專利名稱：增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件及其制造方法，特別涉及一種通過發(fā)光層螺旋平行結(jié)構(gòu)搭配圓偏光板，以增加對(duì)比度，減少能量損耗。
背景技術(shù)：
眾所周知，隨著信息科技產(chǎn)業(yè)近年來爆炸性的增長(zhǎng)，多媒體的應(yīng)用也變的普及，加上數(shù)字化的需求，顯示器作為各種信息產(chǎn)品與使用者之間重要的媒介，其重要性與功能性也就日益增加，因此各種大小尺寸的新興技術(shù)，也就不斷的被開發(fā)出來。以往CRT由于具有可顯示彩色動(dòng)態(tài)影像且成本/功能比優(yōu)越等特點(diǎn)，因而被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，形成獨(dú)霸局面。然而，隨著網(wǎng)絡(luò)的普及，加速了影像和信息的融合；無線通訊技術(shù)進(jìn)步帶動(dòng)可攜式信息產(chǎn)品的更上一層樓；全球數(shù)字電視播放帶動(dòng)大畫面、高畫質(zhì)電視的興起等環(huán)境方面的變化，繼CRT之后，液晶顯示器(LCD)、電漿顯示器(PDP)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(Field Emission Display；FED)、有機(jī)EL等各種平面顯示器(FPD)應(yīng)市場(chǎng)需求而迅速崛起。
其中，有機(jī)電激發(fā)光元件(EL)可謂是當(dāng)今最為熱門的顯示技術(shù)之一，其優(yōu)異的產(chǎn)品特性(自發(fā)光、低耗電、廣視角、輕薄、成本低、可撓曲)、較低的投入資金，均符合了新一代顯示器所必須具備的條件，根據(jù)Stanford Resource所發(fā)表的研究報(bào)告指出，1999年有機(jī)電激發(fā)光元件的市值僅3百萬美元，但是估計(jì)三年后，則可望增長(zhǎng)至2億美元，到了2005年估計(jì)市場(chǎng)產(chǎn)值將達(dá)到7.14億美元，由此我們可以清楚的看到未來有機(jī)電激發(fā)光元件的增長(zhǎng)率幾乎是以一年一倍的速度增加。
有機(jī)電激發(fā)光元件的發(fā)光原理和發(fā)光二極管的發(fā)光原理相似，同樣是利用材料的特性，將電子電洞在發(fā)光層上結(jié)合，將電子由激發(fā)態(tài)的形式降到基態(tài)，而將多余的能量以電磁波的形式釋放，因而達(dá)到具有不同波長(zhǎng)的發(fā)光元件的產(chǎn)生。其基本的結(jié)構(gòu)圖如圖1所示，有機(jī)電激發(fā)光元件(EL)是利用在二個(gè)電極間分別注入電子及電洞，并利用有機(jī)分子的激發(fā)，從而達(dá)到發(fā)光的功能。其中陽極(Anode)12為ITO導(dǎo)電玻璃膜，以濺鍍或蒸鍍方式，附著于玻璃或透明塑料基板11上，陰極17則含有鎂(Mg)、鋁(Al)、鋰(Li)等金屬。在二個(gè)電極間則是多個(gè)有機(jī)薄膜形成的發(fā)光區(qū)域，包含電洞注入層13(Hole Injection Layer；HIL)、電洞傳遞層14(Hole TransportLayer；HTL)、發(fā)光層15(Emitting Layer)及電子傳遞層16(ElectronTransport Layer；ETL)，在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，考慮不同的需求，有時(shí)還會(huì)包含其它不同的薄膜。然而，電激發(fā)光元件在應(yīng)用上，由于其陰極為金屬，故其顯示面板在戶外等較亮環(huán)境下會(huì)有陰極反光干擾的情形，一般解決的方法是利用不反光的陰極(black cathode)或是吸收光線的涂布層(black layer)或是在元件上層制作產(chǎn)生圓偏光的圓偏光板。
請(qǐng)參閱圖2所示，是已知的圓偏光板動(dòng)作示意圖。如圖所示當(dāng)無偏極化的外部光線21，入射至吸收左旋光的圓偏光板時(shí)，其左旋光會(huì)被吸收而僅余右旋光22穿透，該右旋光22經(jīng)陰極19反射而轉(zhuǎn)換為左旋光23，則該左旋光23又被圓偏光板18所吸收，這樣，完全消除了電激發(fā)光元件的顯示面板反光問題，但是，由于產(chǎn)生圓偏光的圓偏光板18會(huì)吸收入射光中一個(gè)方向的圓偏光，因此電激發(fā)光元件所發(fā)出的光線24也會(huì)被吸收50％，而僅余右旋光25射出，大幅減少了能量使用效率。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的主要目的，在于解決上述已有技術(shù)的缺陷，為避免該缺陷的存在，本發(fā)明通過將發(fā)光層回火排列成螺旋平行結(jié)構(gòu)，并于基板一側(cè)貼設(shè)有圓偏光板，從而增加了對(duì)比度及能量使用效率。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件及其制造方法，是由一圓偏光板、一基板、一陽極、一電洞傳遞層、一發(fā)光層及一陰極所組成，當(dāng)外部光線入射時(shí)，通過該圓偏光板可吸收其中一個(gè)方向的圓偏光(左旋光或右旋光)，以降低電激發(fā)光元件的反光干擾，從而增加了對(duì)比度；另外，電激發(fā)光元件自發(fā)的光線通過該發(fā)光層的螺旋平行結(jié)構(gòu)，可偏極為特定的圓偏光(左旋光或右旋光)，其完全穿透該圓偏光板，而不致減少能量使用效率。


圖1是已有電激發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是已有的圓偏光板動(dòng)作示意圖。
圖3是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本發(fā)明的制造方法流程圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在對(duì)于有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)內(nèi)容及技術(shù)說明，配合

如下請(qǐng)參閱圖3所示，是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示本發(fā)明的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，是由一圓偏光板31、一基板32、一陽極33、一電洞傳遞層34、一發(fā)光層35及一陰極36所組成。
上述的圓偏光板31，用于吸收其中一個(gè)方向的圓偏光，如左旋光或右旋光；該基板32，貼設(shè)于該圓偏光板31上，可為玻璃基板或透明塑料基板；該陽極33(Anode)，為ITO導(dǎo)電玻璃膜，以濺鍍或蒸鍍方式，附著于該基板32上；該電洞傳遞層34(Hole Transport Layer；HTL)，其厚度為40至80nm，涂布于該陽極33(Anode)上并予配向，電洞傳輸層的設(shè)置用以增加電激發(fā)光元件的發(fā)光效率，而配向的目的是再利用此電洞傳輸層排列發(fā)光層材料，以造成可發(fā)出圓偏極化光的螺旋平行排列；該發(fā)光層35(Emitting Layer)，其厚度為10至40nm，為一種具有旋光性的共軛高分子聚合物。
該發(fā)光層35涂布于該電洞傳遞層34上，并通過回火程序而排列成螺旋平行(PLANER)結(jié)構(gòu)；
該陰極36，是設(shè)于該發(fā)光層35上，含有鎂(Mg)、鋁(Al)、鋰(Li)等金屬；當(dāng)外部光線入射時(shí)，通過該圓偏光板可吸收其中一個(gè)方向的圓偏光(左旋光或右旋光)，以降低電激發(fā)光元件的反光干擾，從而增加對(duì)比度；另外，電激發(fā)光元件自發(fā)的光線通過該發(fā)光層35的螺旋平行結(jié)構(gòu)，可偏極為特定的圓偏光(左旋光或右旋光)，借以完全穿透該圓偏光板31，而不致減少能量使用效率。
請(qǐng)參閱圖4所示，是本發(fā)明的制造方法流程圖。如圖所示為獲得上述的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，本發(fā)明的制造方法，包含下列步驟a)基板清洗并圖案化41，是將基板予以清洗并以濺鍍或蒸鍍方式，鍍上一層陽極予以圖案化；b)涂布電洞傳遞層并配向42，是于該陽極上涂布一層電洞傳遞層并予配向；c)涂布發(fā)光層并回火排列43，是于該電洞傳遞層上涂布一層發(fā)光層，并通過回火程序而將該發(fā)光層排列成螺旋平行(PLANER)結(jié)構(gòu)；d)蒸鍍陰極與封裝44，是再于該發(fā)光層上蒸鍍陰極，并予封裝；e)發(fā)光面貼上圓偏光板45，是最后于該基板的另一側(cè)發(fā)光面，貼上圓偏光板31，這樣構(gòu)成本發(fā)明的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件。
綜上所述，本發(fā)明利用配向過的電洞傳遞層上制作具有螺旋平行(planer)結(jié)構(gòu)的發(fā)光層，從而使電激發(fā)光元件所發(fā)出的光線可偏極為特定的圓偏光(左旋光或右旋光)，待蒸鍍陰極與封裝后，最后在ITO基板的一側(cè)貼上圓偏光板，即完成電激發(fā)光元件的制作。此電激發(fā)光元件既可增加強(qiáng)光環(huán)境下的對(duì)比度，亦可維持其能量使用率，對(duì)傳統(tǒng)的電激發(fā)光元件作了極大的改善。
上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍。即凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，皆為本發(fā)明專利范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，其特征在于包括一圓偏光板(31)，用以吸收其中一個(gè)方向的圓偏光；一基板(32)，貼設(shè)于所述圓偏光板(31)上；一陽極(33)，以濺鍍或蒸鍍方式，附著于所述基板(32)上；一電洞傳遞層(34)，涂布于所述陽極(33)上并予配向；一發(fā)光層(35)，其涂布于所述電洞傳遞層(34)上，并通過回火程序而排列成螺旋平行(PLANER)結(jié)構(gòu)；一陰極(36)，設(shè)于所述發(fā)光層(35)上；當(dāng)外部光線入射時(shí)，通過所述圓偏光板(31)可吸收其中一個(gè)方向的圓偏光，以降低電激發(fā)光元件的反光干擾，增加對(duì)比度；另外，電激發(fā)光元件自發(fā)的光線通過所述發(fā)光層(35)的螺旋平行結(jié)構(gòu)，可偏極為特定的圓偏光，借以完全穿透所述圓偏光板(31)，而不致減少能量使用效率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，其特征在于，所述圓偏光可為左旋光或右旋光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，其特征在于，所述基板(32)可為玻璃基板或透明塑料基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，其特征在于，所述陽極(33)為ITO導(dǎo)電玻璃膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，其特征在于，所述陰極(36)含有鎂(Mg)、鋁(Al)、鋰(Li)等金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，其特征在于，所述電洞傳遞層(34)為一種共軛高分子聚合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，其特征在于，所述電洞傳遞層(34)的厚度為40至80nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層(35)為一種共軛高分子聚合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層(35)的厚度為10至40nm。
10.一種增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件制造方法，其特征在于包含以下步驟a)基板(32)清洗并圖案化，先將基板(32)予以清洗并以濺鍍或蒸鍍方式，鍍上一層陽極(33)予以圖案化；b)涂布電洞傳遞層(34)并配向，于所述陽極(33)上涂布一層電洞傳遞層并予配向；c)涂布發(fā)光層(35)并回火排列，再于所述電洞傳遞層(34)上涂布一層發(fā)光層(35)，并通過回火程序而將該發(fā)光層(35)排列成螺旋平行(PLANER)結(jié)構(gòu)；d)蒸鍍陰極(36)與封裝，再將所述發(fā)光層(35)上蒸鍍陰極(36)，并予封裝；e)發(fā)光面貼上圓偏光板(31)，最后于所述基板(32)的另一側(cè)發(fā)光面，貼上圓偏光板(31)，這樣構(gòu)成本發(fā)明的增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件。
全文摘要
一種增加對(duì)比度的旋光性電激發(fā)光元件及其制造方法，是由一圓偏光板、一基板、一陽極、一電洞傳遞層、一發(fā)光層及一陰極所組成，當(dāng)外部光線入射時(shí)，通過該圓偏光板可吸收其中一個(gè)方向的圓偏光(左旋光或右旋光)，并吸收另一個(gè)方向從元件反射的圓偏光(左旋光或右旋光)，以降低電激發(fā)光元件的反光干擾，從而增加對(duì)比度；另外，電激發(fā)光元件自發(fā)的光線通過該發(fā)光層的螺旋平行結(jié)構(gòu)，可偏極為特定的圓偏光(左旋光或右旋光)，其完全穿透該圓偏光板，而不致減少能量使用效率。
文檔編號(hào)H05B33/02GK1531376SQ0311935
公開日2004年9月22日 申請(qǐng)日期2003年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月17日
發(fā)明者張書文 申請(qǐng)人:勝園科技股份有限公司