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      一種用于紫外光通帶濾波器的十二水硫酸鎳鈷晶體的制作方法

      文檔序號(hào):8037057閱讀:545來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種用于紫外光通帶濾波器的十二水硫酸鎳鈷晶體的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及光學(xué)與人工晶體材料領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      使用晶體通帶濾波器可使特殊的光譜波長(zhǎng)全部通過(guò)而將其他波長(zhǎng)的光隔離,作為晶體通帶濾波器必需具有通過(guò)光譜呈不連續(xù)的特征,使通過(guò)的光波段具有很高的透過(guò)率和窄的帶寬而其它波段的光被強(qiáng)烈吸收。六水硫酸鎳(NiSO4·6H2O簡(jiǎn)稱NSH)晶體是一種優(yōu)良的紫外濾波晶體材料,已廣泛應(yīng)用于光譜、激光技術(shù)作為紫外通帶濾波器和傳感器(Norsingh et.al.crystalfor ultraviolet light filter united states patent 5788765,Aug,4,1998)。NSH晶體在紫外波段(254nm)附近有很高的透過(guò)率(88~90%),雖然對(duì)大部分可見(jiàn)光和近紅外有濾波作用,但在450~600nm范圍仍有部分透過(guò)率,這對(duì)于需要純紫外光源的應(yīng)用如熒光分析用的紫外光源(波長(zhǎng)254nm)就要求將可見(jiàn)光全部過(guò)濾。
      根據(jù)分子組成、晶體結(jié)構(gòu)與紫外-近紅外光譜性能的分析研究,我們?cè)O(shè)計(jì)一種新的紫外光通帶濾波器晶體材料——十二水硫酸鎳鈷CoNi(SO4)2·12H2O(簡(jiǎn)稱CNSH)。這是一種新的復(fù)合絡(luò)合物,目前國(guó)內(nèi)外尚未有該化合物的合成、晶體生長(zhǎng)、晶體結(jié)構(gòu)光譜性能與應(yīng)用等報(bào)道。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是設(shè)計(jì)并研制出一種新的紫外光濾波器晶體材料。使該晶體材料既能保持NSH晶體具有的紫外波段(~254nm)高的透過(guò)率又可增加對(duì)可見(jiàn)光(450~600nm)的吸收,達(dá)到完全隔離可見(jiàn)光獲得純的紫外光源的目的。
      實(shí)現(xiàn)該發(fā)明的技術(shù)方案如下1.晶體材料的化學(xué)式為CoNi(SO4)2·12H2O(十二水硫酸鎳鈷,簡(jiǎn)稱CNSH)。CNSH的合成方法采用國(guó)產(chǎn)分析純摩爾比1∶1的CoSO4·7H2O和NiSO4·6H2O試劑在二次蒸餾水中加熱攪拌溶解后冷卻得到棕色透明的CNSH結(jié)晶。其復(fù)合反應(yīng)式為
      2.CNSH晶體結(jié)構(gòu)用CAD—4型X射線四圓衍射儀測(cè)定,確定該晶體的化學(xué)式為所設(shè)計(jì)合成的CoNi(SO4)2·12H2O,分子量為525.95,屬單斜晶系,空間群為P2/c,晶胞參數(shù)a=9.966(2),b=7.2265(4),c=24.218(5),β=98.32(3)°,V=1725.9(6)3,z=4,Dc=2.024g/cm3,CNSH的分子結(jié)構(gòu)和單晶結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖1和圖2。
      3.CNSH晶體的生長(zhǎng)方法CNSH在水中的溶解實(shí)驗(yàn)表明溶解度和溶解溫度系數(shù)較大,可用水溶液蒸發(fā)法或降溫法生長(zhǎng)CNSH晶體,我們采用降溫法生長(zhǎng)CNSH晶體。
      (1)CNSH晶體生長(zhǎng)溶液配制按1,合成棕色透明的CNSH結(jié)晶用二次蒸餾重結(jié)晶,烘干后作為晶體生長(zhǎng)的原料,配制飽和度在50~40℃1000~500ml體積的飽和溶液,經(jīng)過(guò)0.25μm孔徑的濾膜過(guò)濾,在高于過(guò)飽和度5~10℃過(guò)熱溶液后緩慢降到高于飽和點(diǎn)1~2℃的溫度,溶液的PH范圍在3.9~4.1。
      (2)降溫法生長(zhǎng)CNSH晶體采用飽和溶液中自發(fā)結(jié)晶的透明完整晶體作為籽晶,在50~40℃預(yù)熱后放入(1)中配制的CNSH飽和溶液中進(jìn)行生長(zhǎng),生長(zhǎng)溶液的溫度控制精度在0.01~0.02℃,晶體的正反轉(zhuǎn)動(dòng)速度為30~60轉(zhuǎn)/分。通過(guò)生長(zhǎng)溶液降溫量控制晶體的生長(zhǎng)速度,約1~3mm/day。當(dāng)晶體生長(zhǎng)到所要求的尺寸后將晶體提出液面,通過(guò)自然降溫退火到室溫后取出。
      4.CNSH晶體的透過(guò)光譜用PE-Lambda900分光光度計(jì)測(cè)量,波長(zhǎng)范圍從紫外190nm到近紅外1200nm,測(cè)試樣品為CNSH和NSH晶體分別溶解于二次蒸餾水中,濃度都為0.25mol的溶液,從溶液透過(guò)光譜(見(jiàn)圖3)可看到它們?cè)?54nm紫外區(qū)具有很高的透過(guò)率和窄的透過(guò)波段,相比NSH在可見(jiàn)光(500nm)附近和近紅外(900nm)附近還有二個(gè)小透過(guò)峰,CNSH在可見(jiàn)到紅外區(qū)域基本沒(méi)有透過(guò)峰出現(xiàn),這說(shuō)明CNSH晶體對(duì)可見(jiàn)和紅外的光吸收效果比NSH好,更適合作為紫外通帶濾波器。
      5.CNSH晶體的熱重分析用DELTA SERIES TGA7熱重分析儀測(cè)量CNSH和NSH晶體的熱重曲線,測(cè)量結(jié)果CNSH和NSH的開(kāi)始脫水溫度分別為84.74℃和73.03℃,說(shuō)明CNSH晶體的熱穩(wěn)定性優(yōu)于NSH晶體。
      該發(fā)明與背景技術(shù)相比所具有的有益效果是與目前廣泛應(yīng)用的紫外光濾波器材料NSH晶體相比,CNSH從可見(jiàn)到近紅外光區(qū)的吸收大于NSH晶體,作為紫外帶通濾波器的效果比NSH晶體效果更好,可以獲得更純的紫外光源,CNSH晶體的熱穩(wěn)定性優(yōu)于NSH晶體,這對(duì)濾波器元件的加工制作和應(yīng)用都有利。


      圖1是CNSH分子結(jié)構(gòu);圖2是CNSH晶體的單胞結(jié)構(gòu);圖3是NSH和CNSH的透過(guò)光譜比較,其中1為NSH,2為CNSH。
      具體實(shí)施例方式
      1.原料采用國(guó)產(chǎn)分析純的CoSO4·7H2O和NiSO4·6H2O克分子比1∶1,溶解于二次蒸餾水,降溫獲得棕色透明的CNSH結(jié)晶作為CNSH晶體生長(zhǎng)的原料。
      2.飽和溶液的配制將上述原料配制500ml飽和溫度為45℃的飽和溶液,PH為3.95,用0.25μm的微孔濾膜過(guò)濾溶液,在55℃過(guò)熱溶液10小時(shí)后自然降溫到46℃。
      3.CNSH晶體的生長(zhǎng)采用降溫法生長(zhǎng)CNSH晶體,用自發(fā)結(jié)晶5mm大小的棕色晶體為籽晶,在上述過(guò)飽和溶液中通過(guò)控制溶液的降溫量控制晶體的生長(zhǎng)速度約2mm/天,溫度控制精度為±0.01℃,晶體的正反轉(zhuǎn)動(dòng)速度為30轉(zhuǎn)/分。經(jīng)過(guò)15天生長(zhǎng)周期得到2.5cm的棕色晶體,該晶體溶于水。
      權(quán)利要求
      1.一種用于紫外光通帶濾波器的十二水硫酸鎳鈷晶體,其特征在于,該晶體的分子式為CoNi(SO4)2·12H2O,分子量為525.95,屬單斜晶系,空間群P2/c,晶胞參數(shù)a=9.966(2)、b=7.2265(4)、c=24.218(5),β=98.32(3)°,V=1725.9(6)3,z=4,Dc=2.024g/cm3,晶體為棕色,溶于水。
      2.一種權(quán)利要求1的十二水硫酸鎳鈷晶體的生長(zhǎng)方法,其特征在于,(1)生長(zhǎng)溶液的配制是采用分析純摩爾比為1∶1的CoSO4·7H2O和NiSO4·6H2O作為原料在水中進(jìn)行復(fù)合反應(yīng)合成的;(2)生長(zhǎng)籽晶是按(1)中配制的飽和溶液采用自發(fā)結(jié)晶獲得的;(3)晶體采用溶液降溫法進(jìn)行生長(zhǎng),生長(zhǎng)起始溫度在40~50℃范圍之間,生長(zhǎng)溶液的PH值為3.9~4.1,晶體平均生長(zhǎng)速度通過(guò)降溫量控制在1~3mm/天,溫度控制精度為0.01~0.02℃,晶體的正反轉(zhuǎn)動(dòng)速度為30~60轉(zhuǎn)/分。
      3.一種權(quán)利要求1的十二水硫酸鎳鈷晶體的應(yīng)用,其特征在于,該晶體用于紫外光通帶濾波器,特別是用于獲取純紫外光源的濾波器件。
      全文摘要
      一種用于紫外光通帶濾波器的十二水硫酸鎳鈷晶體,涉及光學(xué)與人工晶體材料領(lǐng)域。該晶體的分子式為CoNi(SO
      文檔編號(hào)C30B7/00GK1580335SQ0315418
      公開(kāi)日2005年2月16日 申請(qǐng)日期2003年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月15日
      發(fā)明者莊欣欣, 蘇根博, 賀友平, 李征東, 李國(guó)輝, 馬錦波 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
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