專利名稱：場致發(fā)光光發(fā)射元件及其制造方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種使用根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)射的光的場致發(fā)光光發(fā)射元件，以及其制造方法。
相關(guān)技術(shù)描述希望場致發(fā)光光發(fā)射元件能用于平面板顯示器中。在應(yīng)用于顯示器時，重要的是所發(fā)射的光具有高亮度和高發(fā)光效率。


圖1表示一種相關(guān)技術(shù)場致發(fā)光光發(fā)射元件的結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中，一透明電極層32，一光發(fā)射層33和一金屬電極層34依次層疊在玻璃基板31上。當(dāng)電場施加在透明電極層32與金屬電極層34之間時，由于場致發(fā)光，從光發(fā)射層33中發(fā)射出光。所發(fā)射的光在通過透明電極層32與玻璃基板31之后發(fā)射到空氣30中。
不過，玻璃基板31的折射率與空氣30的折射率之間存在較大差別，且當(dāng)從玻璃基板31到空氣30的入射角大于或等于全反射的臨界角時，光發(fā)射層33發(fā)射的光不能入射到空氣30中。因為玻璃基板的折射率一般為大約1.5，故從玻璃基板31到空氣30的臨界角近似為42°。在玻璃基板31內(nèi)傳播的入射角大于或等于該臨界角的任何光都將被限制在玻璃基板31等內(nèi)。由于這種限制的作用，大部分光不能從玻璃基板31發(fā)射到空氣30中。從而，希望盡可能減小限制在玻璃基板內(nèi)的作用，以便有效地將場致發(fā)射光發(fā)射到空氣中。
另外，因為光發(fā)射層33、透明電極層32、玻璃基板層31和空氣30均具有不同折射率，所以由于從光發(fā)射層33到透明電極層32，從透明電極層32到玻璃基板31，和從玻璃基板31到空氣30各個邊界處的折射率差異，便產(chǎn)生反射光。當(dāng)產(chǎn)生反射光時，由于衰減了場致發(fā)射光，所以不可能有效地將光發(fā)射到空氣中。從而，希望盡可能減小場致發(fā)射光通過不同折射率介質(zhì)的次數(shù)，以便有效地將場致發(fā)射光發(fā)射到空氣中。
發(fā)明概述為了解決上述相關(guān)技術(shù)中的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠有效地將場致發(fā)射光發(fā)射到空氣中的場致發(fā)光光發(fā)射元件，以及其制造方法。
為了達到上述目的，根據(jù)權(quán)利要求1，本發(fā)明為一種場致發(fā)光光發(fā)射元件，其具有依次設(shè)置在一基板上的一金屬電極層，一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層，和一透明電極層，其中該光發(fā)射層所發(fā)射的光從靠近透明電極層的一側(cè)發(fā)出。
從而，由于可以減小場致發(fā)射光通過具有不同折射率的介質(zhì)的次數(shù)，故有可能減小由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。
根據(jù)權(quán)利要求2，本發(fā)明為如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中該透明電極層的厚度小于該光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
根據(jù)波動光學(xué)，通過光的彌散(effusion)，光發(fā)射層所發(fā)射的場致發(fā)射光能從光發(fā)射層直接發(fā)射到外部。
根據(jù)權(quán)利要求3，本發(fā)明為如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中該光發(fā)射層的厚度與該透明電極層的厚度之和小于該光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
根據(jù)波動光學(xué)，通過光的彌散，該光發(fā)射層所發(fā)射的場致發(fā)射光能更有效地從該光發(fā)射層直接發(fā)射到外部。
根據(jù)權(quán)利要求4，本發(fā)明為一種場致發(fā)光光發(fā)射元件，其具有依次設(shè)置在一金屬基板上的一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層，和一透明電極層，其中該光發(fā)射層所發(fā)射的光從靠近該透明電極層的一側(cè)發(fā)出。
從而，由于可以減小場致發(fā)射光通過具有不同折射率的介質(zhì)的次數(shù)，故有可能減小由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。另外，因為該金屬基板還可以用作金屬電極，故有可能簡化該場致發(fā)光光發(fā)射元件的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)權(quán)利要求5，本發(fā)明為如權(quán)利要求4所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中該透明電極層的厚度小于該光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
根據(jù)波動光學(xué)，通過光的彌散，光發(fā)射層所發(fā)射的場致發(fā)射光能從光發(fā)射層直接發(fā)射到外部。
根據(jù)權(quán)利要求6，本發(fā)明為如權(quán)利要求4所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中該光發(fā)射層的厚度與該透明電極層的厚度之和小于該光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
根據(jù)波動光學(xué)，通過光的彌散，光發(fā)射層所發(fā)射的場致發(fā)射光能更有效地從光發(fā)射層直接發(fā)射到外部。
根據(jù)權(quán)利要求7，本發(fā)明為如權(quán)利要求1～6中任一權(quán)利要求所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中該透明電極層被涂覆一無反射膜。
因此，該無反射涂層有可能減小由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。
根據(jù)權(quán)利要求8，本發(fā)明為如權(quán)利要求1～6中任一權(quán)利要求所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中在該透明電極層的頂面上設(shè)置一金屬電極柵。
因此，該金屬電極柵使其有可能在即使該透明電極具有高電阻值時避免電壓下降。
根據(jù)權(quán)利要求9，本發(fā)明為一種如權(quán)利要求8所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件的制造方法，其中一透明電極材料被形成為具有該金屬電極柵的厚度，然后進行蝕刻，以使被蝕刻部分形成該透明電極層，而且剩余部分形成該金屬電極柵。
通過用這種方法形成金屬柵，有可能簡化場致發(fā)光光發(fā)射元件的制造過程。
根據(jù)權(quán)利要求10，本發(fā)明為一種場致發(fā)光光發(fā)射元件，其具有依次設(shè)置在一基板上的一反射層，一第一透明電極層，一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層和一第二透明電極層，其中該光發(fā)射層所發(fā)射的光從靠近該第二透明電極層一側(cè)發(fā)出。
從而，由于可以減小場致發(fā)射光通過具有不同折射率的介質(zhì)的次數(shù)，故有可能減小由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。另外，該反射層使之有可能有效地將場致發(fā)射光發(fā)射到外部。
根據(jù)權(quán)利要求11，本發(fā)明為如權(quán)利要求10所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中使該第二透明電極層的厚度小于該光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
根據(jù)波動光學(xué)，通過光的彌散，光發(fā)射層所發(fā)射的場致發(fā)射光能從光發(fā)射層直接發(fā)射到外部。
根據(jù)權(quán)利要求12，本發(fā)明為如權(quán)利要求10所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中該光發(fā)射層的厚度與該第二透明電極層的厚度之和小于該光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
根據(jù)波動光學(xué)，通過光的彌散，光發(fā)射層所發(fā)射的場致發(fā)射光能更有效地從光發(fā)射層直接發(fā)射到外部。
根據(jù)權(quán)利要求13，本發(fā)明為如權(quán)利要求10～12中任一權(quán)利要求所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中該第二透明電極層被涂覆一無反射膜。
因此，該無反射膜有可能減小由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。
根據(jù)權(quán)利要求14，本發(fā)明為如權(quán)利要求10～12中任一權(quán)利要求所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中在該第二透明電極層的頂面上設(shè)置一金屬電極柵。
因此，該金屬電極柵使其有可能在即使該透明電極具有高電阻值時避免電壓下降。
根據(jù)權(quán)利要求15，本發(fā)明為如權(quán)利要求14所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件的制造方法，其中一透明電極材料被形成為具有該金屬電極柵的厚度，然后進行蝕刻，以使被蝕刻部分形成該透明電極層，而且剩余部分形成該金屬電極柵。
通過用這種方法形成金屬柵，有可能簡化場致發(fā)光光發(fā)射元件的制造過程。
附圖簡要說明圖1是表示相關(guān)技術(shù)的場致發(fā)光光發(fā)射元件結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是表示本發(fā)明的場致發(fā)光光發(fā)射元件結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3是表示本發(fā)明的場致發(fā)光光發(fā)射元件結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4是表示本發(fā)明的場致發(fā)光光發(fā)射元件結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5是表示本發(fā)明的場致發(fā)光光發(fā)射元件結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6為示意圖，表示應(yīng)用于本發(fā)明的場致發(fā)光光發(fā)射元件上的金屬電極柵的結(jié)構(gòu)。
圖7為示意圖，表示應(yīng)用于本發(fā)明的場致發(fā)光光發(fā)射元件上的另一種金屬電極柵的結(jié)構(gòu)。
圖8為工藝流程圖，表示應(yīng)用于本發(fā)明的場致發(fā)光光發(fā)射元件上的金屬電極柵的制造方法。
最佳實施例的詳細描述現(xiàn)在將參照附圖詳細描述本發(fā)明的最佳實施例。
第一實施例圖2表示本發(fā)明第一實施例。在圖2中，通過依次在一玻璃基板11上層疊一金屬電極層12，一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層13和一透明電極層14，構(gòu)成一場致發(fā)光光發(fā)射元件。當(dāng)將電場施加在透明電極層14與金屬電極層12之間時，該光發(fā)射層13發(fā)射出場致發(fā)射光。在所發(fā)射的光中，射向透明電極層14的光穿過該透明電極層14，發(fā)射到空氣10中；射向金屬電極層12的光被該金屬電極層12反射，然后在穿過透明電極層14之后入射到空氣10中。當(dāng)將金屬電極層12和透明電極層14均形成為具有正交條紋形狀時，就構(gòu)成了能顯示圖像的場致發(fā)光光發(fā)射元件。
每當(dāng)光入射在具有不同折射率的介質(zhì)上時，由于折射率的這種差異，產(chǎn)生反射光，且該反射光衰減了該前進光。因此，與相關(guān)技術(shù)結(jié)構(gòu)相比，由于通過這樣一種構(gòu)造，其中場致發(fā)射光穿過光發(fā)射層到達透明電極層，然后從該透明電極層到達空氣，減小了該場致發(fā)射光通過具有不同折射率的介質(zhì)的次數(shù)，故有可能減小由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。
在這個方面，當(dāng)透明電極層14的厚度小于光發(fā)射層13所發(fā)射的光的波長時，于是根據(jù)波動光學(xué)通過光的彌散，光發(fā)射層13內(nèi)靠近透明電極層14處所產(chǎn)生的場致發(fā)射光能從該光發(fā)射層13直接發(fā)射到空氣10中。
另外，當(dāng)光發(fā)射層13的厚度與透明電極層14的厚度之和小于該光發(fā)射層13所發(fā)射的光的波長時，于是根據(jù)波動光學(xué)通過光的彌散，該場致發(fā)射光能從該光發(fā)射層13直接發(fā)射到空氣10中。金屬電極層12所反射的光也能從該光發(fā)射層13直接發(fā)射到空氣10中。
因此，與相關(guān)技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，由于這種構(gòu)造的效果相當(dāng)于場致發(fā)射光不通過具有不同折射率的介質(zhì)，消除由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。另外，根據(jù)波動光學(xué)通過利用光的彌散，光從光發(fā)射層直接發(fā)射到空氣中，由此減小了臨界角的限制作用，使其有可能有效地將場致發(fā)射光發(fā)射到空氣中。
第二實施例圖3表示本發(fā)明第二實施例。在圖3中，通過在金屬基板16上依次層疊一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層13和一透明電極層14，構(gòu)成場致發(fā)光光發(fā)射元件。當(dāng)將電場施加在金屬基板16與透明電極層14之間時，該光發(fā)射層13發(fā)射出場致發(fā)射光。在所發(fā)射的光中，射向透明電極層14的光穿過該透明電極層14發(fā)射到空氣10中；射向金屬基板16的光被該金屬基板16反射，然后在穿過透明電極層14之后發(fā)射到空氣10中。
因此，與相關(guān)技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，由于通過這樣一種構(gòu)造，其中場致發(fā)射光通過光發(fā)射層到達透明電極層，然后從該透明電極層到達空氣，由此減小了該場致發(fā)射光通過具有不同折射率的介質(zhì)的次數(shù)，故有可能減小由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。
在這個方面，當(dāng)透明電極層14的厚度小于光發(fā)射層13所發(fā)射的光的波長時，于是根據(jù)波動光學(xué)通過光的彌散，光發(fā)射層13內(nèi)靠近透明電極層14處所產(chǎn)生的場致發(fā)射光能從該光發(fā)射層13直接發(fā)射到空氣10中。
另外，當(dāng)光發(fā)射層13的厚度與透明電極層14的厚度之和小于該光發(fā)射層13所發(fā)射的光的波長時，于是根據(jù)波動光學(xué)通過光的彌散，該場致發(fā)射光能從該光發(fā)射層13直接發(fā)射到空氣10中。金屬基板16所反射的光也能從該光發(fā)射層13直接發(fā)射到空氣10中。
因此，與相關(guān)技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，由于這種構(gòu)造的效果相當(dāng)于場致發(fā)射光不通過不同折射率的介質(zhì)，消除了由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。另外，根據(jù)波動光學(xué)通過光的彌散，光從光發(fā)射層直接發(fā)射到空氣中，從而減小了臨界角的限制作用，故有可能有效地將場致發(fā)射光發(fā)射到空氣中。
另外，因為金屬基板16也可以用作金屬電極，故有可能簡化場致發(fā)光光發(fā)射元件的結(jié)構(gòu)。
第三實施例圖4表示本發(fā)明第三實施例。在圖4中，通過在玻璃基板11上依次層疊一反射層15，一第一透明電極層17，一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層13和一第二透明電極層20，以構(gòu)成場致發(fā)光光發(fā)射元件。當(dāng)將電場施加在第一透明電極層17與第二透明電極層20之間時，該光發(fā)射層13發(fā)射出場致發(fā)射光。在所發(fā)射的光中，射向第二透明電極層20的光穿過第二透明電極層20發(fā)射到外部；射向第一透明電極層17的光被反射層15反射，然后在穿過該第二透明電極層20之后發(fā)射到空氣10中。當(dāng)將第一透明電極層17和第二透明電極層20均形成為具有正交條紋形狀時，就構(gòu)成了能顯示圖像的場致發(fā)光光發(fā)射元件。
因此，與相關(guān)技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，由于通過這樣一種構(gòu)造，其中場致發(fā)射光通過光發(fā)射層到達透明電極層，然后從該透明電極層到達空氣，從而減小了該場致發(fā)射光通過具有不同折射率的介質(zhì)的次數(shù)，故有可能減小由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。
在這個方面，當(dāng)?shù)诙该麟姌O層20的厚度小于光發(fā)射層13所發(fā)射的光的波長時，于是根據(jù)波動光學(xué)通過光的彌散，光發(fā)射層13內(nèi)靠近該第二透明電極層20處所產(chǎn)生的場致發(fā)射光能從該光發(fā)射層13直接發(fā)射到空氣10中。
另外，當(dāng)光發(fā)射層13的厚度與第二透明電極層14的厚度之和小于該光發(fā)射層13所發(fā)射的光的波長時，于是根據(jù)波動光學(xué)通過光的彌散，該場致發(fā)射光能從該光發(fā)射層13直接發(fā)射到空氣10中。反射層15所反射的光也能從該光發(fā)射層13直接發(fā)射到空氣10中。
因此，與相關(guān)技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，由于這種構(gòu)造的效果相當(dāng)于場致發(fā)射光不通過具有不同折射率的介質(zhì)，故消除了由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。另外，根據(jù)波動光學(xué)通過光的彌散，光從光發(fā)射層直接發(fā)射到空氣中，從而減小了臨界角的限制作用，故有可能有效地將場致發(fā)射光發(fā)射到空氣中。
另外，如果賦予反射層15以高反射率，則由于可使該反射率高于金屬電極層的反射率，故有可能更有效地將場致發(fā)射光發(fā)射到外部。
第四實施例圖5表示本發(fā)明第四實施例。通過在第二實施例中增加一無反射涂層，構(gòu)成本實施例。即，在圖5中，通過在金屬基板16上依次層疊一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層13和一透明電極層14，然后用一無反射涂層膜18涂覆該透明電極層14，構(gòu)成場致發(fā)光光發(fā)射元件。當(dāng)將電場施加在金屬基板16與透明電極層14之間時，該光發(fā)射層13發(fā)射出場致發(fā)射光。在所發(fā)射的光中，射向透明電極層14的光穿過該透明電極層14和無反射涂層膜18，然后入射到空氣10中；射向金屬基板16的光被該金屬基板16反射，然后在穿過透明電極層14和無反射涂層膜18之后入射到空氣10中。
因此，與相關(guān)技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，由于在透明電極層上設(shè)置一無反射涂層，故有可能減小由于反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。
另外，由于該金屬基板16也可以用作金屬電極，故有可能簡化場致發(fā)光光發(fā)射元件的結(jié)構(gòu)。
除了第二實施例以外，本實施例中設(shè)置在透明電極上且場致發(fā)射光通過它發(fā)出的無反射涂層也可以應(yīng)用于第一和第三實施例，故有可能減小反射導(dǎo)致的場致發(fā)射光的衰減。
第五實施例在第一到第四實施例中，在使透明電極層14或第二透明電極層20較薄時，透明電極層14或第二透明電極層20的電阻將增大。當(dāng)透明電極的電阻值增大時，電壓降使得不可能將足夠大的電場施加給光發(fā)射層13，從而減小了發(fā)光效率。另外，由于在不同位置中發(fā)生電壓下降，所以施加給光發(fā)射層的電壓不均勻，因而導(dǎo)致所發(fā)射的光也變得不均勻。
由此，構(gòu)造這樣一種場致發(fā)射光發(fā)射元件，使得即使透明電極層14或第二透明電極層20較薄，也能避免電壓下降。即，圖6表示本實施例的電極結(jié)構(gòu)。在圖6中，在透明電極層14的表面上設(shè)置一金屬電極柵19。由于該金屬電極柵19保證足夠大的厚度，故與透明電極層14相比電阻率較小，因而有可能避免電壓下降。金屬電極柵19的形狀不限于圖6中所示的柵格形狀，可以使用圖7所示的蜂巢形狀。不過，這兩種形狀是示例，可以使用覆蓋透明電極的任何形狀。
在透明電極層表面上增加金屬電極柵可以應(yīng)用于權(quán)利要求1～5中的任一發(fā)明中。特別是，由于將透明電極層制得較薄，所以在透明電極具有大電阻值時施加金屬電極柵具有很大的作用。
如果使金屬電極柵的面積比較大，則有可能避免電壓下降，但另一方面，當(dāng)使金屬電極柵的面積比較大時，不能有效地將光發(fā)射層發(fā)射的場致發(fā)射光發(fā)射到空氣中。金屬電極柵的面積比指的是占有透明電極層表面的金屬電極柵的面積百分比。在這個方面，如果使金屬電極柵相對場致發(fā)射光穿過其發(fā)射的透明電極層或第二透明電極層的表面的面積比為30％或更低，在不降低能量的條件下能增大發(fā)射效率，還可以避免電壓下降。
因此，本實施例有可能避免高電阻透明電極導(dǎo)致的電壓下降。
第六實施例本實施例是具有第五實施例的金屬電極柵的場致發(fā)光光發(fā)射元件的制造方法，圖8表示出根據(jù)本實施例的場致發(fā)光光發(fā)射元件的制造過程。
在圖8中，圖(1)～(4)表示制造過程的順序。首先，在金屬基板16上形成一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層13和一透明電極材料22〔圖8(1)〕。使透明電極材料的厚度與最后一步中金屬電極柵19的厚度相同。然后，通過具有指定形狀的光掩模形成金屬電極柵圖案〔圖8(2)〕。之后，通過蝕刻產(chǎn)生具有指定厚度的透明電極層，蝕刻剩下的部分為金屬電極柵19(圖8(3))。最后，移去光掩模，得到薄透明電極層14和具有低電阻值的金屬電極柵19(圖8(4))。關(guān)于這一點，在形成金屬電極柵圖案時可以使用諸如金屬掩模等的遮光板。
在上述制造過程中，由于無需層疊用于制造金屬電極柵的層，故有可能簡化制造過程。
在金屬電極柵具有權(quán)利要求6中所述結(jié)構(gòu)的情況下，本發(fā)明可應(yīng)用于具有任何形狀的金屬電極柵。
與相關(guān)技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明有可能有效地將場致發(fā)射光發(fā)射到空氣中。
另外，本發(fā)明有可能提供一種能避免電壓下降的電極結(jié)構(gòu)，并可能簡化制造過程。
權(quán)利要求
1.一種場致發(fā)光光發(fā)射元件，包括依次設(shè)置在一基板上的一金屬電極層，一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層，和一透明電極層；其中所述光發(fā)射層發(fā)射的光從靠近所述透明電極層一側(cè)發(fā)出。
2.如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中所述透明電極層的厚度小于所述光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
3.如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中所述光發(fā)射層的厚度與所述透明電極層的厚度之和小于所述光發(fā)射層發(fā)射的光的波長。
4.一種場致發(fā)光光發(fā)射元件，包括依次設(shè)置在一金屬基板上的一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層，和一透明電極層；其中所述光發(fā)射層所發(fā)射的光從靠近所述透明電極層一側(cè)發(fā)出。
5.如權(quán)利要求4所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中所述透明電極層的厚度小于所述光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
6.如權(quán)利要求4所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中所述光發(fā)射層的厚度與所述透明電極層的厚度之和小于所述光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
7.如權(quán)利要求1～6中任一權(quán)利要求所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中所述透明電極層被涂覆一無反射膜。
8.如權(quán)利要求1～6中任一權(quán)利要求所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中在所述透明電極層的頂面上設(shè)置一金屬電極柵。
9.一種如權(quán)利要求8所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件的制造方法，包括以下步驟將一透明電極材料形成為具有所述金屬電極柵的厚度；并且然后進行蝕刻，以使被蝕刻部分形成所述透明電極層，而且剩余部分形成所述金屬電極柵。
10.一種場致發(fā)光光發(fā)射元件，包括依次設(shè)置在一基板上的一反射層，一第一透明電極層，一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層和一第二透明電極層；其中所述光發(fā)射層所發(fā)射的光從靠近所述第二透明電極層一側(cè)發(fā)出。
11.如權(quán)利要求10所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中所述第二透明電極層的厚度小于所述光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
12.如權(quán)利要求10所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中所述光發(fā)射層的厚度與所述第二透明電極層的厚度之和小于所述光發(fā)射層所發(fā)射的光的波長。
13.如權(quán)利要求10～12中任一權(quán)利要求所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中所述第二透明電極層被涂覆一無反射膜。
14.如權(quán)利要求10～12中任一權(quán)利要求所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件，其中在所述第二透明電極層的頂面上設(shè)置一金屬電極柵。
15.一種如權(quán)利要求14所述的場致發(fā)光光發(fā)射元件的制造方法，包括以下步驟一透明電極材料被形成為具有所述金屬電極柵的厚度；并且然后進行蝕刻，以使被蝕刻部分形成所述第二透明電極層，而且剩余部分形成所述金屬電極柵。
全文摘要
一種場致發(fā)光光發(fā)射元件，具有依次設(shè)置在一基板上的一金屬電極層，一能根據(jù)場致發(fā)光而發(fā)光的光發(fā)射層，和一透明電極層，其中所述光發(fā)射層所發(fā)射的光從靠近所述透明電極層一側(cè)發(fā)出。
文檔編號H05B33/28GK1452440SQ0311070
公開日2003年10月29日 申請日期2003年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月12日
發(fā)明者坂元豪介, 田中治夫 申請人:羅姆股份有限公司