專利名稱：具有直接加熱的玻璃陶瓷片的烹飪系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基于熱傳導原理且包含由玻璃陶瓷構(gòu)成的整塊烹飪面的烹飪系統(tǒng)，該烹飪面具有至少一個烹飪區(qū)并且可以利用設(shè)置在玻璃陶瓷片底面上的加熱元件獨立地直接進行加熱。
用于烹飪食物的烹飪系統(tǒng)由一種平面結(jié)構(gòu)的烹飪面構(gòu)成，且在該面上還存在一個用于烹飪的容器。利用不同的傳熱功能原理在烹飪面下方實施加熱。最理想的烹飪系統(tǒng)中，鍋底和烹飪面之間是面接觸的，并因此使得接觸熱的傳遞損失盡可能的減小。所有處于接觸的平面在加熱狀態(tài)中都應(yīng)該相互平整平行地放置。加熱元件和烹飪食物之間的溫度梯度必須足夠大，以使其能快速的加熱過程。通過相應(yīng)地使加熱元件形成的絕熱可達到減少熱量向周圍輻射而造成損失。在遵守用電規(guī)章的前提下使加熱元件以盡可能小的間距接近烹飪物，例如直接設(shè)置在烹飪面的下方。
在傳統(tǒng)的具有鑄鐵做成的烹飪盤的系統(tǒng)中，能量主要是根據(jù)熱傳導原理來進行傳遞。這里，熱源由位于烹飪盤內(nèi)的電阻線構(gòu)成的電絕緣的加熱螺旋線圈組成。個別的烹飪盤是放在主要是金屬的烹飪面內(nèi)。將鑄造的烹飪盤放置于烹飪面上，由于烹飪過程中的熱膨脹效應(yīng)，烹飪盤會在載體盤的表面上滑動。由此就會產(chǎn)生構(gòu)件的熱隔離和機械隔離。這種臃腫的結(jié)構(gòu)就使得該系統(tǒng)在烹飪性和可調(diào)性方面是非常緩慢的。
通過改變加熱元件的配置和通過烹飪盤材料的改性，就能對這種烹飪系統(tǒng)進行進一步的改良。其中將具有良好導熱能力和較高機械強度的薄陶瓷片優(yōu)選是由非氧化的陶瓷構(gòu)成的，如Si3N4或SiC用作烹飪盤，EP0853444A2和EP0069298中記載了基于具有良好導熱能力和較高平整度(Planitt)的Si3N4基陶瓷烹飪系統(tǒng)。這些已知的烹飪盤可用于優(yōu)選由預(yù)先上緊的平板玻璃制成的烹飪面內(nèi)，但也可用于石質(zhì)盤片內(nèi)或是由聚合物陶瓷復(fù)合材料制成的盤內(nèi)。為了實現(xiàn)對整個烹飪面加熱，但是又要克服機械應(yīng)力，就要使陶瓷片和烹飪面之間存在一個伸縮接縫。利用耐熱膠進行粘接。通過使電流流過牢固結(jié)合在烹飪盤上的金屬層而實現(xiàn)電加熱。諸如US6037572文獻中使用的是特別由SnO2制成的全面的薄層。也可以使用金屬箔作為加熱元件，并且將其壓制在基材上或是通過傳熱的耐熱膠與陶瓷板相結(jié)合。陶瓷片本身就能保證加熱器與烹飪?nèi)萜髦g形成符合規(guī)定的電絕緣。如果烹飪盤由具有導電能力的材料，如SiC制成，則能在加熱器與烹飪盤之間設(shè)置一個陶瓷絕熱層，用以保障電絕緣。所述結(jié)構(gòu)表明突出的特征在于烹飪區(qū)內(nèi)有著更好的功率，有效并且可調(diào)節(jié)。由于加熱元件、烹飪盤和鍋底直接接觸并且陶瓷片有高的導熱能力，因此開始烹飪(ankoch)時加熱器與鍋之間的溫度梯度就能降低，同時不會減小開始烹飪功率。熱量損失減小，于是系統(tǒng)的效率提高。烹飪區(qū)上側(cè)面的溫度降至約350℃，并且與鑄造的烹飪盤相比，該烹飪盤結(jié)構(gòu)的高度也減小。
這些系統(tǒng)的另一方式是市售的輻射加熱系統(tǒng)。該烹飪面由具有低的導熱性和熱膨脹性的材料制成，如玻璃陶瓷片，特別優(yōu)選含有由Li2O-Al2O3-SiO2體系的成分制成的玻璃陶瓷片，也即已知商品名為Ceran的產(chǎn)品。在整塊的烹飪平面下有一個輻射加熱體。電流流過而加熱的由金屬合金制成的電阻線產(chǎn)生熱能。能量傳遞是通過熱傳遞和對流來實施，但是其中還有約40％則通過熱輻射。如果使用質(zhì)量較差的烹飪炊具，則在烹飪操作中，鍋底與烹飪面之間會存在一個能降低接觸熱量傳遞的空氣縫。通過將熱輻射與熱傳導結(jié)合就能防止開始烹飪功率劇烈下降。通過空氣縫就可實現(xiàn)在加熱體與烹飪?nèi)萜髦g形成符合規(guī)格(EN60335和UL858)的電絕緣，并且在這種絕緣情況下，必須在230V～3750V的耐壓強度和小于0.25mA的漏電流情況下進行。為了獲得足夠的起始烹飪功率，要將加熱體溫度調(diào)節(jié)到約1100℃，這樣使得位于烹飪區(qū)上表面上的該系統(tǒng)具有約570℃的最大可能的溫度。這種系統(tǒng)的優(yōu)點在于有較高的美學價值，而這是通過過分追求一整塊的平坦的烹飪面得到的。而由此衍生出的另一優(yōu)點是良好的易清潔性，以及可以在表面裝飾上進行隨意的設(shè)計。由于結(jié)構(gòu)加固且玻璃陶瓷薄片的熱容較小，因此相對于鑄造的烹飪盤，可調(diào)節(jié)性和初時烹飪時間都有所改善。
基于SiN或SiC的陶瓷烹飪系統(tǒng)的特征首先就在于能獲得高的功率數(shù)，快速的烹飪時間和大于80％的效率。但是，該技術(shù)方案必然引起美觀和易清潔性的減少。如果使用有更高熱導能力的烹飪盤就能改善烹飪功率。但由于在烹飪區(qū)上的局部有限加熱，因此在烹飪區(qū)和其余烹飪面之間必定形成熱障。為此就要在整塊的烹飪面上設(shè)置一些其中能粘貼陶瓷片的孔洞。另外，陶瓷盤還必須略微伸出烹飪面的平面，由此保證在各種情況下鍋底都能置于陶瓷烹飪區(qū)上，并且不會與加熱面形成空氣縫。另外，可用粘結(jié)劑填充伸縮縫。由此使得烹飪面觸覺性不均勻以及易清潔性下降。如果烹飪區(qū)被食品污染，則需要使用機械工具如海綿或刮刀對陶瓷盤和伸縮縫之間的間隙進行頗為繁瑣的清潔。陶瓷烹飪區(qū)的顏色與烹飪面其余部分的不同，感覺類似于灰色鑄鐵制成的烹飪區(qū)。因此也就不會有興趣在烹飪面上進行裝飾設(shè)計。
將輻射加熱的玻璃陶瓷烹飪區(qū)域設(shè)計成單塊的，由此能滿足較高的視覺要求和得到很好的易清潔性，并且不存在有干擾的邊沿和接縫。但其缺點在于，從開始烹飪、效率和可調(diào)節(jié)性方面考慮，這類烹飪系統(tǒng)的功率不如Si3N4烹飪系統(tǒng)。由于在高于250℃的溫度下這些玻璃陶瓷片是導電的，因此在安裝加熱體時必須要保持與烹飪面的間隔一定的距離，以能得到所需的3750V的耐壓強度。由于加熱器與烹飪面之間存在著空氣縫，因此初始烹飪性能和可調(diào)節(jié)性都會變差。而為了獲得足夠的初始烹飪功率，在加熱器上必須產(chǎn)生超過1100℃的高溫。由于環(huán)繞烹飪區(qū)的區(qū)域都被加熱器附帶加熱了，所以就會帶來熱量損失且與效率約為80％至60％的陶瓷SiN烹飪系統(tǒng)相比，烹飪系統(tǒng)的效率下降。帶有空氣縫的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了最小的結(jié)構(gòu)高度，而這種高度又限制了在烹飪槽中安裝可能性。帶有包括其固定和調(diào)節(jié)的加熱體的烹飪槽的元件數(shù)量是非常高的。
通過直接加熱玻璃陶瓷烹飪面可使具有外觀整塊的烹飪面的烹飪系統(tǒng)具有最理想結(jié)構(gòu)，并且還能改善其功率方面的數(shù)據(jù)。
EP0861014A1中記載了一種烹飪盤，其中通過直接緊壓上去的金屬導體來加熱玻璃陶瓷片。但是文中并沒有提及為符合用電規(guī)章而必需的位于玻璃陶瓷片和加熱元件之間的電絕緣層。
EP0866641A2為解決任務(wù)提出了如下一種折中方法，即使用單個整塊的玻璃陶瓷片，并且如在Si3N4系統(tǒng)中一樣，通過直接安裝于底面的加熱元件來實施更大功率的加熱過程。技術(shù)方案的轉(zhuǎn)換是通過緊壓或粘貼一個其后將用電進行加熱的金屬箔來實現(xiàn)的。這種方案的缺點在于最大可能的烹飪溫度小。在其自述的試驗中已經(jīng)表明，簡單地緊壓加熱膜元件會明顯造成起始烹飪功率的強烈減少?；瘜W連接或至少平面機械銜接是必要的。所有市售的具有良好導熱性的粘結(jié)劑都不準在大于350℃的溫度下使用。但是，在加熱元件上測得的溫度是約550℃，這樣才能在直接加熱的玻璃陶瓷基材時獲得足以快速煎烤食品的快速烹飪功率。其中的原因在于，與SiN陶瓷烹飪片(20-30W/mK)相比，玻璃陶瓷的導熱能力(1-2W/mK)非常小。在陶瓷烹飪系統(tǒng)中，加熱元件的溫度為約400℃。如果使用玻璃陶瓷片作為烹飪盤，則為了獲得相同的功率，必須要達到約550℃的溫度。還有一個問題是玻璃陶瓷(約0至1.5×10-6/K)與金屬加熱元件(大于10×10-5/K)具有不同的熱膨脹性。技術(shù)上目前還未能提供在550℃下穩(wěn)定且具有足以抵消熱應(yīng)力的延展性的導熱性良好的粘結(jié)劑。
加熱元件與絕緣的玻璃陶瓷基材之間的牢固連接是通過如下一種結(jié)構(gòu)而實現(xiàn)，即使得在玻璃陶瓷片和作為涂層涂覆的加熱體之間具有一個電絕緣層。該層優(yōu)選由電絕緣性高且選自Al2O3-SiO2-MgO體系(剛玉、石英、堇青石、莫來石)的陶瓷材料構(gòu)成。WO00/15005中記載了在較低膨脹性的基材上，具有較高熱膨脹性的絕緣層可以分離。哪怕層間的結(jié)合是機械穩(wěn)定的，也總還是存在著一個基本問題，即在烹飪系統(tǒng)的加熱過程中烹飪區(qū)會出現(xiàn)翹曲現(xiàn)象。該現(xiàn)象是由于玻璃陶瓷片與絕緣層或加熱層的膨脹性不同而引起的(可參考雙金屬效應(yīng))。鍋底與烹飪盤上表面之間形成的空氣縫會減小接觸面積并顯著削弱熱傳遞。初始烹飪的時間性會明顯變差。
EP0951202A2中記載了一種具有金屬中間層的直接加熱的烹飪系統(tǒng)，其中的中間層為了符合用電規(guī)程而要接地。由此就會產(chǎn)生出過壓或漏電。但是這種結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)在技術(shù)上是很難實現(xiàn)而且也不能帶來經(jīng)濟效益。
本發(fā)明的任務(wù)在于提供一種如開頭所述的可直接電加熱的烹飪系統(tǒng)，同時該系統(tǒng)還具備良好的外觀和很好的易清潔性。相對于傳統(tǒng)的通過輻射加熱體進行加熱的烹飪系統(tǒng)，該系統(tǒng)的功率有所提高。該烹飪盤應(yīng)該包含分段獨立的加熱區(qū)用以烹飪活動，并且還應(yīng)保證在不超過500℃的溫度下處于烹飪活動下的鍋底和烹飪盤有著平行平面的結(jié)構(gòu)。
該任務(wù)可以通過本發(fā)明得到解決，即玻璃陶瓷片是具有高度石英混晶或熱液石英混晶(keatitmisch)晶型的主晶體相，其主要是由Li2O-Al2O2-SiO2成分構(gòu)成的，且具有α＝0至1.8×10-6/K、優(yōu)選α＝0至1.5×10-6/K的膨脹系數(shù)和＜3W/mK、優(yōu)選＜2.7W/mK的導熱能力，并且在其底面上具有至少一個烹飪區(qū)，烹飪區(qū)的加熱元件由金屬層構(gòu)成并且在玻璃陶瓷片的底面之間設(shè)置有作為電絕緣層的多孔陶瓷層。
在這種結(jié)構(gòu)下，烹飪面根據(jù)需要是單獨一整塊的。在玻璃陶瓷片的底面可以通過涂覆的加熱元件而劃分出各個烹飪區(qū)，這些烹飪區(qū)可以在不同的溫度下操作。玻璃陶瓷片極小的導熱能力必須是經(jīng)過選擇的，因為這樣才能避免由于熱量的橫向傳導而對整個烹飪面進行加熱。此外，玻璃陶瓷片也必須具有非常小的熱膨脹性，這樣在溫度變化時不致形成能導致玻璃陶瓷片斷裂的熱應(yīng)力，或只是形成極小的應(yīng)力。所有這些都可通過用于玻璃陶瓷片的材料來獲得保證。
加熱元件和玻璃陶瓷片底面之間的層間接合必須滿足在高達500℃的烹飪溫度下，玻璃陶瓷片的上表面符合上述規(guī)定。如果玻璃陶瓷片是導電的，則要在玻璃陶瓷片的底面與加熱元件之間設(shè)置用于電絕緣的陶瓷層，其可由Al2O3、莫來石、堇青石、硅酸鋯或SiO2/TiO2構(gòu)成。
材料選擇和加熱元件的淀積方法可按如下方式實現(xiàn)，即以熱噴鍍法，特別是氣體等離子體噴鍍，冷氣噴鍍法涂覆NiCr基合金(Basislegierung)、NiAl基合金、CrFeAl基合金或耐氧化金屬陶瓷，如Cr3C2-NiCr或WC-CoCr的加熱元件，或者以篩網(wǎng)印刷法涂覆由含玻璃料的Ag/Pd的膏體的加熱元件。
因此在溫度變化時的加熱操作中層間結(jié)合力能保持耐久，但是在材料中要避免出現(xiàn)較高的熱應(yīng)力，必須根據(jù)另一種結(jié)構(gòu)進行設(shè)計，即利用直徑為約50nm至150nm的陶瓷初級粒子構(gòu)成的橋形接片(Stege)將絕緣層連接在玻璃陶瓷片的底面上。
為了減小熱損失，可以另外再進行如下設(shè)計，即利用由硅酸鹽纖維材料構(gòu)成的熱絕緣層覆蓋加熱元件。
具有＞106Ω比電阻的玻璃陶瓷片和具有＞3750V擊穿強度的整個烹飪系統(tǒng)可以實現(xiàn)所要求的烹飪系統(tǒng)的性能，同時根據(jù)60335-1標準，每個烹飪區(qū)上的漏電流小于0.25mA。
以下將根據(jù)附圖描述的實施例來進一步詳盡地闡述本發(fā)明。


圖1由玻璃陶瓷片、陶瓷層、加熱元件和熱保護層組成的烹飪系統(tǒng)的截面圖，和圖2是玻璃陶瓷片和作為電絕緣層的陶瓷片之間連接區(qū)的局部放大圖。
圖1表示本發(fā)明的烹飪系統(tǒng)。玻璃陶瓷片10以其上表面構(gòu)成烹飪面。在玻璃陶瓷片底面上設(shè)置有一個電絕緣的陶瓷片20，并且該陶瓷片與玻璃陶瓷片10上可設(shè)置有多個粒結(jié)用以擴大表面積。層厚度在50至350μm之間，特別優(yōu)選在160至200μm的范圍內(nèi)。絕緣層，即陶瓷片20承載有多個加熱元件30，這些加熱元件確定了烹飪區(qū)并且各自進行加熱并且可以進行調(diào)節(jié)。
加熱元件的形成可以有導電線路或平面加熱元件。
玻璃陶瓷片材料具有＜3W/mK、特別是＜2.7W/mK的導熱能力和α＝0至1.8×10-6/K、特別優(yōu)選α＝0至1.5×10-6/K的膨脹系數(shù)。該材料具有高度石英混晶或熱液石英混晶晶型的主晶體相，且其主要是由Li2O-Al2O2-SiO2成分構(gòu)成的。玻璃陶瓷片10的底面12與陶瓷層20之間的電絕緣由高度絕緣的陶瓷層實現(xiàn)。
其中的材料涉及的是Al2O3、莫來石、堇青石、硅酸鋯和SiO2/TiO2合金。但這些材料都有著較高的熱膨脹值，其值為α≥3×10-6/K。為使得玻璃陶瓷片10與絕緣層20之間的層間連接在加熱操作時能耐久，則除了很好的層間結(jié)合力外還同時要避免出現(xiàn)高的熱應(yīng)力。這通過一種基于陶瓷層20和玻璃陶瓷片10和插入陶瓷層材料的多孔結(jié)構(gòu)之間的化學連接作用的機理來保障。通過多孔結(jié)構(gòu)就能降低層的E-模量，使得層是似柔軟的。
試驗還表明，絕緣層20并不是以平面粘貼在玻璃陶瓷層10的底面上的。在界面內(nèi)形成有直徑為約50至150nm的陶瓷顆粒的薄橋形接片，而該接片承擔連接作用，即如圖2的局部放大圖中標記21所示。在多孔結(jié)構(gòu)22的區(qū)域內(nèi)，玻璃陶瓷與絕緣體之間并沒有接觸。這種非平面型的連接減少了系統(tǒng)的自應(yīng)力。由于這種結(jié)構(gòu)機理，就能避免烹飪操作中的層間復(fù)合體分層。另外，通過絕緣層20的強烈膨脹，就能將烹飪區(qū)內(nèi)的玻璃陶瓷片10的翹曲現(xiàn)象減到最小，從而使得越過烹飪區(qū)對角線的該值達到＜0.2mm。由此就能使烹飪系統(tǒng)具有較高的烹飪性能。
可以通過絲網(wǎng)印刷法或熱噴鍍法，特別是氣體等離子體噴鍍或冷氣噴鍍法涂覆加熱元件30。在絲網(wǎng)印刷法中，加熱元件30優(yōu)選由含有玻璃料的Ag/Pd的膏體構(gòu)成，或者在熱噴鍍的情況下，該加熱元件由NiCr基合金、NiAl基合金、CrFeAl基合金或耐氧化金屬陶瓷，如Cr3C2-NiCr或WC-CoCr構(gòu)成。
在接片區(qū)域中，顆粒分散于陶瓷/玻璃陶瓷的界面內(nèi)，由此形成陶瓷層20的化學連接。令人驚奇的是，一些試驗表明，單獨使用具有高度石英混晶型主晶體相且由LiO2-Al2O2-SiO2成分的玻璃陶瓷——也即LAS玻璃陶瓷，并且其公知的商品名為Ceran——能實現(xiàn)所述的與陶瓷層20的必要化學連接。其中的原因就在于玻璃陶瓷與絕緣材料之間的化學親和性。后者主要由化合物SiO2和Al2O3與添加物MgO和TiO2構(gòu)成。在化學連接過程中會發(fā)生界面擴散現(xiàn)象，既可以從玻璃陶瓷側(cè)也可以從陶瓷側(cè)進行這些元素的交換過程。至于其他材料對(Stoffpaarung)在擴散入界面中時會在玻璃陶瓷中形成一個反應(yīng)層，且該層具有一個更高的熱膨脹系數(shù)。由誘導的機械應(yīng)力所形成的微小裂紋會導致整個系統(tǒng)耐沖擊強度下降至低于規(guī)定的值。同樣還能觀察到層間連接的降低以及由此所導致的加熱時的分層現(xiàn)象。如果使用了具有更高熱膨脹系數(shù)的玻璃陶瓷，則同樣能顯示出所述的積極效果。與LAS玻璃陶瓷不同，主晶體相被設(shè)計成熱液石英混晶型，由此就能另外提高熱膨脹系數(shù)至約α＝1.5×10-6/K。因此相對于陶瓷層20的膨脹性差異也能減小到最低值。
用作所述烹飪系統(tǒng)的烹飪面的玻璃陶瓷片10使得具有較好外觀和易清潔性的整塊表面，能適于直接涂覆一種耐久穩(wěn)定且用于加熱的涂層體系。在同時具有烹飪區(qū)的平整性情況下，裝配具有較高加熱功率的設(shè)備能使得烹飪功率相對于傳統(tǒng)的烹飪系統(tǒng)顯著提高。
權(quán)利要求
1.基于熱傳導原理且包含由玻璃陶瓷構(gòu)成的整塊烹飪面的烹飪系統(tǒng)，其具有至少一個烹飪區(qū)并且可以利用設(shè)置在玻璃陶瓷片底面上的加熱元件獨立地直接地進行加熱，其特征在于，玻璃陶瓷片具有高度石英混晶或熱液石英混晶晶型的主晶體相，其主要是由Li2O-Al2O3-SiO2成分構(gòu)成的，且具有α＝0至1.8×10-6/K的膨脹系數(shù)和＜3W/mK的導熱能力，并且在其底面上具有至少一個烹飪區(qū)，烹飪區(qū)的加熱元件(30)由金屬層構(gòu)成并且在玻璃陶瓷片(10)的底面(11)之間設(shè)置有作為電絕緣層(20)的多孔陶瓷層。
2.如權(quán)利要求1的烹飪系統(tǒng)，其特征在于，膨脹系數(shù)α＝0至1.5×10-6/K。
3.如權(quán)利要求1或2的烹飪系統(tǒng)，其特征在于，導熱能力值為＜2.7W/mK。
4.如權(quán)利要求1至3的烹飪系統(tǒng)，其特征在于，在在T＝550℃下的烹飪操作時，對角線內(nèi)的烹飪區(qū)具有＜0.2mm的翹曲值。
5.如權(quán)利要求1至4的烹飪系統(tǒng)，其特征在于，以熱噴鍍法，特別是氣體等離子體噴鍍，冷氣噴鍍法涂覆由NiCr基合金、NiAl基合金、CrFeAl基合金或耐氧化金屬陶瓷，如Cr3C2-NiCr或WC-CoCr構(gòu)成的加熱元件。
6.如權(quán)利要求1至4的烹飪系統(tǒng)，其特征在于，以絲網(wǎng)印刷法涂覆由有玻璃料的含Ag/Pd的膏體構(gòu)成的加熱元件(30)。
7.如權(quán)利要求1至6之一的烹飪系統(tǒng)，其特征在于，作為電絕緣層(20)是使用由Al2O3、莫來石、堇青石、硅酸鋯或SiO2/TiO2構(gòu)成的陶瓷層。
8.如權(quán)利要求1至7之一的烹飪系統(tǒng)，其特征在于，利用直徑為約50nm至150nm的陶瓷初級粒子構(gòu)成的薄橋形接片(21)將絕緣層(20)連接在玻璃陶瓷片(10)的底面(12)上。
9.如權(quán)利要求1至8之一的烹飪系統(tǒng)，其特征在于，利用硅酸鹽纖維材料制成的熱絕緣層(40)覆蓋加熱元件(30)。
10.如權(quán)利要求1至9之一的烹飪系統(tǒng)，其特征在于，根據(jù)60335-1規(guī)定玻璃陶瓷片具有＞106Ωcm比電阻并且整個烹飪系統(tǒng)具有＞3750V的擊穿強度，同時根據(jù)60335-1標準，每個烹飪區(qū)的漏電流小于0.25mA。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于熱傳導原理且包含由玻璃陶瓷(10)構(gòu)成的整塊烹飪面的烹飪系統(tǒng)，其中的烹飪面具有至少一個烹飪區(qū)并且可以用設(shè)置在玻璃陶瓷片底面上的加熱元件獨立地直接加熱。本發(fā)明提供的是，玻璃陶瓷片(10)具有高度石英混晶或熱液石英混晶晶型的主晶體相，其主要是由Li
文檔編號H05B3/74GK1659928SQ03813029
公開日2005年8月24日 申請日期2003年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月6日
發(fā)明者卡斯滕·沃伯特, 彼得·納斯, 盧茨·克利普 申請人:肖特股份公司