專利名稱：有源矩陣式有機發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)，且特別是涉及一種有源矩陣式(Active Matrix)有機發(fā)光顯示器(AMOLED)。
背景技術(shù)：
由于平面顯示器技術(shù)的蓬勃發(fā)展，有機發(fā)光顯示器(Organic LightEmitting Diode，OLED)，與傳統(tǒng)的液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，除了更輕薄外，更具有自發(fā)光、低功率消耗、不需背光源、無視角限制及高反應(yīng)速率等優(yōu)良特性，已被喻為下一代平面顯示器技術(shù)的主流。而由于被動矩陣式(Passive Matrix)有機發(fā)光顯示器(PMOLED)無法達成高分辨率與大尺寸等要求，有源式有機發(fā)光顯示器技術(shù)已是必然的趨勢。
圖1所示為有源矩陣式有機發(fā)光顯示器剖面示意圖。依次于基板10的上形成絕緣層12、透明電極14、發(fā)光層16、金屬電極18。透明電極14為陽極，金屬電極18為陰極。有機發(fā)光顯示器在陰極與陽極之間分別注入電子與空穴，使電子與空穴在發(fā)光層16上結(jié)合，而使電子由激發(fā)態(tài)降回基態(tài)，多余的能量即以光的形式釋出。發(fā)光層16包括空穴注入層(Hole injectionlayer，HIL)、空穴輸運層(Hole transport layer，HTL)、有機發(fā)光層(Emittinglayer)、電子輸運層(Electron transport layer，ETL)。金屬電極18一般以鎂、鋁、鋰等金屬形成。透明電極一般以ITO形成。
有源矩陣式顯示器具有的每個像素具有有源組件以控制影像數(shù)據(jù)的寫入。此些有源組件例如是場效晶體管。此些晶體管形成于基板上，再覆以絕緣層12。此些晶體管以接觸孔(contact hole)而與透明電極電連接。此些晶體管、接觸孔未示于圖中。
然而，由于有此些晶體管存在，使得絕緣層12的表面不平整，進而使透明電極14的表面不平整，如圖1所示，也就是其表面粗糙度(roughness)增加，影響透明電極的結(jié)晶。表面粗糙度增加的結(jié)果會使得后續(xù)的工藝中的材料表現(xiàn)不佳，而影響有機發(fā)光顯示器的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種具表面平坦化的有源矩陣式有機發(fā)光顯示器及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種有源矩陣式有機發(fā)光顯示器(AMOLED)，由下而上依次包括基板、絕緣層、平坦層、透明電極、發(fā)光層及金屬電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一目的，提出一種有源矩陣式有機發(fā)光顯示器(AMOLED)的制造方法，包括提供基板；形成一絕緣層于基板上；形成一平坦層于絕緣層上；形成一透明電極于平坦層上；形成一發(fā)光層于透明電極上；以及，形成一金屬電極于發(fā)光層上。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明。


圖1所示為有源矩陣式有機發(fā)光顯示器剖面示意圖；圖2示出依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的一種有源矩陣式有機發(fā)光顯示器的剖面示意圖；圖3A及圖3B分別為利用現(xiàn)有方法的透明電極表面圖及側(cè)視立體圖；圖4A及圖4B分別為利用現(xiàn)有方法的透明電極表面圖及側(cè)視立體圖；圖5為本實施例的實驗數(shù)據(jù)與現(xiàn)有技術(shù)的實驗數(shù)據(jù)的比較。
其中，附圖標記說明如下10、20基板；12、22絕緣層；14、24透明電極；16、26發(fā)光層；18、28金屬電極；23平坦層。
具體實施例方式
本發(fā)明的精神在于在有機發(fā)光顯示器的絕緣層上增加一平坦層，以利于其后工藝的材料表現(xiàn)。參照圖2，其示出依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的一種有源矩陣式有機發(fā)光顯示器的剖面示意圖。首先，在基板20的上形成以矩陣排列的有源組件，以控制各像素的顯示，由于這為本領(lǐng)域技術(shù)人員所共知，因此并未示于圖中。然后形成絕緣層22。接著，在絕緣層22上形成一平坦層23，以使表面平坦化，減少表面粗糙度。此平坦層23為有機材料，可以用旋涂(spin coating)的方式涂布于表面，而得到平坦的效果。此平坦層23所使用的材料為不吸水、穩(wěn)定，例如是有機材料PC403，此為日本JSR公司的產(chǎn)品。然后依次形成透明電極24、發(fā)光層26、金屬電極28。透明電極24為陽極，金屬電極28為陰極。有機發(fā)光顯示器在陰極與陽極之間分別注入電子與空穴，使電子與空穴在發(fā)光層26上結(jié)合，而使電子由激發(fā)態(tài)降回基態(tài)，多余的能量即以光的形式釋出。發(fā)光層26包括于透明電極24上的空穴注入層(Hole injection layer，HIL)、空穴注入層的上的空穴輸運層(Hole transport layer，HTL)、空穴輸運層的上的有機發(fā)光層(Emitting layer)及有機發(fā)光層的上的電子輸運層(Electron transport layer，ETL)。金屬電極一般以鎂、鋁、鋰等金屬形成。透明電極一般以ITO形成。
本發(fā)明上述實施例所公開的有源矩陣式有機發(fā)光顯示器在絕緣層22上更形成了一層平坦層23，使得透明電極24的表面得以平坦化，減少其表面粗糙度，使得透明電極的結(jié)晶性更好，也有利于其后工藝的材料表現(xiàn)。
圖3A及圖3B分別為利用現(xiàn)有方法的透明電極表面圖及側(cè)視立體圖，其是以原子力量測(atomic force measurement，AFM)而得。由圖3A可看到透明電極的表面顆粒較大。由圖3B可看到透明電極的表面具有很多針狀突起，使得表面粗糙度增加。圖4A及4B圖分別為利用本發(fā)明之透明電極表面圖及側(cè)視立體圖，其是以原子力量測而得。由圖4A可看到透明電極的表面顆粒較小。而由圖4B可看出，使用本發(fā)明后，確實能使透明電極的表面粗糙度降低。圖5為本實施例的實驗數(shù)據(jù)，透明電極表面突起的平均值(rms)與最大值(rpv)分別為1.721nm與16.013nm，比起現(xiàn)有的平均值(rms)為2.682nm與最大值(rpv)33.998nm均改善不少，證明本發(fā)明具有改善表面粗糙度之效果。且本實施例之ITO粒子為12.2nm，比其現(xiàn)有的37.5nm亦改善許多，證明本發(fā)明的粗糙度降低可改善ITO的結(jié)晶性。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一優(yōu)選實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣式有機發(fā)光顯示器(AMOLED)，包括一基板；一絕緣層形成于該基板上；一平坦層形成于該絕緣層上；一透明電極形成于該平坦層上；一發(fā)光層形成于該透明電極上；以及一金屬電極形成于該發(fā)光層上。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣式有機發(fā)光顯示器，其中該有源矩陣式有機發(fā)光顯示器更包括多個有源組件于該基板與該絕緣層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣式有機發(fā)光顯示器，其中該平坦層具有不吸水的特性。
4.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣式有機發(fā)光顯示器，其中該平坦層為有機材料。
5.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣式有機發(fā)光顯示器，其中該發(fā)光層更依次包括一空穴注入層(Hole injection layer，HIL)、一空穴輸運層(Holetransport layer，HTL)、一有機發(fā)光層(Emitting layer)及一電子輸運層(Electrontransport layer，ETL)。
6.一種有源矩陣式有機發(fā)光顯示器(AMOLED)的制造方法，包括提供一基板；形成一絕緣層于該基板上；形成一平坦層于該絕緣層上；形成一透明電極于該平坦層上；形成一發(fā)光層于該透明電極上；以及形成一金屬電極于該發(fā)光層上。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中該制造方法更包括形成多個有源組件于該基板與該絕緣層之間。
8.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中該平坦層具有不吸水的特性。
9.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中該平坦層為有機材料。
10.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中形成該平坦層的步驟利用旋涂(spin coating)。
11.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中形成該發(fā)光層的步驟更包括形成一空穴注入層(Hole injection layer，HIL)于該透明電極上；形成一空穴輸運層(Hole transport layer，HTL)于該空穴注入層上；形成一有機發(fā)光層(Emitting layer)于該空穴輸運層上；以及形成一電子輸運層(Electron transport layer，ETL)于該有機發(fā)光層上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有源矩陣式有機發(fā)光顯示器(AMOLED)及其制造方法。有機發(fā)光顯示器依次包括基板、絕緣層、平坦層、透明電極、發(fā)光層及金屬電極。平坦層旋涂于表面，使表面平坦，以利于后續(xù)的工藝。
文檔編號H05B33/10GK1538789SQ03122558
公開日2004年10月20日 申請日期2003年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月18日
發(fā)明者陳韻升 申請人:友達光電股份有限公司