專利名稱：電子元件裝置及其制造方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及通過(guò)凸起將電子元件置于底板上的電子元件裝置，尤其涉及通過(guò)使用倒裝芯片結(jié)合方法實(shí)現(xiàn)的電子元件裝置。
相關(guān)技術(shù)描述迄今，對(duì)于用于將凸起和在底板上各配線圖案結(jié)合在一起的倒裝芯片結(jié)合方法，日本未審查的特許公開(kāi)No.63-288031揭示了一種倒裝芯片結(jié)合方法，其中使半導(dǎo)體芯片上的各電極上形成的凸起與置于加熱級(jí)上的底板上各配線圖案對(duì)準(zhǔn)，并通過(guò)工具將壓力和超聲波振動(dòng)施加到芯片的后表面上，從而使凸起和各配線圖案結(jié)合在一起。


圖1示出電子元件裝置的實(shí)例。圖2示出這種電子元件裝置的結(jié)合方法。圖3示出電子元件裝置的底板。這里，標(biāo)號(hào)1表示底板，2a和2b分別表示配線，3表示凸起，而4表示電子元件。
配線2a和2b縱向地和橫向地排列在底板1上，而凸起3預(yù)先形成于電子元件4的各電極(未示出)上。電子元件4的上表面由結(jié)合工具5按壓并通過(guò)結(jié)合工具5沿水平方向經(jīng)受超聲波振動(dòng)U，由此凸起3集合到各配線2a和2b。
這樣，電子元件4和底板1上的配線圖案以集體的形式結(jié)合在一起。這必然導(dǎo)致垂直于超聲波振動(dòng)U的方向延伸的配線2a(以下稱作“垂直配線”)和平行于超聲波振動(dòng)U的方向延伸的配線2b(以下稱作“平行配線”)呈現(xiàn)混合狀態(tài)。當(dāng)超聲波振動(dòng)作用于底板1時(shí)，底板1傾向變形。但是，剛度大于底板1的配線2a和2b傾向抑制該變形。但是，與平行配線2b相比，垂直配線2a呈現(xiàn)較小的變形抑制效果，其中平行配線沿相對(duì)于超聲波振動(dòng)的縱向排列，從而垂直配線2a比平行配線2b移動(dòng)得更多，如圖4A和4B所示(這里，標(biāo)號(hào)6表示電子元件4的電極，而符號(hào)δ表示位移)。
結(jié)果，足夠的超聲波振動(dòng)不行進(jìn)到垂直配線2a和各凸起3之間的結(jié)合界面，由此使得與平行配線2b相比，垂直配線2a的結(jié)合不充分。在一個(gè)電子元件中，如果由于配線的方向而產(chǎn)生結(jié)合能力的這種變化，則較早結(jié)合的配線和較晚結(jié)合的配線會(huì)變得彼此混合。這引起一問(wèn)題，即當(dāng)花費(fèi)大量時(shí)間應(yīng)用超聲波直到所有配線都充分地結(jié)合，則較早結(jié)合的配線會(huì)開(kāi)始破裂。
表1示出采用有限元方法的分析結(jié)果，這是針對(duì)當(dāng)靜態(tài)地將1μm的強(qiáng)制位移施加到芯片表面作為超聲波振動(dòng)時(shí)配線的位移和底板表面的位移。
表1
如表1所示，垂直配線呈現(xiàn)大于平行配線的位移。在施加超聲波振動(dòng)時(shí)，位移重復(fù)出現(xiàn)，由此引起垂直配線和水平配線之間結(jié)合能力上的不同。作為示出位移和結(jié)合能力之間關(guān)系的實(shí)例，圖5示出配線的位移和結(jié)合強(qiáng)度之間的關(guān)系。從圖5可以看出，位移越大，結(jié)合強(qiáng)度越小。
當(dāng)花費(fèi)大量時(shí)間地施加超聲波結(jié)合具有這種結(jié)合能力不同的電子元件時(shí)，芯片電極內(nèi)的破裂出現(xiàn)于百分之10到50的電子元件中。
為了解決上述問(wèn)題，日本未審查的特許公開(kāi)No.2002-184812提出，為了使得由超聲波振動(dòng)引起的配線位移基本一致，相對(duì)于超聲波振動(dòng)方向的角度θ較大的每個(gè)配線的連接部分形成得比相對(duì)于超聲波振動(dòng)方向的角度θ較小的每個(gè)配線的連接部分更寬，由此使所有配線達(dá)到基本一致的結(jié)合狀態(tài)。更特別地，每個(gè)垂直配線的寬度作得比每個(gè)水平配線的寬度更寬。
但是，在這種情況中，每個(gè)垂直配線的連接部分必須形成得更寬，由此如果以高密度排列配線時(shí)，就很難保證足夠的形成寬度。這就很難使所有配線達(dá)到一致的結(jié)合狀態(tài)。
發(fā)明概述因此，為了克服上述問(wèn)題，本發(fā)明的較佳實(shí)施例提供了一種電子元件裝置，它能使由于超聲波振動(dòng)引起的配線位移基本一致還能使所有配線達(dá)到基本一致的結(jié)合狀態(tài)，即使在以高密度排列配線時(shí)，并且還提供了制作其的方法。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例，電子元件裝置包括沿彼此不同的方向排列在底板上的多個(gè)配線，且其中電子元件的多個(gè)電極通過(guò)各凸起采用超聲波振動(dòng)集體地結(jié)合到各個(gè)配線。該電子元件裝置包括具有比底板材料剛度高的位移抑制層，該位移抑制層設(shè)置在底板內(nèi)每個(gè)配線下的部分中，且其下具有位移抑制層的配線和超聲波振動(dòng)方向之間的角度大于其下沒(méi)有形成位移抑制層的配線和超聲波振動(dòng)方向之間的角度。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，用于制作電子元件裝置的一種方法包括制備在不同方向上有多個(gè)配線形成于上表面的底板的步驟，其中剛度大于底板材料的位移抑制層設(shè)置在沿第一方向排列的每個(gè)配線下的部分中的底板內(nèi)；制備電子元件的步驟，在所述電子元件中凸起形成于其一個(gè)主表面上設(shè)置的其各電極上；以及使電子元件上的凸起相對(duì)于底板上的各配線并用超聲波振動(dòng)集體地使凸起和配線結(jié)合在一起的步驟，其中在一種狀態(tài)中施加超聲波振動(dòng)，在所述狀態(tài)中超聲波振動(dòng)方向和每個(gè)都有位移抑制層的配線方向之間形成的角度θ大于超聲波振動(dòng)方向和其它沒(méi)有位移抑制層的配線的方向之間形成的角度θ。
例如，凸起預(yù)先形成于電子元件的電極上，且這些凸起用超聲波振動(dòng)結(jié)合到朝向各凸起的底板上的各配線，在這種情況中，相對(duì)于超聲波振動(dòng)方向的角度θ較大的配線和相對(duì)于超聲波振動(dòng)方向的角度θ較小的配線變得彼此混合。但是，在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，由于將剛度大于底板材料的位移抑制層設(shè)置在相對(duì)于超聲波振動(dòng)方向的角度θ較大的每個(gè)配線之下的部分中的底板內(nèi)，就可以使得由于超聲波振動(dòng)引起的配線位移基本一致，并使所有配線達(dá)到基本一致的結(jié)合狀態(tài)，而不管角度θ的大小關(guān)系。這抑制了不良結(jié)合和破裂的產(chǎn)生。
此外，由于不必增加配線的寬度，則即使在以高密度排列配線時(shí)也不存在問(wèn)題。
較佳地，底板材料包括樹(shù)脂和陶瓷材料。高強(qiáng)度的陶瓷材料由超聲波振動(dòng)引起的位移較小。相反，樹(shù)脂制成的底板會(huì)有結(jié)合能力的變化，其中樹(shù)脂底板經(jīng)受由超聲波振動(dòng)引起的大位移。因此，在使用樹(shù)脂底板時(shí)，本發(fā)明的較佳實(shí)施例發(fā)揮最大效果。
在根據(jù)本發(fā)明的電子元件裝置中，較佳地，基本平行于超聲波振動(dòng)方向延伸的第一配線和基本垂直于超聲波振動(dòng)方向延伸的第二配線沿彼此基本垂直的方向排列在底板上，且位移抑制層設(shè)置在每個(gè)第二配線下的部分中的底板內(nèi)。
可以任意設(shè)置超聲波振動(dòng)方向和配線方向。當(dāng)設(shè)置了基本平行于超聲波振動(dòng)方向延伸的第一配線和基本垂直于超聲波振動(dòng)方向延伸的第二配線時(shí)，在第二配線層下的部分中形成位移抑制層使得本發(fā)明較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)最大化。
在根據(jù)本發(fā)明各種較佳實(shí)施例的電子元件裝置中，當(dāng)多個(gè)上述第二配線彼此鄰近排列時(shí)，位移抑制層較佳地連續(xù)設(shè)置于多個(gè)第二配線下的部分中。
用于設(shè)置位移抑制層的可選方法是以獨(dú)立方式在各個(gè)第二配線下的部分中形成每個(gè)位移抑制層。但是，與該可選方法相比，上述將位移抑制層連續(xù)地設(shè)置在多個(gè)第二配線下的部分中，這甚至允許由位移抑制層抑制位于第二配線之間的底板部分的位移，由此增加了對(duì)第二配線的位移抑制效果。
但是，位移抑制層對(duì)于第二配線不必是連續(xù)的。位移抑制層僅對(duì)于至少兩個(gè)鄰近的配線是連續(xù)的。
在根據(jù)本發(fā)明的各種較佳實(shí)施例的電子元件裝置中，較佳地，位移抑制層設(shè)置在例如約1mm的底板表面內(nèi)的區(qū)域中。
為了有效地阻止由超聲波振動(dòng)引起的配線位移，需要將位移抑制層設(shè)置得盡可能靠近其上具有配線的底板表面。例如，當(dāng)?shù)装迨菢?shù)脂底板時(shí)，位移抑制層優(yōu)選設(shè)置在例如約1mm的底板表面內(nèi)的區(qū)域中。越靠近底板表面，位移抑制層就越有效。因此，優(yōu)選使位移抑制層設(shè)置在例如約10μm到約150μm的底板表面內(nèi)的區(qū)域中。
在根據(jù)本發(fā)明的各種較佳實(shí)施例的電子元件裝置中，底板可以是多層印刷配線板，而位移抑制層可以是設(shè)置在多層印刷配線板的內(nèi)層中的導(dǎo)體圖案。
當(dāng)?shù)装迨嵌鄬佑∷⑴渚€板時(shí)，導(dǎo)體圖案設(shè)置底板兩側(cè)的外層上的配線圖案旁在其內(nèi)層中，由此，通過(guò)將這些導(dǎo)體圖案中的一個(gè)用作位移抑制層，就可以方便地形成位移抑制層而不用使用特別的技術(shù)，還能提供能用作接地或屏蔽體的位移抑制層。
通過(guò)以下本發(fā)明較佳實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特點(diǎn)、元件、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。
附圖概述圖1是示出普通電子元件裝置的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2是示出圖1所示電子元件裝置的結(jié)合方法的透視圖；圖3是用于圖1所示的電子元件裝置的底板的透視圖；圖4A和4B分別表示在受到超聲波振動(dòng)時(shí)基本垂直配線和基本平行配線各自的位移；圖5是示出配線位移和結(jié)合強(qiáng)度之間關(guān)系的圖表；圖6是根據(jù)本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的電子元件裝置的平面圖；圖7是在經(jīng)受結(jié)合時(shí)圖6所示的電子元件裝置的側(cè)視圖；圖8A和8B是圖7所示底板的部分放大的剖視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的底板的平面圖；圖10是圖9所示電子元件裝置的側(cè)視圖；以及圖11是根據(jù)本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的底板的平面圖。
具體實(shí)施例方式
將參考圖6到8描述根據(jù)本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的電子元件裝置。圖6是該電子元件裝置的平面圖。圖7是電子元件裝置的側(cè)視圖。圖8A和8B分別是結(jié)合部分的放大的剖視圖。
底板10A優(yōu)選包括由諸如透明環(huán)氧樹(shù)脂或雙馬來(lái)酰亞胺三嗪(BT)樹(shù)脂、諸如氧化鋁的陶瓷底板制成的有機(jī)底板或由硅或其它合適的材料制成的晶體底板。沿基本彼此垂直相交的方向延伸的多個(gè)配線11和12形成于底板10A上。如圖6所示，排列每個(gè)配線11以便相對(duì)于超聲波振動(dòng)U(以下描述)的方向形成角度θ1，它大于約45°(θ1＞45°)，并排列每個(gè)配線12以便相對(duì)于超聲波振動(dòng)U的方向形成小于45°的θ2(θ2＜45°)。因此，角度θ1大于角度θ2。
以下的描述由配線11的實(shí)例和配線12的實(shí)例構(gòu)成，其中每個(gè)配線11與超聲波振動(dòng)U的方向形成角度θ1＝90°，即每個(gè)配線沿基本垂直于超聲波振動(dòng)U的方向的方向排列(即基本垂直的配線)；而每個(gè)配線12與超聲波振動(dòng)U的方向形成角度θ2＝0°，即每個(gè)配線沿基本平行于超聲波振動(dòng)U的方向的方向排列(即基本平行的配線)。
對(duì)于基本垂直的配線11，剛度大于底板材料的位移抑制層13設(shè)置在基本垂直的配線11下的部分中的底板10A內(nèi)。在該較佳實(shí)施例中，每個(gè)單獨(dú)的位移抑制層13設(shè)置在各一個(gè)基本垂直的配線11下的部分中。位移抑制層13設(shè)置在對(duì)應(yīng)于基本垂直的配線11的電子元件安裝部分(由圖6中的一串雙虛線表示)的區(qū)域中，即在包括接合區(qū)(1and)部分11a和12a的區(qū)域中。這里，“配線下的部分”表示諸如”約1mm的底板表面內(nèi)的區(qū)域“。但是，需要使位移抑制層排列得盡可能靠近底板表面。較佳地，位移抑制層設(shè)置在諸如約10μm到約150μm的底板表面內(nèi)。位移抑制層13的材料優(yōu)選諸如銅的金屬材料，或陶瓷材料，具有高剛度的材料，諸如氧化鋁或其它合適的材料。雖然剛度隨溫度而變化，但有機(jī)底板優(yōu)選具有約10GPa到約60GPa范圍的剛度，而銅材料具有約120GPa或更高的剛度。因此，在將有機(jī)底板用作底板10A時(shí)，銅材料可以有效地用作位移抑制層13。
底板10A的形狀沒(méi)有特別限制。底板10A的厚度也可以任意設(shè)置，例如設(shè)在約0.2mm到約2mm的范圍內(nèi)。優(yōu)選通過(guò)電鍍法、薄膜形成法或厚膜形成法或其它合適的方法形成配線11和12。配線的厚度較佳地在幾微米到幾十微米的范圍內(nèi)，但不限于該范圍。在該較佳實(shí)施例中，通過(guò)將Ni(約3μm厚)或Au(約0.03μm或更厚)的電解電鍍或化學(xué)鍍到厚度范圍從約5μm到約35μm的銅箔來(lái)形成所用的配線11和12。
這里較佳地，配線11和12的寬度是基本相同的。但是，配線11和12的寬度和形狀可以彼此不同。同樣，對(duì)應(yīng)于配線11和12的電子元件安裝部分(即由圖6中一串雙虛線表示的部分)的區(qū)域，即包括接合區(qū)部分11a和12a的區(qū)域，排他地暴露給外部，且其它區(qū)域由諸如保護(hù)層的絕緣材料覆蓋。
電子元件20優(yōu)選諸如半導(dǎo)體芯片或表面聲波(SAW)裝置。在電子元件20的下表面上，較佳地由諸如約100μm正方的Al或AU材料制成的電極墊21(參見(jiàn)圖8A和8B)形成于對(duì)應(yīng)于接合區(qū)部分11a和12a的位置中。凸起22形成于各電極墊21上，較佳地采用電鍍方法、引線結(jié)合法或氣相沉積法或其它合適的方法。Au、Ag、Pd、Cu、Al或焊料或其它合適的材料可用于凸起22。
如以下將描述的，通過(guò)對(duì)電子元件20施加超聲波振動(dòng)、負(fù)荷、或如必要而進(jìn)一步加熱使得凸起22集體地結(jié)合到配線11和12的各接合區(qū)部分11a和12a。
接著，將描述將將電子元件20倒裝芯片結(jié)合到底板10A上的方法。
首先，凸起22形成于電子元件20的各電極墊21上。通過(guò)結(jié)合工具(未示出)，可以吸引電子元件20的上表面(后表面)，和拾取電子元件20。隨后，以高精度使凸起22和底板10A的配線11和12的各接合區(qū)部分11a和12a對(duì)準(zhǔn)。此后，使電子元件的凸起22與底板10A的配線11和12的各接合區(qū)部分11a和12a實(shí)現(xiàn)接觸。在這種狀態(tài)中，可以以諸如約20kHz到約150kHz范圍內(nèi)的頻率在基本平行于底板10A表面的方向上同時(shí)在基本垂直于基本垂直的配線11的方向上(即，在基本平行于配線配線12的方向上)通過(guò)結(jié)合工具將超聲波振動(dòng)U施加到電子元件20的上表面，由此將凸起22與各接合區(qū)部分11a和12a結(jié)合在一起。在結(jié)合期間，必須將一負(fù)載應(yīng)用于底板10A和電子元件20之間，并可以加熱底板10A和電子元件20中的任一個(gè)。
在完成前述結(jié)合之后，為了保證結(jié)合的可靠性，電子元件20和底板10A之間的間隙可以由樹(shù)脂密封來(lái)減少電子元件20和底板10A之間線性膨脹的差，并保護(hù)結(jié)合部分?？梢酝ㄟ^(guò)在電子元件20和底板10A之間的結(jié)合之后涂覆樹(shù)脂來(lái)進(jìn)行樹(shù)脂密封?？晒┻x擇地，可以進(jìn)行樹(shù)脂密封，從而預(yù)先將樹(shù)脂涂覆到底板上的配線并將凸起結(jié)合到底板上的各配線同時(shí)穿過(guò)樹(shù)脂層。在這種情況中，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)結(jié)合和樹(shù)脂密封。
在施加超聲波振動(dòng)U時(shí)，與基本平行的配線12相比，基本垂直的配線11呈現(xiàn)對(duì)于振動(dòng)方向的較低剛度。但是，由于每個(gè)基本垂直的配線11都具有位移抑制層13形成于其下，所以縮小了基本垂直的配線11和基本平行的配線12之間的位移差，如圖8A和8B所示。結(jié)果，降低了基本垂直的配線11和基本平行的配線12之間對(duì)于凸起13的結(jié)合能力變化，由此可以實(shí)現(xiàn)基本一致的結(jié)合強(qiáng)度。這阻止了不良結(jié)合的產(chǎn)生和電極中的破裂。
圖9和10示出根據(jù)本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的電子元件裝置。在圖9和10中，與圖6和7所示相同的元件由相同的標(biāo)號(hào)表示。
如在第一較佳實(shí)施例的情況中，底板10B上具有沿彼此基本垂直相交的方向形成的多個(gè)配線11和12。剛度大于底板材料的位移抑制層13設(shè)置在基本垂直的配線11下的部分中的底板10B內(nèi)。排列該較佳實(shí)施例中的位移抑制層13以便對(duì)于多個(gè)基本垂直的配線11(在這種情況中是三個(gè))是連續(xù)的。更特別地，甚至位于鄰近的基本垂直配線11之間的部分也具有位移抑制層13。
在該較佳實(shí)施例中，由于位移抑制層13使得位于基本垂直配線11之間的部分底板10B也被阻止位移，所以可靠地阻止了由于超聲波振動(dòng)引起的基本垂直配線11和其周邊的位移。這進(jìn)一步降低了與基本平行的配線的位移差，從而導(dǎo)致更加一致的結(jié)合強(qiáng)度。
使用圖9和10所示的實(shí)現(xiàn)模型，在具有諸如70μm厚度的銅制成的位移抑制層設(shè)置在基本垂直的配線下的部分，即底板表面下約30μm距離的位置的情況中，用有限元方法進(jìn)行分析。根據(jù)分析的結(jié)果，基本垂直的配線和基本平行的配線之間的位移差約為0.03μm。相反，不使用位移抑制層所獲得的位移差約為0.09μm。即，位移抑制層的使用減小了位移差約3倍。因此，所有結(jié)合部分的結(jié)合能力變得基本一致，由此阻止了損壞的產(chǎn)生。
圖11示出根據(jù)本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的電子元件裝置。在圖11中，與圖6和7所示元件相同的元件由相同的標(biāo)號(hào)表示。
排列該較佳實(shí)施例中的底板10C，從而沒(méi)有位移抑制層13的部分限于基本平行的配線12下的部分。換句話說(shuō)，位移抑制層13設(shè)置在底板10C內(nèi)基本整個(gè)區(qū)域上。此外，窗孔13a設(shè)置在部分位移抑制層13中，對(duì)應(yīng)于基本平行的配線12下的部分。
因此，可以更有效地抑制由超聲波振動(dòng)引起的基本垂直的配線11和其周邊的位移，還可以設(shè)置具有接地或屏蔽體功能的位移抑制層13。
通常，具有三層或更多的導(dǎo)體圖案的印刷配線板稱作“多層印刷配線板”。特別是，這表示一種底板，除了設(shè)置在底板兩個(gè)表面的外層上的電路圖案之外，其中導(dǎo)體圖案(通常是Cu)設(shè)置在其內(nèi)層中。在這種多層印刷配線板中，在內(nèi)層中設(shè)置剛度大于樹(shù)脂層的導(dǎo)體圖案作為位移抑制層，這允許方便地獲得本發(fā)明較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)而不用特殊的技術(shù)。此外，將本發(fā)明較佳實(shí)施例應(yīng)用到包括多層印刷配線板的物品上允許實(shí)現(xiàn)本發(fā)明較佳實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)而不引起成本的增加。
本發(fā)明不限于以上的較佳實(shí)施例。在上述較佳實(shí)施例中，凸起較佳地形成在電子元件上。但是，通過(guò)預(yù)先在底板上的各配線上形成凸起并隨后將這些凸起結(jié)合到電子元件的各電極墊片上，也可以獲得類似的優(yōu)點(diǎn)。
在上述較佳實(shí)施例中，示出一實(shí)例，其中沿與超聲波振動(dòng)方向基本垂直和平行的方向的配線設(shè)置在底板表面上。但是，配線可以沿與超聲波振動(dòng)方向傾斜的方向設(shè)置。
同樣，在上述較佳實(shí)施例中，較佳地，基本垂直的配線和基本平行的配線的寬度基本相等。但是，具有位移抑制層的基本垂直配線的寬度可以比基本平行的配線的寬度更寬。這提供了增加位移抑制層和基本垂直的配線的寬度設(shè)計(jì)的柔性的優(yōu)點(diǎn)。
底板材料沒(méi)有特別限制。但是，在使用樹(shù)脂底板且通過(guò)熱壓結(jié)合和超聲波振動(dòng)的結(jié)合使用進(jìn)行結(jié)合時(shí)，本發(fā)明的較佳實(shí)施例提供了更多的有利效果。這是因?yàn)?，使用?shù)脂底板時(shí)，通過(guò)熱壓結(jié)合和超聲波振動(dòng)的結(jié)合使用進(jìn)行結(jié)合使得底板變形，由此增加了配線的位移。
根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的電子元件裝置可應(yīng)用于通過(guò)凸起的任何芯片元件作為電子元件部件的安裝，包括電阻元件、電容器和壓電元件，除了半導(dǎo)體芯片，以及任何合適的元件和部件。
如由上述內(nèi)容而顯而易見(jiàn)的，根據(jù)本發(fā)明的各種較佳實(shí)施例，在用超聲波振動(dòng)通過(guò)各凸起將電子元件的多個(gè)電極集體結(jié)合到底板上沿彼此不同的方向設(shè)置的各多個(gè)配線上，剛度大于底板材料的位移抑制層設(shè)置于每個(gè)配線下的部分中的底板內(nèi)，其對(duì)于超聲波振動(dòng)方向的角度θ較大。由此，超聲波振動(dòng)的傳輸效率變得基本一致，且所有配線可以達(dá)到基本一致的結(jié)合狀態(tài)。這抑制了不良集合和破裂的產(chǎn)生，由此提供了高可靠性的電子元件裝置。
本發(fā)明不限于每個(gè)上述較佳實(shí)施例，且各種修改都可以在權(quán)利要求書(shū)所述的范圍內(nèi)。通過(guò)每個(gè)不同較佳實(shí)施例中揭示的適當(dāng)結(jié)合的技術(shù)特點(diǎn)所獲得的實(shí)施例都包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。
權(quán)利要求
1.一種電子元件裝置，其特征在于，包括底板；多個(gè)配線，沿不同方向排列在底板上；電子元件的多個(gè)電極，通過(guò)底板上的各凸起集體結(jié)合到各個(gè)配線；其中底板具有剛度大于底板材料的位移抑制層，所述位移抑制層設(shè)置在至少某些配線之下的一部分的底板內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元件裝置，其特征在于，所述多個(gè)配線包括在底板上基本相互垂直地延伸的第一配線和第二配線。
3.如權(quán)利要求2所述的電子元件裝置，其特征在于，所述位移抑制層設(shè)置在每個(gè)第二配線之下的部分底板內(nèi)。
4.如權(quán)利要求2所述的電子元件裝置，其特征在于，多個(gè)所述第二配線彼此鄰近地排列，且所述位移抑制層設(shè)置在多個(gè)所述第二配線之下的部分中以便是連續(xù)的。
5.如權(quán)利要求1所述的電子元件裝置，其特征在于，所示位移抑制層設(shè)置在底板外表面約1mm內(nèi)的區(qū)域中。
6.如權(quán)利要求1所述的電子元件裝置，其特征在于，所述底板包括多層印刷配線板，且所述位移抑制層包括設(shè)置在多層印刷配線板的內(nèi)層中的導(dǎo)體圖案。
7.如權(quán)利要求1所述的電子元件裝置，其特征在于，多個(gè)位移抑制層設(shè)置在對(duì)應(yīng)于電子元件安裝部分的區(qū)域中。
8.如權(quán)利要求2所述的電子元件裝置，其特征在于，所述位移抑制層不設(shè)置在基本平行的配線之下的位置處。
9.如權(quán)利要求1所述的電子元件裝置，其特征在于，電子元件的電極通過(guò)超聲波振動(dòng)超聲地經(jīng)由各凸起結(jié)合到各個(gè)配線，且超聲波振動(dòng)方向和每個(gè)都有位移抑制層置于其下的配線的方向之間形成的角度θ大于超聲波振動(dòng)方向和其它沒(méi)有位移抑制層置于其下的配線的方向之間形成的角度θ。
10.一種用于制作電子元件裝置的方法，其特征在于，所述方法包括制備在不同方向上有多個(gè)配線形成于上表面的底板的步驟，其中剛度大于底板材料的位移抑制層設(shè)置在沿第一方向排列的每個(gè)配線下的部分底板內(nèi)；制備電子元件的步驟，凸起形成于所述電子元件一個(gè)主表面上所設(shè)置的其各電極上；以及使電子元件上的凸起與底板上的各配線相對(duì)并用超聲波振動(dòng)使凸起集體和配線結(jié)合在一起的步驟，其中在一種狀態(tài)中施加超聲波振動(dòng)，在所述狀態(tài)中超聲波振動(dòng)方向和沿第一方向排列且每個(gè)都有位移抑制層置于其下的配線方向之間形成的角度θ大于超聲波振動(dòng)方向和其它不沿第一方向排列且沒(méi)有位移抑制層置于其下的配線的方向之間形成的角度θ。
全文摘要
在一種電子元件裝置中，底板上電子元件的電極和各配線通過(guò)凸起用超聲波振動(dòng)集體結(jié)合在一起。所述配線包括與超聲波振動(dòng)方向基本平行的配線和與超聲波振動(dòng)方向基本垂直的配線。位移抑制層設(shè)置在與超聲波振動(dòng)方向基本垂直的配線下的部分中的底板內(nèi)。
文檔編號(hào)H05K1/02GK1531070SQ200410039910
公開(kāi)日2004年9月22日 申請(qǐng)日期2004年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月10日
發(fā)明者前田剛伸 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所