并且部署在該發(fā)電機(10)和該施加部件(1)之間的負載匹配網絡連接。
      12.根據權利要求9的工業(yè)設備,其特征在于,該電壓發(fā)電機可在它的端子上產生頻率在1千赫到1吉赫之間的射頻電壓或電流。
      13.根據權利要求9的工業(yè)設備,其特征在于,其包括電氣上和地電位連接的至少一第一對電極(13,15),電氣上和該電壓發(fā)電機(10)連接的至少一第二對電極(12,14),以及和第二電極對(12,14)連接的以把兩個電極保持在相同電位上的連接件(16),第二對電極(12,14)部署在第一對電極(13,15)之間,每個電極(12,13,14,15)包括其中形成至少一個開口(30)的導電板,并在開口(30)中插入輸送裝置(32)以便穿過這些板沿擇優(yōu)方向延伸。
      全文摘要
      用于向半導電介質材料施加射頻電磁場的工業(yè)設備包括一個射頻電壓發(fā)電機(10)和一個用來施加射頻電磁場的施加部件(1)。該施加部件(1)包括多個電極(12,13,14,15),電氣上和該發(fā)電機(10)連接,該發(fā)電機用于在它們產生帶有擇優(yōu)方向下的電分量和磁分量的射頻電磁場。該施加部件(1)還包括至少一對大致沿該擇優(yōu)方向對齊的等電位電極(12,14)以及用于在和該擇優(yōu)方向大致平行的方向在該施加部件(1)內容納并輸送半導電介質材料的材料輸送裝置(32)。
      文檔編號H05B6/80GK1628490SQ02829037
      公開日2005年6月15日 申請日期2002年5月28日 優(yōu)先權日2002年5月28日
      發(fā)明者阿萊桑德羅·托內洛 申請人:斯塔拉姆股份公司
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