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      一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

      文檔序號(hào):8142897閱讀:204來源:國知局
      專利名稱:一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
      背景技術(shù)
      當(dāng)今,隨著多媒體技術(shù)的發(fā)展和信息社會(huì)的來臨,對(duì)平板顯示器性能的要求越來越高。近年新出現(xiàn)的三種顯示技術(shù)等離子顯示器、場(chǎng)發(fā)射顯示器和有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(organic light emitting device,OLED),均在一定程度上彌補(bǔ)了陰極射線管和液晶顯示器的不足。其中,OLED具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn),與液晶顯示器相比,OLED不需要背光源,視角大,功率低,其響應(yīng)速度達(dá)液晶顯示器的1000倍,其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器,因此,有機(jī)電致發(fā)光顯示器勢(shì)必具有廣闊的應(yīng)用前景。
      OLED的典型結(jié)構(gòu)包括基片、陽極層、陰極層和位于這兩層之間的有機(jī)功能層,有機(jī)功能層中包括發(fā)光層,還可包括電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴阻擋層中的一種或幾種功能層。在陽極和陰極之間施加一定電壓,OLED即可發(fā)光,發(fā)射光的光譜波長(zhǎng)由所選用的有機(jī)功能層中材料的分子特性控制。
      KODAK公司在1988年9月6日公告的美國專利US4769292中,首次提出可以在OLED發(fā)光層材料中加入熒光染料,通過摻雜可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光顏色或色調(diào)、發(fā)光效率的調(diào)制。發(fā)光層材料被稱為主體材料,所加入的染料被稱為摻雜劑材料。
      摻雜的發(fā)光層的發(fā)光效率會(huì)受到所選擇的有機(jī)主體材料的性能、所選擇的有機(jī)摻雜劑材料的性能、主體材料中摻雜劑的濃度,以及摻雜劑在主體材料中分散的均勻程度等因素的影響。合理的考慮這些因素,可以有效的提高OLED的發(fā)光性能。
      摻雜劑激子形成主要通過以下兩個(gè)途徑1、因?yàn)閾诫s劑能級(jí)位于主體材料能級(jí)內(nèi),因此能直接俘獲載流子,并形成激子發(fā)光;2、主體材料中形成的激子通過Forster或Dexter能量傳遞,將能量傳遞到摻雜劑,形成摻雜劑激子。
      對(duì)上述途徑1而言,當(dāng)摻雜劑能帶間隙遠(yuǎn)小于主體材料能帶間隙時(shí),載流子在摻雜劑上的直接復(fù)合就變得非常有效,從而可以降低摻雜劑的摻雜濃度。
      對(duì)上述途徑2而言,通常要求摻雜劑的濃度要足夠高,以便摻雜劑分子間平均距離在Forster或Dexter能量傳遞半徑之內(nèi),實(shí)現(xiàn)有效的能量傳遞。但是,正如Martin Pope等人(Martin Pope and Charles E.Swenberg,Electronic Processes inOrganic Crystals.Oxford University Express(1982))指出的,主體材料中形成激子在輻射或非輻射方式將能量耗散掉以前,通常會(huì)以無規(guī)行走的擴(kuò)散方式運(yùn)動(dòng)一段距離。擴(kuò)散的距離由材料激子的擴(kuò)散常數(shù)和激子的壽命所決定。這一距離通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于Forster或Dexter能量傳遞半徑。Forster能量傳遞半徑通常在數(shù)納米左右,Dexter能量傳遞半徑通常在數(shù)埃左右,而激子的擴(kuò)散距離通常為數(shù)十納米。蒽的單線態(tài)激子可以在蒽的晶體中擴(kuò)散約50納米。這就使得摻雜濃度可以大大降低。Benz等人在光致發(fā)光的研究中發(fā)現(xiàn),蒽晶體中只摻入百萬分之五的丁省,就可以得到強(qiáng)度相同的蒽和丁省的發(fā)光。
      先有技術(shù)的OLED的摻雜發(fā)光層中,摻雜劑的濃度范圍通常是0.01摩爾百分比到10摩爾百分比,通常采用的濃度范圍是1摩爾百分比至10摩爾百分比。但在此較高的摻雜劑濃度下,摻雜劑激子會(huì)受電場(chǎng)或電流影響,發(fā)生猝滅和分解,也可能因?yàn)閾诫s劑激子之間的相互作用而發(fā)生猝滅,影響器件性能的進(jìn)一步提高。摻雜劑的引入也會(huì)改變主體材料的電流電壓特性,在某些情況下將導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓升高。所以,如能進(jìn)一步降低摻雜劑的濃度,同時(shí)保證實(shí)現(xiàn)摻雜劑的有效發(fā)光,則能夠降低上述不利因素對(duì)器件性能的影響。
      現(xiàn)有技術(shù)中,通常實(shí)現(xiàn)摻雜采用的方法是共沉積法,即主體材料和摻雜劑材料放置在獨(dú)立的蒸發(fā)源中,在形成摻雜的有機(jī)發(fā)光層的蒸鍍過程中,通過控制主體材料和摻雜劑材料的蒸發(fā)速率,實(shí)現(xiàn)不同濃度的摻雜。但上述共沉積過程難以精確控制主體材料和摻雜劑材料的沉積速率,尤其是當(dāng)摻雜劑濃度低于0.1摩爾百分比時(shí)。
      柯達(dá)公司在2002年2月20日公開的一份專利申請(qǐng)CN1336411A中提到了一種預(yù)摻雜的方法,將蒸發(fā)溫度相近的摻雜劑與主體材料預(yù)先混勻,達(dá)到所需的摻雜濃度,再通過單一蒸發(fā)源蒸鍍。因?yàn)榛旌衔锏母鱾€(gè)組分蒸氣壓相近,所以不能通過升華的方法實(shí)現(xiàn)分離,從而得到預(yù)期的摻雜發(fā)光層。但當(dāng)需要摻雜劑濃度低于0.01摩爾百分比時(shí),采用預(yù)摻雜制備的發(fā)光層摻雜濃度誤差也相當(dāng)大,造成器件性能不穩(wěn)定。而且,預(yù)先混合的摻雜劑預(yù)主體材料比例一旦固定,在蒸鍍過程中就不能再調(diào)節(jié)。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提出一種有機(jī)電致發(fā)光器件,克服摻雜劑激子由于受電場(chǎng)或電流影響或受其相互間作用影響,而發(fā)生猝滅和分解的缺點(diǎn),以提高引入摻雜劑時(shí)主體材料的電流電壓穩(wěn)定性。
      本發(fā)明的另一個(gè)目的是提出一種制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法,以精確地控制摻雜劑材料的摻雜濃度。
      一種有機(jī)電致發(fā)光器件,該器件結(jié)構(gòu)依次包括襯底、陽極層、有機(jī)功能層和陰極層,其中有機(jī)功能層中包括發(fā)光層,其特征在于,發(fā)光層包括至少一種有機(jī)主體材料和至少一種摻雜劑,摻雜劑為主體材料的0.1ppm~500ppm(摩爾)。
      器件發(fā)光層中的主體材料為蒽類衍生物。
      器件發(fā)光層中的摻雜劑材料為并四苯類衍生物、苝類衍生物。
      器件發(fā)光層中包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層中的一種或幾種功能層。
      一種制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法,在帶有陽極的基片上通過蒸鍍沉積有機(jī)功能層和陰極層,其中制備有機(jī)發(fā)光層時(shí),包括以下步驟(1)將主體材料1和至少一種摻雜劑形成均勻固體混合物,放入蒸發(fā)源1;(2)將主體材料2放入蒸發(fā)源2;(3)控制兩個(gè)蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率,蒸鍍形成發(fā)光層。
      上述方法中,主體材料2與主體材料1相同。
      上述方法的步驟(1)中在固體混合物中再均勻混合至少一種主體材料。
      上述方法的步驟(2)中在主體材料2中均勻混合至少一種主體材料或摻雜劑材料。
      本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光顏色或色調(diào)、發(fā)光效率的調(diào)制,而且,摻雜劑不會(huì)影響主體材料的電流和電壓特性,摻雜劑不會(huì)發(fā)生猝滅和分解,器件具有較好的穩(wěn)定性和發(fā)光性能。
      本發(fā)明的制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法,能夠精確地控制摻雜劑材料的摻雜濃度,可以實(shí)現(xiàn)微量濃度摻雜,而且在蒸鍍過程中可通過控制兩個(gè)蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率再調(diào)節(jié)摻雜濃度,非常靈活。


      圖1是器件OLED-1(A-D)的電流密度-電壓-亮度曲線;圖2是器件OLED-1(A-D)的發(fā)光光譜;圖3是器件OLED1-C與OLED1-Y的發(fā)光光譜;圖4是器件OLED-2C的發(fā)光光譜;圖5是OLED-2C的電流密度-電壓-亮度曲線;
      圖6是器件OLED-4(A-B)的發(fā)光光譜。
      具體實(shí)施例方式
      制備本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件,采用以下步驟(1)使用清洗劑、去離子水和有機(jī)溶液分幾步清洗帶有陽極的玻璃基片;(2)通過蒸鍍?cè)陉枠O層上沉積一定厚度的空穴傳輸層材料;(3)將需要加入發(fā)光層的摻雜劑固態(tài)材料按照一定摩爾百分比與作為主體材料的固體材料混合,然后在具有化學(xué)惰性環(huán)境的容器中熔融混合物,冷卻到室溫,得到均勻固體混合物,將其放入蒸發(fā)源1;(4)將需要的固態(tài)主體材料放入蒸發(fā)源2,或是按步驟(1)方法獲得均勻固體混合物,將其放入蒸發(fā)源2;(5)調(diào)節(jié)蒸發(fā)源1和蒸發(fā)源2的蒸鍍速率,蒸鍍發(fā)光層材料;(6)通過蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上沉積一定厚度的電子傳輸層材料;(7)通過從兩個(gè)蒸鍍?cè)凑舫龅慕饘?,在電子傳輸層材料上沉積一定厚度的金屬合金作為陰極,再沉積一定厚度的金屬保護(hù)層。
      為進(jìn)一步理解本發(fā)明,下面舉例介紹本發(fā)明,對(duì)于其中所使用的材料名稱解釋如下Alq38-羥基喹啉鋁鹽,可用作電子傳輸層材料;ITO銦錫氧化物,用作基片上的透明陽極材料;MgAg鎂銀合金,鎂∶銀的體積比率為10∶1,用作基片上的陰極層材料;NPB4,4’-雙[1-萘基]-N-苯氨基]-聯(lián)苯基,用作空穴傳輸層材料;發(fā)光層主體材料包括D2NA9,9,10-二(2-萘基)蒽;D2NBA2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽;摻雜劑材料包括rubrene紅熒烯;
      perylene苝;5,6,11,12-四苯基丁省。
      實(shí)施例1制備有機(jī)電致發(fā)光器件OLED-1(A-D)將涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板在商用清洗劑中超聲處理,在去離子水中沖洗,在丙酮∶乙醇混合溶劑中超聲除油,在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水份,用紫外光清洗機(jī)照射10分鐘,并用低能陽離子束轟擊表面。
      通過熱蒸鍍?cè)贗TO上沉積50納米厚的NPB空穴傳輸層。
      按照摩爾百分比混合固態(tài)材料99%D2NA和1%的rubrene,然后在具有化學(xué)惰性環(huán)境的容器中熔融混合物,冷卻到室溫,從容器中取出均勻的預(yù)摻雜發(fā)光材料,將其放入蒸發(fā)源1,在蒸發(fā)源2中放入D2NA,控制蒸發(fā)源1的蒸鍍速率為蒸發(fā)源2蒸鍍速率的x%倍,這樣蒸鍍形成50納米厚的摻雜的發(fā)光層WEM-1(A-D),最終摻雜劑rubrene在D2NA中的濃度為萬分之x(摩爾)。
      通過熱蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上沉積5納米厚的Alq3電子傳輸層。
      通過從兩個(gè)蒸鍍?cè)?鎂和銀)蒸出的金屬,在Alq3層上沉積100納米厚的MgAg陰極,及100納米厚的Ag保護(hù)層。制備完成器件OLED-1(A-D)。
      器件OLED1(A-D)的結(jié)構(gòu)可以簡(jiǎn)化表示如下ITO/NPB(50)/WEM-1(50)/Alq3(5)/MgAg(100)/Ag(100)OLED1(A-D)的性能詳見下表1表1ITO/NPB(50)/WEM-1(50)/Alq3(5)/MgAg(100)/Ag(100)

      器件OLED1(A-D)的電流密度-電壓-亮度曲線參見附圖1,器件OLED-1(A-D)的發(fā)光光譜參見附圖2。器件OLED-1C為很好的白光器件。
      實(shí)施例2將涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板在商用清洗劑中超聲處理,在去離子水中沖洗,在丙酮∶乙醇混合溶劑中超聲除油,在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水份,用紫外光清洗機(jī)照射10分鐘,并用低能陽離子束轟擊表面。
      通過熱蒸鍍?cè)贗TO上沉積50納米厚的NPB空穴傳輸層。
      按照摩爾百分比混合固態(tài)材料99%D2NA和1%的rubrene,然后在具有化學(xué)惰性環(huán)境的容器中熔融混合物,冷卻到室溫,從容器中取出均勻的預(yù)摻雜發(fā)光材料,將其放入蒸發(fā)源1,在蒸發(fā)源2中放入D2NA,控制蒸發(fā)源1的蒸鍍速率為蒸發(fā)源2蒸鍍速率的1.6%倍,蒸鍍形成75納米厚的摻雜的發(fā)光層WEM-1Y,最終摻雜劑rubrene在D2NA中的濃度為萬分之1.6(摩爾)。
      通過熱蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上沉積5納米厚的Alq3電子傳輸層。
      通過從兩個(gè)蒸鍍?cè)?鎂和銀)蒸出的金屬,在Alq3層上沉積100納米厚的MgAg陰極,及100納米厚的Ag保護(hù)層。這樣制備完成器件OLED-1Y。
      器件OLED-1C與器件OLED-1Y的性能比較詳見下表2

      器件OLED-1C與器件OLED-1Y的發(fā)光光譜參見附圖3。由圖中可以看出,通過改變器件發(fā)光層的膜厚,器件發(fā)光可實(shí)現(xiàn)從白到黃的調(diào)制。
      實(shí)施例3制備有機(jī)電致發(fā)光器件OLED-2(A-D)將涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板在商用清洗劑中超聲處理,在去離子水中沖洗,在丙酮∶乙醇混合溶劑中超聲除油,在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水份,用紫外光清洗機(jī)照射10分鐘,并用低能陽離子束轟擊表面。
      通過熱蒸鍍?cè)贗TO上沉積50納米厚的NPB空穴傳輸層。
      按照摩爾百分比混合固態(tài)材料99%D2NBA和1%的rubrene,然后在具有化學(xué)惰性環(huán)境的容器中熔融混合物,冷卻到室溫,從容器中取出均勻的預(yù)摻雜發(fā)光材料,將其放入蒸發(fā)源1,在蒸發(fā)源2中放入D2NA,控制蒸發(fā)源1的蒸鍍速率為蒸發(fā)源2蒸鍍速率的x%倍,蒸鍍形成50納米厚的摻雜的發(fā)光層WEM-2(A-D),最終發(fā)光層結(jié)構(gòu)為D2NA∶D2NBA∶rubrene=(100-x)%∶x%∶(x/100)%。
      通過從兩個(gè)蒸鍍?cè)?鎂和銀)蒸出的金屬,在Alq3層上沉積100納米厚的MgAg陰極,及100納米厚的Ag保護(hù)層。制備完成器件OLED-2(A-D)。
      器件OLED-2(A-D)的結(jié)構(gòu)可以簡(jiǎn)化表示如下ITO/NPB(50)/WEM-2(50)/Alq3(5)/MgAg(100)/Ag(100)OLED-2(A-D)的件能詳見下表3

      器件OLED-2C的發(fā)光光譜詳見附圖4,OLED-2C的電流密度-電壓-亮度曲線詳見附圖5,通過附圖可以看出,OLED-2C為性能很好的白光器件。
      通過控制第一主體材料和第二主體材料以及摻雜劑材料的比例,可以進(jìn)一步優(yōu)化器件性能。這也是本發(fā)明的一大特色。
      實(shí)施例4制備器件OLED-2C(1-4)因?yàn)閷?shí)際操作控制蒸發(fā)源1和2的蒸鍍速率時(shí),可能會(huì)存在誤差,而導(dǎo)致?lián)诫s劑在發(fā)光層中的實(shí)際摻雜濃度與預(yù)期摻雜濃度有微小的差異,影響器件性能,本實(shí)施例制備預(yù)期摻雜濃度相同的器件OLED-2C(1-4),以觀察器件性能的變化。
      將涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板在商用清洗劑中超聲處理,在去離子水中沖洗,在丙酮∶乙醇混合溶劑中超聲除油,在潔凈環(huán)境下烘烤至完全出去水份,用紫外光清洗機(jī)照射10分鐘,并用低能陽離子束轟擊表面。
      通過熱蒸鍍?cè)贗TO上沉積50納米厚的NPB空穴傳輸層。
      按照摩爾百分比混合固態(tài)材料99%D2NBA和1%的rubrene,然后在具有化學(xué)惰性環(huán)境的容器中熔融混合物,冷卻到室溫,從容器中取出均勻的預(yù)摻雜發(fā)光材料,將其放入蒸發(fā)源1,在蒸發(fā)源2中放入D2NA,控制蒸發(fā)源1的蒸鍍速率為蒸發(fā)源2蒸鍍速率的2.5%倍,蒸鍍形成50納米厚的摻雜的發(fā)光層WEM-2C,最終發(fā)光層結(jié)構(gòu)為D2NA∶D2NBA∶rubrene=97.5%∶2.5%∶0.025%。
      通過從兩個(gè)蒸鍍?cè)?鎂和銀)蒸出的金屬,在Alq3層上沉積100納米厚的MgAg陰極,及100納米厚的Ag保護(hù)層。制備完成器件OLED-2C(1-4)。
      OLED-2C(1-4)的性能詳見下表4

      由表4中可以看出,器件的性能并沒有發(fā)生大的變化,從而證明本發(fā)明的器件及制備方法可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的摻雜,具備很好的實(shí)用性。
      實(shí)施例5制備有機(jī)電致發(fā)光器件OLED-3(A-D)將涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板在商用清洗劑中超聲處理,在去離子水中沖洗,在丙酮∶乙醇混合溶劑中超聲除油,在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水份,用紫外光清洗機(jī)照射10分鐘,并用低能陽離子束轟擊表面。
      通過熱蒸鍍?cè)贗TO上沉積50納米厚的NPB空穴傳輸層。
      按照摩爾百分比混合固態(tài)材料99.95%蒽和0.05%的丁省,然后在具有化學(xué)惰性環(huán)境的容器中熔融混合物,冷卻到室溫,從容器中取出均勻的預(yù)摻雜發(fā)光材料,將其放入蒸發(fā)源1,在蒸發(fā)源2中放入蒽,控制蒸發(fā)源1的蒸鍍速率為蒸發(fā)源2蒸鍍速率的x%倍,這樣蒸鍍形成50納米厚的摻雜的發(fā)光層BEM(A-D),最終摻雜劑rubrene在D2NA中的濃度為百萬分之5x(摩爾)。
      通過熱蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上沉積5納米厚的Alq3電子傳輸層。
      通過從兩個(gè)蒸鍍?cè)?鎂和銀)蒸出的金屬,在Alq3層上沉積100納米厚的MgAg陰極,及100納米厚的Ag保護(hù)層。制備完成器件OLED-3(A-D)。
      器件OLED3(A-D)的結(jié)構(gòu)可以簡(jiǎn)化表示如下ITO/NPB(50)/BEM(50)/Alq3(5)/MgAg(100)/Ag(100)
      OLED3(A-D)的性能詳見下表1表5ITO/NPB(50)/BEM(50)/Alq3(5)/MgAg(100)/Ag(100)

      通過實(shí)施例5可以證明,用本發(fā)明所述的混合摻雜方法能夠?qū)崿F(xiàn)超低濃度的摻雜。
      實(shí)施例6制備有機(jī)電致發(fā)光器件OLED-4將涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板在商用清洗劑中超聲處理,在去離子水中沖洗,在丙酮∶乙醇混合溶劑中超聲除油,在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水份,用紫外光清洗機(jī)照射10分鐘,并用低能陽離子束轟擊表面。
      通過熱蒸鍍?cè)贗TO上沉積50納米厚的NPB空穴傳輸層。
      按照摩爾百分比混合固態(tài)材料99%perylene和1%的rubrene,然后在具有化學(xué)惰性環(huán)境的容器中熔融混合物,冷卻到室溫,從容器中取出均勻的預(yù)摻雜發(fā)光材料,將其放入蒸發(fā)源1;按照摩爾百分比混合固態(tài)材料50%D2NA和50%的D2NBA,然后在具有化學(xué)惰性環(huán)境的容器中熔融混合物,冷卻到室溫,從容器中取出均勻的預(yù)摻雜發(fā)光材料,將其放入蒸發(fā)源2??刂普舭l(fā)源1的蒸鍍速率為蒸發(fā)源2蒸鍍速率的X%倍,蒸鍍形成50納米厚的摻雜的發(fā)光層,最終發(fā)光層結(jié)構(gòu)為D2NA∶D2NBA∶perylene∶rubrene=(100-X)/2%∶(100-X)/2%∶X%∶(X/100)%。
      通過從兩個(gè)蒸鍍?cè)?鎂和銀)蒸出的金屬,在Alq3層上沉積100納米厚的MgAg陰極,及100納米厚的Ag保護(hù)層。制備完成器件OLED-4(A-B)。
      OLED-4的性能詳見下表3

      器件OLED-4的發(fā)光光譜詳見附圖6,通過附圖可以看出,OLED-4為性能很好的白光器件。蒸發(fā)源1與蒸發(fā)源2中的材料均可為預(yù)先混合好的材料,從而證明混合的主體材料和混合的摻雜劑材料共蒸,也能夠獲得發(fā)光性能良好的器件,這也是本發(fā)明的一大特色。
      通過以上的實(shí)施例可以證明,用本發(fā)明的混合摻雜方法制備OLED,不僅能夠?qū)崿F(xiàn)超低濃度的摻雜,而且適用于各種主體材料和摻雜劑材料,能夠制備出所需發(fā)光顏色的器件。
      權(quán)利要求
      1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,該器件結(jié)構(gòu)依次包括基片、陽極層、有機(jī)功能層和陰極層,其中有機(jī)功能層中包括發(fā)光層,其特征在于,發(fā)光層包括至少一種有機(jī)主體材料和至少一種摻雜劑,摻雜劑的摻雜濃度為主體材料的0.1ppm-500ppm(摩爾),主體材料和摻雜劑蒸發(fā)溫度范圍在(T-40)℃至(T+40)℃。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述有機(jī)功能層中包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層中的一種或幾種功能層。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述發(fā)光層中的主體材料為蒽類衍生物。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述發(fā)光層中的摻雜劑材料為并四苯類衍生物或苝類衍生物。
      5.制備權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件的方法,在帶有陽極的基片上通過蒸鍍沉積有機(jī)功能層和陰極層,其中制備有機(jī)發(fā)光層時(shí),包括以下步驟(1)將主體材料1和至少一種摻雜劑形成均勻固體混合物,放入蒸發(fā)源1;(2)將主體材料2放入蒸發(fā)源2;(3)控制兩個(gè)蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率,蒸鍍形成發(fā)光層。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法,其特征在于,所述主體材料2與主體材料1相同。
      7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法,其特征在于,所述步驟(1)中在固體混合物中再均勻混合至少一種主體材料。
      8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法,其特征在于,所述步驟(2)中在主體材料2中均勻混合至少一種主體材料或摻雜劑材料。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。器件的發(fā)光層包括至少一種有機(jī)主體材料和至少一種摻雜劑,摻雜劑為主體材料的0.1ppm~500ppm(摩爾)。該器件可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光顏色或色調(diào)、發(fā)光效率的調(diào)制,不會(huì)影響主體材料的電流和電壓特性,器件具有較好的穩(wěn)定性和發(fā)光性能。本發(fā)明采用先預(yù)摻雜,再雙源蒸鍍的混合摻雜法制備器件,能夠精確地控制摻雜劑的摻雜濃度,從而達(dá)到現(xiàn)有技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)微量濃度摻雜,而且在蒸鍍過程中可通過控制兩個(gè)蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率再調(diào)節(jié)摻雜濃度,非常靈活。
      文檔編號(hào)H05B33/14GK1514677SQ03100739
      公開日2004年7月21日 申請(qǐng)日期2003年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月22日
      發(fā)明者邱勇, 段煉, 王立鐸, 邱 勇 申請(qǐng)人:清華大學(xué)
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