專利名稱：高效有機發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜發(fā)光顯示板可實現(xiàn)高效發(fā)光的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可用于光源、信息顯示板等。
背景技術(shù)：
所謂干涉(共振)指的是由具有干涉性的多種波動重合所造成的波動現(xiàn)象，共振器指的是產(chǎn)生干涉(共振)的裝置、結(jié)構(gòu)。
通過在有機發(fā)光元件的前面設(shè)置半透明反射鏡，使往返光學長度為所希望的發(fā)光波長的整數(shù)倍而制得的共振器(微小共振器)，可使得發(fā)光光譜為單色，同時使發(fā)光峰值強度增強(參照以下專利文獻1中記載的“有機電致發(fā)光元件及其基板”)。
在圖6A中示出了該元件結(jié)構(gòu)。101為半透明反射膜、102為透明導(dǎo)電膜、103為空穴(ホ一ル)輸送層、104為發(fā)光層、105為電子輸送層、106為堿金屬化合物等的電子注入層、107為鋁等的陰極。涉及共振器結(jié)構(gòu)的物性在以下非專利文獻1中有詳細說明。
此外，為實現(xiàn)“透明發(fā)光板”的目的，提出了采用透明電極代替不透明的金屬電極的透明元件結(jié)構(gòu)(以下的專利文獻2等)。在圖6B中示出了該元件結(jié)構(gòu)的實例。102A、102B為透明導(dǎo)電膜、103為空穴輸入層、104為發(fā)光層、105為電子輸送層、106為堿金屬化合物等的電子注入層。
特開平8-213174號公報[專利文獻2]特開2002-231054號公報[非專利文獻1]T.Nakayama“Organic luminescent devices witha microcavity structure”，包含在“Organic electroluminescentmaterials and devices”中，由S.Miyata編輯，由Gorden & BreachScience Publisher(1997)出版發(fā)明內(nèi)容在高輝度發(fā)光用共振器結(jié)構(gòu)元件中，為實現(xiàn)高輝度、高效率，將元件內(nèi)部膜厚方向的電磁場分布最優(yōu)化設(shè)置是重要的(1990年，春季應(yīng)用物理學會，a-PB-11等)。但是，在現(xiàn)有的共振器結(jié)構(gòu)元件中，為調(diào)整元件的電荷平衡，幾乎沒有對電子輸送層的膜厚進行調(diào)整的自由度，因此幾乎不能調(diào)整從發(fā)光層發(fā)出、反射至金屬電極，并再次到達發(fā)光層時的電磁波的位相。透明元件結(jié)構(gòu)根本沒有使發(fā)出的光返回至元件內(nèi)部以發(fā)生共振的結(jié)構(gòu)，因此不能進行電磁場分布的最佳設(shè)計。
對于利用π電子發(fā)光的電致發(fā)光，發(fā)光時所用的分子主要可考慮由發(fā)光時利用的激發(fā)狀態(tài)將其分為2組。第1組為利用單線態(tài)激發(fā)狀態(tài)的分子，其特征為(1)內(nèi)部量子效率不超過25％，(2)激發(fā)狀態(tài)的遲豫時間(降低至發(fā)光強度的1/e時所需要的特性時間)較短(100ns以下)。
第2組為在發(fā)光時利用3線態(tài)激發(fā)狀態(tài)的組，其特征為(1)內(nèi)部量子效率超過25％，(2)激發(fā)狀態(tài)的遲豫時間較長(1微秒以上)、(3)與產(chǎn)生軌道—自旋交換相互作用的銥、鑭等重金屬結(jié)合(配位)。
激發(fā)狀態(tài)緩和壽命為數(shù)微秒以上較長的第2組材料，在直至激發(fā)狀態(tài)緩和的期間，從發(fā)光層長距離移動擴散。因此，在采用所述的發(fā)光材料的情況下，采用現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的共振器結(jié)構(gòu)元件時，到達金屬電極上的激發(fā)狀態(tài)失活，不發(fā)光，其問題是不能實現(xiàn)高輝度、高效率發(fā)光。
另外，以下為有機電致發(fā)光元件的原理。通過在一對電極膜間施加電場，向發(fā)光層中注入電子和空穴(正孔)，在發(fā)光層上電子與空穴(ホ一ル)再次結(jié)合形成激發(fā)子，利用該激發(fā)子使得發(fā)光層中的發(fā)光分子發(fā)光。但是，在有機電致發(fā)光元件中使用的發(fā)光層如上所述由多個有機薄膜形成，因此其膜厚充其量為數(shù)十nm的程度，在此形成的激發(fā)子的壽命較長的情況下等，到激發(fā)子消滅的期間其移動比薄膜厚度更長的距離，在移動至金屬電極膜的情況下，該激發(fā)子還未發(fā)光便直接消滅，所產(chǎn)生的問題是使得元件的發(fā)光效率降低。為解決該問題，采用未使激發(fā)子發(fā)光就不使其消滅的電極材料，或需要使金屬電極膜距激發(fā)子移動的區(qū)域足夠遠。
不發(fā)光便失活的問題可通過以下的結(jié)構(gòu)得以解決，其在陽極和陰極兩個電極上采用透明導(dǎo)電膜，在陽極和陰極的另外一側(cè)上均分別設(shè)置具有光反射功能的膜，在其間設(shè)置具有光共振器功能的結(jié)構(gòu)。
即，通過使共振器的長度(上下反射鏡之間的距離以及與由于反射產(chǎn)生的相移相當?shù)拈L度之和)為所需要的發(fā)光波長的整數(shù)倍，由行進波和反射波的干涉可在膜中形成恒定波。
通過調(diào)整透明電極的膜厚，使發(fā)光層的發(fā)光部分到達該恒定波振幅的波腹，可提高高輝度區(qū)域的效率。此外，由于在該結(jié)構(gòu)中不使用金屬膜作為電極，因此解決了現(xiàn)有共振器中所產(chǎn)生的到達金屬電極上的激發(fā)狀態(tài)非發(fā)光失活的現(xiàn)象。
圖1示出了本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)。在圖1A中，201為半透明反射膜、202A、202B為透明導(dǎo)電膜、203為空穴輸送層、204為發(fā)光層、205為電子輸送層、206為電子注入層，207為高反射、透過阻隔膜。
203-206為發(fā)光元件的半導(dǎo)體薄膜部分，對于該層的構(gòu)成，其可通過兼具電荷輸送功能或作用分離進行修正，與通常的有機LED一樣。
在實現(xiàn)半透明反射結(jié)構(gòu)201時，可通過層疊折射率不同的透明物質(zhì)，采用界面反射。另外，通過構(gòu)成多個界面，并且使這些界面之間光學距離的2倍和反射造成的相移距離的和為所希望的反射波長的整數(shù)倍，可使反射重疊。當然，也可以在透明導(dǎo)電膜外層的界面上利用該反射。
高反射、透過阻隔膜207如圖6B公知實例的元件，由于元件本身透明，為防止相對側(cè)的外光透過，將元件的發(fā)光聚集在單方向上，實現(xiàn)取出功能。
透過的外光強度與元件產(chǎn)生發(fā)出的光強度為同等程度，作為顯示器將在辨認性方面產(chǎn)生問題。這是與使用環(huán)境和用途相關(guān)的問題，例如當外光為50cd/m2時，優(yōu)選考慮使其下降至該量的1/10以下。
為構(gòu)成高反射、透過阻隔膜207，有通過多次層疊折射率不同的薄膜，使反射重疊的方法，與形成金屬反射的膜組合等的方法。作為與氧化膜等穩(wěn)定地層疊保持金屬反射用的金屬膜的方法，可在金屬反射面上形成作為保持膜(金屬反射光澤維持用低反應(yīng)性膜)的氮化硅，或者采用即使與陶瓷層疊也難以失去金屬光澤的鉻、鎢、鈦、金等作為金屬膜。
為抑制界面反應(yīng)有時會進一步進行低溫處理，有可根據(jù)用途使用鋁的情況。此外，由于在這些金屬膜無需作為電極的導(dǎo)電性，因此將與有機發(fā)光元件不同的基板上制作的金屬薄膜設(shè)置在元件附近也是有效的。另外，也可以采用在具有反射功能的膜結(jié)構(gòu)的外部組合阻隔外光的功能膜的方法。
作為空穴注入層206，可采用LiF等功函數(shù)減小的堿金屬化合物，形成為非連續(xù)膜的厚度為1nm的層。
在圖1A右側(cè)的說明圖中，由反射面使得上下往復(fù)的光按照箭頭所示的方向進入到元件中，而干涉或共振是由這些光重疊產(chǎn)生的。
圖1B中發(fā)光取出方向為與圖1A相反的陰極方向，并經(jīng)過半透明反射結(jié)構(gòu)201和高反射、透過阻隔膜207進入。
在圖1A和圖1B中，作為形成元件基底的基板可位于圖中層疊結(jié)構(gòu)的任何位置處。當然當基板位于光取出側(cè)時，根據(jù)用途需要其具有足夠的透明性能。
作為發(fā)光層材料，優(yōu)選其發(fā)光光譜與激發(fā)光譜重疊較多的材料，作為共振器的固有振動數(shù)(波長)，當采用該重合程度較強的值時效果較大。
對于共振器結(jié)構(gòu)有機發(fā)光元件的原理和構(gòu)成要件、層疊透明膜的透過特性等，在上述非專利文獻1中有詳細說明。共振器的光學長度可通過對發(fā)光角度依賴性或?qū)ψ兏ず竦脑嚇娱g進行比較等來進行驗證。
作為本發(fā)明的其它方案，其特征為在有機發(fā)光元件中按順序?qū)盈B金屬反射膜、氟化金屬薄膜、第一透明導(dǎo)電膜、發(fā)光層和第二透明導(dǎo)電膜。
在此所述的氟化金屬薄膜指的是由氟化了的金屬化合物形成的薄膜，是與金屬反射膜、透明導(dǎo)電膜的任何一種難以發(fā)生化學反應(yīng)的薄膜。其中可例舉出氟化鋰(LiF)、氟化鈰(CeF)等。
此外，所述的透明導(dǎo)電膜指的是在發(fā)光層發(fā)出的光波長區(qū)域具有透明性，并且兼具導(dǎo)電性的薄膜，例如可舉出ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)等。
此外，在以該次序?qū)盈B的層結(jié)構(gòu)中，也可根據(jù)需要加入其它層，各層也不必須為相接的結(jié)構(gòu)。作為這些其它層的實例，可舉出配置在透明電極和發(fā)光層之間的緩沖層等。
此外，作為其它方案，為采用有機電致發(fā)光元件的顯示處理，其特征為采用通過按順序?qū)盈B基板、金屬反射膜、氟化金屬薄膜、第一透明導(dǎo)電膜、發(fā)光層、第二透明導(dǎo)電膜形成的有機發(fā)光元件。
此外，作為第三方案，為采用有機電致發(fā)光元件的顯示裝置，其特征為采用通過按順序?qū)盈B金屬反射膜、氟化金屬薄膜、第一透明導(dǎo)電膜、發(fā)光層、第二透明導(dǎo)電膜和基板形成的有機發(fā)光元件。
此外，作為第四方案，為具有透明導(dǎo)電膜、氟化金屬薄膜、金屬膜層疊結(jié)構(gòu)的基板。
發(fā)明的效果通過本發(fā)明，可通過使共振器長度(上下反射鏡之間的距離以及與由于反射產(chǎn)生的相移相當?shù)拈L度之和)為所希望發(fā)光波長的整數(shù)倍，由行進波和反射波的干涉，在膜中形成恒定波。
通過調(diào)整透明電極的膜厚，使發(fā)光層的發(fā)光部分到達該恒定波振幅的波腹，可提高高輝度區(qū)域的效率。
此外，由于在該結(jié)構(gòu)中不使用金屬膜作為電極，因此解決了現(xiàn)有共振器中所產(chǎn)生的到達金屬電極上的激發(fā)狀態(tài)不發(fā)光失活的現(xiàn)象。
另外可提供高效率發(fā)光元件，以及使用該元件的顯示裝置。


圖1示出了本發(fā)明有機發(fā)光元件的基本結(jié)構(gòu)，圖1A為光向陰極側(cè)取出構(gòu)造的有機發(fā)光元件的基本結(jié)構(gòu)圖，圖1B為光向陽極側(cè)取出構(gòu)造的有機發(fā)光元件的基本結(jié)構(gòu)圖。
圖2示出了作為本發(fā)明實施例1的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，圖2A為光向陰極側(cè)取出的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖，圖2B為光向陽極側(cè)取出的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖。
圖3顯示了作為本發(fā)明實施例2的采用金屬反射、阻隔膜的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，圖3A為光向陰極側(cè)取出的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖，圖3B為光向陽極側(cè)取出的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖，圖3C-圖3F為各種結(jié)構(gòu)有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖。
圖4顯示了作為本發(fā)明實施例3的采用非反射阻隔膜的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，圖4A為光向陰極側(cè)取出的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖，圖4B為光向陽極側(cè)取出的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖，圖4C-圖4D為各種結(jié)構(gòu)有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖。
圖5為有機材料分子的結(jié)構(gòu)圖。
圖6為現(xiàn)有技術(shù)中有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖，圖6A為作為共振器結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖，圖6B為透明型有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖。
圖7為實施例4的有機電致發(fā)光元件的截面圖。
圖8為實施例5的有機電致發(fā)光元件的截面圖。
圖9為實施例6的有機電致發(fā)光元件的斜視圖。
圖10為實施例6的有機電致發(fā)光元件的截面圖。
圖11為實施例7的采用有機電致發(fā)光元件的顯示裝置的截面圖。
圖12為實施例8的采用有機電致發(fā)光元件的顯示裝置的截面圖。
圖13為實施例9的有機電致發(fā)光元件的截面圖。
圖14為實施例10的有機電致發(fā)光元件的截面圖。
圖15為實施例11的采用有機電致發(fā)光元件的顯示裝置的截面圖。
圖16顯示了實施例11中采用的發(fā)光層的分子結(jié)構(gòu)。
符號說明101半透明反射膜、102透明導(dǎo)電膜、102A、102B透明導(dǎo)電膜、103空穴輸送層、104發(fā)光層、105電子輸入層、106堿金屬化合物等的電子注入層、107鋁等的陰極、201半透明反射膜、202A、202B透明導(dǎo)電膜、203空穴輸入層、204發(fā)光層、205電子輸入層、206電子注入層、207高反射、透過阻隔膜、301半透明反射膜(氧化鈦TiO2(厚度為56nm)/氧化硅SiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)/氧化硅SiO2(厚度為89nm)的4層層疊膜)、302A、302B透明電極(ITO(氧化銦錫))、303空穴注入層(d-NPD)、304發(fā)光層(CBP+Ir(ppy)3)、305電子輸送層(ALQ)、306電子注入層(LiF(1.0nm))、307高反射率層(SiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)/氧化硅SiO2(厚度為89nm)/氧化鈦TiO2(厚度為56nm)/SiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)/SiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)的8層層疊膜)、401半透明反射膜、401A氮化硅膜、401B氧化硅膜、401C氮化硅膜、402A、402B透明電極(ITO(氧化銦錫))、403空穴注入層(d-NPD)、404發(fā)光層(CBP+Ir(ppy)3)、405電子輸送層(ALQ)、406電子注入層(LiF(1.0nm))、407高反射率層、407A氧化硅膜、407B氧化鈦膜、407C氮化硅膜、407D反射膜(鉻)、408A，408B玻璃基板、409空隙間距、410基板間封閉空間、501半透明反射層、501A氮化硅膜、501B氧化硅膜、501C氮化硅膜、502A、502B透明電極(ITO(氧化銦錫))、503空穴注入層(d-NPD)、504發(fā)光層(CBP+Ir(ppy)3)、505電子輸送層(ALQ)、506電子注入層(LiF(1.0nm))、507高反射率層、507A氧化硅膜、507B氧化鈦膜、508阻隔膜(鋁膜)、509空隙間距、510基板間封閉空間、511A，511B玻璃基板、601，701，801金屬反射膜、602，702，802氟化金屬薄膜、603，703，803第一透明導(dǎo)電膜、604發(fā)光層、605，705，809第二透明導(dǎo)電膜、606，814半透明反射膜、607金屬構(gòu)件、700，800基板、704，808發(fā)光層、804空穴注入層、805發(fā)光材料層、806電子輸入層、807電子注入層、810、812氧化硅、811，813氧化鈦具體實施方式
以下，對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。
實施例1
圖2顯示了本發(fā)明的實施例1。在圖2A中，作為半透明反射層301，在電介體薄膜上，使用從外側(cè)按順序?qū)盈B氧化鈦TiO2(厚度為56nm)/氧化硅SiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)/SiO2(厚度為89nm)的4層疊膜。在本結(jié)構(gòu)中，除了中間的3個界面以外，還有外部與TiO2界面、SiO2和透明電極302A的界面，共計5個面為反射面。
作為透明電極302A，由175nm的ITO(氧化銦錫)形成。作為空穴注入層303，由40nm的α-NPD形成，作為發(fā)光層304，由20nm混入了6體積％的Ir(ppy)3的CBP形成，作為電子輸送層305，由50nm的ALQ形成。(在圖5中分別示出了有機分子的結(jié)構(gòu)。)作為電子注入層306，由1.0nm的LiF形成。作為透明電極302B，由315nm的ITO(氧化銦錫)形成。
作為高反射率層307，使用電介體膜，是從發(fā)光層側(cè)按順序?qū)盈BSiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)/SiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)/SiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)/SiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)的8層層疊膜。
在該實施例中，通過改變層疊反射膜的層疊總數(shù)或?qū)盈B的反射界面數(shù)目，可使反射率增大、透過率減小，由此獲得半透明的反射層301和高反射率層307，但也可以采用通過改變層疊的膜厚來改變反射率的波長特性的方法。
圖2B的發(fā)光取出方向為與圖2A相反的陰極方向，經(jīng)過半透明反射結(jié)構(gòu)301和高反射、透過阻隔膜307的位置進入。同時，作為形成元件基底的基板，可在圖中層疊結(jié)構(gòu)的任何位置處?；蹇刹捎貌ＡЩ?、石英基板、透過樹脂基板等。此外，在基板位于與光取出方向相反的情況下，無需為透明基板，也可以使用不透明基板，或在透明基板上形成不透明結(jié)構(gòu)的基板。
實施例2圖3顯示了本發(fā)明的實施例2。圖3A、3B顯示的是在多層半透明反射膜(407A、407B、407A或401A、401B、401C)的外部上層疊作為反射膜的鉻薄膜(407C、407D)。作為提高封閉效率用的阻隔側(cè)，通過抑制從單側(cè)的透明電極側(cè)射出的光，僅從透明電極的另一側(cè)將發(fā)出的光取出。
在圖3A中，作為半透明反射層401，從外側(cè)按順序采用Si3N4/SiO2/Si3N4的3層層疊膜401A、401B、401C。該膜可兼用在制作有機LED顯示像素驅(qū)動用同一基板上形成薄膜晶體管時形成的薄膜等。通過對各自的膜厚進行程序?qū)咸幚?，使得其接近所希望波長的1/4，3/4、...(2n+1)/4倍，可獲得優(yōu)選的特性。
作為透明電極402A，由175nm的ITO(氧化銦錫)形成。作為空穴注入層403，由40nm的α-NPD形成，作為發(fā)光層404，由20nm混入了6體積％的Ir(ppy)3的CBP形成，作為電子輸送層405，由50nm的ALQ形成。作為電子注入層406，由1.0nm的LiF形成。作為透明電極402B，由315nm的ITO(氧化銦錫)形成。
作為反射層407A、407B，使用從發(fā)光層側(cè)按順序?qū)盈BSiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)/SiO2(厚度為89nm)的3層層疊膜407A、407B、407A。
作為金屬反射面結(jié)構(gòu)407C、407D，由氮化硅、鉻薄膜形成。作為提高封閉效率用的阻隔側(cè)，通過抑制從透明電極側(cè)402B射出的光，僅從透明電極402A的另一側(cè)將發(fā)出的光取出。
氮化硅407C作為保持金屬反射光澤用的反射面保護層(金屬反射光澤維持用低反應(yīng)性膜)使用，如果具有相同功能，也可以使用其它膜。鉻作為容易保持金屬反射面的金屬使用，如果可充分維持反射的話，也可以使用金以外的金屬或金屬光澤物質(zhì)等。在采用鉻、鎢、鈦等，通過使用低溫形成程序處理等直接形成在透明導(dǎo)電膜上，以獲得所需的反射特性的情況下，也可以省略氮化硅407C。
在圖3B中，作為提高封閉效率用的阻隔側(cè)，其通過抑制從透明電極402A側(cè)射出的光，僅從透明電極402B的另一側(cè)將發(fā)出的光取出。金屬反射面結(jié)構(gòu)407C、407D配置在半透明反射層401的層疊膜401A的外側(cè)上。
在圖3C中，圖3A的金屬反射面結(jié)構(gòu)407D所采用的結(jié)構(gòu)是形成在與發(fā)光元件不同的基板408B上，并與發(fā)光元件的基板408A貼合。在該結(jié)構(gòu)中，為了避免由于金屬膜407D與其下側(cè)的氧化膜等反應(yīng)，而使金屬反射功能降低的惡劣影響，由空隙間距409可省略金屬反射面結(jié)構(gòu)407C?；逯g的封閉空間410可為真空，也可以封入適當?shù)臍怏w。空隙距離409的長度具有以使反射層407A、407B、407A的界面反射重疊的方式進行取值的方法，或通過取相對于發(fā)光波長為足夠大的值，從而使干涉周期足夠小的方法。
圖3D是使圖3A中高反射、透過阻隔膜407僅為金屬反射面結(jié)構(gòu)407C、407D，省略了反射層407A、407B、407A的元件。在圖3D的結(jié)構(gòu)中，與圖3A的結(jié)構(gòu)相比，發(fā)光層404與金屬薄膜407D接近，可能增加激發(fā)子不發(fā)光消滅的概率，但是即使與公知實例的圖6A的結(jié)構(gòu)相比，二者的間隔也在3倍以上，因此仍然得到較大改善。
圖3E為使圖3A中高反射、透過阻隔膜407僅為金屬反射面結(jié)構(gòu)407C、407D，省略了半透明反射層401A、401B、401C的元件。
圖3F為圖3E中省略了半透明反射層401的元件。由該省略了的結(jié)構(gòu)，為獲得提高即使較小的效果的情況下，重要的是使半透明反射層401B和402B之間存在折射率差。在半透明反射層401B上使用氧化鈦的情況下，可在透明電極402B上使用折射率盡可能小的膜。相反，當在半透明反射層401B上使用氧化硅的情況下，由于透明電極402B的折射率比通常的要大，因此相反可使用折射率盡可能大的膜。
實施例3圖4顯示了本發(fā)明的實施例3。在圖4A的結(jié)構(gòu)中，用無反射功能的膜508代替圖3的金屬反射面結(jié)構(gòu)407C、407D。實現(xiàn)共振器功能的反射結(jié)構(gòu)為層疊反射膜507，無反射功能的膜508的作用僅發(fā)揮阻隔膜的作用，其防止從元件外部發(fā)出的光在光取出方向遺漏。
在圖4A中，作為半透明反射層501A、501B、501C，使從外側(cè)按順序采用Si3N4/SiO2/Si3N4的3層層疊膜。該膜可兼用在制作有機LED顯示像素驅(qū)動用同一基板上形成薄膜晶體管時形成的薄膜等。通過對各自膜厚進行程序?qū)咸幚?，使得其接近所希望波長的1/4，3/4、...(2n+1)/4倍，可獲得優(yōu)選的特性。
作為透明電極502A，由175nm的ITO形成。作為空穴注入層503，由50nm的α-NPD形成，作為發(fā)光層504，由20nm混入了6體積％的Ir(ppy)3的CBP形成，作為電子輸送層505，由50nm的ALQ形成。作為電子注入層506，由1.0nm的LiF形成。作為透明電極502B，由315nm的ITO形成。
作為反射層507A、507B，使用從發(fā)光層側(cè)按順序?qū)盈BSiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)/SiO2(厚度為89nm)/TiO2(厚度為56nm)的4層層疊膜。
作為阻隔層508，由1.5微米的鋁薄膜形成。通過在蒸鍍時采用熱或自然擴散反應(yīng)，在阻隔層508和反射層507的界面上金屬反射喪失，因此阻隔層508的功能主要是發(fā)揮阻隔膜的作用，其防止從元件外部發(fā)出的光在光取出方向遺漏。
阻隔層508只要為阻隔外光通過的膜(結(jié)構(gòu))，可采用任何結(jié)構(gòu)，可采用的膜(結(jié)構(gòu))為具有支援有機LED元件特性功能的膜，如使反射光在任意方向上擴散的功能，使反射光產(chǎn)生偏離的功能，對黑色膜、反射顏色進行修正的過濾器功能等。
圖4B為與圖4A相反側(cè)設(shè)置阻隔層508的結(jié)構(gòu)，光取出方向為相反的陰極側(cè)。
圖4C所采用的結(jié)構(gòu)是在與發(fā)光元件不同的基板511B上形成圖4A的阻隔膜結(jié)構(gòu)508，并將其與發(fā)光元件的基板511A貼合。在該情況下，由于不用在共振中利用阻隔膜結(jié)構(gòu)508的反射，因此間隙距離509可為任意的值?；彘g的封閉空間510可為真空，也可以封入適當?shù)臍怏w。
圖4D為省略圖4B的半透明反射層501的元件。采用該簡略結(jié)構(gòu)，為獲得提高即使較小的效果的情況下，重要的是使半透明反射層501B和透明電極502B之間存在折射率差。在半透明反射層501B上使用氧化鈦的情況下，可在透明電極502B上使用折射率盡可能小的膜。相反，當在半透明反射層501B上使用氧化硅的情況下，由于透明電極502B的折射率比通常的要大，因此相反可使用折射率盡可能大的膜。
實施例4圖7顯示了作為本實施例的有機電致發(fā)光元件。圖7的元件由金屬反射膜601、氟化金屬薄膜602、第一透明導(dǎo)電膜603、發(fā)光層604、第二透明導(dǎo)電膜605按順序?qū)盈B構(gòu)成。通過采用這種元件，在發(fā)光層604的兩側(cè)上配置透明導(dǎo)電膜，可將電子與空穴再次結(jié)合用的發(fā)光層和金屬電極之間的距離加大，同時在電極上無需使用金屬，因此可解決由于激發(fā)子在未進行發(fā)光直接消滅而造成元件發(fā)光效率降低的問題，可獲得發(fā)光效率較高的有機電致發(fā)光元件。圖7中箭頭顯示從該元件取出的發(fā)光的大致行進方向(這與其它圖相同)。
在本顯示元件中進一步在第一透明導(dǎo)電膜603和金屬反射膜601之間配置氟化金屬薄膜。這是為防止以下缺陷而設(shè)置的，即由于透明導(dǎo)電膜和金屬膜直接層疊時，二者發(fā)生化學反應(yīng)，結(jié)果使得在二者之間的界面處產(chǎn)生金屬氧化膜或透明導(dǎo)電膜氧缺乏等，反射率降低。氟化金屬薄膜602與金屬薄膜和透明導(dǎo)電膜中的任何一種薄膜相比其化學性能穩(wěn)定，不僅難以引起化學反應(yīng)，而且在發(fā)光層發(fā)光的區(qū)域大致透明。而且通過介入氟化金屬薄膜，可進一步確保發(fā)光層與金屬反射膜之間的距離。以上結(jié)構(gòu)可大致維持有機電致發(fā)光元件剛形成后的狀態(tài)，長時間地維持金屬膜的反射特性和透明導(dǎo)電膜的透明性、導(dǎo)電性，實現(xiàn)可高效率發(fā)光的有機電致發(fā)光元件。
實施例5圖8顯示了作為本實施方式的有機電致發(fā)光元件。圖8所示的有機電致發(fā)光元件除了上述實施方式1所示的有機電致發(fā)光元件以外，在第二透明導(dǎo)電膜605的發(fā)光層的相反側(cè)上進一步形成半透明反射層606，將該半透明反射層606和金屬反射膜601之間的光學距離進行調(diào)整，使其為發(fā)光層發(fā)出的光的峰值半波長的整數(shù)倍，構(gòu)成作為光共振器作用的結(jié)構(gòu)。作為本實施方式的元件除了具有實施例4所述元件的效果，而且可進一步在有機發(fā)光元件中保持光共振器的作用，并可從發(fā)光層發(fā)出的具有較寬半值寬的光獲得具有更窄半值寬，峰較強的光。此外，作為本實施方式的元件在半透明反射層606和金屬反射膜601之間具有兩個透明導(dǎo)電膜，由于其作為共振器作用，因此具有可更加容易地進行光學距離調(diào)節(jié)的優(yōu)點。其中半透明反射層606具有使發(fā)光層入射的一部分光通過，一部分光反射的功能的層。對具有該功能的層的結(jié)構(gòu)沒有特別限制，但是作為該層的優(yōu)選實例，可舉出由折射率不同的多個電介體膜層疊形成的由多層電介體薄膜形成的層。
本實施方式與實施例4之間存在的不同點是其可適用于其它的實施方式，而不是僅從屬實施例4的而不能發(fā)揮效果的。
實施例6實施例4中的有機電致發(fā)光元件在第一透明導(dǎo)電膜603和金屬反射膜601之間有氟化金屬薄膜，但是該膜顯示出絕緣性，因此直接使得驅(qū)動元件用的電流僅流經(jīng)第一透明導(dǎo)電膜603。但由于相對于金屬，透明導(dǎo)電膜電阻值較高，從發(fā)光效率的觀點出發(fā)，希望具有更低的電阻。因此，在本實施方式中通過金屬構(gòu)件607將第一透明導(dǎo)電膜和金屬反射膜電連接。在圖9中示出了作為本實施方式的有機電致發(fā)光元件的斜視圖，圖10(a)、(b)為包含圖9中A-A’、B-B’的與膜層疊方向平行的面上的部分截面圖。作為本實施方式的有機電致發(fā)光元件，幾乎具有與實施例4一樣的層疊結(jié)構(gòu)，但是金屬反射膜601具有比氟化金屬薄膜602和第一透明導(dǎo)電膜603更大的面積，為了進行連接需要花費時間，此外在該層疊結(jié)構(gòu)的一部分上設(shè)置除去發(fā)光層604和第二透明導(dǎo)電膜605的區(qū)域，在該處配置金屬構(gòu)件607來進行連接。在此進行連接用的金屬構(gòu)件607優(yōu)選為難以氧化的材料，更優(yōu)選為金等。
以上所述本實施方式的有機電致發(fā)光元件可采用更低電阻，使得電消耗降低，實現(xiàn)高效化。
當然，本實施方式與實施例4之間存在的不同點是其可適用于其它的實施方式，而不是僅從屬實施例4的而不能發(fā)揮效果的。
實施例7通過在多個基板上配置上述各個實施方式中的有機電致發(fā)光元件，可作為顯示裝置使用。以下對該實施方式進行說明。
作為本實施方式的顯示裝置，其具有圖11所示的結(jié)構(gòu)，具體由基板700、金屬反射膜701、氟化金屬薄膜702、第一透明導(dǎo)電膜703、發(fā)光層704、第二透明導(dǎo)電膜705按順序?qū)盈B構(gòu)成。該結(jié)構(gòu)是被稱為頂部發(fā)射方式的顯示方式。具有該結(jié)構(gòu)的顯示裝置具有與上述實施方式1所述的相同效果，可大致維持有機電致發(fā)光元件剛形成后的狀態(tài)，長時間地維持金屬膜的反射特性和透明導(dǎo)電膜的透明性、導(dǎo)電性，實現(xiàn)可高效率發(fā)光的顯示裝置。
本實施方式的顯示裝置可采用實施例4的有機電致發(fā)光元件，但使用其它實施方式的有機電致發(fā)光元件也可充分實現(xiàn)頂部發(fā)射方式的顯示裝置。
實施例8本實施方式顯示了在基板上配置多個有機電致發(fā)光元件形成的其它顯示裝置的實施方式。
作為本實施方式的顯示裝置，其具有圖12所示的結(jié)構(gòu)，具體地由基板700、第二透明導(dǎo)電膜705、發(fā)光層704、第一透明導(dǎo)電膜703、氟化金屬薄膜702、金屬反射膜701按順序?qū)盈B構(gòu)成。在本說明中對第二透明導(dǎo)電膜705以下的第一透明導(dǎo)電膜703進行說明，但是從其與其它實施方式的關(guān)系看，容易理解配置之間的關(guān)系，因此可進行區(qū)分。該結(jié)構(gòu)是被稱為底部發(fā)射方式的顯示方式，從發(fā)光層發(fā)出的光通過基板700后，到達觀測者。
根據(jù)本實施方式，也可大致維持有機電致發(fā)光元件剛形成后的狀態(tài)，長時間地維持金屬膜的反射特性和透明導(dǎo)電膜的透明性、導(dǎo)電性，實現(xiàn)可高效率發(fā)光的顯示裝置。
當然，本實施方式的顯示裝置可采用實施例4的有機電致發(fā)光元件，但也使用其它實施方式的有機電致發(fā)光元件，特別是采用實施例5的顯示裝置時，可形成由基板、半透明反射膜、第二透明導(dǎo)電膜、發(fā)光層、第一透明導(dǎo)電膜、氟化金屬薄膜、金屬反射膜按順序?qū)盈B的結(jié)構(gòu)。
實施例9作為本實施方式的有機電致發(fā)光元件具有金屬反射膜，入射到該膜中的光被反射至發(fā)光層側(cè)。在該情況下，由于金屬反射膜最大限度地利用從發(fā)光層發(fā)出的光，是比較有用的，因此優(yōu)選該膜具有與發(fā)光部分相同或更大的面積，將發(fā)光層覆蓋住。對于該結(jié)構(gòu)形式通過圖13(a)、(b)進行例舉說明。在該情況下，應(yīng)該抑制金屬反射膜和透明導(dǎo)電膜之間的反應(yīng)，優(yōu)選適宜的氟化金屬薄膜也具有與發(fā)光部分相同或更大的面積，將發(fā)光層覆蓋住。例如在其中的圖13(a)中，金屬反射膜701和氟化金屬薄膜702比發(fā)光層面積形成得更大。在該情況下，這些膜可共同地用于多個有機發(fā)光元件上，也是特別有用的。此外，圖13(b)顯示的構(gòu)成實例為氟化金屬薄膜702形成得比發(fā)光層704面積更大的情形。
實施例10本實施方式為與實施例9一樣的情形，顯示了在底部反射方式的情況下的其它結(jié)構(gòu)形式。其示于圖14(a)、(b)。圖14(a)中，氟化金屬薄膜702是被覆第二透明薄膜705，發(fā)光層704，第一透明薄膜703而構(gòu)成的。在圖14(b)中，氟化金屬薄膜702和金屬反射膜701是被覆第二透明薄膜705，發(fā)光層704和第一透明薄膜703而構(gòu)成的。當然在該情況下，即使半透明反射膜被設(shè)置在第二透明薄膜705和基板700之間，也同樣優(yōu)選以上述方式進行覆蓋。
實施例11圖15顯示了作為本實施方式的顯示裝置。該圖的顯示裝置為所謂頂部發(fā)射方式的顯示裝置，其具有由基板800、由膜厚為150nm的鋁膜形成的金屬反射膜801、由膜厚為10nm的氟化鋰(LiF)形成的氟化金屬薄膜802、由膜厚為150nm的ITO形成的第一透明導(dǎo)電膜803、以及由膜厚為40nm的d-NPD形成的空穴注入層804，由膜厚為20nm并混入了6體積％的PtOEP的CBP形成的發(fā)光材料層805，由膜厚為50nm的ALQ(鋁喹啉)形成的電子輸送層806，由膜厚為1nm的LiF形成的電子注入層807的4層構(gòu)成發(fā)光層808、由膜厚為140nm的ITO形成的第二透明導(dǎo)電膜809、以及由膜厚為89nm的氧化硅810，膜厚為56nm的氧化鈦811，膜厚為89nm的氧化硅812，膜厚為56nm的氧化鈦813形成的4層層疊多層電介膜構(gòu)成的半透明反射層814構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。由該結(jié)構(gòu)通過向本實施方式的顯示裝置的第一和第二透明電極之間施加直流電壓可產(chǎn)生發(fā)光。其中上述發(fā)光層中的材料示于圖16。
在此，作為確定第一和第二透明導(dǎo)電膜膜厚的條件，包括激發(fā)子壽命、擴散距離以及為使有機電致發(fā)光元件進一步作為共振器結(jié)構(gòu)的半透明反射層和金屬反射膜之間的光學距離。透明導(dǎo)電膜膜厚越厚，則可降低不發(fā)光直接消滅的激發(fā)子比例。但是過厚的話，其可能失去作為光共振器的功能，因此需要注意。作為其界限，可考慮為峰波長的5倍。在本實施例中第一透明導(dǎo)電膜803為150nm，在熒光測定中可確定發(fā)光壽命與是否有金屬膜無關(guān)，幾乎相同。
由以上所述的本實施例，可實現(xiàn)采用所述有機電致發(fā)光元件的顯示裝置，該元件大致維持有機電致發(fā)光元件剛形成后的狀態(tài)，長時間地維持金屬膜的反射特性和透明導(dǎo)電膜的透明性、導(dǎo)電性，并可高效率發(fā)光。
在本實施例中如果不需要其作為光共振器時，可從結(jié)構(gòu)中除去半透明反射膜814。此外，通過應(yīng)用本實施例還可充分實現(xiàn)底部發(fā)光方式的顯示裝置。
此外，在有機電致發(fā)光元件中，發(fā)光時可利用發(fā)光層中的3重激發(fā)狀態(tài)，此時，激發(fā)子的壽命長，本發(fā)明的功能更加有用。作為迄今已知的材料，任何一種的熒光強度的1/e減少特性時間都比1微秒要長。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光元件，是采用有機薄膜發(fā)光的有機發(fā)光元件，其特征為在陽極和陰極兩個電極上采用透明導(dǎo)電膜，在陽極和陰極的外側(cè)上分別設(shè)置具有光反射功能的膜。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有電介體膜或其層疊膜，作為使至少一個電極具有光反射功能的結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有機發(fā)光元件，其特征為通過使單側(cè)電極外部的反射功能膜和附隨在其上的膜具有高反射率或高吸收率并將其作為阻隔側(cè)，從而利用僅在該相對電極側(cè)單方向上取出的光。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光元件，其特征為作為阻隔側(cè)結(jié)構(gòu)，包含進行反射的金屬部分。
5.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有金屬反射膜/金屬反射光澤維持用低反應(yīng)性膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
6.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有鉻膜/氮化硅膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
7.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光元件，其特征為作為阻隔側(cè)結(jié)構(gòu)，其包含位于有機發(fā)光元件基板外部上另外設(shè)置的基板和在基板上的膜結(jié)構(gòu)。
8.一種有機發(fā)光元件，其特征為在陽極和陰極兩個電極上采用透明導(dǎo)電膜，在陽極和陰極的外側(cè)上分別設(shè)置具有光反射功能的膜，由此使得其間具有光共振器的功能。
9.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有電介體膜或其層疊膜，作為使至少一個電極具有光反射功能的結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求8或9所述的有機發(fā)光元件，其特征為通過使單側(cè)電極外部的反射功能膜和附隨在其上的膜具有高反射率或高吸收率并將其作為阻隔側(cè)，從而利用僅在該相對電極側(cè)單方向上取出的光。
11.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光元件，其特征為作為阻隔側(cè)結(jié)構(gòu)，包含進行反射的金屬部分。
12.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有金屬反射膜/金屬反射光澤維持用低反應(yīng)性膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
13.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有鉻膜/氮化硅膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
14.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光元件，其特征為作為阻隔側(cè)結(jié)構(gòu)，包含位于有機發(fā)光元件基板外部上另外設(shè)置的基板和在基板上的膜結(jié)構(gòu)。
15.一種有機發(fā)光元件，是采用發(fā)光遲豫時間在1微秒以上的發(fā)光分子的有機發(fā)光元件，其特征為在陽極和陰極兩個電極上采用透明導(dǎo)電膜，在陽極和陰極的外側(cè)上分別設(shè)置具有光反射功能的膜，由此使得其間具有光共振器的功能。
16.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有電介體膜或其層疊膜，作為使至少一個電極具有光反射功能的結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求15或16所述的有機發(fā)光元件，其特征為通過使單側(cè)電極外部的反射功能膜和附隨在其上的膜具有高反射率或高吸收率并將其作為阻隔側(cè)，從而利用僅在該相對電極側(cè)單方向上取出的光。
18.如權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光元件，其特征為作為阻隔側(cè)結(jié)構(gòu)，包含進行反射的金屬部分。
19.如權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有金屬反射膜/金屬反射光澤維持用低反應(yīng)性膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
20.如權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有鉻膜/氮化硅膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
21.如權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光元件，其特征為作為阻隔側(cè)結(jié)構(gòu)，包含位于有機發(fā)光元件基板外部上另外設(shè)置的基板和在基板上的膜結(jié)構(gòu)。
22.一種有機發(fā)光元件，是采用利用3線態(tài)激發(fā)狀態(tài)的發(fā)光分子的有機發(fā)光元件，其特征為在陽極和陰極兩個電極上采用透明導(dǎo)電膜，在陽極和陰極的外側(cè)上分別設(shè)置具有光反射功能的膜，由此使得其間具有光共振器的功能。
23.如權(quán)利要求22所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有電介體膜或其層疊膜，作為使至少一個電極具有光反射功能的結(jié)構(gòu)。
24.如權(quán)利要求22或23所述的有機發(fā)光元件，其特征為通過使單側(cè)電極外部的反射功能膜和附隨在其上的膜具有高反射率或高吸收率并將其作為阻隔側(cè)，從而利用僅在該相對電極側(cè)單方向上取出的光。
25.如權(quán)利要求24所述的有機發(fā)光元件，其特征為作為阻隔側(cè)結(jié)構(gòu)，包含進行反射的金屬部分。
26.如權(quán)利要求25所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有金屬反射膜/金屬反射光澤維持用低反應(yīng)性膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
27.如權(quán)利要求25所述的有機發(fā)光元件，其特征為具有鉻膜/氮化硅膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
28.如權(quán)利要求24所述的有機發(fā)光元件，其特征為作為阻隔側(cè)結(jié)構(gòu)，包含位于有機發(fā)光元件基板外部上另外設(shè)置的基板和在基板上的膜結(jié)構(gòu)。
29.一種有機發(fā)光元件，其特征為具有金屬反射膜/金屬反射光澤維持用低反應(yīng)性膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
30.一種有機發(fā)光元件，其特征為具有鉻膜/氮化硅膜/透明電極電極的結(jié)構(gòu)作為透明電極側(cè)的反射鏡。
31.一種有機發(fā)光元件，其特征為其由金屬反射膜、氟化金屬薄膜、第一透明導(dǎo)電膜、發(fā)光層和第二透明導(dǎo)電膜按順序?qū)盈B而成。
32.如權(quán)利要求31所述的有機發(fā)光元件，其特征為在所述第二透明導(dǎo)電膜上進一步層疊半透明反射層。
33.如權(quán)利要求31所述的有機發(fā)光元件，其特征為通過金屬構(gòu)件將所述第一透明導(dǎo)電膜和所述金屬反射膜相連。
34.一種采用有機發(fā)光元件的顯示裝置，其特征為有機發(fā)光元件由基板、金屬反射膜、氟化金屬薄膜、第一透明導(dǎo)電膜、發(fā)光層和第二透明導(dǎo)電膜按順序?qū)盈B而成。
35.如權(quán)利要求34所述的顯示裝置，其特征為在所述第二透明導(dǎo)電膜上進一步層疊半透明反射層。
36.如權(quán)利要求34所述的顯示裝置，其特征為通過金屬構(gòu)件將所述第一透明導(dǎo)電膜和所述金屬反射膜相連。
37.一種采用有機發(fā)光元件的顯示裝置，其特征為有機發(fā)光元件由金屬反射膜、氟化金屬薄膜、第一透明導(dǎo)電膜、發(fā)光層、第二透明導(dǎo)電膜和基板按順序?qū)盈B而成。
38.如權(quán)利要求37所述的顯示裝置，其特征為在所述第二透明導(dǎo)電膜和所述基板之間具有半透明反射層。
39.如權(quán)利要求37所述的顯示裝置，其特征為通過金屬構(gòu)件將所述第一透明導(dǎo)電膜和所述金屬反射膜相連。
40.一種具有透明導(dǎo)電膜、氟化金屬薄膜、金屬膜的層疊結(jié)構(gòu)的基板。
全文摘要
在現(xiàn)有的共振器結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件中，為調(diào)整發(fā)光元件的電荷平衡，幾乎沒有對電子輸送層的膜厚進行調(diào)整的自由度，因此幾乎不能調(diào)整從發(fā)光層發(fā)出、反射至金屬電極，并再次到達發(fā)光層時的電磁波的位相。此外，由于激發(fā)狀態(tài)緩和壽命為數(shù)微秒以上較長的材料，在直至激發(fā)狀態(tài)緩和的期間，從發(fā)光層長距離移動擴散。因此，在現(xiàn)有的共振器結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件中，到達金屬電極上的激發(fā)狀態(tài)失活，不發(fā)光，不能實現(xiàn)高輝度、高效率發(fā)光。本發(fā)明提供一種有機發(fā)光元件，其具有空穴輸送層203、發(fā)光層204、電子輸送層205、電子注入層206，其中在陽極202A和陰極202B的兩個電極上采用透明導(dǎo)電膜，在各自另外一側(cè)上設(shè)置具有光反射功能的膜201、207，其間設(shè)置具有光共振器功能的結(jié)構(gòu)，由此可同時解決上述兩個問題。本發(fā)明的有機發(fā)光元件可高效，防止在高輝度側(cè)效率降低，并可導(dǎo)入共振器的效果。
文檔編號H05B33/00GK1592525SQ20041006443
公開日2005年3月9日 申請日期2004年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月27日
發(fā)明者中山隆博, 村上元, 清水政男 申請人:株式會社日立顯示器