專利名稱：器件及制法、有源矩陣基板的制法及電光學裝置和電子儀器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種器件及其制造方法、有源矩陣基板的制造方法及電光學裝置和電子儀器。
本申請對2003年5月30日申請的日本專利申請第2003-155863號和2004年4月9日申請的日本專利申請第2004-115372號主張優(yōu)先權，這里援引其內容。
背景技術：
以前，作為半導體集成電路等細微配線圖案的制造方法，多使用光刻法。另一方面，例如特開平11-274671號公報或特開2000-216330號公報等中公開了使用液滴噴出方式的方法。在這些公報中公開的技術通過從液滴噴頭向基板上噴出包含圖案形成用材料的功能液，在圖案形成面上配置(涂布)材料，形成配線圖案，可對應于少量多種生產，很有效。
但是，近年來構成器件的電路的高密度化不斷前進，例如對配線圖案要求進一步細微化、細線化。
但是，在由基于上述液滴噴出方式的方法來形成這種細微的配線圖案的情況下，尤其是難以充分保證該配線寬度的精度。因此，例如在特開平9-203803號公報或特開平9-230129號公報中，記載了如下技術，在基板上設置作為分隔部件的貯存格(bank)，同時實施表面處理，將貯存格的上部變?yōu)槭枰盒?，此外的部分變?yōu)橛H液性。
通過使用該技術，即使是細線，也可以貯存格間的寬度來所定配線圖案的寬度，形成細線。
但是，上述現(xiàn)有技術中存在如下問題。
基于液滴噴出方式的油墨涂布可以高清晰度噴出、涂布直徑為微米級的液滴。但是，涂布在基板上的微小液體的干燥極快，并且在基板上的涂布區(qū)域的端部(上端、下端、右端、左端)，由于從微小液體蒸發(fā)的溶劑分子分壓(溶劑蒸氣濃度)低，所以一般開始快速干燥。
如此涂布在基板上的液狀體的干燥時間差引起導電膜配線的膜厚不均。另外，該膜厚不均導致導電性等電特性的不均勻等缺陷。

發(fā)明內容
本發(fā)明鑒于上述問題而做出的，其目的在于提供一種不產生膜厚不均、可消除電特性的不均勻性的器件及其制造方法、有源矩陣基板的制造方法及電光學裝置和電子儀器。
本發(fā)明的第1方面是器件，其中，具備基板；形成于所述基板上的貯存格；通過噴出液滴形成于所述貯存格間的溝內的所定圖案形成區(qū)域的導電性膜；和第2導電性膜，該第2導電膜配置在所述圖案形成區(qū)域的外側，并且與所述導電性膜電分離，通過噴出液滴形成。
因此，在本發(fā)明的器件中，盡管在干燥快的基板端部，作為虛設(虛設)配線的第2導電性膜的干燥提前，但在實際用作配線的配線圖案區(qū)域中，由于存在第2導電性膜，溶劑蒸氣濃度(氣氛)變得均勻，可使導電性膜的干燥、燒成氣氛變均勻，膜厚一定。因此，在本發(fā)明中，可消除膜厚不均引起的導電性等電特性的不均勻性。
另外，作為噴出的液滴，可采用包含金屬微粒子的液滴。除了將第2導電性膜僅用作虛設配線以外，最好也可用作連接端子的構成也是合適的。
并且，作為液滴，也可選擇包含通過加熱或光照射發(fā)現(xiàn)導電性的材料的液滴。
作為第2導電性膜，也可采用形成于在所述圖案形成區(qū)域的外側中形成的第2貯存格間的溝內的構成。
最好所述貯存格與所述第2貯存格至少一方具有比各自之間的溝高的疏液性。
由此，在本發(fā)明中，即使噴出的液滴的一部分落在貯存格上，也由于貯存格表面變?yōu)槭枰盒?，而不沾在貯存格上，容易流入貯存格間的溝內。
作為第2導電性膜，最好由與所述導電性膜相同的材料形成。
由此，在本發(fā)明中，由于可不交換液狀體地連續(xù)噴出，所以可節(jié)省伴隨液狀體交換的作業(yè)，使生產效率提高。
另外，作為第2導電性膜，最好以與所述導電性膜大致相同的排列(排列參數(shù))、且連續(xù)形成。例如，通過設排列間距、配線寬度等配線參數(shù)與導電性膜相同，另外，與導電性膜連續(xù)排列，不必單獨形成液滴噴出時的點圖案(點位圖)等，使操作性提高。
在導電性膜以各不相同的多個間距排列的情況下，第2導電性膜為以平均所述多個間距的間距來排列的構成也是合適的。
此時，可以防止導電性膜之間溶劑蒸氣濃度差變得不均勻。
另外，第2導電性膜為以在所述導電性膜的長度方向上分別從該導電性膜的兩端突出的長度形成的構成也是合適的。
此時，即使導電性膜的長度方向上，也能夠緩和導電性膜的干燥的不均勻性，使膜厚一定。
另外，本發(fā)明的第2方面是電光學裝置，其中，具備上述器件。
由此，在本發(fā)明中，由于以均勻的膜厚來形成配線圖案，所以可以得到消除了配線的膜厚不均引起的電特性的不均勻的高品質的電光學裝置。
另外，本發(fā)明的第3方面是電子儀器，其中，具備上述電光學裝置。
由此，在本發(fā)明中，由于以均勻的膜厚來形成配線圖案，所以可以得到消除了配線的膜厚不均引起的電特性的不均勻的高品質的電子儀器。
另一方面，本發(fā)明的第4方面是器件的制造方法，其中，具有在基板上的所定圖案形成區(qū)域中形成貯存格的工序；向所述貯存格間的溝內噴出液滴，形成導電性膜的工序；和向所述圖案形成區(qū)域的外側噴出液滴，形成與所述導電性膜電分離的第2導電性膜的工序。
由此，在本發(fā)明中，盡管在干燥快的基板端部，作為虛設配線的第2導電性膜的干燥提前，但在實際用作配線的配線圖案區(qū)域中，由于存在第2導電性膜，溶劑蒸氣濃度(氣氛)變得均勻，能夠使導電性膜的干燥、燒成氣氛變均勻，膜厚一定。因此，在本發(fā)明中，可以消除膜厚不均引起的導電性等電特性的不均勻性。
另外，本發(fā)明的第5方面是有源矩陣基板的制造方法，其中，具有第1工序，在基板上形成柵極配線；第2工序，在所述柵極配線上形成柵極絕緣膜；第3工序，隔著所述柵極絕緣膜來層疊半導體層；第4工序，在所述柵極絕緣層上形成源極電極和漏極電極；第5工序，在所述源極電極和所述漏極電極上配置絕緣材料；和第6工序，在配置了所述絕緣材料之上形成象素電極，在所述第1工序和所述第4工序及所述第6工序至少一個工序中，使用上述器件制造方法。
根據(jù)本發(fā)明，能夠消除柵極配線、源極電極和漏極電極、象素電極中因膜厚不均引起的導電性等電特性的不均勻，得到形成細線的薄膜圖案的薄型有源矩陣基板。


圖1是液滴噴出裝置的示意立體圖。
圖2是說明基于壓電方式的液狀體噴出原理的圖。
圖3A和圖3B是形成貯存格的基板的平面圖。
圖4A～圖4D是表示配線圖案形成的順序圖。
圖5是表示配線的一部分的放大模式圖。
圖6A～圖6C是說明噴出的液狀體的動作的圖。
圖7是表示圖案的位置與溶劑蒸氣壓濃度的關系的圖。
圖8是從相對向基板側觀看液晶顯示裝置的平面圖。
圖9是沿圖8的H-H’線的截面圖。
圖10是液晶顯示裝置的等效電路圖。
圖11A和圖11B是液晶顯示裝置的局部放大截面圖。
圖12是有機EL裝置的局部放大截面圖。
圖13是用于說明制造薄膜晶體管的工序的圖。
圖14是用于說明制造薄膜晶體管的工序的圖。
圖15是用于說明制造薄膜晶體管的工序的圖。
圖16是用于說明制造薄膜晶體管的工序的圖。
圖17是表示液晶顯示裝置的其它方式的圖。
圖18是等離子體型顯示裝置的分解立體圖。
圖19是非接觸型卡介質的分解立體圖。
圖20A～圖20C是表示本發(fā)明的電子儀器的具體例的圖。
圖中，
B-貯存格，B2-貯存格(第2貯存格)，DP-虛設圖案(第2導電性膜)，EP-電極圖案(導電性膜)，L-間距，P-基板，PI-配線圖案區(qū)域(圖案形成區(qū)域)，PO-虛設區(qū)域，31-溝槽，32-液滴(功能液)，32a～32-液狀體(功能液)，100-液晶顯示裝置(電光學裝置)，400-非接觸型卡介質(電子儀器)，500-等離子體型顯示裝置(電光學裝置)，600-移動電話機主體(電子儀器)，700-信息處理裝置(電子儀器)，800-手表主體(電子儀器)具體實施方式
下面，參照圖1～圖20來說明本發(fā)明的器件及其制造方法、有源矩陣基板的制造方法及電光學裝置和電子儀器的實施方式。
(實施方式1)在本實施方式中，使用如下實例來進行說明，即通過液滴噴出法，從液體噴頭的噴嘴中液滴狀地噴出包含導電性微粒子的配線圖案(薄膜圖案)用油墨(功能液)，在基板上形成由導電性膜形成的配線圖案的情況之例。
該配線圖案用油墨，由使導電性微粒子分散到分散介質中的分散液、或使有機銀化合物或氧化銀納米粒子分散到(溶劑)分散介質中的溶液構成。
在本實施方式中，作為導電性微粒子，除含有例如金、銀、銅、鈀和鎳中的任一種的金屬微粒子外，還可使用這些金屬的氧化物及導電性聚合物、或超導體的微粒子等。
這些導電性微粒子為了提高分散性，也可以在表面涂布有機物等來使用。導電性微粒子的粒徑最好為1nm或其以上、0.1微米或其以下。若大于0.1微米，則擔心后述的液體噴頭的噴嘴中產生堵塞。另外，若小于1nm，則涂布劑相對導電性微粒子的體積比變大，得到的膜中的有機物的比例過多。
作為分散介質，只要是可分散上述導電性微粒子、不引起凝聚，則不特別限定。例如，除水外，還可示例甲醇、乙醇、丙醇等醇類，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、杜稀、茚、雙戊稀、四氫化奈、十氫化奈、環(huán)己基苯等烴類化合物，另外，乙二醇二甲基乙醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇甲基乙基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、對二噁烷等醚類化合物，進而碳酸丙稀酯、γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、環(huán)己烷等極化化合物。其中，就微粒子的分散性與分散液的穩(wěn)定性、或容易適用于液滴噴出法(噴墨法)的方面而言，最好是水、醇類、烴類化合物、醚類化合物，作為更好的分散介質，例如水、烴類化合物。
上述導電性微粒子的分散液的表面張力最好在0.02N/m或其以上、0.07N/m或其以下的范圍內。當通過噴墨法噴出液體時，若表面張力不足0.02N/m，則油墨組成物對噴嘴面的潤濕性增大，所以易產生飛行彎曲，若超過0.07N/m，則凸凹面在噴嘴前端的形狀不穩(wěn)定，所以難以控制噴出量或噴出定時。為了調整表面張力，最好在不使與基板的接觸角過大地降低的范圍內，向上述分散液中添加微量氟類、硅類、非離子類等表面張力調節(jié)劑。非離子類表面張力調節(jié)劑可使液體對基板的潤濕性提高，改良膜的調整性，防止產生膜的細微凹凸等。上述表面張力調節(jié)劑在必要時也可以包含乙醇、乙醚、酯、酮等有機化合物。
上述分散液的粘度最好是1mPa·s或其以上、50mPa·s或其以下。當使用噴墨法噴出液體材料作為液滴時，在粘度比1mPa·s小的情況下，噴墨周圍部容易因流出油墨而被污染，另外，在粘度比50mPa·s大的情況下，噴嘴孔的堵塞頻度變高，難以圓滑地噴出液滴。
作為形成配線圖案的基板，可使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料膜、金屬板等各種基板。另外，還包含在這些各種原料基板的表面形成半導體膜、金屬膜、電介質膜、有機膜等作為基底層。
這里，作為液滴噴出法的噴出技術，例如帶電控制方式、加壓振動方式、機電轉換式、電熱轉換方式、靜電吸引方式等。帶電控制方式通過帶電電極向材料賦予電荷，用偏轉電極而控制材料的飛翔方向，使材料從噴嘴噴出。另外，加壓振動方式是向材料施加30kg/cm2左右的超高壓，向噴嘴前端側噴出材料，在未施加控制電壓的情況下，材料直行，從噴嘴噴出，若施加控制電壓，則在材料間產生靜電排斥，材料飛散，不從噴嘴噴出。另外，機電轉換方式利用壓電元件接受脈沖電信號后變形的性質，通過壓電元件變形，通過撓性物質對存放材料的空間施加壓力，從該空間壓出材料，從噴嘴噴出。
另外，電熱轉換方式通過設置在存放材料的空間內的加熱器，使材料急劇氣化，產生氣泡(泡)，通過氣泡的壓力使空間內的材料噴出。靜電吸收方式是向存放材料的空間內施加微小壓力，在噴嘴中形成材料的凸凹面，并在該狀態(tài)下邊施加靜電引力邊引出材料。此外，也可適用利用電場引起的液體的粘性變化的方式、或通過放電火花來飛散的方式等技術。液滴噴出法具有在材料的使用中浪費少、且可將期望量的材料準確配置在期望位置上的優(yōu)點。另外，通過液滴噴出法噴出的液狀材料(流動體)的一滴的量例如為1～300納克。
下面，說明制造根據(jù)本發(fā)明的器件時使用的器件制造裝置。
作為該器件制造裝置，使用通過從液滴噴頭向基板噴出液滴來制造器件的液滴噴出裝置(噴墨裝置)。
圖1是表示液滴噴出裝置IJ的示意結構的立體圖。
液滴噴出裝置IJ具備液滴噴頭1、X軸方向驅動軸4、Y軸方向引導軸5、控制裝置CONT、臺架(stage)7、清潔機構8、基臺9和加熱器15。
臺架7支撐由該液滴噴出裝置IJ設置油墨(液體材料)的基板P，具備將基板P固定在基準位置上的未圖示的固定機構。
液滴噴頭1是具備多個噴嘴的多噴嘴類型的液滴噴頭，使長方向與X軸方向一致。多個噴嘴沿Y軸方向以一定間隔設置在液滴噴頭1的下面。從液滴噴頭1的噴嘴向支撐在臺架7上的基板P噴出包含上述導電性微粒子的油墨。
X軸方向驅動軸4上連接有X軸方向驅動電機2。X軸方向驅動電機2是步進電機等，若從控制裝置CONT提供X軸方向的驅動信號，則使X方向驅動軸4旋轉。若X方向驅動軸4旋轉，則液滴噴頭1向X軸方向移動。
固定Y軸方向引導軸5，使之不會相對基臺9移動。臺架7具備Y軸方向驅動電機3。Y軸方向驅動電機3是步進電機等，若從控制裝置CONT提供Y軸方向的驅動信號，則使臺架7向Y軸方向移動。
控制裝置CONT向液滴噴頭1提供液滴的噴出控制用電壓。另外，向X軸方向驅動電機2提供控制液滴噴頭1的X軸方向的移動的驅動脈沖信號，向Y軸方向驅動電機3提供控制臺架7的Y軸方向的移動的驅動脈沖信號。
清潔機構8清潔液滴噴頭1。清潔機構8中備有未圖示的Y軸方向的驅動電機。通過該Y軸方向的驅動電機的驅動，清潔機構沿Y軸方向引導軸5移動。清潔機構8的移動也由控制裝置CONT控制。
加熱器15在這里是通過燈退火來熱處理基板P的部件，蒸發(fā)和干燥包含在涂布在基板P上的液體材料的溶劑。該加熱器15的電源的接通和斷開也由控制裝置CONT加以控制。
液滴噴出裝置IJ在相對掃描液滴噴頭1與支撐基板P的臺架7的同時，向基板P噴出液滴。這里，以下說明中將X軸方向設為掃描方向，將與X軸方向正交的Y軸方向設為非掃描方向。因此，液滴噴頭1的噴嘴在作為非掃描方向的Y軸方向上以一定間隔排列設置。另外，圖1中，液滴噴頭1相對于基板P的前進方向成直角配置，但也可調整液滴噴頭1的角度，使之與基板P的前進方向交叉。
這樣，通過調整液滴噴頭1的角度，可以調節(jié)噴嘴間的間距。另外，也可以任意調節(jié)基板P與噴嘴面的距離。
圖2是說明基于壓電方式的液狀體噴出原理的圖。
圖2中，鄰接于容納液體材料(配線圖案用油墨、功能液)的液體室21，設置有壓電元件22。經包含容納液體材料的材料筒的液體材料提供系統(tǒng)23向液體室21提供液體材料。壓電元件22被連接在驅動電路24上，經該驅動電路24向壓電元件22施加電壓，使壓電元件22變形，從而液體室21變形，使液體材料從噴嘴25噴出。此時，通過以所定的驅動波形使施加電壓的值變化，控制壓電元件22的變形量。另外，通過使施加電壓的頻率變化，控制壓電元件22的變形速度。因為基于壓電方式的液滴噴出材料未向材料加熱，所以具有難以對材料的組成造成影響的優(yōu)點。
下面，參照圖3～圖7來說明在基板上形成導電膜配線的方法，作為本發(fā)明的配線圖案形成方法(薄膜圖案形成方法)的實施方式的一例。
在本實施方式中，如圖3A所示，在位于基板P上的大致中央部的配線圖案區(qū)域(圖案形成區(qū)域)PI中形成電極圖案(導電性膜)EP，并在配線圖案區(qū)域PI的外側(周圍)的虛設區(qū)域PO中形成與電極圖案EP電分離配線的虛設圖案(第2導電性膜)DP。
電極圖案EP在這里以線寬度120微米、線間隔240微米的排列間距360微米進行配線。虛設圖案DP由與電極圖案EP相同的材料形成，為了以與電極圖案EP相同的排列(線寬度120微米、線間隔240微米的排列間距360微米)且連續(xù)排列，與在配線圖案區(qū)域PI與虛設區(qū)域PO交界上相鄰的電極圖案EP的線間隔也為以240微米進行配線。
根據(jù)本實施方式的配線圖案形成方法，在基板P上配置上述配線圖案用的油墨，并在該基板P上形成配線用的導電膜圖案(電極圖案EP和虛設圖案DP)，由貯存格形成工序、殘渣處理工序、疏液化處理工序、材料配置工序和中間干燥工序、燒成工序大致構成。
下面，詳細說明每個工序。
(貯存格形成工序)貯存格是用作分隔部件作用的部件，貯存格的形成可以通過平版印刷法或印刷法等任意方法進行。例如，在使用平版印刷法的情況下，通過旋涂、噴涂、輥涂、模涂、浸漬涂布等所定方法，在基板P上與貯存格的高度一致后涂布有機類感光性材料，并在其上涂布抗蝕劑層。另外，與貯存格形狀(電極圖案EP和虛設圖案DP)一致后，實施掩模，曝光、顯影抗蝕劑，從而殘留與貯存格形狀一致的抗蝕劑。最后蝕刻去除掩模以外的部分的貯存格材料。
另外，也可以由下層為無機物或有機物、對功能液示出親液性的材料、上層為有機物、對功能液示出疏液性的材料構成的2層以上來形成貯存格(凸部)。
由此，如圖4A所示，例如以10微米的寬度突出設置貯存格B，以包圍配線圖案區(qū)域PI中應形成電極圖案EP的區(qū)域的溝槽部31。另外，在虛設區(qū)域PO中，在應形成虛設圖案DP的溝的外側形成貯存格(第2貯存格)B2，但兩者截面形狀都相同，所以在圖4A～圖4D中，圖示電極圖案EP和虛設圖案DP兩者。
另外，雖然在有機材料涂布前對基板P實施HMDS處理(將(CH3)3SiNHSi(CH3)3變?yōu)檎魵鉅詈笸坎嫉姆椒?，作為表面變性處理，但圖4A～圖4D中省略其圖示。
作為形成貯存格的有機材料，既可以是對液體材料都示出疏液性的材料，也可如后所述，可以通過等離子體處理具有疏液性、與基底基板的密接性好、容易通過光刻來圖案形成的絕緣有機材料。例如，可以使用丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰氨樹脂等高分子材料。
(殘渣處理工序(親液化處理工序)下面，為了去除貯存格間在貯存格形成時的抗蝕劑(有機物)殘渣，對基板P實施殘渣處理。
作為殘渣處理，可以選擇通過照射紫外線來進行殘渣處理的紫外線(UV)照射處理或在大氣氣氛中將氧氣作為處理氣體的O2等離子體處理等，但這里實施O2等離子體處理。
具體而言，從等離子體放電電極向基板P照射等離子體狀態(tài)的氧來進行。作為O2等離子體處理的條件，例如設等離子體功率為50-1000W，氧氣流量為50～100ml/min，基板P對等離子體放電電極的板搬運速度為0.5～10mm/sec，基板溫度為70-90℃。
另外，在基板P為玻璃基板的情況下，其表面對配線圖案形成材料具有親液性，但如本實施方式所示，為了進行殘渣處理，實施O2等離子體處理或紫外線照射處理，從而可以提高溝槽部31的親液性。在本實施方式中，調整等離子體處理條件(例如延遲基板P的搬運速度，延長等離子體處理時間)，使溝槽部31相對于用作配線圖案形成材料的有機銀化合物(后述)的接觸角在10°或其以下。
(疏液化處理工序)之后，對貯存格B、B2進行疏液化處理，對其表面賦予疏液性。作為疏液化處理，例如可以采用在大氣氣氛中將四氟甲烷設為處理氣體的等離子體處理法(CF4等離子體處理法)。CF4等離子體處理法的條件例如設等離子體功率為50～1000kW，4氟甲烷氣體流量為50～100ml/min，相對等離子體放電電極的基板搬運速度為0.5～1020mm/sec，基板溫度為70～90℃。
另外，作為處理氣體，不限于四氟甲烷(四氟化碳)，也可使用其它氟代烴類氣體。在本實施方式中，調整等離子體處理條件(例如延遲基板P的搬運速度，延長等離子體處理時間)，使貯存格B相對于用作配線圖案形成材料的有機銀化合物的接觸角在60°以上。
通過進行這種疏液化處理，在貯存格B、B2中，向構成貯存格的樹脂中導入氟基，對溝槽部31賦予高的疏液性。另外，作為上述親液化處理的O2等離子體處理可以在形成貯存格B之前進行，但由于丙烯基樹脂或聚酰亞胺樹脂等具有進行基于O2等離子體的預處理一方更容易被氟化(疏液化)的性質，所以最好在形成貯存格B、B2之后進行O2等離子體處理。
另外，通過對貯存格B、B2的疏液化處理，盡管多少會對在先進行親液化處理的基板P的表面造成影響，但是尤其是在基板P由玻璃等構成的情況下，由于疏液化處理難以導入氟元素，所以基板P的親液性、即潤濕性實質上未受損。
另外，關于貯存格B，也可以通過由具有疏液性的材料(例如具有氟基的樹脂材料)形成，省略該疏液處理。
通過這些圖案形成工序、殘渣處理工序和疏液化處理工序，形成薄膜圖案形成用基板。
(材料配置工序和中間干燥工序)下面，使用液滴噴出裝置IJ的液滴噴出法，在基板P上的溝槽部31中涂布配線圖案形成材料。另外，這里說明噴出將銀用作導電性微粒子、將二甘醇二乙基醚用作溶劑(分散介質)的油墨(分散液)。
即，在材料配置工序中，在對未圖示的沖洗區(qū)域進行預備噴出后，向貯存格間的溝槽噴出液滴，從而依次形成虛設區(qū)域PO(例如圖3A中左側的虛設區(qū)域)中的虛設圖案DP、配線圖案區(qū)域PI中的電極圖案EP、虛設區(qū)域PO(例如圖3A中右側的虛設區(qū)域)中的虛設圖案DP。
若將其詳細描述，則一邊使上述液滴噴出裝置IJ的液滴噴頭1與基板P相對移動，一邊如圖4B所示，從液體噴頭1中噴出包含配線圖案形成材料的液體材料，作為液滴32，并將該液滴32配置在基板P上的溝槽部31中。具體而言，沿溝槽部31的長度方向(配線圖案的形成方向)使液滴噴頭1與基板P相對移動，同時，以所定間距噴出多個液滴32，從而如后所述，形成線性的配線圖案。
另外，在本例中，設液滴32的直徑比貯存格B、B2的溝槽部31的寬度W(在本例中為溝槽部31的開口部的寬度)大。
這里，液滴噴出裝置IJ的控制裝置CONT如圖5所示，在基板P上設定由格狀的多個位(單位格子)構成的位圖，根據(jù)設定在基板P上的位圖，沿X軸方向對基板P進行掃描，同時，對位圖中的多個位中、所定位(形成電極圖案31和虛設圖案32的位)進行液滴的噴出動作，從而，在相同的工序內在基板P上連續(xù)形成電極圖案EP和虛設圖案DP。
此時，若從液滴噴頭1噴出液滴32，在溝槽部31內配置液狀體，則貯存格B、B2的表面變?yōu)槭枰盒?，并形成錐形，所以落于這些貯存格B、B2上的液滴32部分不沾在貯存格B、B2上，并由于溝槽部31的毛細管現(xiàn)象而流入該溝槽部31內。
但是，因為液滴32的直徑D比溝槽部31的寬度W大，所以如圖6A所示(圖4C中雙點劃線所示)，噴出的液狀體(符號32a所示)的部分溢出，殘留在貯存格B、B2上。
之后，接著向離開間距L的溝槽部31內的位置噴出液滴32，但該噴出間距L被設定成在噴出到溝槽部31內的液狀體(液滴)潤濕擴散時、與間隔間距L噴出的相鄰液狀體接續(xù)的大小，并事先通過實驗等求出的。
即，如圖6B所示，相對于液狀體32a間隔距離L噴出的液狀體(用符號32b表示)通過潤濕擴散，與在先噴出的液狀體32a接續(xù)。此時，液狀體32b的一部分有可能溢出后殘留在貯存格B、B2上，但當液狀體32a、32b接續(xù)時，接觸部彼此拉拽，從而殘留在貯存格B、B2中的液狀體如圖中箭頭所示，被拉入溝槽部31內。
結果，在圖4C和圖6C中如符號32c所示，液狀體不會溢出到貯存格B、B2中，進入溝槽部31內，以線性形成。
另外，噴出到溝槽部31內、或從貯存格B、B2流入的液狀體32a、32b，由于基板P被親液處理，所以易變得更寬，從而，液狀體32a、32b更均勻地埋入溝槽部31。因此，盡管溝槽部31的寬度W比液滴32的直徑D窄(小)，但向溝槽部31內噴出的液滴32(液狀體32a、32b)不會殘留在貯存格B、B2上，良好地進入溝槽部31內，并均勻地埋入其中。
(中間干燥工序)在向基板P噴出液滴后，為了去除分散介質，必要時進行干燥處理(中間干燥)。干燥處理可通過例如加熱基板P的通常的熱板、電爐等的加熱處理來進行。在本實施方式中，例如在180℃下加熱60分鐘左右。該加熱在N2氣氛下等進行，未必在大氣中進行。
另外，該干燥處理也可以通過燈退火來進行。
作為用于燈退火的光的光源，不特別限定，但可以將紅外線燈、氙氣燈、YAG激光器、氬激光器、二氧化碳氣體激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等用作光源。這些光源一般使用輸出為10W或其以上、5000W或其以下范圍內的光源，但在本實施方式中在100W或其以上、1000W或其以下的范圍內就足夠。
通過反復進行該中間干燥工序與上述材料配置工序，可將配線圖案形成期望的膜厚。
(燒成工序)噴出工序后的干燥膜為了微粒子間更好地電接觸，必需完全去除分散介質。另外，在為了使分散性提高而將有機物等涂布劑涂布在導電性微粒子表面上的情況下，還必需去除該涂布劑。因此，對噴出工序后的基板實施熱處理和/或光處理。
熱處理和/或光處理通常在大氣中進行，但必要時也可在氮氣、氬氣、氦氣等惰性氣體氣氛中進行?？紤]分散介質的沸點(蒸氣壓)、氣氛氣體的種類或壓力、微粒子的分散性或氧化性等熱行為、涂布劑的有無或量、基體材料的耐熱溫度等來適當確定熱處理和/或光處理的處理溫度。
例如，為了去除由有機物構成的涂布劑，必需在約300℃下進行燒成。另外，在使用塑料等基板的情況下，最好在室溫或其以上、100度或其以下進行。
通過以上工序，噴出工序后的干燥膜確保微粒子間的電接觸，變換為導電性膜，從而如圖4D所示，得到作為線狀連續(xù)的膜的導電性圖案、即電極圖案EP(或虛設圖案DP)。
這里，圖7中示出熱處理時基板上的圖案位置與溶劑蒸氣壓濃度的關系。
如該圖所示，在配線虛設圖案DP的基板的端部，從圖案(功能液)蒸發(fā)的溶劑蒸氣濃度低，干燥快速進行，相反，在配線電極圖案EP的基板內側，由于虛設圖案DP的存在，溶劑蒸氣濃度為比外側高的值，恒定不變。即，擔心燒成狀態(tài)不好的某區(qū)域(分散介質去除、涂布劑的均勻去除)變?yōu)榕渚€圖案區(qū)域PI的外側虛設區(qū)域PO，配線在用于顯示的區(qū)域中的電極圖案EP變?yōu)榱己玫臒蔂顟B(tài)。
通過以上說明的一連串工序，在基板上形成線性的導電膜圖案(導電膜配線)。
這樣，在本實施方式中，因為通過液滴噴出在配線圖案區(qū)域PI的外側配線虛設圖案DP，所以即使在干燥、燒成時產生溶劑蒸氣濃度的分布，電極圖案EP也可以容易得到良好的燒成狀態(tài)，能夠以抑制膜厚不均的產生。因此，可以防止以前重復涂布的導電膜圖案彼此由于干燥狀態(tài)不均勻而導致線寬度或膜厚不一致，可以以在線寬度、膜厚中不產生差異地重復形成圖案。因此，可以防止因膜厚不均而引起的導電性等電特性的不均勻，能夠制造高品質的器件。
另外，在本實施方式中，因為由相同的材料形成了電極圖案EP與虛設圖案DP，所以可在相同的噴出處理工序(材料配置工序)中形成兩個圖案EP、DP，能夠削減液狀體交換所需的時間，使生產效率提高。并且，在本實施方式中，以相同的排列(參數(shù))配置電極圖案EP與虛設圖案DP，連續(xù)進行液滴噴出處理，所以不必單獨形成液滴噴出時的位圖(點圖案)，可以縮短位圖形成所需的時間。
并且，在本實施方式中，因為向貯存格B、B2賦予比溝槽部31高的疏液性，所以即使在噴出的液滴的一部分落于貯存格B、B2上的情況下，也由于疏液性不沾液滴而流入溝槽部31內，從而可以更均勻地涂布液狀體，能夠得到具有一樣膜厚的電極圖案EP。另外，在本實施方式中，即使溝槽部31的寬度比液滴32的直徑小的情況下，也因為液狀體可以埋入溝槽部31內，所以能夠得到形成更細線的配線圖案的小型器件，同時，能夠得到不產生短路等缺陷的高品質的器件。
并且，通過使用虛設圖案DP來進行電阻檢查等對電極圖案EP的導通試驗或密接性試驗等品質檢查，可以防止對電極圖案EP造成損傷，另外，通過在端部配置虛設圖案DP，還可得到與電極圖案EP相比、試驗時的訪問變容易等效果。
(實施方式2)說明作為本發(fā)明的電光學裝置一例的液晶顯示裝置，作為實施方式2。
圖8是從與各構成要素同時表示的相對向基板側觀看根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的平面圖，圖9是沿圖8的H-H’線的截面圖。圖10是液晶顯示裝置的圖像顯示區(qū)域中形成為矩陣狀的各種元件、配線等的等效電路圖，圖11是液晶顯示裝置的局部放大截面圖。另外，在以下說明中使用的各圖中，因為將各層或各部件設為圖面上可識別程度的大小，所以使每個層或每個部件縮放不同比例。
在圖8和圖9中，本實施方式的液晶顯示裝置(電光學裝置)100通過作為光固化性密封材料的密封件52，將成對的TFT陣列基板10與相對向基板20貼合，在由該密封件52區(qū)分的區(qū)域內封入、保持液晶50。密封件52在基板面內的區(qū)域中形成為密閉的框狀，不配備液晶注入口，沒有由密封材料密封的痕跡。
在密封件52的形成區(qū)域的內側區(qū)域中，形成由遮光性材料構成的外圍分型面53。在密封件52的外側區(qū)域，沿TFT陣列基板10的一個邊形成有數(shù)據(jù)線驅動電路201和安裝端子202，沿鄰接該一個邊的兩個邊上形成有掃描線驅動電路204。在TFT陣列基板10的剩下的一個邊設有用于連接設置在圖像顯示區(qū)域兩側的掃描線驅動電路204之間的多個配線205。另外，在相對向基板20的角部的至少一個部位配置用于取得TFT陣列基板10與相對向基板20之間的電導通的基板間導通件206。
另外，也可以代替在TFT陣列基板10上形成數(shù)據(jù)線驅動電路201和掃描線驅動電路204，例如經各向異性導電膜來機電連接安裝了驅動用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板與形成于TFT陣列基板10周圍部的端子群。另外，在液晶顯示裝置100中，按照使用的液晶50的種類、即TN(Twisted Nematic)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式等動作模式、或常白(normally white)模式/常黑(normally black)模式的不同，沿所定方向配置相位差板、偏振光板等，但這里省略圖示。
另外，在將液晶顯示裝置100構成為彩色顯示用的情況下，在相對向基板20中，在TFT陣列基板10的面對后述各象素電極的區(qū)域中，與保護膜一起形成例如紅(R)、綠(G)、藍(B)的彩色濾光片。
在具有這種結構的液晶顯示裝置100的圖像顯示區(qū)域中，如圖10所示，在將多個象素100a構成為矩陣狀的同時，在這種象素100a的每個中形成象素開關用的TFT(開關元件)30，將提供象素信號S1、S2、…、Sn的數(shù)據(jù)線6a電連接于TFT30的源極上。寫入數(shù)據(jù)線6a的象素信號S1、S2、…、Sn既可按此順序由線依次提供，也可以按每組提供給相鄰接的多個數(shù)據(jù)線6a彼此。另外，構成為在TFT30的柵極上電連接有掃描線3a，在所定的定時，按順序由線依次脈沖地向掃描線3a施加掃描信號G1、G2、…、Gm。
象素電極19電連接于TFT30的漏極上，通過僅在一定期間將作為開關元件的TFT30設為導通狀態(tài)，可在所定定時向各象素寫入從數(shù)據(jù)線6a提供的象素信號S1、S2、…、Sn。如此經象素電極19寫入液晶的所定電平的象素信號S1、S2、…、Sn在一定期間中保持在圖9所示的相對向基板20與相對向電極21之間。另外，為了防止保持的象素信號S1、S2、…、Sn泄漏，與形成于象素電極19與相對向電極21之間的液晶電容并聯(lián)地附加有存儲電容60。例如，存儲電容60將象素電極19的電壓保持比施加源極電壓的時間還長3位的時間。由此，可以實現(xiàn)改善了電荷的保持特性、對比度高的液晶顯示裝置100。
圖11A是具有底部柵極型TFT30的液晶顯示裝置100的局部放大截面圖，在構成TFT陣列基板10的玻璃基板P上，突出設置有貯存格67、67，在貯存格67、67之間的溝槽68內，通過上述實施方式1的配線圖案形成方法形成有柵極配線61。另外，在本實施方式中，由于在形成后述非晶硅層的過程中被加熱到約350℃，所以使用無機的貯存格67來作為耐該溫度的材料。
在柵極配線61上，隔著由SiNx構成的柵極絕緣膜62層疊有由非晶硅(a-Si)層構成的半導體層63。將面對該柵極配線部分的半導體層63的部分設為通道區(qū)域。在半導體層63上層疊了為得到歐姆耦合的例如由n+型a-Si層構成的接合層64a和64b，在通道區(qū)域的中央部的半導體層63上，形成用于保護通道的由SiNx構成的絕緣性止蝕膜(etch stop)65。另外，這些柵極絕緣膜62、半導體層63和止蝕膜65蒸鍍(CVD)后通過實施抗蝕劑涂布、感光顯影、光蝕刻，如圖所示進行圖案形成。
并且，也同樣成膜接合層64a、64b和ITO(Indium Tin Oxide銦錫氧化物)構成的象素電極19，同時，通過實施光蝕刻，如圖所示被圖案形成。之后，在象素電極19、柵極絕緣膜62和止蝕膜65上分別突出設置貯存格66…，在這些貯存格66…之間使用上述液滴噴出裝置IJ，噴出銀化合物的液滴，從而可以形成源極線、漏極線。
另外，如圖11B所示，在柵極絕緣膜62中設置凹部，在該凹部內與柵極絕緣膜62的表面大致齊平面地形成半導體層63，并在其上形成接合層64a、64b、象素電極19、止蝕膜65。此時，通過使貯存格66之間的溝槽底部平坦，不使這些各層和源極線、漏極線截面彎曲，可以形成平坦性好的高特性的TFT。
在上述結構的TFT中，使用上述液滴噴出裝置IJ，例如噴出銀化合物的液滴，從而可以形成柵極線、源極線、漏極線等，所以可以得到實現(xiàn)基于細線化的小型、薄型化、不產生電特性不均勻的高品質的液晶顯示裝置。
(實施方式3)在上述實施方式中，構成為將TFT30用作液晶顯示裝置100的驅動用開關元件，但除液晶顯示裝置之外，也能夠應用于例如有機EL(場致發(fā)光)顯示器件中。有機EL顯示器件具有由陰極與陽極夾持包含熒光性的無機和有機化合物的薄膜的構成，通過向所述薄膜注入電子和空穴(hole)并使之激勵，產生激子(激發(fā)子)，利用該激發(fā)子再結合時的光的放出(熒光、磷光)來發(fā)光。
另外，在具有上述TFT30的基板上，將用于有機EL顯示元件中的熒光性材料中、呈現(xiàn)紅、綠和藍色各發(fā)光色的材料、即發(fā)光層形成材料和形成空穴注入/電子傳輸層的材料作為油墨，并圖案形成，從而可以制造自發(fā)光全色EL器件。
在本發(fā)明的器件(電光學裝置)的范圍內還包含這種有機EL器件，可得到實現(xiàn)小型、薄型化、不產生電特性不均勻的高品質的有機EL器件。
圖12是通過所述液滴噴出裝置IJ來制造部分構成要素的有機EL裝置的側面截面圖。參照圖12來說明有機EL裝置的示意結構。
在圖12中，有機EL裝置301在基板311、電路元件部321、象素電極331、貯存格部341、發(fā)光元件351、陰極361(相對向電極)和密封基板371構成的有機EL元件302上，連接柔性基板(省略圖示)的配線和驅動IC(省略圖示)。電路元件部321在基板311上形成作為有源元件的TFT30，多個象素電極331在電路元件部321上整齊排列構成。另外，構成TFT30的柵極配線61，通過上述實施方式的配線圖案的形成方法來形成。
在各象素電極331之間，將貯存格部341形成為柵格狀，在由貯存格部341產生的凹部開口344中，形成有發(fā)光元件351。另外，發(fā)光元件351由發(fā)紅色光的元件、發(fā)綠色光的元件和發(fā)藍色光的元件構成，從而，有機EL裝置301實現(xiàn)全色顯示。陰極361形成于貯存格部341和發(fā)光元件351的整體上部表面，在陰極361上層疊有密封用基板371。
包含有機EL元件的有機EL裝置301的制造過程，具備形成貯存格部341的貯存格部形成工序；為適當形成發(fā)光元件351的等離子體處理工序；形成發(fā)光元件351的發(fā)光元件形成工序；形成陰極361的相對向電極形成工序；和在陰極361上層疊密封用基板371后進行密封的密封工序。
發(fā)光元件形成工序，通過在凹部開口344、即象素電極331上形成空穴注入層352和發(fā)光層353，形成發(fā)光元件351，備有空穴注入層形成工序和發(fā)光層形成工序。另外，空穴注入層形成工序具有向各象素電極331上噴出形成空穴注入層352用的液狀體材料的第1噴出工序；和使噴出的液狀體材料干燥后形成空穴注入層352的第1干燥工序。另外，發(fā)光層形成工序具有向空穴注入層352上噴出形成發(fā)光層353用的液狀體材料的第2噴出工序；和使噴出后的液狀體材料干燥后形成發(fā)光層353的第2干燥工序。另外，發(fā)光層353如上所述，由紅、綠、藍3色所對應的材料形成3種發(fā)光層，因此，為了分別噴出3種材料，所述第2噴出工序由3個工序構成。
在該發(fā)光元件形成工序中，可以在空穴注入層形成工序中的第1噴出工序、與發(fā)光層形成工序中的第2噴出工序中使用所述液滴噴出裝置IJ。
(實施方式4)在上述實施方式中，使用根據(jù)本發(fā)明的圖案形成方法，形成TFT(薄膜晶體管)的柵極配線，但也可制造源電極、漏電極、象素電極等其它構成要素。下面，參照圖13至圖16來說明制造TFT的方法。
如圖13所示，首先，在洗凈的玻璃基板510的上面，根據(jù)光刻法形成設置1個象素的1/20～1/10的溝槽511a的第1層貯存格511。作為該貯存格511，必需在形成后具備光透過性和疏液性，作為其原料，除丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰氨樹脂等高分子材料外，最好使用聚硅氮烷等無機類材料。
為了使形成后的貯存格511具有疏液性，必需實施CF4等離子體處理等(使用具有氟成分的氣體的等離子體處理)，但也可代之以事先向貯存格511的原料本身填充疏液成分(氟代基等)。此時，可省略CF4等離子體處理等。
作為如上所述疏液化后的貯存格511相對于噴出油墨的接觸角，最好確保為40°或其以上，另外，作為玻璃面的接觸角，最好確保為10°或其以下。即，本發(fā)明者們通過試驗確認的結果，例如相對導電性粒子(十四烷溶劑)的處理后的接觸角在采用丙烯基樹脂類作為貯存格511的原料的情況下可確保約為54.0°(未處理的情況下為10°或其以下)。另外，這些接觸角在等離子體功率為550W、以0.1L(liter)/min提供4氟化甲烷的處理條件下得到。
在接著上述第1層貯存格形成工序的柵極掃描電極形成工序(第1次導電性圖案形成工序)中，為了充滿作為由貯存格511區(qū)分的描繪區(qū)域的所述溝槽511a內，通過噴墨噴出包含導電性材料的液滴，從而形成柵極掃描電極512。之后，當形成柵極掃描電極512時，適用根據(jù)本發(fā)明的圖案的形成方法。
作為此時的導電性材料，最好適宜采用Ag、Al、Au、Cu、鈀、Ni、W-Si、導電性聚合物等。如此形成的柵極掃描電極512由于事先向貯存格511提供充足的疏液性，所以可不從溝槽511a中溢出地形成細微的配線圖案。
通過以上工序，在基板510上形成具備貯存格511與柵極掃描電極512構成的平坦上面的由銀(Ag)構成的第1導電層Al。
另外，為了得到溝槽511a內的良好的噴出結果，如圖13所示，最好采用準錐形(向噴出源頭打開的錐形)，作為該溝槽511a的形狀。由此，可使噴出的液滴充分進入，直到最深處。
接著，如圖14所示，通過等離子體CVD法，進行柵極絕緣膜513、活性層521、接觸層509的連續(xù)成膜。通過使原料氣體或等離子體條件變化，形成氮化硅膜作為柵極絕緣膜513，非晶硅膜作為活性層521，n+型硅膜作為接觸層509。在由CVD法形成的情況下，必需300-350℃的熱歷史，但通過在貯存格中使用無機類的材料，可以避免關于透明性、耐熱性的問題。
在接著上述半導體層形成工序的第2層的貯存格形成工序中，如圖15所示，根據(jù)光刻法，在柵極絕緣膜513的上面，形成設置以1個象素的1/20～1/10且與所述溝槽511a交叉的溝514a的第2層貯存格514。作為該貯存格514，在形成后必需具備光透過性和疏液性，作為原料，除丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰氨樹脂等高分子材料外，最好使用聚硅氮烷等無機類材料。
為了使形成后的貯存格514具有疏液性，必需實施CF4等離子體處理等(使用具有氟成分的氣體的等離子體處理)，但也可代之以事先向貯存格514的原料本身填充疏液成分(氟代基等)。此時，可以省略CF4等離子體處理等。
作為如上所述疏液化后的貯存格514相對噴出油墨的接觸角，最好確保為40°以上。
在接著上述第2層貯存格形成工序的源極、漏電極形成工序(第2次導電性圖案形成工序)中，為了充滿作為由貯存格514區(qū)分的描繪區(qū)域的所述溝槽514a內，通過噴墨噴出包含導電性材料的液滴，從而如圖16所示，形成與所述柵極掃描電極512交叉的源電極515和源電極516。之后，當形成源電極515和漏電極516時，適用根據(jù)本發(fā)明的器件制造方法。
作為此時的導電性材料，最好適宜采用Ag、Al、Au、Cu、鈀、Ni、W-Si、導電性聚合物等。如此形成的源電極515和漏電極516由于事先向貯存格514提供充足的疏液性，所以能夠不從溝槽514a中溢出地形成細微的配線圖案。
另外，配置絕緣材料517，以埋入配置源電極515和漏電極516的溝槽514a。通過以上工序，在基板510上形成由貯存格514和絕緣材料517構成的平坦上面520。
另外，在絕緣材料517上形成接觸孔519的同時，在上面520上形成圖案形成后的象素電極(ITO)518，并經接觸孔519連接漏電極516與象素電極518，從而形成TFT。
(實施方式5)圖17是表示液晶顯示裝置的其它實施方式的圖。
圖17所示的液晶顯示裝置(電光學裝置)901大體上備有彩色的液晶面板(電光學面板)902、和連接于液晶面板上的電路基板903。另外，必要時，在液晶面板902上附設有背光燈等照明裝置等附帶設備。
液晶面板902具有由密封材料904粘接的一對基板905a和基板905b，在形成于這些基板905b與基板905b之間的間隙、所謂的單元間隙中封入液晶。這些基板905a和基板905b一般由透光性材料、例如玻璃、合成樹脂等形成。在基板905a和基板905b的外側表面粘貼偏振光板906a和另一個偏振光板。另外，圖17中，省略另一個偏振光板的圖示。
另外，在基板905a的內側表面形成有電極907a，在基板905b的內側表面形成電極907b。這些電極907a、907b形成為帶狀或文字、數(shù)字等適當?shù)膱D案狀。另外，這些電極907a、907b，例如由ITO等透光性材料形成?；?05a具有向基板905b擴張的擴張部，在該擴張部中形成有多個端子908。這些端子908在基板905a上形成電極907a時與電極907a同時形成。因此，這些端子908例如由ITO形成。在這些端子908中包含從電極907a一體延伸的和經導電材料(未圖示)連接于電極907b上的端子。
在電路基板903中，在配線基板909上的所定位置上安裝有作為液晶驅動用IC的半導體元件900。另外，雖省略圖示，但也可以在安裝半導體元件900的部位之外的部位的所定位置上安裝電阻、電容等芯片部件。通過圖案形成在例如聚酰亞胺等具有撓性的膜狀基底基板911上形成的Cu等金屬膜，之后形成配線圖案912，以制造配線基板909。
在本實施方式中，通過上述器件制造方法來形成液晶面板902中的電極907a、907b和電路基板903中的配線圖案912。
根據(jù)本實施方式的液晶顯示裝置，可得到實現(xiàn)小型、薄型化、不產生電特性不均勻的高品質的液晶顯示裝置。
另外，上述實例是無源型液晶面板，但也可以是有源矩陣型的液晶面板。即，在一個基板上形成薄膜晶體管(TFT)，對各TFT形成象素電極。另外，如上所述，使用噴墨技術來形成電連接于各TFT上的配線(柵極配線、源極配線)。另一方面，在相對向基板上形成相對向電極等。這種有源矩陣型的液晶面板也可適用本發(fā)明。
(實施方式6)下面，說明作為本發(fā)明的電光學裝置一例的等離子體型顯示裝置，作為實施方式6。
圖18表示本實施方式的等離子體型顯示裝置500的分解立體圖。
等離子體型顯示裝置500包含彼此相對向而配置的基板501、502和形成于其間的放電顯示部510。
放電顯示部510集合多個放電室516。多個放電室516中，紅色放電室516(R)、綠色放電室516(G)、藍色放電室516(B)這三個放電室516成對配置，構成1個象素。
在基板501的上面，以所定間隔將地址電極511形成帶狀，形成有電介質層519，以覆蓋地址電極511與基板501的上面。
在電介質層519上，位于地址電極511、511之間且沿各地址電極511那樣地形成有隔壁515。隔壁515包含在地址電極515的寬度方向左右兩側鄰接的隔壁、和在與地址電極511正交的方向上延伸設定的隔壁。另外，對應于由隔壁515分割的長方形區(qū)域，形成放電室516。
另外，在由隔壁515分割的長方形區(qū)域的內側配置有熒光體517。熒光體517發(fā)出紅、綠、藍之任一的熒光，分別在紅色放電室516(R)的底部配置有紅色熒光體517(R)，在綠色放電室516(G)的底部配置綠色熒光體517(G)，在藍色放電室516(B)的底部配置藍色熒光體517(B)。
另一方面，在基板502中，沿與在先的地址電極511正交的方向，以所定間隔將多個顯示電極512形成為帶狀。并且，覆蓋這些電極地形成電介質層513、和由MgO等構成的保護膜514。
使基板501與基板502相對向而彼此貼合，使所述地址電極511…與顯示電極512…彼此正交。
將上述地址電極511與顯示電極512連接于未圖示的交流電源上。通過向各電極通電，放電顯示部510中熒光體517激勵發(fā)光，可進行彩色顯示。
在本實施方式中，分別根據(jù)上述器件制造方法來形成上述地址電極511和顯示電極512，所以可得到實現(xiàn)小型、薄型化、不產生電特性不均勻的高品質的等離子體型顯示裝置。
(實施方式7)接著，作為實施方式7，說明非接觸型卡介質的實施方式。如圖19所示，根據(jù)本實施方式的非接觸型卡介質(電子儀器)400在由卡基體402與卡蓋418構成的殼體內內置半導體集成電路芯片408與天線電路412，通過未圖示的外部收發(fā)信機與電磁波或靜電電容耦合至少之一方來進行供電或數(shù)據(jù)傳遞等至少之一方。
在本實施方式中，上述天線電路412通過根據(jù)上述實施方式的器件制造方法來形成。
根據(jù)本實施方式的非接觸型卡介質，可以得到實現(xiàn)小型、薄型化、不產生電特性不均勻的高品質的非接觸型卡介質。
作為根據(jù)本發(fā)明的器件(電光學裝置)，除上述外，也可適用于利用通過在形成于基板上的小面積的薄膜中、平行于膜面地流過電流、產生電子放出現(xiàn)象的表面?zhèn)鲗碗娮臃懦鲈取?br> (實施方式8)
作為實施方式8，說明本發(fā)明的電子儀器的具體例。
圖20A是表示移動電話機之一例的立體圖。圖20A中，符號600表示移動電話機主體，符號601表示具備上述實施方式的液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖20B是表示字處理器、個人計算機等便攜型信息處理裝置之一例的立體圖。圖20B中，符號700表示信息處理裝置，符號701表示鍵盤等輸入部，符號703表示信息處理主體，符號702表示具備上述實施方式的液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖20C是表示手表型電子儀器之一例的立體圖。圖20C中，符號800表示手表主體，符號801表示具備上述實施方式的液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖20A～圖20C中所示的電子儀器具備上述實施方式的液晶顯示裝置，可進行小型化、薄型化和高品質化。
另外，本實施方式的電子儀器具備液晶裝置，但也可以是具備有機場致發(fā)光顯示裝置、等離子體型顯示裝置等其它電光學裝置的電子儀器。
以上參照

了根據(jù)本發(fā)明的最佳實施方式例，但不用說，本發(fā)明不限于這些實例。上述實例中所示各構成部件的各形狀或組合等是一例，在不脫離本發(fā)明的精神的范圍下，可根據(jù)設計要求等進行各種變更。
例如，在上述實施方式中，在貯存格B2之間形成虛設圖案DP，但不限于此，也可以構成為不在虛設區(qū)域PO中形成貯存格B2，而配線虛設圖案DP，并且不必以一體線性配線虛設圖案，也可以是由間隔開配置的多個點構成的圖案。
另外，在上述實施方式中，沿電極圖案EP的排列參數(shù)來形成虛設圖案DP，但不限于此，也可以其它排列參數(shù)來形成虛設圖案DP。另外，在上述實施方式、例如圖3A中，示出以相同長度形成電極圖案EP與虛設圖案DP，但不限于此，就虛設圖案DP而言，如圖3B所示，最好是在長度方向上分別從電極圖案EP兩端突出的長度形成。
此時，即使是電極圖案的長度方向，也可以緩和電極圖案的干燥的不均勻性，使膜厚一定。
并且，在上述實施方式中，說明以一定間距排列電極圖案EP的結構，但也可以是以各不相同的多個間距排列的構成。此時，最好以平均這些多個間距的間距來形成虛設圖案DP。由此，可以防止電極圖案間溶劑蒸氣濃度差變得不均勻。
另外，說明了上述實施方式中形成的第2導電性膜為虛設圖案，但不限于此，也可以通過在端部設置連接端子來用作與電極圖案不同的連接配線。
并且，導電性膜和第2導電性膜未必由相同材料形成，也可以由不同材料來形成。
另外，上述實施方式中，使用使導電性微粒子分散到分散介質中的分散液構成的功能液，但不限于此，也可以使用例如在圖案形成后通過加熱等熱處理或光照射等光處理發(fā)現(xiàn)導電性的材料。
權利要求
1.一種器件的制造方法，其中，具有在基板上的所定圖案形成區(qū)域形成貯存格的工序；向所述貯存格間的溝槽內噴出液滴，形成導電性膜的工序；和向所述圖案形成區(qū)域的外側噴出液滴，形成與所述導電性膜電分離的第2導電性膜的工序。
2.一種器件，其中，具備基板；形成于所述基板上的貯存格；通過噴出液滴形成于所述貯存格間的溝槽內的所定圖案形成區(qū)域內的導電性膜，；和第2導電性膜，其配置在所述圖案形成區(qū)域的外側，并且與所述導電性膜電分離，并通過噴出液滴形成。
3.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于所述第2導電性膜，在所述圖案形成區(qū)域的外側中已形成的第2貯存格間的溝槽內形成。
4.根據(jù)權利要求3所述的器件，其特征在于所述貯存格與所述第2貯存格的至少一方，具有比各自之間的溝槽高的疏液性。
5.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于所述第2導電性膜，由與所述導電性膜相同的材料形成。
6.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于所述第2導電性膜，以與所述導電性膜大致相同的排列、且連續(xù)形成。
7.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于所述導電性膜，以各不相同的多個間距排列，所述第2導電性膜，以平均所述多個間距的間距來排列。
8.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于所述第2導電性膜，以在所述導電性膜的長度方向上分別從該導電性膜的兩端突出的長度形成。
9.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于所述第2導電性膜的端部是連接端子。
10.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于所述液滴包含金屬微粒子。
11.根據(jù)權利要求2所述的器件，其特征在于所述液滴，包含通過加熱或光照射而呈現(xiàn)導電性的材料。
12.一種電光學裝置，其中，具備權利要求2所述的器件。
13.一種電子儀器，其中，具備權利要求12所述的電光學裝置。
14.一種有源矩陣基板的制造方法，具有第1工序，在基板上形成柵極配線；第2工序，在所述柵極配線上形成柵極絕緣膜；第3工序，隔著所述柵極絕緣膜來層疊半導體層；第4工序，在所述柵極絕緣層上形成源電極和漏電極；第5工序，在所述源電極和所述漏電極上配置絕緣材料；和第6工序，在配置了所述絕緣材料之上形成象素電極，其中，在所述第1工序和所述第4工序及所述第6工序的至少一個工序中，使用權利要求1所述的器件制造方法。
全文摘要
提供一種器件，是在基板上形成貯存格，并通過液滴噴出在所述貯存格之間的溝槽內的所定圖案形成區(qū)域形成導電性膜的器件，其中，在所述圖案形成區(qū)域的外側，通過液滴噴出形成與所述導電性膜電分離的第2導電性膜。
文檔編號H05B33/10GK1573493SQ200410047688
公開日2005年2月2日 申請日期2004年5月26日 優(yōu)先權日2003年5月30日
發(fā)明者長谷井宏宣 申請人:精工愛普生株式會社