專利名稱：晶片導線架的精密單元結構制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種晶片導線架的精密單元結構制造方法，特別涉及一種運用直接鍍著方法，令特定金屬材附著而直接成型出晶片導線架之引指單元結構的制造方法。
背景技術：
習見的晶片導線架即花架構成方法、狀態(tài)，請參閱圖6所示，是以沖壓制造方法制作出具有復數針狀排列的引指101，以作為晶片20與外界導通的媒介，而其與晶片組成形態(tài)，如圖7所示，是令導線架10各引指101排設于一晶片20兩側下方，并選定晶片20與各引指101間分別連接有一金屬導線30即打線，藉此再于導線架10及晶片20外設有一封膠體40，俾將晶片20及金屬導線30等部位密封，并令針狀引指101凸露于封膠體40兩側，進而作為與外界導接的部位。
眾所周知，采用沖壓加工方法制作物品的形狀及尺寸，常受到模具精密度、損耗狀況及被加工物材質軟硬度等因素影響，使制成的物品形狀及尺寸難以控制，尤其在模具反復使用后，均有尺寸誤差增加的情形，而需一再進行校正，因此運用沖壓制造方法制作出導線架10的各引指101結構，難以控制其精密性及質量。其次，考慮引指101的材質選用時，是以低電阻值的銅(Cu)為最佳(1.6731W-cm，20℃)，但導電性仍以金(Au)最優(yōu)，因此，采用沖壓制造方法制作導線架10的引指101時，即無法直接將兩種材質結合，而必須于沖制成型后再進行鍍金等程序，相對的使制造程序復雜且成本提高。另外，習見導線架10是以針狀引指101外端凸伸于封膠體40兩側，除了致使整個組成后的電晶體體積無法縮減外，更增加引指101的電阻值，因此在現今電子元件需朝向精巧及高速率設計趨勢下，習見導線架結構形態(tài)及制造方法，無法滿足需求。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是要解決上述習見的導線架構成方法，存在的制造程序復雜、制成的導線架引指精度低及電阻值大、組成后的電晶體體積大的問題，而提供一種可克服上述缺點的晶片導線架的精密單元結構制造方法。
本發(fā)明之方法所說的導線架是依需求而構成有復數排列狀的金屬材質引指單元，其特征在于，各引指單元底面以直接鍍著金屬制造方法，直接成型有至少一導接部結構，以該導接部底端面形成有引指單元的外導接平面，并以導接部相鄰側的引指單元底面形成有內導接平面供與晶片導接，藉此構成晶片導線架的精密引指單元結構。其中，鍍著金屬的方式，可為電鍍法或無電鍍法或熱浸法或熔射噴鍍法或浸漬電鍍或滲透鍍金或真空蒸著鍍金或局部電鍍或電鑄等可使金屬附著于引指底面并直接成型的制造方法。
所述的導接部及其底端面的外導接平面，可直接鍍著成型于引指單元底面中間處。
所述的導接部及其底端面的外導接平面，可直接鍍著成型于引指單元底面外側處。
所述的引指單元底面可直接鍍著有復數導接部及其底端面的外導接平面。
本發(fā)明以直接鍍著的方法，使引指底面直接形成有至少一外導接平面，達成導線架結構體積縮小、尺寸精確及制造程序簡化等效果，并且因電阻的減小而使處理速度提高。


圖1為本發(fā)明導線架實施為四排引指的示意圖。
圖2為本發(fā)明導線架實施為二排引指的示意圖。
圖3為本發(fā)明鍍著導接部及外導接平面結構于引指底面略中間處的示意圖。
圖4為本發(fā)明鍍著導接部及外導接平面結構于引指底面外側處的示意圖。
圖5為本發(fā)明鍍著導接部及外導接平面結構的實施示意6為習見晶片導線架結構形狀的示意圖。
圖7為習見電晶體組成狀態(tài)的斷面結構示意圖。
具體實施例方式
請參閱各附圖所示，本發(fā)明之方法主要是針對晶片導線架1或稱花架的排列狀復數引指單元11或稱接腳的制造方法及結構的改進，藉此作為可提供晶片20貼置的導線架1，以獲得整體體積縮小、制造程序簡化及尺寸精確等多重效益增進。
請參閱如圖1、圖2所示，導線架1依據實際制造需求而構成有二排或四排或其它排列數目及位置的復數金屬材質引指單元11，在上端形成有至少一上置平面12，如圖3所示，以提供晶片20置放或接觸；但于各引指單元11的底面13選定處，是一直接鍍著特定金屬制造方式，而直接形成有至少一導接部14結構，以該導接部14的底端面15作為引指單元11的外導接平面A，并以導接部14相鄰側的引指單元11的底面13作為內導接平面B供與晶片20導接，藉此即構成本發(fā)明之晶片導線架精密單元結構。而可提供于各引指單元11的上置平面12共同承置至少一晶片20，且于內導接平面B處連接至少一金屬導線至晶片20，并可運用導接部14的底端面15所構成的外導接平面A與電路板等設備進行導接，令所述引指單元11成為晶片20與外界連通的介質。
如圖3所示，本發(fā)明采用直接鍍著金屬而構形出引指單元11結構的實施形態(tài)，可選定引指單元11的底面13略中間處，鍍著制造出所述的導接部14及外導接平面A結構，并形成該導接部14相鄰側具有內導接平面B，藉此構成導線架1的引指單元11；其次，如圖4所示，也可選定引指單元11的底面13外側緣面，鍍著制造出所述的導接部14及外導接平面A結構，并形成該導接部14相鄰內側具有內導接平面B，藉此構成導線架1；因此，本發(fā)明直接鍍著成型的導接部14及外導接平面A或內導接平面B的位置，并不局限于特定，且可是各引指單元11的導接部14均對齊或位置錯置狀，以防止焊錫相互沾粘，并防免發(fā)生電子干擾。同理，本發(fā)明引指單元11的導接部14及外導接平面A，并不局限于只鍍著一個，請參閱圖5所示，是可視實際需求而于一引指單元11底面13鍍著成型有復數個導接部14及外導接平面A結構，以作為與外界導通部位。
另外，本發(fā)明直接鍍著金屬而成型引指單元11的制造方法，是為現今技術上足以使金屬附著并且成型的一切方式，例如，電鍍法或無電鍍法或熱浸法或熔射噴鍍法或浸漬電鍍或滲透鍍金或真空蒸著鍍金或局部電鍍或電鑄等方法。且作為導接部14的金屬材質，是依據實際需求而在制造時選用，故可為一般高導電性的金(Au)或銀(Ag)等材料，也可為低電阻的銅(Cu)材或合金等，因此所述鍍著的特定金屬，其材質并不局限，均可視實際需求而簡易改變。
本發(fā)明之方法因避免采用習知沖壓制造方法形成導接部14或外導接平面A，因此可讓導接部14及外導接平面A形狀、尺寸，及與內導接平面B相對尺寸等精密度更臻穩(wěn)定，且容易精密地變更制成后的尺寸。其次，直接以鍍著制法形成引指單元11底面具有外導接平面A結構，可簡化習見必須沖壓外導接端形狀再另電鍍的多重制程，使導線架1組成方法更為簡易且降低制造成本。又因在引指單元11底面鍍著成型外導接平面A作為晶片20與外界接通的部位，故改善習見封膠體外側凸露引指結構而致使體積過大等缺憾，令導線架1及組成后的電晶體更臻縮小、精巧。另因縮短上置平面12與外導接平面A的傳遞距離，故可藉此降低電阻值，而增進引指單元11實際傳輸的速度。
權利要求
1.一種晶片導線架的精密單元結構制造方法，其中，導線架是依需求而構成有復數排列狀的金屬材質引指單元，其特征在于各引指單元底面以直接鍍著金屬制造方法成型有至少一導接部結構，以該導接部底端面形成有引指單元的外導接平面，并以導接部相鄰側的引指單元底面形成有內導接平面供與晶片導接。
2.根據權利要求1所述的一種晶片導線架的精密單元結構制造方法，其特征在于所述的導接部及其底端面的外導接平面，直接鍍著成型于引指單元底面中間處。
3.根據權利要求1所述的一種晶片導線架的精密單元結構制造方法，其特征在于所述的導接部及其底端面的外導接平面，直接鍍著成型于引指單元底面外側處。
4.根據權利要求1所述的一種晶片導線架的精密單元結構制造方法，其特征在于所述的引指單元底面直接鍍著有復數導接部及其底端面的外導接平面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片導線架的精密單元結構制造方法，其是在導線架的各引指底面處鍍著成型有至少一導接部，以該導接部的底面作為引指的外導接平面，并以導接部相鄰側的引指底面作為內導接平面供與晶片導接，藉此組成導線架的精密引指單元結構，以增進導接部及外導接平面的尺寸精密度，并縮減導線架體積，且可隨應用需求而采用適當材質，例如金、銀、銅或其它金屬等作為該導接部的鍍材，以獲得增進導電性、低電阻及簡化制造程序等效果。
文檔編號H05K3/00GK1747141SQ200410055398
公開日2006年3月15日 申請日期2004年9月8日 優(yōu)先權日2004年9月8日
發(fā)明者連世雄 申請人:宏連國際科技股份有限公司