專利名稱：主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器及其制造方法，且特別涉及一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
針對(duì)多媒體社會(huì)的急速進(jìn)步，多半受惠在半導(dǎo)體組件或顯示裝置的飛躍性進(jìn)步。就顯示器而言，陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有優(yōu)異的顯示品質(zhì)與其經(jīng)濟(jì)性，一直獨(dú)占近年來的顯示器市場。然而，陰極射線管因空間利用以及能源消耗上仍存在很多問題，而對(duì)在輕、薄、短、小以及低消耗功率的需求無法有效提供解決之道。因此，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的平面面板顯示器(Flat Panel Display)已逐漸成為市場主流。
而所謂的平面面板顯示器包括液晶顯示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)、有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic ElectroluminesenceDisplay，OELD)以及等離子顯示器面板(Plasma Display Panel，PDP)等等。其中，OELD顯示器有自發(fā)光性(Emissive)組件的點(diǎn)陣式顯示器，其具有高亮度、高效率、輕薄、高對(duì)比值(High Effective ContrastRatio)以及直流低電壓驅(qū)動(dòng)的特性，所以O(shè)ELD顯示器的功率消耗較CRT、PDP以及LCD為低，且因其發(fā)光色澤由紅、綠、藍(lán)(R、G、B)三原色至白色的自由度高，所以被喻為下一世代的新型平面面板顯示器的發(fā)展重點(diǎn)。
在有機(jī)電致發(fā)光顯示器中，可視其發(fā)光組件的驅(qū)動(dòng)方式而分為主動(dòng)式與被動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。由在被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)組件的發(fā)光效率和使用壽命，會(huì)隨著顯示器的尺寸和分辨率的增加而大幅地降低，所以有機(jī)電致發(fā)光顯示器初期階段均以低端的被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)(Passive Drive)為主，而日漸朝向高端的主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)(Active Drive)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方向發(fā)展。
而在主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器中包括有薄膜晶體管組件，用以提供驅(qū)動(dòng)發(fā)光組件所需的電壓。一般來說，在薄膜晶體管(TFT)組件的工藝中，視銦錫氧化物(ITO)陽極層配置在源極/漏極的上方(ITO on Top)或源極/漏極的下方(ITO on Bottom)，以及所使用的硅層材質(zhì)為多晶硅(Polysilicon)或非晶硅(amorphous)，而有不同的工藝。請(qǐng)參照?qǐng)D1，在ITO on Top的多晶硅薄膜晶體管(Polysilicon TFT)基板的工藝中，在源極/漏極104及介電層102上方的保護(hù)層106中形成接觸窗開口114，然后再形成ITO陽極層108，并將其填入接觸窗開口114內(nèi)，使其與源極/漏極104作電性連接。接著在ITO陽極層108以及保護(hù)層106上形成可發(fā)紅光、綠光或藍(lán)光(R、G、B)的有機(jī)發(fā)光層110，之后再在有機(jī)發(fā)光層110上形成陰極層112。然而，ITO陽極層108與保護(hù)層106的表面為高低起伏的表面，特別是在對(duì)應(yīng)在接觸窗開口114附近，如標(biāo)號(hào)A所指之處，以及對(duì)應(yīng)在源極/漏極104邊緣附近，如標(biāo)號(hào)B所指之處，其表面的高低落差皆較其它部位大，可能會(huì)導(dǎo)致A、B兩處所形成的有機(jī)發(fā)光層110的膜厚度會(huì)較其它部位的膜厚薄，以致使陰極層112與陽極層108接觸，進(jìn)而產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。
另外，公知技術(shù)形成有機(jī)發(fā)光層110的方法是將蔭罩幕直接貼合在陽極層與保護(hù)層的表面上，再以濺鍍工藝將有機(jī)發(fā)光層鍍?cè)陉枠O層與保護(hù)層上。之后再移動(dòng)蔭罩幕的位置，重復(fù)進(jìn)行濺鍍工藝以分別將R、G、B有機(jī)發(fā)光層鍍至保護(hù)層及陽極層上。然而，在此鍍膜工藝中，由在蔭罩幕需重復(fù)與TFT基板貼合及分離，所以容易在反復(fù)貼合分離的過程中，對(duì)已形成的薄膜造成損傷，進(jìn)而影響組件的效能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在在提供一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法，以避免陽極層與陰極層在對(duì)應(yīng)在接觸窗開口處以及源極/漏極的邊緣處產(chǎn)生短路現(xiàn)象。
本發(fā)明的再一目的是提供一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法，以避免在使用蔭罩幕來形成有機(jī)發(fā)光層的工藝中，會(huì)對(duì)已形成的薄膜造成的損傷。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包括薄膜晶體管陣列、保護(hù)層、陽極層、支撐層、有機(jī)發(fā)光層以及陰極層。其中，薄膜晶體管陣列配置在基板上，且其包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管、復(fù)數(shù)條掃瞄配線以及復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)配線。而保護(hù)層覆蓋在薄膜晶體管陣列上，且保護(hù)層中具有接觸窗開口，以暴露出薄膜晶體管陣列的特定區(qū)域。陽極層配置在保護(hù)層上且填入接觸窗開口內(nèi)，而支撐層則形成在陽極層上，且覆蓋住接觸窗開口處。有機(jī)發(fā)光層系覆蓋在陽極層上，而陰極層則配置在有機(jī)發(fā)光層上。
在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例中，更包括在保護(hù)層上形成有平坦層，且平坦層中具有接觸窗開口穿透保護(hù)層，以暴露出薄膜晶體管陣列的特定區(qū)域。陽極層配置在平坦層上且填入接觸窗開口內(nèi)，而支撐層則形成在陽極層上，且覆蓋住接觸窗開口處。有機(jī)發(fā)光層覆蓋在陽極層上，而陰極層則配置在有機(jī)發(fā)光層上。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，此方法是首先在基板上形成薄膜晶體管陣列，此薄膜晶體管陣列包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管、復(fù)數(shù)條掃瞄配線以及復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)配線。接著在基板上方形成保護(hù)層，并覆蓋住薄膜晶體管陣列，再在保護(hù)層中形成接觸窗開口，以暴露出薄膜晶體管陣列的特定區(qū)域。然后在保護(hù)層上形成陽極層并填入接觸窗開口，再在陽極層上形成支撐層，覆蓋住接觸窗開口處。之后在支撐層上放置蔭罩幕，并進(jìn)行鍍膜工藝，以在陽極層上形成有機(jī)發(fā)光層。接著移開蔭罩幕，并在有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層，以形成主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例中，更包括在保護(hù)層上形成平坦層，再在平坦層中形成接觸窗開口穿透保護(hù)層，以暴露出薄膜晶體管陣列的特定區(qū)域。然后在平坦層上形成陽極層并填入接觸窗開口，再在陽極層上形成支撐層，覆蓋住接觸窗開口處。之后在支撐層上放置蔭罩幕，并進(jìn)行鍍膜工藝，以在陽極層上形成有機(jī)發(fā)光層。接著移開蔭罩幕，并在有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層，以形成主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
由上述可知，本發(fā)明在對(duì)應(yīng)接觸窗開口處以及源極/漏極邊緣處形成支撐層，可使其表面較為平坦化，而不至在有過大的高低起伏，因此可以避免所形成的有機(jī)發(fā)光層在該處的膜厚過薄，而導(dǎo)致陰極層與陽極層接觸，造成短路的現(xiàn)象。除此之外，本發(fā)明同時(shí)使用上述的支撐層來支撐鍍制有機(jī)發(fā)光層的蔭罩幕，可以避免蔭罩幕在有機(jī)發(fā)光層的鍍膜工藝中，因重復(fù)與TFT基板貼合與分離而對(duì)已形成的薄膜造成損傷。


圖1是公知的一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的剖面圖；圖2A至2F是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的流程剖面示意圖；圖3是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的剖面圖。
圖4A是圖2A以及圖2B的上視圖；圖4B是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的上視圖；圖4C是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的上視圖；圖5是本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的剖面圖；
圖6是本發(fā)明再一較佳實(shí)施例的一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的剖面圖。
102介電層104源極/漏極106、220保護(hù)層108、224陽極層110、228有機(jī)發(fā)光層112、230陰極層114、222、222a接觸窗開口200基板202薄膜晶體管陣列204薄膜晶體管206掃瞄配線208數(shù)據(jù)配線210源極212漏極214信道216柵介電層218柵極226感光材料層226a支撐層232平坦層
具體實(shí)施例方式
圖2A～2F是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的流程剖面示意圖。而圖4A是圖2A的上視圖，圖4A中由I-I’的剖面即為圖2A至圖2B。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2A及圖4A，首先在基板200上形成薄膜晶體管陣列202，其中薄膜晶體管陣列202包括薄膜晶體管204、掃瞄配線206以及數(shù)據(jù)配線208，而薄膜晶體管204例如是多晶硅薄膜晶體管，其至少包括有源極210、漏極212、信道214、柵介電層216以與柵極218。而薄膜晶體管陣列202中的掃瞄配線206與柵極218電性連接，而數(shù)據(jù)配線208則與源極210電性連接。
而且，在多晶硅薄膜晶體管中，除了可由上述圖中的單一型態(tài)的薄膜晶體管所構(gòu)成外，更可以是由兩種不同型態(tài)的薄膜晶體管所構(gòu)成，例如是由P型薄膜晶體管與N型薄膜晶體管所構(gòu)成的互補(bǔ)式薄膜晶體管。此外，多晶硅薄膜晶體管204中還可以形成有淡摻雜的漏極(Light Doped Drain，LDD)(圖中未繪示)。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B及圖4A，在基板200上方形成保護(hù)層220，并覆蓋住薄膜晶體管陣列。而保護(hù)層220的材質(zhì)例如是氮化硅，且其例如是以化學(xué)氣相沉積工藝將氮化硅沉積在基板200上。接著再在保護(hù)層220中形成接觸窗開口222，以暴露出薄膜晶體管陣列的特定區(qū)域，例如是源極210或是漏極212。其中，形成接觸窗開口222的方法例如是進(jìn)行一微影工藝以及一蝕刻工藝。然后在保護(hù)層220上形成陽極層224并填入接觸窗開口222，而陽極層224的形成方法例如是利用濺鍍法將銦錫氧化物(未繪示)鍍至保護(hù)層220上，再進(jìn)行微影、蝕刻工藝將銦錫氧化物薄膜圖案化以形成陽極層224，并在蝕刻工藝中控制所使用的參數(shù)，使陽極層224的側(cè)壁為斜坡狀側(cè)壁。
請(qǐng)接著參照?qǐng)D2C，在陽極層224上以旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)的方式形成感光材料層226，使其具有平坦的表面，且感光材料層226的厚度例如是介在0.5微米至3微米之間。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2D以及圖4B，接著進(jìn)行曝光以及顯影工藝，以圖案化此感光材料層226，使其形成覆蓋住接觸窗開口222以及源極210或漏極212邊緣處的支撐層226a。且支撐層226a例如是沿著掃瞄配線206的方向配置的連續(xù)圖案。
此外，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，支撐層226a還可以沿著數(shù)據(jù)配線208的方向配置的連續(xù)圖案。當(dāng)然，支撐層226a還可以是以非連續(xù)圖案(未繪示)配置在陽極層224上，且對(duì)應(yīng)形成在接觸窗開口222以及源極210或漏極212的邊緣處，而此非連續(xù)圖案例如是塊狀圖案。
請(qǐng)參照?qǐng)D2E，之后在支撐層226a上放置蔭罩幕700，并進(jìn)行鍍膜工藝以在陽極層224上形成有機(jī)發(fā)光層228覆蓋保護(hù)層220及支撐層226a，且此鍍膜工藝?yán)缡菫R鍍工藝。
請(qǐng)參照?qǐng)D2F，之后將蔭罩幕移開，并在有機(jī)發(fā)光層228上形成陰極層230，以形成主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。其中，陰極層230的形成方法例如是濺鍍法。
然而，由在圖2F是本發(fā)明的單一畫素結(jié)構(gòu)中的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的剖面圖，但每一畫素結(jié)構(gòu)中的有機(jī)發(fā)光層228所使用的材質(zhì)不盡相同，視實(shí)際所需要發(fā)出的光線的波長而定，所以在形成有機(jī)發(fā)光層228時(shí)，必須利用蔭罩幕進(jìn)行三次濺鍍工藝，以將R、G、B有機(jī)發(fā)光層228分別鍍至畫素結(jié)構(gòu)中的陽極層224上。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2F以及圖4B，依照上述的方法所形成的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括薄膜晶體管陣列202、保護(hù)層220、陽極層224、支撐層226a、有機(jī)發(fā)光層228以及陰極層230。其中，薄膜晶體管陣列202配置在基板200上，并包括薄膜晶體管204、掃瞄配線206以及數(shù)據(jù)配線208，且薄膜晶體管204至少包括有源極210、漏極212以與中柵極218。而保護(hù)層220覆蓋在薄膜晶體管陣列202上，且保護(hù)層220中具有接觸窗開口222，以暴露出薄膜晶體管陣列202的特定區(qū)域，例如是源極210或是漏極212。陽極層224配置在保護(hù)層220上且填入接觸窗開口222內(nèi)，而支撐層226a則形成在陽極層224上，且覆蓋住接觸窗開口222處以及源極210或是漏極212的邊緣處。有機(jī)發(fā)光層228覆蓋在陽極層224上，而陰極層230則配置在有機(jī)發(fā)光層228上。
在另一較佳實(shí)施例中，在形成陽極層之前，還包括先在保護(hù)層上形成一平坦層，以提高顯示器的開口率。如圖3所示，在形成保護(hù)層220覆蓋薄膜晶體管陣列后，接著在保護(hù)層220上形成平坦層232，且平坦層232的材質(zhì)例如是有機(jī)材料。之后再在平坦層232中形成接觸窗開口222a穿透保護(hù)層220，以暴露出源極210或漏極212，再在平坦層上形成陽極層224，并將其填入接觸窗開口222a內(nèi)，以使陽極層224與源極210或漏極212作電性連接。接著在對(duì)應(yīng)于接觸窗開口222a以及源極210或是漏極212的邊緣處的陽極層224上，沿著數(shù)據(jù)配線或掃瞄配線的方向配置支撐層226a。再在陽極層224上形成有機(jī)發(fā)光層228，并覆蓋平坦層232及支撐層226a，然后在有機(jī)發(fā)光層228上形成陰極層230，以完成主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
本發(fā)明除了可以應(yīng)用于上述由多晶硅薄膜晶體管所構(gòu)成的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器外，還可以應(yīng)用在由非晶硅薄膜晶體管所構(gòu)成的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5以及圖4A，在基板900上形成薄膜晶體管陣列202，其中薄膜晶體管陣列202包括薄膜晶體管204、掃瞄配線206以及數(shù)據(jù)配線208，而薄膜晶體管204例如是非晶硅薄膜晶體管，其至少包括有源極910、漏極912以與柵極914。而薄膜晶體管陣列202中的掃瞄配線206與柵極914電性連接，而數(shù)據(jù)配線208則與源極910電性連接。接著形成保護(hù)層220覆蓋薄膜晶體管陣列202，且在保護(hù)層220中形成接觸窗開口222，以暴露出源極910或漏極912。之后在保護(hù)層220上形成陽極層224，并將其填入接觸窗開口222內(nèi)，使其與源極910或漏極912作電性連接。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5、圖4B及圖4C，在陽極層224上形成支撐層226a，并覆蓋住接觸窗開口222以及源極910或漏極912的邊緣處。然后在支撐層226a上形成有機(jī)發(fā)光層228，并覆蓋保護(hù)層220及陽極層224。最后在有機(jī)發(fā)光層228上形成陰極層230，以完成主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
同樣的，上述由非晶硅薄膜晶體管所構(gòu)成的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器亦可以在其保護(hù)層上形成一平坦層，以提高顯示器的開口率，如圖6所示。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6、圖4B以及圖4C，在形成保護(hù)層220覆蓋薄膜晶體管陣列902后，接著在保護(hù)層220上形成平坦層232，且平坦層232的材質(zhì)例如是有機(jī)材料。之后再在平坦層232中形成接觸窗開口222a穿透保護(hù)層220，以暴露出源極910或漏極912，再在平坦層上形成陽極層224，并將其填入接觸窗開口222a內(nèi)，以使陽極層224與源極910或漏極912作電性連接。接著在對(duì)應(yīng)于接觸窗開口222a的陽極層224上，沿著數(shù)據(jù)配線208或掃瞄配線206的方向配置支撐層226a。再在陽極層224上形成有機(jī)發(fā)光層228，并覆蓋平坦層232及支撐層226a，然后在有機(jī)發(fā)光層228上形成陰極層230，以完成主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
本發(fā)明是在對(duì)應(yīng)接觸窗開口的保護(hù)層上，或是在基板上高低起伏落差較大的處覆蓋一層支撐層，以避免所形成的有機(jī)發(fā)光層在這些部分的膜厚會(huì)過薄而致使陽極層與陰極層接觸，防止短路現(xiàn)象的產(chǎn)生。
而且本發(fā)明中所形成的支撐層更同時(shí)可以當(dāng)作支撐蔭罩幕的支撐層，以使蔭罩幕不會(huì)直接與有機(jī)發(fā)光層或是陽極層貼合，以避免蔭罩幕在與基板的分離過程中對(duì)重要膜層造成損傷。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉該項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，所作些許的更動(dòng)與潤飾，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于包括一薄膜晶體管陣列，配置在一基板上，其中該薄膜晶體管陣列包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管、復(fù)數(shù)條掃瞄配線以及復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)配線；一保護(hù)層，覆蓋在該薄膜晶體管陣列上，其中該保護(hù)層中具有一接觸窗開口，暴露出該薄膜晶體管陣列的一特定區(qū)域；一陽極層，配置在該保護(hù)層上且填入該接觸窗開口內(nèi)；一支撐層，形成在該陽極層上，且覆蓋住該接觸窗開口處；一有機(jī)發(fā)光層，覆蓋在該陽極層上；一陰極層，配置在該有機(jī)發(fā)光層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于該支撐層的材質(zhì)包括一感光材質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于該支撐層的厚度介于0.5微米至3微米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于覆蓋住該接觸窗開口處的該支撐層是沿著該些數(shù)據(jù)配線而形成在該陽極層上的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于覆蓋住該接觸窗開口處的該支撐層是沿著該些掃瞄配線而形成在該陽極層上的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于更包括一平坦層，覆蓋在該保護(hù)層上，且該接觸窗開口形成在該保護(hù)層以及該平坦層中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于該平坦層為一有機(jī)材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于該陽極層側(cè)壁為斜坡狀。
9.一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于包括在一基板上形成一薄膜晶體管陣列，該薄膜晶體管陣列包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管、復(fù)數(shù)條掃瞄配線以及復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)配線；在該基板上方形成一保護(hù)層，覆蓋住該薄膜晶體管陣列；在該保護(hù)層中形成一接觸窗開口，暴露出該薄膜晶體管陣列的一特定區(qū)域；在該保護(hù)層上形成一陽極層并填入該接觸窗開口；在該陽極層上形成一支撐層，覆蓋住該接觸窗開口處；在該支撐層上放置一罩幕，并進(jìn)行一鍍膜工藝，以在該陽極層上形成一有機(jī)發(fā)光層；移開該蔭罩幕；在該有機(jī)發(fā)光層上形成一陰極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于形成該支撐層的方法包括在該陽極層上形成一感光材質(zhì)層；進(jìn)行一微影工藝，以圖案化該感光材質(zhì)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于該支撐層的度介于0.5微米至3微米之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于該支撐層是沿著該些數(shù)據(jù)配線而形成在該陽極層上的。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于該支撐層是沿著該些掃瞄配線而形成在該陽極層上的。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于在形成該保護(hù)層之后，更包括在該保護(hù)層上形成一平坦層，且該接觸窗開口形成于該保護(hù)層以及該平坦層中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于該平坦層為一有機(jī)材料層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，此方法首先在基板上形成薄膜晶體管陣列，此薄膜晶體管陣列包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管、復(fù)數(shù)條掃瞄配線以及復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)配線。接著在基板上方形成保護(hù)層，覆蓋住薄膜晶體管陣列，再在保護(hù)層中形成接觸窗開口，以暴露出薄膜晶體管陣列的特定區(qū)域。然后在保護(hù)層上形成陽極層并填入接觸窗開口，再在陽極層上形成支撐層，覆蓋住接觸窗開口處。之后在支撐層上放置蔭罩幕，并進(jìn)行鍍膜工藝，以在陽極層上形成有機(jī)發(fā)光層。接著移開蔭罩幕，并在有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層，以形成主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1543279SQ20031011320
公開日2004年11月3日 申請(qǐng)日期2003年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月5日
發(fā)明者陳韻升 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司