專利名稱：氣體放電燈的驅(qū)動(dòng)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及權(quán)利要求1的前序部分所述的氣體放電燈的驅(qū)動(dòng)設(shè)備。此處尤其涉及該驅(qū)動(dòng)設(shè)備中所包含的半橋逆變器的改善和控制。此外，本發(fā)明還涉及對(duì)所述驅(qū)動(dòng)設(shè)備的關(guān)斷裝置進(jìn)行簡(jiǎn)化和對(duì)從電網(wǎng)接收的電流進(jìn)行合適的功率因數(shù)校正。
背景技術(shù)：
在文獻(xiàn)EP0093469(De Bijl)中講述過一種用于氣體放電燈的現(xiàn)有技術(shù)驅(qū)動(dòng)設(shè)備。該驅(qū)動(dòng)設(shè)備包括一個(gè)自振蕩的半橋逆變器，由該逆變器從直流電壓中產(chǎn)生一個(gè)高頻的交流電壓，其方式是輪流地接通和關(guān)斷被串聯(lián)連接的一個(gè)上半橋晶體管和一個(gè)下半橋晶體管。所述的直流電壓大多是借助由四個(gè)整流二極管組成的橋式整流器從電網(wǎng)低壓產(chǎn)生的。在此，自振蕩意味著，從負(fù)載回路獲得所述半橋晶體管的控制，而且不提供獨(dú)立的振蕩電路來產(chǎn)生所述的控制。優(yōu)選地，借助變流器來獲得所述的控制。變流器的一次繞組被設(shè)置在所述的負(fù)載回路中，并且流過一個(gè)可基本等于所述半橋逆變器所輸出的電流的負(fù)載電流。在兩個(gè)控制電路中各設(shè)置所述變流器的一個(gè)二次繞組，由該二次繞組分別產(chǎn)生一個(gè)信號(hào)輸入到所述半橋晶體管的控制電極中。所述負(fù)載回路被連接到半橋晶體管的連接點(diǎn)上。負(fù)載電路的主要組成部分是一個(gè)燈扼流圈，氣體放電燈可以經(jīng)過端子接線被串聯(lián)到該扼流圈上。也可以并聯(lián)多個(gè)負(fù)載回路；于是如此地布置所述的一次繞組，使得其流過所有負(fù)載回路的總和。
在所述的控制電路中分別產(chǎn)生一個(gè)基本上與負(fù)載電流成比例的反饋信號(hào)。為此必須在理想情況下短路所述的二次繞組，在實(shí)際中是低歐姆地端接該二次繞組。否則在變流器中會(huì)出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，或者所述的一次繞組會(huì)對(duì)負(fù)載回路產(chǎn)生不理想的大干擾。按照現(xiàn)有技術(shù)，為所述的半橋晶體管設(shè)置雙極晶體管，其控制從所述的二次繞組獲得。所述雙極晶體管的被用作控制電極的基極端顯然是低歐姆的，并足以克服上述影響。
在上述條件下，所述二次繞組上的電壓降是所述負(fù)載電流的一個(gè)量度，并在現(xiàn)有技術(shù)中構(gòu)成反饋信號(hào)。該反饋信號(hào)分別被輸入到一個(gè)在最簡(jiǎn)單情形下由一個(gè)時(shí)間電容和一個(gè)時(shí)間電阻組成的時(shí)間環(huán)節(jié)中。如果相應(yīng)的時(shí)間電容被充電到一個(gè)足以控制一個(gè)關(guān)斷晶體管的積分值，則關(guān)斷相應(yīng)的半橋晶體管。
為了尤其點(diǎn)燃所述的氣體放電燈，與燈扼流圈相串聯(lián)地以及與氣體放電燈相并聯(lián)地連接一個(gè)諧振電容，該電容與所述的燈扼流圈一起構(gòu)成一個(gè)諧振回路。該諧振回路為點(diǎn)燃而近似工作在其諧振態(tài)，由此在諧振電容上形成一個(gè)足以點(diǎn)燃?xì)怏w放電燈的高電壓。
相應(yīng)地，在燈扼流圈和由此在所述的半橋晶體管中形成一個(gè)高電流。為了避免器件的過載，在現(xiàn)有技術(shù)中限制了所述負(fù)載電流的幅度。這是分別通過一個(gè)與相應(yīng)時(shí)間電阻并聯(lián)的第一電壓閾值開關(guān)來實(shí)現(xiàn)的。如果所述的負(fù)載電流上升超過預(yù)定的量度，則相應(yīng)的反饋信號(hào)便到達(dá)一個(gè)可能破壞相應(yīng)的第一電壓閾值開關(guān)、并由此導(dǎo)致相應(yīng)的半橋晶體管立即關(guān)斷的值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是提供一種如權(quán)利要求1的前序部分所述的氣體放電燈的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，該驅(qū)動(dòng)設(shè)備不僅可以實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中所述的拓?fù)湟杂糜诰哂须p極晶體管-顯然需要控制電流-的半橋，而且還可以采用諸如MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管等壓控半導(dǎo)體開關(guān)?；谠搯栴}的任務(wù)主要包括為所述的半導(dǎo)體開關(guān)提供一個(gè)與負(fù)載電流成比例的控制信號(hào)。
利用權(quán)利要求1的特征部分所述的氣體放電燈的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，該任務(wù)由權(quán)利要求1的特征部分所述的特征來解決。優(yōu)選的改進(jìn)方案由從屬權(quán)利要求給出。
大多處于成本的原因，雙極晶體管越來越多地由諸如MOSFET和IGBT等壓控半導(dǎo)體開關(guān)來解決。
如果利用上述二次繞組之一而不是雙極晶體管來控制一個(gè)壓控半導(dǎo)體開關(guān)，則二次繞組的端接不再是低歐姆的，并出現(xiàn)上文章節(jié)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所講述的缺陷。根據(jù)本發(fā)明，分別給控制電路配備一個(gè)第二電壓閾值開關(guān)，該開關(guān)具有第二電壓閾值并位于二次繞組的并聯(lián)電路中。在最簡(jiǎn)單的情形下，所述的第二電壓閾值開關(guān)由包括一個(gè)齊納二極管和一個(gè)測(cè)流電阻的串聯(lián)電路構(gòu)成，其中所述的齊納二極管具有一個(gè)對(duì)應(yīng)于第二電壓閾值的齊納電壓。如果二次繞組上的電壓從零開始上升，則第二電壓閾值開關(guān)首先被無效。當(dāng)達(dá)到第二電壓閾值時(shí)，該齊納二極管開始導(dǎo)通，并理想地把二次繞組端接為低歐姆的。第二電壓閾值的數(shù)值必須低于所述壓控半導(dǎo)體開關(guān)至少用于控制的閾值電壓。在確定測(cè)流電阻的規(guī)格時(shí)需要滿足兩個(gè)條件。一方面，所述測(cè)流電阻的值必須足夠小，以便保證二次繞組的低歐姆端按。另一方面，所述測(cè)流電阻的值必須足夠大，以便二次繞組上的電壓能進(jìn)一步上升到第一電壓閾值。
因?yàn)樵跍y(cè)流電阻中按照本發(fā)明是流經(jīng)一個(gè)基本上成比例的電流，所以該測(cè)流電阻上的電壓顯然也是負(fù)載電流的一個(gè)量度。因此，按照本發(fā)明可以把測(cè)流電阻上的電壓考慮用來檢測(cè)故障情況。為此將其輸入到一個(gè)關(guān)斷裝置中。為了抑制干擾，在所述的關(guān)斷裝置中對(duì)測(cè)流電阻上的電壓求時(shí)間平均值。如果該平均值超過給定的極限值，則由該關(guān)斷裝置中斷所述半橋逆變器的繼續(xù)振蕩。這尤其通過抑制所述兩個(gè)半橋晶體管之一的控制信號(hào)來實(shí)現(xiàn)。
上述驅(qū)動(dòng)設(shè)備通常具有兩個(gè)可接到電網(wǎng)電壓上的電網(wǎng)接線端子，因此流過一個(gè)電網(wǎng)電流。慣用的標(biāo)準(zhǔn)(譬如IEC 1000-3-2)規(guī)定了電網(wǎng)電流的諧波的最大幅度。為了遵守該標(biāo)準(zhǔn)，驅(qū)動(dòng)設(shè)備具有所謂的PFC電路(功率因數(shù)校正)。該P(yáng)FC電路的一種合適的實(shí)現(xiàn)表現(xiàn)為所謂的抽運(yùn)電路，這譬如在EP 253224(Zuchtriegel)或EP1028606(Rudolph)中講述過。在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)組合抽運(yùn)電路和自振蕩半橋逆變器的情況下，當(dāng)為氣體放電燈產(chǎn)生所需的點(diǎn)燃電壓時(shí)會(huì)存在問題，而且在切換半橋晶體管時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高的損耗功率。尤其在氣體放電燈具有較大功率的情況下會(huì)出現(xiàn)上述問題。其原因還在于存儲(chǔ)時(shí)間，該時(shí)間對(duì)于雙極晶體管是典型的，而且不允許確切地規(guī)定關(guān)斷時(shí)間點(diǎn)。本發(fā)明允許使用諸如MOSFET等壓控半導(dǎo)體開關(guān)，其沒有存儲(chǔ)時(shí)間并因此可以避免上述問題。這意味著本發(fā)明的半橋逆變器通過結(jié)合一個(gè)抽運(yùn)電路還可以優(yōu)選地應(yīng)用于所需的功率大于100W的負(fù)載。
在本發(fā)明的半橋逆變器中隨同抽運(yùn)電路出現(xiàn)的另一效應(yīng)是，工作頻率將通過所述提供半橋逆變器振蕩的電網(wǎng)電壓進(jìn)行強(qiáng)烈的調(diào)制。根據(jù)電網(wǎng)電壓的瞬時(shí)值，上述工作頻率尤其位于帶寬大于10kHz的頻帶內(nèi)。由此把本發(fā)明驅(qū)動(dòng)設(shè)備所引起的電磁干擾分配到一個(gè)寬頻帶內(nèi)。從而有利地使到達(dá)被干擾設(shè)備的能量保持很低。同時(shí)使本發(fā)明驅(qū)動(dòng)設(shè)備的去干擾費(fèi)用保持較低。
本發(fā)明測(cè)流電阻的另一有利的用途是在于所述自振蕩半橋逆變器的啟動(dòng)電路中。為了啟動(dòng)半橋逆變器，通常需要充電一個(gè)啟動(dòng)電容，并且在到達(dá)充電電容的觸發(fā)電壓時(shí)，把該充電電容所存儲(chǔ)的電荷中的一部分經(jīng)觸發(fā)元件放電到半橋電容的控制電極上。在此可能出現(xiàn)以下問題，即如此在有關(guān)的控制電極上所產(chǎn)生的充電脈沖太短和太低，并且不能觸發(fā)半橋逆變器的持續(xù)振蕩。根據(jù)本發(fā)明，所述充電電容的一部分存儲(chǔ)電荷經(jīng)一個(gè)二極管被輸入到本發(fā)明的測(cè)流電阻上。由此能可靠地實(shí)現(xiàn)半橋逆變器的振蕩。


下面借助實(shí)施例來詳細(xì)講述本發(fā)明。其中圖1示出了本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)設(shè)備的基本電路。
圖2示出了本發(fā)明控制電路的實(shí)施例。
圖3示出了具有抽運(yùn)電路的本發(fā)明驅(qū)動(dòng)設(shè)備的實(shí)施例。
圖4示出了本發(fā)明關(guān)斷裝置的實(shí)施例。
在下文中，電阻用字母R表示，晶體管用字母T表示，二極管用字母D表示，電容用字母C表示，以及接線端子用字母J及其后面的數(shù)字表示。
具體實(shí)施例方式
在圖1中給出了本發(fā)明驅(qū)動(dòng)設(shè)備的基本電路。該驅(qū)動(dòng)設(shè)備可以通過接線端子J1、J2接到電網(wǎng)上。所述的電網(wǎng)被輸入到方框FR中。該方框中包含有公知的濾波和整流裝置。濾波裝置的任務(wù)是抑制干擾。整流裝置通常由一個(gè)包括四個(gè)晶體管的橋整流器構(gòu)成。借助整流裝置向半橋逆變器HB輸入一個(gè)直流電壓。所述的半橋逆變器主要包含一個(gè)由上半導(dǎo)體開關(guān)T1和下半導(dǎo)體開關(guān)T2組成的串聯(lián)電路，這些開關(guān)在本發(fā)明中是壓控的。圖1的實(shí)施例用N溝道的MOSFET來實(shí)現(xiàn)。但也可以采用譬如IGBT或P溝道的MOSFET。在圖1所采用的N溝道的MOSFET中，需要把所述整流裝置的正輸出端經(jīng)節(jié)點(diǎn)3輸入到上晶體管T1中，而該整流裝置的負(fù)輸出端被連接到地電位M上。相同的極性也適用于IGBT。在采用P溝道MOSFET時(shí)必須變換極性。
在節(jié)點(diǎn)3和地電位M之間連接了一個(gè)存儲(chǔ)電容C1，由該電容存儲(chǔ)電網(wǎng)電壓然后將其輸出給燈Lp。
為了控制半橋晶體管T1、T2，半橋逆變器HB包含有分別用于各半橋晶體管T1、T2的控制電路1、2。控制電路1、2分別通過一個(gè)端子A與相應(yīng)的門極端相連，以及通過一個(gè)端子B與有關(guān)半橋晶體管的源極端相連。下半橋晶體管T2的控制電路2具有一個(gè)可以連接到關(guān)斷裝置上的第三端子S。
半橋晶體管T1、T2的連接點(diǎn)構(gòu)成了一個(gè)節(jié)點(diǎn)4，該節(jié)點(diǎn)上連接了負(fù)載回路。所述負(fù)載回路的第二端子在圖1中是被連接在地電位M上。同樣，該負(fù)載回路的第二端子也可以選擇性地連接到節(jié)點(diǎn)3上。所述負(fù)載回路主要由一個(gè)包含變流器的一次繞組L2、燈扼流圈L1、諧振電容C2和耦合電容C3的串聯(lián)電路組成。通過燈接線端子J3、J4把一個(gè)或多個(gè)串聯(lián)的燈Lp并聯(lián)到諧振電容C2上。在該實(shí)施例中沒有給燈絲設(shè)定預(yù)熱。但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以提供與本發(fā)明驅(qū)動(dòng)設(shè)備一起工作的公知的燈絲加熱裝置。也可以運(yùn)行多個(gè)并聯(lián)的負(fù)載回路。負(fù)載回路各器件的功能可以從現(xiàn)有技術(shù)中得知。
在圖2中示出了本發(fā)明控制電路的優(yōu)選實(shí)施例。在節(jié)點(diǎn)20和從圖1可知的端子B之間連接了變流器的一個(gè)二次繞組L3。二極管D1以其陽極連接到節(jié)點(diǎn)20上，其陰極連接到節(jié)點(diǎn)21上。節(jié)點(diǎn)21通過電阻R3連接到從圖1可知的端子A上。在二次繞組L3上并聯(lián)了一個(gè)積分環(huán)節(jié)，該積分環(huán)節(jié)被實(shí)施為時(shí)間電阻R1和時(shí)間電容C4組成的串聯(lián)電路，并且具有一個(gè)等于R1和C4之乘積的積分常數(shù)。R1和C4的連接點(diǎn)構(gòu)成了節(jié)點(diǎn)22。與C4相并聯(lián)地抽取一個(gè)積分值，并將其輸入到半導(dǎo)體開關(guān)T3的控制電極。半導(dǎo)體開關(guān)T3的開關(guān)線路處于端子A和B之間。在該實(shí)施例中，與之還可以并聯(lián)一個(gè)電阻R4來提高開關(guān)的可靠性。優(yōu)選地把半導(dǎo)體開關(guān)T3實(shí)施為小信號(hào)雙極晶體管。
在節(jié)點(diǎn)21和節(jié)點(diǎn)22之間連接了具有第一電壓閾值的第一電壓閾值開關(guān)。該電壓閾值開關(guān)被實(shí)施為齊納二極管D3。如果從L3饋給控制電路的電壓超過一個(gè)導(dǎo)致超越D3齊納電壓的值，則時(shí)間電容C4不僅通過時(shí)間電阻R1，而且還通過D3充電，由此降低積分環(huán)節(jié)的積分常數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明，在節(jié)點(diǎn)21和端子B之間連接一個(gè)具有第二電壓閾值的第二電壓閾值開關(guān)。該開關(guān)被優(yōu)選地實(shí)施為包含齊納二極管D2和測(cè)流電阻R2的串聯(lián)電路。當(dāng)L3上的電壓上升時(shí)，首先通過端子A控制所屬的半橋晶體管。根據(jù)本發(fā)明，在R2上的電壓進(jìn)一步上升之后將會(huì)超過D2的齊納電壓。由此在測(cè)流電阻R2上流過一個(gè)基本與負(fù)載回路中的負(fù)載電流成比例的電流。由此避免了變流器的飽和，并實(shí)現(xiàn)了與負(fù)載電流成比例地給積分環(huán)節(jié)進(jìn)行充電。如果負(fù)載回路中的電流如此之大，使得超過了D3的齊納電壓，則會(huì)導(dǎo)致快速地關(guān)斷所屬的半橋晶體管。
在D2和測(cè)流電阻R2之間的連接點(diǎn)上引出一個(gè)端子S。在該端子上可以取出一個(gè)相對(duì)于端子B的、與負(fù)載電流成比例的電壓。該電壓可以象下文所述的那樣被輸入到一個(gè)關(guān)斷裝置中。由于所述關(guān)斷裝置中的電壓通常是基于地電位M，所以下半橋晶體管所屬的控制電路只有一個(gè)端子S。
下面的表格中匯總了圖2所示器件的優(yōu)選規(guī)格。

在圖3中，本發(fā)明的如圖1和2所示的半橋逆變器HB被實(shí)施在具有抽運(yùn)電路的驅(qū)動(dòng)設(shè)備中。與圖1不同的是，方框FR中的整流裝置的正輸出端不是直接連接到節(jié)點(diǎn)3上，而是通過兩個(gè)并聯(lián)的、且分別由兩個(gè)二極管組成的串聯(lián)電路被連接到節(jié)點(diǎn)3上。二極管D5和D6形成了具有第一二極管連接點(diǎn)的第一二極管串聯(lián)電路。二極管D4和D7形成了具有第二二極管連接點(diǎn)的第二二極管串聯(lián)電路。從圖1可知的負(fù)載回路的各個(gè)節(jié)點(diǎn)通過電抗雙極被連接到所述的二極管連接點(diǎn)上。
燈接線端于J3通過抽運(yùn)電容C6與第一二極管連接點(diǎn)相連。與燈接線端子J4相比，燈接線端子J3的特點(diǎn)在于，其交流電壓成分相對(duì)于地電位的幅值要更大一些。圖1中的諧振電容C2被取消了。其功能由抽運(yùn)電容C6來接管。
一次繞組L2和燈扼流圈L1的連接點(diǎn)通過由抽運(yùn)扼流圈L4和電容C7所組成的串聯(lián)電路被連接到第二二極管連接點(diǎn)上。但所述的抽運(yùn)扼流圈L4也可以直接連接到從圖1可知的、表示為半橋晶體管T1和T2的連接點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)4上。電容C7的作用主要是阻塞流經(jīng)抽運(yùn)扼流圈L4的電流中的直流成分。
從圖1可知的節(jié)點(diǎn)4通過第二抽運(yùn)電容C5與所述的第一二極管連接點(diǎn)相連接。
在圖3中示出了一個(gè)由三個(gè)抽運(yùn)支路組成的抽運(yùn)電路結(jié)構(gòu)一個(gè)抽運(yùn)支路是通過抽運(yùn)電容C6表示的，另一個(gè)是通過第二抽運(yùn)電容C5表示的，而第三個(gè)則是通過抽運(yùn)扼流圈L4表示的。每個(gè)抽運(yùn)支路自身都已起到PFC電路的作用，使得不一定要設(shè)立所有三個(gè)抽運(yùn)支路。具體地說，所述抽運(yùn)支路的各種任意組合都是可能的。
另一種變型涉及到二極管D5和D7。這些二極管也可以接管在方框FR內(nèi)被分配給所述整流裝置的功能。于是可以取消整流裝置內(nèi)的相應(yīng)二極管。
圖4示出了可以怎樣將圖2所示的本發(fā)明測(cè)流電阻R2和與之相連的端子S優(yōu)選地用于驅(qū)動(dòng)設(shè)備的關(guān)斷及啟動(dòng)裝置。
所述的關(guān)斷裝置包含有一個(gè)由電阻R42、R43、R44、R45和晶體管T41、T42組成的公知晶閘管模擬電路。所述的晶閘管模擬電路通過電阻R41同圖1所示的節(jié)點(diǎn)3相連接。該晶閘管模擬電路的另一端接地M。
通過電阻S向一個(gè)由電阻R46、R47組成的分壓器饋送一個(gè)與負(fù)載電流成比例的電壓。該分壓器把饋入的電壓劃分成一個(gè)在標(biāo)準(zhǔn)狀況下能促使所述驅(qū)動(dòng)設(shè)備關(guān)斷的值。通過由所述分壓器饋電的電容C40來求取所述負(fù)載電流的時(shí)間平均值，并以相對(duì)于地電位的電壓形式進(jìn)行提供。該電壓被輸入到一個(gè)被實(shí)施為雙極晶體管T43的半導(dǎo)體開關(guān)的控制電極上。如果所述負(fù)載電流的平均值在故障情況下超過預(yù)定的量度，則通過T43的集電極端來觸發(fā)所述的晶閘管模擬電路。由此通過二極管D42把與所述下半橋晶體管的控制電極相連的端子G2連接到地電位M上。由此中斷半橋逆變器的繼續(xù)振蕩。
借助一個(gè)經(jīng)電阻R41從電網(wǎng)充電的公知的啟動(dòng)電容C41來實(shí)現(xiàn)所述半橋逆變器的振蕩啟動(dòng)。在C41上連接一個(gè)觸發(fā)二極管D40(DIAC)。若C41上的電壓達(dá)到觸發(fā)二極管D40的觸發(fā)電壓，則經(jīng)二極管D41和端子G2給所述下半橋晶體管的控制電極施加一個(gè)啟動(dòng)脈沖。在實(shí)踐中會(huì)發(fā)生如下情況，即該啟動(dòng)脈沖太短而不能可靠地啟動(dòng)半橋逆變器的振蕩。因此優(yōu)選地使用所述的端子S根據(jù)本發(fā)明通過二極管D43把端子S連接到觸發(fā)二極管D40上。所述的啟動(dòng)脈沖不僅經(jīng)過二極管D41，而且按照本發(fā)明還經(jīng)過二極管D43并進(jìn)一步經(jīng)過圖2的二極管D2和電阻R3。因此延長(zhǎng)和增大了啟動(dòng)脈沖，這便導(dǎo)致可靠地啟動(dòng)所述半橋逆變器的振蕩。
權(quán)利要求
1.用于驅(qū)動(dòng)氣體放電燈的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，具有以下特征包含有由兩個(gè)半橋晶體管(T1，T2)構(gòu)成的串聯(lián)電路的自振蕩半橋逆變器(HB)，連接在所述半橋晶體管的連接點(diǎn)(4)上并具有變流器一次繞組(L2)的負(fù)載回路，其中所述的一次繞組流經(jīng)一個(gè)從所述半橋逆變器(HB)提取的負(fù)載電流，各一個(gè)用于各半橋晶體管(T1，T2)的控制電路(1，2)，該控制電路分別包括以下器件-變流器的二次繞組(L3)，-一個(gè)積分環(huán)節(jié)(R1，C4)，該積分環(huán)節(jié)主要對(duì)所述變流器的二次繞組(L3)上的電壓進(jìn)行積分，并在超過預(yù)定的積分值時(shí)關(guān)斷有關(guān)的半橋晶體管，-第一電壓閾值開關(guān)(D3)，該閾值開關(guān)在達(dá)到給定的第一電壓閾值時(shí)減小所述積分環(huán)節(jié)的積分常數(shù)，其特征在于所述的半橋晶體管(T1，T2)主要是壓控晶體管，以及至少一個(gè)控制電路(1，2)具有一個(gè)帶有第二電壓閾值的第二電壓閾值開關(guān)(D2，R2)，其中所述的第二電壓閾值低于所述的第一電壓閾值，而且所述第二電壓閾值開關(guān)(D2，R2)位于所述二次繞組(L3)的并聯(lián)電路之中。
2.按權(quán)利要求1的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其特征在于所述第二電壓閾值開關(guān)包含有由一個(gè)齊納二極管(D2)和一個(gè)測(cè)流電阻(R2)組成的串聯(lián)電路。
3.按權(quán)利要求2的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其特征在于所述測(cè)流電阻(R2)上的電壓被輸入到一個(gè)關(guān)斷裝置中，該關(guān)斷裝置分析所述電壓的時(shí)間平均值或瞬時(shí)值，并在超過給定的極限值時(shí)中斷所述半橋逆變器(HB)的繼續(xù)振蕩。
4.按權(quán)利要求1的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)設(shè)備具有兩個(gè)電網(wǎng)電壓接線端于(J1，J2)，所述的兩個(gè)接線端子可以與電網(wǎng)電壓相連，并且通過抽運(yùn)電路對(duì)流經(jīng)所述電網(wǎng)電壓接線端子(J1，J2)的電網(wǎng)電流實(shí)行功率因數(shù)校正。
5.按權(quán)利要求4的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其特征在于所述的抽運(yùn)電路具有以下特征所述電網(wǎng)電流的一部分流經(jīng)第一抽運(yùn)二極管(D5)，該第一抽運(yùn)二極管與第二抽運(yùn)二極管(D6)一起構(gòu)成一個(gè)具有第一二極管連接點(diǎn)的第一二極管串聯(lián)電路，其中所述的兩個(gè)二極管具有如此的極性，使得它們?cè)试S電流從所述電網(wǎng)接線端子流向所述的半橋逆變器(HB)，所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備具有至少兩個(gè)可以與燈接線相連接的燈接線端子(J3，J4)，其中一個(gè)燈接線端子(J3)通過一個(gè)抽運(yùn)電容(C6)被連接到所述的第一二極管連接點(diǎn)上。
6.按權(quán)利要求5的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其特征在于所述的抽運(yùn)電容(C6)與一個(gè)相對(duì)于參考電位(M)具有以下電壓的燈接線端子(J3)相連接，即該電壓與另一個(gè)燈接線端子(J4)上的電壓相比具有極大的交流電壓成分值。
7.按權(quán)利要求5的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其特征在于在第一二極管串聯(lián)電路上連接一個(gè)由兩個(gè)二極管(D4，D7)組成的第二二極管串聯(lián)電路，由此產(chǎn)生第二二極管連接點(diǎn)，其中所述的兩個(gè)二極管(D4，D7)為如此的極性，使得該兩個(gè)二極管允許電流從電網(wǎng)流向所述的半橋逆變器(HB)，所述的第二二極管連接點(diǎn)至少經(jīng)一個(gè)抽運(yùn)扼流圈(L4)被連接到所述半橋晶體管(T1，T2)的所述連接點(diǎn)(4)上。
8.按權(quán)利要求2的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其特征在于所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備具有一個(gè)通過由觸發(fā)二極管(D40)和二極管(D43)組成的串聯(lián)電路被連接到所述測(cè)流電阻(R2)上的啟動(dòng)電容(C41)。
全文摘要
自振蕩的半橋逆變器(HB)，用于驅(qū)動(dòng)具有變流器作為反饋裝置的氣體放電燈。所述的半橋晶體管(T1，T2)主要是壓控晶體管(MOSFET)。半橋晶體管(T1，T2)的控制電路(1，2)具有一個(gè)電壓閾值開關(guān)(D2，R2)，當(dāng)超過該電壓閾值開關(guān)的電壓閾值時(shí)，便基本上產(chǎn)生一個(gè)與所述半橋逆變器(HB)的負(fù)載電流成比例的電流。
文檔編號(hào)H05B41/282GK1430460SQ0310090
公開日2003年7月16日 申請(qǐng)日期2003年1月2日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月2日
發(fā)明者B·魯多爾夫, A·施托爾姆 申請(qǐng)人:電燈專利信托有限公司