專利名稱：透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，特別涉及透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器中，已經(jīng)普遍采用了液晶顯示器(LCD)器件，這是因?yàn)樗鼈兊耐庑伪　⒅亓枯p、和功耗低。然而，LCD器件不是自發(fā)光的，因此具有低亮度。此外，LCD器件通常具有低對比率和窄視角。而且，LCD器件可能具有大的總尺寸，因?yàn)楸仨毑捎帽彻狻?br> 有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OELD)器件具有寬視角和優(yōu)異的對比率，因?yàn)樗鼈兪亲园l(fā)光的。由于OELD器件不需要附加的光源，如背光，因此與LCD器件相比，OELD器件具有相對小的尺寸，重量輕并且具有低功耗。OELD器件可以由低電壓直流(DC)驅(qū)動并具有微秒數(shù)量級的短響應(yīng)時(shí)間。由于OELD器件是固相器件，OELD器件足以承受外部撞擊并具有較寬的操作溫度范圍。此外，由于制造OELD器件只需要淀積和包封裝置，因此OELD器件可以以低成本制造，由此簡化了制造工藝。
OELD器件可分為無源矩陣型OELD器件或有源矩陣型OELD器件，這取決于驅(qū)動該器件的方法。普遍采用無源矩陣型OELD器件，由于它們的簡單性和容易制造。然而，無源矩陣型OELD器件具有以矩陣結(jié)構(gòu)相互垂直交叉的掃描線和信號線。由于掃描電壓依次被輸送給掃描線以操作每個像素，因此在選擇周期期間每個像素的瞬時(shí)亮度應(yīng)該達(dá)到把平均亮度乘以掃描線數(shù)量所得到的值，以便獲得所需平均亮度。相應(yīng)地，隨著掃描線數(shù)量的增加，施加的電壓和電流也增加。因此，無源矩陣型OELD器件不適于高分辨率和大尺寸顯示器，因?yàn)樵撈骷谑褂闷陂g很容易退化并且功耗高。
由于無源矩陣型OELD器件具有很多缺點(diǎn)，如低圖像分辨率、高功耗和短工作壽命，因此已經(jīng)發(fā)展了有源矩陣型OELD器件，以便在大顯示面積顯示器中產(chǎn)生高分辨率圖像。在有源矩陣型OELD器件中，在每個子像素中設(shè)置薄膜晶體管(TFT)，用作開關(guān)元件以便接通和關(guān)斷每個子像素。連接到TFT的子像素中的第一電極被接通/關(guān)斷，而面對第一電極的第二電極用作公共電極。此外，施加于子像素的電壓被儲存在存儲電容器中，由此保持用于驅(qū)動該器件的電壓，直到提供下一幀的電壓為止，而與掃描線的數(shù)量無關(guān)。結(jié)果，由于可通過施加低電流獲得同樣亮度，因此有源矩陣型OELD器件具有低功耗和在大面積上的高圖像分辨率。
圖1是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有源矩陣型OELD器件的像素結(jié)構(gòu)的示意電路圖。在圖1中，掃描線1沿著第一方向設(shè)置，信號線2和電源線3沿著垂直于第一方向的第二方向互相隔開設(shè)置。信號線2和電源線3與掃描線1交叉，由此限定像素區(qū)。作為尋址元件的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)Ts連接到掃描線1和信號線2。存儲電容器CST連接到開關(guān)TFT Ts和電源線3。作為電流源元件的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)TD連接到存儲電容器CST和電源線3。有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管DEL連接到驅(qū)動TFT TD。
當(dāng)正向電流施加于有機(jī)EL二極管DEL時(shí)，電子和空穴復(fù)合，在陽極和陰極之間的有機(jī)EL二極管DEL的PN結(jié)處產(chǎn)生電子-空穴對，其中陽極提供空穴，陰極提供電子。在電子-空穴對與分離的電子和空穴之間存在能量差。更特別的是，電子-空穴對具有比分離的電子和空穴低的能量。該能量差產(chǎn)生光發(fā)射。
OELD器件根據(jù)發(fā)射光的方向通常分為頂部發(fā)射型和底部發(fā)射型。在底部發(fā)射型OELD器件中，光從器件的底部穿過包括薄膜晶體管的底部基板發(fā)射。然而，發(fā)射的光不穿過陣列基板上的電極線和薄膜晶體管。因此，底部發(fā)射型OELD器件的孔徑比(aperture ratio)取決于薄膜晶體管和電極線的結(jié)構(gòu)。不容易設(shè)計(jì)最小限度地阻擋光的薄膜晶體管和電極線。在頂部發(fā)射型OELD器件中，光從器件的頂部穿過頂部基板射出。頂部發(fā)射型OELD器件的頂部基板的發(fā)射面積可達(dá)到整個面板尺寸的約70％到約80％。然而，空氣很容易滲透到頂部發(fā)射型OELD器件中的有機(jī)電致發(fā)光層中。
為解決分別只具有一個發(fā)射方向的頂部發(fā)射型OELD器件和底部發(fā)射型OELD器件的這些問題，近年來已經(jīng)發(fā)展了在向上和向下兩個方向發(fā)射光的OELD器件。圖2是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的這種透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OELD)器件的剖面圖。如圖2所示，柵極12形成在子像素區(qū)Psub中的基板10上，其中子像素區(qū)是所顯示圖像的最小構(gòu)成單元。柵極絕緣層14形成在基板10的整個表面上并覆蓋柵極12。半導(dǎo)體層16形成在柵極絕緣層14上和柵極12上方。源極18和漏極20形成在半導(dǎo)體層16上并互相隔開。電源線22形成在柵極絕緣層14上并連接到源極18。
第一鈍化層26形成在包括源極18、漏極20和電源線22的基板10的整個表面上。第一鈍化層26包括用于露出漏極20的漏極接觸孔24。第一電極28形成在第一鈍化層26上并通過漏極接觸孔24連接到漏極20。有機(jī)電致發(fā)光層30和第二電極32依次形成在基板10的整個表面上，以覆蓋第一電極28。第二鈍化層34形成在第二電極32上。第二鈍化層34保護(hù)第二電極32和有機(jī)電致發(fā)光顯示器件不受外部沖擊、潮氣等的影響。
第一電極28、第二電極32以及置于第一和第二電極28和32之間的有機(jī)電致發(fā)光層30構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管。柵極12、半導(dǎo)體層16、源極18和漏極20構(gòu)成驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)，它給有機(jī)EL二極管提供電流。雖然圖2中未示出，一存儲電容器連接到電源線22。此外，驅(qū)動TFT的柵極12連接到開關(guān)TFT的漏極(未示出)。
如果第一電極28和第二電極32分別用作陽極和陰極，第一電極28可由透明導(dǎo)電材料如銦錫氧化物形成。第二電極32可以是包括金屬薄膜并與有機(jī)EL層30接觸的雙層，該金屬薄膜具有低功函數(shù)。有機(jī)EL層30通過采用低分子材料的蒸發(fā)方法形成。第一電極28通過采用蔭罩(shadow mask)的構(gòu)圖工藝形成在每個子像素中。
當(dāng)通過蒸發(fā)法形成低分子材料的有機(jī)EL層時(shí)，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的透射型OELD器件對于制造成大顯示板是很困難的和無效的。此外，蔭罩工藝需要附加處理裝置，這可能破壞該器件。此外，隨著器件分辨率提高，蔭罩工藝變得更困難。此外，相關(guān)技術(shù)的透射型OELD器件具有不良的透射特性，因?yàn)閷τ诜前l(fā)射區(qū)域中的陣列元件的透射特性缺乏考慮。

發(fā)明內(nèi)容
相應(yīng)地，本發(fā)明涉及一種透射型有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法，基本上解決了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)產(chǎn)生的一個或多個問題。
本發(fā)明的目的是提供一種具有改進(jìn)的透射率和大尺寸的透射型有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有簡化制造工藝的透射型有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法。
本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)在下列說明中，其中部分特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將從說明中明顯看出或者可以通過實(shí)施本發(fā)明而學(xué)習(xí)到。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)將通過在文字說明和其權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。
為實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如所具體實(shí)施和概括說明的，透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括其上包括多個子像素區(qū)的基板、在每個子像素區(qū)中的包括薄膜晶體管的陣列元件、在相鄰子像素區(qū)之間的邊界部分處并由透明絕緣材料構(gòu)成的分隔壁、在相鄰分隔壁之間的每個子像素中由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第一電極、在相鄰分隔壁之間的每個子像素區(qū)中的第一電極上的有機(jī)電致發(fā)光層、在有機(jī)電致發(fā)光層上的由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第二電極、以及覆蓋第二電極的鈍化層。
在另一方案中，透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括包括多個子像素區(qū)的基板、由第一透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第一電極、在相鄰子像素區(qū)之間的邊界部分處由透明絕緣材料構(gòu)成的分隔壁、在相鄰分隔壁之間的每個子像素區(qū)中的有機(jī)電致發(fā)光層、以及在相鄰分隔壁之間的有機(jī)電致發(fā)光層上由第二透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第二電極。
在另一方案中，制造透射型有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括在基板的子像素區(qū)中形成具有薄膜晶體管的陣列元件；在相鄰子像素區(qū)之間的邊界部分形成分隔壁，所述分隔壁由透明絕緣材料構(gòu)成；在相鄰分隔壁之間的每個子像素區(qū)中形成第一電極，第一電極由第一透明導(dǎo)電材料構(gòu)成；在相鄰分隔壁之間的第一電極上形成有機(jī)電致發(fā)光層，該有機(jī)電致發(fā)光層由高分子材料構(gòu)成；在包括有機(jī)電致發(fā)光層的整個基板上形成第二電極，該第二電極由第二透明導(dǎo)電材料構(gòu)成；和通過在包括第二電極的基板上形成鈍化層，對其進(jìn)行包封。
應(yīng)該理解，前述一般性的說明和下面的詳細(xì)說明都是示意性的，并不限制所要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍。


附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例并與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光層顯示器(OELD)器件的像素結(jié)構(gòu)的示意電路圖。
圖2是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OELD)器件的剖面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OELD)器件的剖面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的透射型OELD器件的分隔壁的示意平面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的透射型OELD器件的分隔壁的示意平面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的透射型OELD器件的分隔壁的示意平面圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的無源矩陣透射型OELD器件的示意平面圖。
圖8是沿著圖7中的線I-I截取的示意剖面圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制造工藝的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖中的例子詳細(xì)介紹本發(fā)明的實(shí)施例。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OELD)器件的剖面圖。如圖3所示，在每個子像素中的基板110上形成柵極112。柵極絕緣層114形成在基板110的整個表面上以覆蓋柵極112。半導(dǎo)體層壁212而分開，這就不需要構(gòu)圖工藝。由于分隔壁212可由透明材料形成，因此可以提高透射型OELD器件的透射特性。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的透射型OELD器件的分隔壁的示意平面圖。如圖5所示，分隔壁310形成在水平相鄰子像素之間的邊界部分中。分隔壁310只垂直延伸并且不形成在發(fā)射相同顏色光的垂直相鄰子像素之間的邊界部分中。分隔壁310可以由具有高透光性的絕緣材料構(gòu)成，如有機(jī)絕緣材料。分隔壁310可通過輥涂法形成，該方法在單一方向在基板上涂覆分隔壁以形成圖形。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的透射型OELD器件的分隔壁的示意平面圖。如圖6所示，第三實(shí)施例的分隔壁410形成對應(yīng)于子像素區(qū)的圓形開口412。分隔壁410可通過噴墨法形成，該方法采用打點(diǎn)法形成圖形。分隔壁410由具有高透光性的絕緣材料構(gòu)成，如有機(jī)絕緣材料。
透射型OELD器件可用在無源矩陣型OELD器件中，該器件不包括薄膜晶體管，并且其中子像素由互相交叉的電極限定。
圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的無源矩陣型透射型OELD器件的示意平面圖。如圖7所示，多個第一電極510在第一方向形成。多個分隔壁512和多個第二電極516在與第一方向交叉的第二方向交替排列形成。第一和第二電極510和516互相交叉以限定子像素區(qū)。分隔壁512可由具有高透光性的絕緣材料構(gòu)成，如有機(jī)絕緣材料。雖然圖7中未示出，多個有機(jī)EL層形成在第二電極516下面。
圖8是沿著圖7中的線I-I截取的示意剖面圖。如圖8所示，第一電極510形成在包括子像素區(qū)的基板500上。分隔壁512形成在相鄰子像素區(qū)之間的邊界部分的第一電極510上。有機(jī)EL層514和第二電極516形成在分隔壁512之間的第一電極510上。由于存在分隔壁512，因此不需要構(gòu)圖工藝就使有機(jī)EL層514和第二電極516與相鄰子像素區(qū)中的有116形成在柵極絕緣層114上和柵極112上方。源極118和漏極120形成在半導(dǎo)體層116上并互相隔開。連接到源極118的電源線122形成在柵極絕緣層114上。
第一鈍化層126形成在基板110的整個表面上以覆蓋源極118、漏極120和電源線122。第一鈍化層126具有露出漏極120的漏極接觸孔124。分隔壁128形成在電源線122上方的第一鈍化層126上。第一電極130和有機(jī)EL層132依次形成在每個子像素的第一鈍化層126上。由于分隔壁128，不需要構(gòu)圖工藝就使第一電極130和有機(jī)EL層132分開。第一電極130通過漏極接觸孔124接到漏極120。第二電極134和第二鈍化層136依次形成在基板110的整個表面上，以便覆蓋分隔壁128和有機(jī)EL層132。
第一電極130、第二電極134以及置于第一和第二電極130和134之間的有機(jī)EL層132構(gòu)成有機(jī)EL二極管，柵極112、半導(dǎo)體層116、源極118和漏極120構(gòu)成薄膜晶體管(TFT)，它對應(yīng)于給有機(jī)EL二極管提供電流的驅(qū)動TFT。
第一和第二電極130和134由有效透光的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。該透明導(dǎo)電材料可選自包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、和銦錫鋅氧化物的材料。例如，如果第一電極130和第二電極134分別用作陽極和陰極，則第二電極134優(yōu)選可進(jìn)一步包括與有機(jī)EL層132接觸的約1000埃的金屬薄膜，該金屬薄膜具有低于約4eV的低功函數(shù)。該金屬薄膜例如可由鋁(Al)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、和堿金屬中的一種構(gòu)成。因此，第二電極134可以是包括該金屬薄膜的雙層。
有機(jī)EL層132可以由高分子材料構(gòu)成。如果第一和第二電極130和134分別用作陽極和陰極，則有機(jī)EL層132可依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層、和電子注入層，其中空穴注入層與第一電極130接觸，電子注入層與第二電極134接觸。此外，當(dāng)形成第一電極130和有機(jī)EL層132時(shí)，也可以同時(shí)在分隔壁128上形成第一電極材料層129和有機(jī)EL材料層131。
有機(jī)EL層132可以通過例如噴墨法、輥涂法和噴嘴涂覆法形成。在噴墨法中，有機(jī)EL層132可通過打點(diǎn)(dotting)法形成，以便有機(jī)EL層132具有圓形形狀。因此，由分隔壁128封閉的開口優(yōu)選具有圓形形狀，以便形成具有圓形形狀的子像素。在輥涂法中，由于有機(jī)EL層132可以通過沿著一個方向涂覆基板而形成，因此分隔壁128可以在對應(yīng)于電源線或數(shù)據(jù)線的一個方向形成。另一方面，在噴嘴涂覆法中，不限制分隔壁128的形狀。分隔壁128的厚度可以在約1μm到約8μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在約4μm到5μm的范圍內(nèi)。
分隔壁由光刻膠通過光刻工藝形成。然而，光刻膠在曝光步驟之后具有顏色，因此不具備所希望的光透射特性。為了提高根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的透射型OELD器件的兩側(cè)的透射特性，分隔壁128可由具有高透光性的絕緣材料構(gòu)成，如有機(jī)材料。透射型OELD器件可用作玻璃窗口或顯示器件，這取決于應(yīng)用的領(lǐng)域。因而，由于透射型OELD器件的元件具有高透射特性，因此分隔壁還優(yōu)選由有效透光的絕緣材料構(gòu)成。此外，基板110是透明絕緣基板?；?10可由玻璃基板構(gòu)成或柔性基板構(gòu)成，如塑料。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的透射型OELD器件的分隔壁的示意平面圖，顯示了幾個子像素。如圖4所示，形成開口210的分隔壁212被形成，以便封閉每個子像素區(qū)，其中開口210對應(yīng)于子像素。分隔壁212可采用噴嘴涂覆法由有機(jī)材料形成。
雖然圖4中未示出，在每個開口210中，在每個子像素中依次形成第一電極和有機(jī)EL層。相鄰開口210的第一電極和有機(jī)EL層由于分隔機(jī)EL層514和第二電極516分開。
分隔壁512可具有在約1μm到約8μm的范圍內(nèi)的厚度。有機(jī)EL層514和第二電極516可具有約幾千埃的厚度。因此，有機(jī)EL層514和第二電極516可采用分隔壁512構(gòu)圖而不用附加的構(gòu)圖工藝。
第一電極510和第二電極516互相交疊的區(qū)域形成子像素區(qū)并被定義為發(fā)射區(qū)，在其中發(fā)射光。第一和第二電極510和516由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。如果第一電極510用作陽極，第二電極516用作陰極，第二電極516可進(jìn)一步包括在與有機(jī)EL層514接觸的界面處的金屬薄膜，該金屬薄膜具有低功函數(shù)。此外，當(dāng)形成有機(jī)EL層514和第二電極516時(shí)，有機(jī)EL材料513和第二電極材料515可以依次形成在分隔壁512上。
圖9是用于有源矩陣型OELD器件的例子的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制造工藝的流程圖。在步驟ST1，在基板上形成包括薄膜晶體管的陣列元件。薄膜晶體管由給有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管提供電流的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)和用作開關(guān)元件的開關(guān)TFT構(gòu)成。在每個子像素中可以有一個驅(qū)動TFT和一個開關(guān)TFT，或者在每個子像素中可以有多個驅(qū)動TFT和多個開關(guān)TFT。陣列元件還包括柵極線、數(shù)據(jù)線、電源線和存儲電容器。數(shù)據(jù)線和電源線與柵極線交叉并交替設(shè)置，以便限定子像素區(qū)。
在步驟ST2，通過采用具有高透射率的絕緣材料在陣列元件上的相鄰子像素區(qū)之間的邊界部分中形成分隔壁。該分隔壁的形狀取決于有機(jī)EL層的形成方法。分隔壁可以具有矩形或圓形開口。除了相同顏色的子像素之間的邊界部分之外，例如該分隔壁可以在相鄰子像素之間的邊界部分中在單一方向形成。
在步驟ST3，利用第一透明導(dǎo)電材料和高分子材料在包括分隔壁的基板上的每個子像素中依次形成第一電極和有機(jī)EL層。由于存在分隔壁，因此不用構(gòu)圖工藝的情況下對第一電極和有機(jī)EL層進(jìn)行構(gòu)圖。有機(jī)EL層例如可以通過噴墨法、輥涂法和噴嘴涂覆法之一形成。
分隔壁可具有各種形狀，這取決于有機(jī)EL層的形成方法。如果利用噴墨法形成有機(jī)EL層，分隔壁將優(yōu)選形成具有圓形形狀的開口。在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于利用噴墨法、輥涂法或噴嘴涂覆法使分隔壁由透明材料構(gòu)成并且有機(jī)EL層由高分子材料形成，因此可以制成具有改進(jìn)的透光特性的大面積透射型OELD器件。
在步驟ST4，采用第二透明金屬材料在包括有機(jī)EL層的基板的整個表面上形成第二電極。第二電極優(yōu)選由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。例如，如果第一電極用作陽極，第二電極用作陰極，則第二電極可以進(jìn)一步包括在與有機(jī)EL層接觸的界面處的由具有低功函數(shù)的金屬材料制成的薄膜。該金屬材料可以是鋁(Al)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、氟化鋰(LiF)和堿金屬之一。
在步驟ST5，用鈍化層包封透射型OELD器件。鈍化層覆蓋第二電極。在形成鈍化層之前，可以在基板的周邊部分形成密封圖形，然后利用密封圖形的粘接強(qiáng)度包封基板。還可采用干燥劑保護(hù)有機(jī)EL層不受潮。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的透射型OELD器件具有以下優(yōu)點(diǎn)。首先，透射型OELD器件由于其改進(jìn)的透射率而可用在各個領(lǐng)域中。其次，可以制造大尺寸透射型OELD器件。第三，可以簡化制造工藝。
對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，顯然在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下可以對本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法做各種修改和改變。因此，本發(fā)明覆蓋在所附權(quán)利要求書及其等效形式范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括其上包括多個子像素區(qū)的基板；在每個子像素區(qū)中的包括薄膜晶體管的陣列元件；在相鄰子像素區(qū)之間的邊界部分由透明絕緣材料構(gòu)成的分隔壁；在相鄰分隔壁之間的每個子像素中由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第一電極；在相鄰分隔壁之間的每個子像素區(qū)中的第一電極上的有機(jī)電致發(fā)光層；在有機(jī)電致發(fā)光層上的由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第二電極；以及覆蓋第二電極的鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中有機(jī)電致發(fā)光層由高分子材料構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中分隔壁形成具有對應(yīng)于子像素區(qū)的矩形形狀的開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中分隔壁形成具有對應(yīng)于子像素區(qū)的圓形形狀的開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的器件，其中有機(jī)電致發(fā)光層是通過噴墨法形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中在相鄰子像素之間的邊界部分中只在第一方向形成分隔壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的器件，其中有機(jī)電致發(fā)光層是通過輥涂法形成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中有機(jī)電致發(fā)光層是通過噴墨法、輥涂法和噴嘴涂覆法中的一種方法形成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中分隔壁的厚度在約1μm到約8μm的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中分隔壁由透明有機(jī)絕緣材料構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中第一電極是陽極，第二電極是陰極，其中第二電極包括與有機(jī)電致發(fā)光層接觸的具有低功函數(shù)的金屬薄膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的器件，其中金屬薄膜包括鋁、鈣、鎂、氟化鋰和堿金屬中的至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中用于第一電極和第二電極之一的透明導(dǎo)電材料包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物和銦錫鋅氧化物中的至少一種。
14.一種透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括包括多個子像素區(qū)的基板；由第一透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第一電極；在相鄰子像素區(qū)之間的邊界部分處由透明絕緣材料構(gòu)成的分隔壁；在相鄰分隔壁之間的每個子像素區(qū)中的有機(jī)電致發(fā)光層；以及在相鄰分隔壁之間的有機(jī)電致發(fā)光層上由第二透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第二電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的器件，其中第一和第二透明導(dǎo)電材料包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物和銦錫鋅氧化物中的至少一種。
16.一種制造透射型有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，包括在基板的子像素區(qū)中形成具有薄膜晶體管的陣列元件；在相鄰子像素區(qū)之間的邊界部分形成分隔壁，所述分隔壁由透明絕緣材料構(gòu)成；在相鄰分隔壁之間的每個子像素區(qū)中形成第一電極，第一電極由第一透明導(dǎo)電材料構(gòu)成；在相鄰分隔壁之間的第一電極上形成有機(jī)電致發(fā)光層，該有機(jī)電致發(fā)光層由高分子材料構(gòu)成；在包括有機(jī)電致發(fā)光層的整個基板上形成第二電極，該第二電極由第二透明導(dǎo)電材料構(gòu)成；和通過在包括第二電極的基板上形成鈍化層，對其進(jìn)行包封。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟包括使用噴墨法、輥涂法和噴嘴涂覆法中的一種方法。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中透明絕緣材料是有機(jī)絕緣材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中第一和第二透明導(dǎo)電材料包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物和銦錫鋅氧化物中的至少一種。
全文摘要
透射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括其上包括多個子像素區(qū)的基板、在每個子像素區(qū)中的包括薄膜晶體管的陣列元件、在相鄰子像素區(qū)之間的邊界部分由透明絕緣材料構(gòu)成的分隔壁、在相鄰分隔壁之間的每個子像素中由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第一電極、在相鄰分隔壁之間的每個子像素區(qū)中的第一電極上的有機(jī)電致發(fā)光層、在有機(jī)電致發(fā)光層上的由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的第二電極、以及覆蓋第二電極的鈍化層。
文檔編號H05B33/10GK1496203SQ03157420
公開日2004年5月12日 申請日期2003年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月19日
發(fā)明者方熙皙, 金官洙 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司