專利名稱：薄膜晶體管、顯示器及其制造方法、及施主薄片制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管(TFT)，具有該TFT的平板顯示器，制造TFT的方法，制造柔性平板顯示器的方法，以及制造施主薄片的方法，尤其是涉及在至少一個(gè)溝道內(nèi)使用毫微粒子的TFT，具有該TFT的平板顯示器，制造TFT的方法，制造平板顯示器的方法，以及制造施主薄片的方法。
背景技術(shù)：
平板顯示器例如液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器或無(wú)機(jī)光二極管顯示器，按照驅(qū)動(dòng)方法分成使用無(wú)源驅(qū)動(dòng)方法的無(wú)源(PM)平板顯示器和使用有源驅(qū)動(dòng)方法的有源(AM)平板顯示器。
在PM平板顯示器中，陽(yáng)極和陰極分別排列成多個(gè)列和行，并且掃描信號(hào)由行驅(qū)動(dòng)電路提供給陰極。在這種情況下，只選擇了多行中的一行。另外，數(shù)據(jù)信號(hào)由列驅(qū)動(dòng)電路輸入到每個(gè)像素內(nèi)。
AM平板顯示器廣泛用作顯示器，所述AM平板顯示器使用薄膜晶體管(TFT)控制輸入每個(gè)像素的信號(hào)，并且能處理巨大量信號(hào)以實(shí)現(xiàn)活動(dòng)圖像。
AM平板顯示器的TFT包括半導(dǎo)體有源層、柵極、以及源極/漏極，所述半導(dǎo)體有源層具有摻雜高濃度雜質(zhì)的源極/漏極區(qū)和形成在源極/漏極區(qū)之間的溝道區(qū)，所述柵極與所述半導(dǎo)體有源層絕緣并且放置在與所述溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，所述源極/漏極各自接觸各個(gè)源極/漏極區(qū)。
半導(dǎo)體有源層通常由非晶硅或多晶硅構(gòu)成。在低溫下可以沉積非晶硅。然而，當(dāng)半導(dǎo)體有源層由非晶硅構(gòu)成時(shí)，降低了電特性及可靠性，并且不能容易地增大顯示器區(qū)域。近來(lái)，多晶硅廣泛用于形成半導(dǎo)體有源層。多晶硅具有幾十至幾百cm2/V·s的高電流運(yùn)動(dòng)和低射頻操作特性以及低漏電流值，因此非常適合用于高清晰度和大尺寸平板顯示器。
然而，當(dāng)半導(dǎo)體有源層由多晶硅構(gòu)成時(shí)，需要執(zhí)行使非晶硅結(jié)晶成多晶硅的結(jié)晶過(guò)程。這包括加熱到300℃高溫或更高。
優(yōu)選地，通過(guò)對(duì)平板顯示器施加預(yù)定壓力，平板顯示器應(yīng)該能彎曲到某一程度，提供足夠的視角，或者以便顯示器可以用于便攜式產(chǎn)品，例如臂章、背包或筆記本電腦。
然而，當(dāng)使用常規(guī)方法由多晶硅形成TFT時(shí)，難以獲得柔性平板顯示器。換句話說(shuō)，為了制造柔性產(chǎn)品，應(yīng)該在包括襯底的大部分元件內(nèi)使用柔性材料，例如丙烯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚酯、聚脂薄膜、以及其它塑料材料。這些塑料材料具有低耐熱性，如果目前當(dāng)形成多晶體時(shí)，則這些材料將也不能很好地忍受熱量。因此，為了制造用于柔性產(chǎn)品的平板顯示器內(nèi)的TFT，需要一種在塑料材料能承受的溫度下形成結(jié)構(gòu)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種用于平板顯示器的改進(jìn)設(shè)計(jì)。
本發(fā)明的目的也是提供一種用于平板顯示器的設(shè)計(jì)，所述平板顯示器使用具有超級(jí)電特性而又具有柔性的TFT。
另外的目的是提供一種用于TFYT和平板顯示器的設(shè)計(jì)，所述平板顯示器使用新的TFT，其中TFT的有源層包括毫微粒子。
本發(fā)明的目的還是提供一種用于制造新TFT的方法以及一種用于制造新平板顯示器的方法，所述平板顯示器使用新的TFT，其中毫微粒子結(jié)合在TFT的有源層內(nèi)。
通過(guò)具有超級(jí)特性并能在室溫下制造的薄膜晶體管(TFT)、具有同樣TFT的平板顯示器、制造TFT的方法、制造平板顯示器的方法、以及制造施主薄片的方法可以實(shí)現(xiàn)這些及其他目的。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管放置在襯底上并且包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)至少具有一個(gè)縱向排列的P型或N型毫微粒子，其中所述P型或N型毫微粒子的縱向方向平行于在襯底上隔開(kāi)的P型或N型毫微粒子線。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括放置在襯底上的P型薄膜晶體管和放置在襯底上的N型薄膜晶體管，所述P型薄膜晶體管包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)至少具有一個(gè)縱向排列的P型毫微粒子，所述N型薄膜晶體管包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)至少具有一個(gè)縱向排列的N型毫微粒子；其中所述P型和N型毫微粒子各自的縱向方向平行于襯底上隔開(kāi)的各個(gè)P型和N型毫微粒子線。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種平板顯示器，所述平板顯示器包括襯底、發(fā)射區(qū)、以及位于各個(gè)像素內(nèi)的多個(gè)選擇驅(qū)動(dòng)電路，所述發(fā)射區(qū)放置在所述襯底上，并且多個(gè)像素位于所述發(fā)射區(qū)內(nèi)，每個(gè)選擇驅(qū)動(dòng)電路包括至少一個(gè)薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)包括至少一種縱向排列的毫微粒子，所述毫微粒子的縱向方向平行于在所述襯底上隔開(kāi)的毫微粒子線。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種平板顯示器，所述平板顯示器包括發(fā)射區(qū)和非發(fā)射區(qū)，多個(gè)P型和N型薄膜晶體管中的至少一種位于所述發(fā)射區(qū)內(nèi)，P型薄膜晶體管和/或N型薄膜晶體管位于所述非發(fā)射區(qū)內(nèi)，位于所述發(fā)射區(qū)和所述非發(fā)射區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管之中的同類型薄膜晶體管的至少一個(gè)溝道區(qū)的縱向彼此平行。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種制造具有半導(dǎo)體有源層的薄膜晶體管的方法，所述方法包括隔開(kāi)多個(gè)毫微粒子線；在包括至少一種沿著各個(gè)毫微粒子線的毫微粒子的線上形成毫微層；以及通過(guò)模制所述毫微層而形成有源層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制造平板顯示器的方法，所述平板顯示器包括發(fā)射區(qū)和選擇驅(qū)動(dòng)電路，多個(gè)像素位于所述發(fā)射區(qū)內(nèi)，所述選擇驅(qū)動(dòng)電路包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括位于每個(gè)像素內(nèi)的半導(dǎo)體有源層，所述方法包括隔開(kāi)多個(gè)毫微粒子線；在包括至少一種沿著各個(gè)毫微粒子線的毫微粒子的線上形成毫微層；以及通過(guò)模制所述毫微層而形成有源層。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種制造施主薄片的方法，所述方法包括準(zhǔn)備薄膜，所述薄膜的一側(cè)由光熱轉(zhuǎn)換層構(gòu)成；準(zhǔn)備儲(chǔ)水器以便P型或N型毫微粒子漂浮在儲(chǔ)存的溶液內(nèi)；將所述毫微粒子集中到一側(cè)；使所述薄膜能穿過(guò)所述儲(chǔ)水器內(nèi)的溶液，以便所述毫微粒子粘附到所述薄膜的光熱轉(zhuǎn)換層；以及干燥所述薄膜。


通過(guò)參考下面結(jié)合附圖時(shí)的詳細(xì)描述，本發(fā)明的更完整評(píng)價(jià)及其許多附帶優(yōu)點(diǎn)由于變得更好理解而顯而易見(jiàn)，附圖中類似附圖標(biāo)記表示相同或類似部件，其中圖1是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的平板顯示器的示意平面圖；圖2是圖1平板顯示器的發(fā)射區(qū)和非發(fā)射區(qū)內(nèi)的電路的電路圖；圖3是圖2中各種TFT和OLED的發(fā)射區(qū)和非發(fā)射區(qū)的橫剖視圖；圖4是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的平板顯示器的有源層的示意平面圖；圖5是圖解形成用于構(gòu)成有源層的毫微層的情形的平面圖；圖6A和圖6B分別是在依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例形成圖5中所示毫微層的方法中使用的PDMS高分子模型的示意透視圖和示意平面圖；圖7A-7C是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例形成圖5中所示毫微層的方法的橫剖視圖；圖8是在圖7A-7C所示的方法中使用的施主薄片的橫剖視圖；圖9A和圖9B圖解依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造圖8中所示施主薄片的方法。
圖10是通過(guò)圖9A和圖9B中所示方法制造的施主薄片的平面圖；圖11是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的平板顯示器的有源層的示意平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向附圖，圖1是(OLED)平板顯示器1的發(fā)射區(qū)10和非發(fā)射區(qū)20的示意圖。布置有OLED和選擇驅(qū)動(dòng)電路的多個(gè)子像素位于顯示器1的發(fā)射區(qū)10內(nèi)。用于驅(qū)動(dòng)子像素的水平驅(qū)動(dòng)器(HD)和/或垂直驅(qū)動(dòng)器(VD)位于非發(fā)射區(qū)20內(nèi)。圖1在非發(fā)射區(qū)20內(nèi)只示出VD，但多個(gè)電路例如HD或電平移相器可以位于非發(fā)射區(qū)20內(nèi)。另外，連接到外部電路的端子部分和密封發(fā)射區(qū)10的密封部分等位于非發(fā)射區(qū)20內(nèi)。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖2，圖2是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED的位于發(fā)射區(qū)10內(nèi)的單位像素的選擇驅(qū)動(dòng)電路(SC)和位于非發(fā)射區(qū)20內(nèi)的垂直驅(qū)動(dòng)器(VD)內(nèi)的CMOS TFT 21的示意電路圖。電路圖不局限于圖2中圖解的電路圖，而且后面將要描述的本發(fā)明可以應(yīng)用于各種電路結(jié)構(gòu)。
在圖2所示的實(shí)施例中，P型毫微粒子線Pline(120a)和N型毫微粒子線Nline(120b)按照條形排列在襯底上，在多個(gè)線內(nèi)延伸并且被隔開(kāi)。至少TFT溝道區(qū)的縱向平行于毫微粒子線120。P型和N型毫微粒子線120是在襯底上隔開(kāi)的虛擬線，以便至少布置TFT溝道區(qū)。因此，TFT不需要形成在所有P型和N型毫微粒子線120內(nèi)，并且可以或可以不沿著毫微粒子線120形成。
在毫微粒子線120上用作半導(dǎo)體有源層溝道的毫微粒子定位成沿著毫微粒子線120。也就是，在制造過(guò)程期間可以沿著毫微粒子線120印刷毫微粒子。現(xiàn)在將對(duì)其進(jìn)行更詳細(xì)地描述。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖3，圖3是圖2的橫剖視圖，圖解驅(qū)動(dòng)TFT 11、開(kāi)關(guān)TFT 12和垂直驅(qū)動(dòng)器(VD)的CMOS TFT 21的橫截面。排列CMOS TFT 21以便N型TFT 22和P型TFT 23彼此結(jié)合。上述VD可以不只包括CMOS TFT 21。各種TFT和電路可以彼此相互連接以構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路。TFT 11、TFT 12、TFT22和TFT 23形成在襯底100上，并且排列在上述毫微粒子線之上。
襯底100可以由丙烯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚酯、聚脂薄膜或其它塑料材料構(gòu)成以具有柔性。對(duì)于襯底100而言也可能由一些其它材料構(gòu)成，例如玻璃。用于防止雜質(zhì)離子擴(kuò)散的緩沖層110在需要時(shí)可以有選擇地位于襯底100上。另外，沿著排列在襯底100上的毫微粒子線布置使用物理和化學(xué)方法已經(jīng)形成的毫微粒子并使其形成圖案，以便形成每個(gè)TFT 11、TFT 12、TFT 22和TFT 23的多個(gè)半導(dǎo)體有源層121、122、123和124各自的至少一個(gè)溝道。
如圖3中所示，在多個(gè)半導(dǎo)體有源層121、122、123和124上用氧化硅和/或氮化硅形成柵極絕緣層130，每個(gè)半導(dǎo)體有源層由毫微粒子構(gòu)成。通過(guò)導(dǎo)電金屬層例如MoW、Al、Cr、Al/Cu、以及Ti/Al/Ti等，每個(gè)TFT 11、TFT 12、TFT 22和TFT 23的柵極141、142、143和144形成在柵極絕緣層130上。
由氧化硅和/或氮化硅構(gòu)成的中間級(jí)介電(ILD)層150形成在柵極絕緣層130和柵極141、142、143、144上，并且每個(gè)TFT 11、TFT 12、TFT22和TFT 23的源極/漏極161、162、163和164布置在ILD層150上，以便與柵極141、142、143和144絕緣。源極/漏極161、162、163和164由例如MoW、Al、Cr、Al/Cu、以及Ti/Al/Ti等導(dǎo)電金屬層或?qū)щ娋酆衔飿?gòu)成。另外，源極/漏極161、162、163和164分別通過(guò)接觸孔150a、150b、150c和150d連接到有源層121、122、123和124各自的源極/漏極區(qū)，這樣產(chǎn)生TFT。當(dāng)形成柵極141、142、143，144和源極/漏極161、162、163、164時(shí)，存儲(chǔ)電容器Cst可以同時(shí)形成，并且由與用來(lái)制造TFT的材料相同的材料構(gòu)成。
由氧化硅和/或氮化硅等構(gòu)成的鈍化層170形成在源極/漏極161、162、163、164上，并且由丙烯、BCB或聚酰亞胺構(gòu)成的平面化層171形成在鈍化層170上。通孔170a貫穿鈍化層170和平面化層171，以便通過(guò)通孔170a以電方式暴露驅(qū)動(dòng)TFT 11的源極和漏極161中任何一個(gè)。鈍化層170和平面化層171不局限于上述結(jié)構(gòu)，并且可以僅僅組合成一層。
作為OLED下電極層的像素電極180形成在鈍化層171上。像素電極180通過(guò)通孔170a連接到源極和漏極161之一。
像素定義層185由如同有機(jī)材料例如丙烯、BCB或聚酰亞胺或者無(wú)機(jī)材料例如氧化硅或氮化硅的絕緣材料構(gòu)成。如圖2中所示，像素定義層185覆蓋TFT，例如選擇驅(qū)動(dòng)電路SC的驅(qū)動(dòng)TFT 11和開(kāi)關(guān)TFT 12，并且具有暴露像素電極180預(yù)定部分的開(kāi)孔。
具有發(fā)射層的有機(jī)膜190覆蓋暴露像素電極180的開(kāi)孔。有機(jī)膜190可以形成在像素定義層185的整個(gè)表面上。在這種情況下，在每個(gè)像素內(nèi)用紅色、綠色和藍(lán)色模制有機(jī)膜190的發(fā)射層，這樣可以實(shí)現(xiàn)全色。
如圖3中所示，像素定義層185可以不形成在垂直和/或水平驅(qū)動(dòng)器位于的非發(fā)射區(qū)20內(nèi)，但是本發(fā)明決不局限于這樣的結(jié)構(gòu)。
有機(jī)膜190形成之后，形成作為OLED下電極層的公共電極195。可以形成公共電極195以覆蓋所有像素，但不局限于這個(gè)約束，并且可以形成圖案。像素電極180和公共電極195可以通過(guò)有機(jī)膜190彼此絕緣，橫跨有機(jī)膜190施加不同極性的電壓，以便可以從有機(jī)膜190中發(fā)光。
像素電極180用作陽(yáng)極，公共電極195用作陰極，然而可能顛倒。像素電極180可以是透明電極或反射電極。透明電極可以用ITO(氧化錫銦)、IZO(氧化鋅銦)、ZnO或In2O3制造，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其混合物的反射層形成之后，使用ITO、IZO、ZnO或In2O3的反射電極可以形成在反射層上。
公共電極195也可以是透明電極或反射電極。當(dāng)透明電極用作公共電極195時(shí)，由于公共電極195用作具有小工作函數(shù)的陰極金屬，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及其混合物沉積到有機(jī)膜190，輔助電極層或總線電極線可以由用于形成透明電極的材料構(gòu)成，例如ITO、IZO、ZnO或In2O3。通過(guò)在OLED整個(gè)表面上沉積金屬，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及其混合物，形成反射電極。
有機(jī)膜190可以是低分子或高分子有機(jī)層。當(dāng)?shù)头肿佑袡C(jī)層用作有機(jī)膜190時(shí)，通過(guò)在單個(gè)或復(fù)合結(jié)構(gòu)中堆疊空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、以及電子注入層(EIL)來(lái)形成低分子層，并且多種材料可以用作低分子有機(jī)層，例如酞酸銅(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯-對(duì)苯二銨基聯(lián)苯(NPB)、以及胺三羧甲基氨基甲烷-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。通過(guò)蒸汽沉積形成這些低分子有機(jī)層。
當(dāng)高分子有機(jī)層用作有機(jī)膜190時(shí)，高分子有機(jī)層通?？梢跃哂行纬蒆TL和EML的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，PEDOT用作HTL，并且高分子有機(jī)材料用作EML，例如聚苯烯次亞乙烯和聚芴。通過(guò)絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷等形成這些高分子有機(jī)層。
位于TFT 11、TFT 12、TFT 22和TFT 23的有源層內(nèi)的毫微粒子優(yōu)選為縱向延伸的毫微線，所述TFT 11、TFT 12、TFT 22和TFT 23存在于發(fā)射區(qū)10和非發(fā)射區(qū)20的驅(qū)動(dòng)器內(nèi)。至少一個(gè)或多個(gè)毫微粒子可以布置在每個(gè)TFT的各個(gè)有源層內(nèi)。有源層的溝道設(shè)計(jì)成平行于毫微線的縱向。本發(fā)明決不局限于此。相反，毫微粒子可以是毫微帶、毫微棒或毫微管以及可以形成在縱向上的毫微粒子。
在本發(fā)明中，有源層121、122、123和124由如上所述的毫微粒子構(gòu)成。如圖4中所示，沿著條形毫微粒子線120排列有源層。毫微粒子120包括P型毫微粒子線120a和N型毫微粒子線120b，并且不僅可以是條形而且可以是各種形狀，例如彎曲等。
沿著P型毫微粒子線120a排列驅(qū)動(dòng)TFT 11的有源層121、開(kāi)關(guān)TFT 12的有源層122、以及CMOS TFT 21的P型TFT 23的有源層124。沿著N型毫微粒子線120b排列CMOS TFT 21的N型TFT 22的有源層123。
P型和N型分類不局限于上述，而是可以根據(jù)每個(gè)單位像素10a內(nèi)的選擇驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和非發(fā)射區(qū)20內(nèi)的驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)而變化。也就是，單位像素10a內(nèi)的選擇驅(qū)動(dòng)電路SD的驅(qū)動(dòng)TFT 11的有源層121和開(kāi)關(guān)TFT12的有源層122中任何一個(gè)可以是N型，或者它們都可以是N型。當(dāng)兩個(gè)或多個(gè)TFT用作選擇驅(qū)動(dòng)電路SC時(shí)，P型和N型有源層都可以出現(xiàn)在單個(gè)單位像素10a內(nèi)。甚至在這種情況下，如圖4中所示，沿著沿著P型毫微粒子線120a和N型毫微粒子線120b排列和安置每個(gè)TFT的有源層。
如圖4中所示，P型毫微粒子線120a和N型毫微粒子線120b彼此不重疊。優(yōu)選地，P型毫微粒子線120a和N型毫微粒子線120b交替排列。因此，可以不把沿著毫微粒子線120排列和安置的TFT的有源層121、122、123、124排列和安置在單線上。換句話說(shuō)，如圖4中所示，可以把驅(qū)動(dòng)TFT 11的P型有源層121、開(kāi)關(guān)TFT 12的P型有源層122、以及CMOS TFT21的P型TFT 23的P型有源層124排列和安置在相同的P型毫微粒子線120a上。然而，P型有源層121、122、124以及N型CMOS TFT 21的N型TFT 22的N型有源層123都排列和安置在P型毫微粒子線120a和N型毫微粒子線120b上，它們彼此分開(kāi)。
通過(guò)這樣排列毫微層，布置在發(fā)射區(qū)10和非發(fā)射區(qū)20內(nèi)的TFT之中的同類型TFT按照這樣的方式布置，即至少它們的溝道區(qū)縱向彼此平行。也就是，如圖4中所示，驅(qū)動(dòng)TFT 11的有源層121、開(kāi)關(guān)TFT 12的有源層122、以及CMOS TFT 21的P型TFT23的有源層124都是P型有源層，它們排列和安置成彼此平行，并且CMOS TFT 23的N型TFT 22的有源層123排列和安置成彼此平行。盡管只有P型TFT 23位于發(fā)射區(qū)10內(nèi)，即使N型TFT 22位于發(fā)射區(qū)10內(nèi)，但位于非發(fā)射區(qū)20內(nèi)的N型TFT及其有源層排列成彼此平行。如圖4中所示，P型TFT和N型TFT彼此平行。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖5，圖5圖解由P型毫微粒子構(gòu)成的P型毫微層125以及由N型毫微粒子構(gòu)成的N型毫微層126，所述P型毫微粒子沿著P型毫微粒子線120a形成在襯底100上，而所述N型毫微粒子沿著N型毫微粒子線120b形成在襯底100上。如圖4中所示，通過(guò)依據(jù)毫微層125和126的設(shè)計(jì)圖案來(lái)圖案化毫微層125和126，可以形成有源層121、122、123、124。如圖5中所示，P型毫微層125和N型毫微層126可以形成為條形?？梢酝ㄟ^(guò)各種方法形成圖5中所示的毫微層125和126。
圖6A是在依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造OLED中使用的、用于涂覆微量流體的PDMS(或聚(二甲基硅氧烷))高分子模型200的示意透視圖，圖6B是圖6A的平面圖。例如，PDMS高分子模型200是由聚二甲基硅氧烷構(gòu)成的主體框架。為了形成具有圖5中所示圖案的P型毫微層125和N型毫微層126，在PDMS高分子模型200的下部上，縱向形成壓印線230，并且形成用于連接壓印線230的進(jìn)口210和出口220。壓印線230從下底面嵌入到預(yù)定深度，以便印刷通過(guò)進(jìn)口210注入的毫微粒子溶液。壓印線230的寬度可以是20-30m。
使用PDMS高分子模型200制造P型毫微層125和N型毫微層126的方法將在下文中描述。首先，準(zhǔn)備凈化的襯底100。在這種情況下，如圖3中所示，緩沖層110可以形成在襯底100上。接著，準(zhǔn)備具有毫微粒子的微量流體。毫微粒子是各種材料中任何一種材料的小粒子，例如包括CdS、CdSe和CdTe的IIB-VIA族化合物、包括GaAs的IIIA-VA族化合物、包括Si的IVA族元素以及它們的混合物、包括Ni、Co、Fe、Pt、Au、Ag及其化合物的金屬。然而，毫微粒子不局限于上面所述，并且可以由其它材料構(gòu)成。
可以通過(guò)物理和化學(xué)方法制造這些毫微粒子，將在下面描述形成毫微粒子的方法。毫微粒子可以通過(guò)化學(xué)方法形成并且具有核心，所述核心由包括CdS、CdSe和CdTe的IIB-VIA族化合物、包括GaAs的IIIA-VA組化合物、包括Si的IVA族元素和它們的化合物、包括Ni、Co、Fe、Pt、Au、Ag及其化合物的金屬、以及覆蓋核心的任一化合物構(gòu)成。
作為實(shí)例，形成(CdSe)ZnS毫微粒子的第一操作制造CdSe毫微粒子。眾所周知，毫微粒子的尺寸約為23-55A，并且尺寸分配差約為5-10％。通過(guò)執(zhí)行高溫膠體生長(zhǎng)處理過(guò)程和選擇毫微粒子尺寸的沉淀過(guò)程，形成這些CdSe毫微粒子。這里，高溫膠體生長(zhǎng)處理過(guò)程是這樣的過(guò)程，其中有機(jī)金屬前體快速注入高溫溶劑并且立刻產(chǎn)生均勻核子。用作Cd源的有機(jī)金屬前體包括堿性鎘化合物，例如CdMe2。用作Se源的適當(dāng)有機(jī)金屬化合物是三烴基-磷化氫硒化物，例如(TMS)2Se、TOPSe、TBPSe。隨后，在適當(dāng)溫度下用包括Zn的溶液和溶劑(例如TOP)內(nèi)的S前體涂覆CdSe粒子。二苯甲基鋅(Ditylzinc)和hexamethyldisilatine用作Zn和S的前體。
也可以通過(guò)各種物理方法形成毫微粒子，例如真空合成、氣相合成、凝相合成、使用電離集束的高速沉積、凝固、高速研磨、混合合金處理、沉積、以及Sol-Gel處理。然而，形成毫微粒子的方法不局限于上述方法。同樣，毫微粒子可以具有這些形狀，例如毫微線、毫微帶、毫微棒或具有單壁或多壁的毫微管。也可以通過(guò)下列方法形成毫微粒子。
(a)P型Si毫微線通過(guò)使用單體分布的金膠體粒子(由British Biocell InternationalLtd制造)作為催化劑熱沉積SiH4和B2H6來(lái)制造厚度為20-40nm的P型Si毫微線。在這種情況下，溫度在420和480℃之間，并且調(diào)節(jié)反應(yīng)器以便可以在8英寸管式爐內(nèi)執(zhí)行計(jì)算機(jī)控制的生長(zhǎng)。當(dāng)總壓力是30托時(shí)，硅烷的局部壓力約為2托，并且反應(yīng)時(shí)間是40分鐘?？紤]到摻雜程度，把SiH4對(duì)B2H6的比例調(diào)節(jié)成6400∶1。在這種情況下，毫微線的摻雜濃度估計(jì)約為4×10E+17cm-3。隨著摻雜程度增加，接觸電阻變得更低，而不必執(zhí)行高溫退火過(guò)程。參見(jiàn)Nature(自然)425，274-278(2003)。
(b)N型Si毫微線通過(guò)激光輔助催化生長(zhǎng)(LCG)來(lái)制造N型Si毫微線。簡(jiǎn)單地說(shuō)，通過(guò)使用Nd:YAG激光器的激光束(532nm，脈沖寬度為8ns，300mJ/脈沖，10Hz)融化金制目標(biāo)來(lái)來(lái)制造N型Si毫微線。通過(guò)這個(gè)簡(jiǎn)單方法產(chǎn)生的金制毫微簇催化粒子與SiH4氣體在反應(yīng)容器內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)，并且生長(zhǎng)成Si毫微線。在摻雜的情況下，通過(guò)把Au-P目標(biāo)(99.5∶0.5wt％，Alfa Aesar)和附助紅磷(99％，Alfa Aesar)放入反應(yīng)容器的氣體進(jìn)口內(nèi)，產(chǎn)生N型Si毫微線。參見(jiàn)J.Phys.Chem.B.，104，5213-5216(2000)。
(c)N型GaN毫微線使用氨氣(99.99％，Matheson)、鎵金屬(99.9999％，Alfa Aesar)、以及二氮化三鎂(Mg3N2，99.6％，Alfa Aesar)各自作為N、Ga、Mg源，通過(guò)金屬催化CVD形成N型GaN毫微線。在這種情況下，優(yōu)選使用c平面藍(lán)寶石襯底。Mg3N2熱分解成，產(chǎn)生Mg摻雜劑，并且放在Ga源上游。在950℃形成GaN毫微線，并且使用鎳作為催化劑。GaN毫微線的長(zhǎng)度通常為10-40.m。參見(jiàn)Nano Letters，3(3)，343-346(2003)。
(d)N型CdS毫微帶通過(guò)真空蒸汽輸送組成CdS毫微帶。具體地，在真空管端部密封少量CdS粉(少于100mg)。當(dāng)加熱真空管以便CdS粉的溫度為900℃時(shí)，真空管另一端的溫度低于50℃。在2小時(shí)內(nèi)，大部分CdS粉轉(zhuǎn)移到冷位置，并且粘貼在真空管的壁上。這些材料主要是厚度為30-150nm的毫微帶。毫微帶的寬度為0.5-5μm，并且長(zhǎng)度為10-200μm。參見(jiàn)Nature(自然)425，274-278(2003)。
(e)Ge毫微線H2(總大氣壓＝1atm)以100sccm的速度流入直徑為2.5cm的爐式反應(yīng)器內(nèi)，同時(shí)，GeH4(He為10％)的速度是10sccm，并且在275℃下執(zhí)行CVD持續(xù)15分鐘，從而形成Ge毫微線。反應(yīng)襯底是這樣的襯底，其中Au毫微晶體(平均直徑為20nm)均勻地分散在SiO2襯底表面上。參見(jiàn)Agnew.Chem.Int.Ed.Engls，41，4783-4786(2002)。
(f)InP毫微線通過(guò)LCG形成InP毫微線。LCG目標(biāo)通常由94％的InP、5％的Au催化劑、以及1％的Te或Zn摻雜元素構(gòu)成。當(dāng)LCG目標(biāo)生長(zhǎng)時(shí)，爐子溫度為800℃(介質(zhì))，并且將LCG目標(biāo)放在爐子上游端上。發(fā)射Nd:YAG激光器的脈沖(波長(zhǎng)為1064nm)持續(xù)10分鐘。在這種情況下，毫微線集中在爐子冷位置的下游端上。參見(jiàn)Nature(自然)409，66-69(2001)。
(g)ZnO毫微棒在60℃的125mL甲醇內(nèi)熔化約29.5g(0.13mol)乙酸鋅二水合物(ZnOCOCH3-2H2O)，然后把熔化14.8g(0.23mol)氫氧化鉀(KOH)的溶液添加到65ml甲醇，從而形成ZnO毫微棒。在60℃下攪拌反應(yīng)混合物持續(xù)幾天。如果在幾天內(nèi)沉淀毫微棒，則用甲醇清洗沉淀，并且以5500rpm離心分離持續(xù)30分鐘。使用乙二醇對(duì)水之比為2∶1的溶劑稀釋毫微粒子并且變成溶液，所述毫微粒子是通過(guò)上述步驟產(chǎn)生的合成材料。通過(guò)熟化溶液持續(xù)約三天，形成直徑為15-30nm和長(zhǎng)度為200-300nm的毫微棒。另一方面，通過(guò)CVD也能形成毫微線。參見(jiàn)Nano Letter，3(8)，1097-1101(2003)。
通過(guò)普通濕化學(xué)方法使用包含毫微粒子的膠體溶液形成毫微粒子。參見(jiàn)Langmuir，1998，Vol.14，P.226。例如，通過(guò)把已經(jīng)形成的毫微線或毫微帶放入乙醇，然后使用超聲波均勻地混合它們，可以制備包含毫微粒子的膠體溶液。
很少量毫微粒子膠體溶液流入PDMS高分子模型200的進(jìn)口210。在這種情況下，PDMS高分子模型200的壓印線230排列在P型毫微粒子線120a或N型毫微粒子線120b內(nèi)，以便沿著線120a或120b形成P型毫微層125或N型毫微層126，如圖5中所示。在這種情況下，優(yōu)選地，毫微層125和126彼此分開(kāi)達(dá)到預(yù)定間隙，例如達(dá)到單位像素的節(jié)距。
接著，在室溫下干燥流體。對(duì)于快速干燥操作而言，優(yōu)選地，在適當(dāng)溫度下(不是非常高)執(zhí)行熱處理。結(jié)果，形成圖5中所示的多個(gè)毫微層125和126。
接著，如圖4中所示，模制毫微層125和126以便形成位于發(fā)射區(qū)10和非發(fā)射區(qū)20內(nèi)的TFT半導(dǎo)體有源層121、122、123和124。接著，執(zhí)行后面過(guò)程以便形成具有圖3結(jié)構(gòu)的OLED。
毫微TFT的結(jié)構(gòu)不需要是如圖3中的疊層結(jié)構(gòu)。柵極141、142、143和144可以形成在襯底100的緩沖層110上，柵極絕緣層150可以形成以覆蓋它們，并且如圖5中所示的毫微層125和126可以形成在柵極絕緣層150上。
通過(guò)各種方法可以形成如圖5中所示的毫微層125和126。作為實(shí)例，通過(guò)經(jīng)由使用襯底上的PDMS高分子模型進(jìn)行壓印的Amine處理，然后通過(guò)經(jīng)由公知的噴墨印刷方法進(jìn)行圖5中所示的模制，可以形成毫微層125和126。在噴墨印刷方法中，可以形成寬度達(dá)到20微米的圖案。同樣，作為另一實(shí)例，通過(guò)激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)方法可以形成毫微層125和126。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖7A-10，圖7A-7C圖解了通過(guò)LITI方法形成如圖5中所示的模制毫微層的方法，圖8圖解了圖7A-7C所示方法中的施主薄片的橫截面。圖9A和圖9B圖解了制造施主薄片方法的實(shí)例，以及圖10圖解了通過(guò)圖9A和圖9B中所示方法制造的施主薄片的平面。
首先，在通過(guò)LITI方法形成毫微層的方法中，使用圖8中所示的施主薄片300。在薄膜310上排列施主薄片300的毫微線330以便平行于它們的縱向，從而形成傳輸層320。
薄膜310包括底膜312和光熱轉(zhuǎn)換(LTHC)層314。聚烯烴基樹(shù)脂可以用作底膜312。通過(guò)攪拌丙烯內(nèi)的碳可以把LTHC層314涂覆在底膜312上，但不局限于此。LTHC層314可以是一種層，其通過(guò)把激光轉(zhuǎn)換成熱并加熱傳輸層320來(lái)轉(zhuǎn)移傳輸層320，或者引起激光燒蝕。
通過(guò)圖9A和圖9B中所示的方法可以制造施主薄片300。在存有溶液351例如水的儲(chǔ)水器350內(nèi)混合多個(gè)毫微線330。在這種情況下，毫微線330可以是如上所述的P型毫微線或N型毫微線。這些毫微線330以漂浮狀態(tài)在不規(guī)則方向上排列在溶液351上。
如果在這種情形下，使用對(duì)齊棒352把溶液351表面上的毫微線330推向一側(cè)，毫微線330被推向?qū)R棒352并且集中在一側(cè)。由于毫微線一般直徑或厚度約為30nm并且長(zhǎng)度為40-50.m，因此它們的縱橫比非常高。因此，集中的毫微線330約在一個(gè)方向上對(duì)齊，并且對(duì)齊方向平行于毫微線330的縱向。
如果在這種情形下，如圖9B中所示，把薄膜310連續(xù)地提供在儲(chǔ)水器350內(nèi)，并且同時(shí)把毫微線330粘附在薄膜310的表面上，可以制造圖8和圖10中所示的施主薄片300。換句話說(shuō)，把多個(gè)滾筒353安裝在儲(chǔ)水器350內(nèi)，薄膜310使用滾筒353貫穿儲(chǔ)水器350。在這種情況下，如圖8中所示，薄膜310由底膜312和形成在底膜312上的LTHC層314構(gòu)成。薄膜310允許LTHC層314貫穿儲(chǔ)水器350，以便毫微線330粘結(jié)到LTHC層314，并且LTHC層314放置在毫微線330的方向上。
當(dāng)毫微線330通過(guò)儲(chǔ)水器350粘結(jié)到LTHC層314時(shí)，由于毫微線330集中在儲(chǔ)水器350的一側(cè)，因此它們大約在一個(gè)方向上對(duì)齊。即使這些毫微線330粘結(jié)到薄膜310的LTHC層314，仍能保持它們的對(duì)齊狀態(tài)。干燥對(duì)齊毫微線330的薄膜310，并且切割成預(yù)定長(zhǎng)度，如圖10中所示，可以制造使毫微線330在一個(gè)方向上對(duì)齊的施主薄片300。
在制造施主薄片300的方法中，由于按照直線把薄膜310提供給儲(chǔ)水器350，因此可以執(zhí)行卷對(duì)卷(Roll-to-Roll)處理，然后，可以制造許多施主薄片300。結(jié)果，可以提高生產(chǎn)率。
如圖7A中所示，施主薄片300位于形成緩沖層110的襯底100上。如圖7B中所示，施主薄片300和襯底100彼此疊壓并且彼此臨時(shí)粘接在一起。如果在這種情形下，激光束發(fā)射到形成圖案的預(yù)定部分上，施主薄片300和襯底100彼此分開(kāi)，如圖7C中所示，預(yù)定圖案形成在襯底100上。因此，如圖5中所示，可以形成P型毫微層125和N型毫微層126之一。如果在對(duì)齊另一形狀的毫微線的施主薄片被轉(zhuǎn)移一行的情形下執(zhí)行激光形成圖案，可以形成另一毫微層。這樣，如圖5中所示，沿著毫微粒子120形成毫微層125和126，進(jìn)行圖案化以形成圖4中所示的有源層圖案，并且通過(guò)執(zhí)行后續(xù)程序，例如制造TFT的程序和制造OLED的程序，如圖3中所示，可以制造OLED顯示器。可以使用一般轉(zhuǎn)移方法，即通過(guò)給形成在施主薄膜內(nèi)的預(yù)定圖案施加壓力在襯底上形成圖案，也可使用LITI方法。
如圖5中所示，沿著毫微線120形成毫微層125和126，并且進(jìn)行圖案化，從而形成圖4中所示的有源層。然而，本發(fā)明不局限于此，并且可以將圖4中所示的有源層圖案化，而不形成圖5中所示的毫微層125和126。
也就是，在圖6A和圖6B所示的方法中，把壓印線230形成圖案，其大小相當(dāng)于有源層，從而只在部分壓印線230內(nèi)形成毫微層，即使在噴墨印刷方法中，噴嘴也沿著相應(yīng)毫微粒子線移動(dòng)，從而只在部分預(yù)定有源層內(nèi)形成毫微層。另外，即使在包括圖7A-7C所示LITI方法的轉(zhuǎn)移方法中，也可只在部分相應(yīng)有源層內(nèi)形成毫微層，從而形成有源層。
如圖4和圖5中所示，P型毫微粒子線120a和N型毫微粒子線120b可以交替排列成彼此平行。另外，如圖11中所示，P型毫微粒子線120a和N型毫微粒子線120b可以排列成彼此交叉。在這種情況下，驅(qū)動(dòng)TFT的有源層121可以是P型，而開(kāi)關(guān)TFT的有源層122可以是N型，但不局限于此，可以根據(jù)單位像素的選擇驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)而變化。
如上所述，布置在發(fā)射區(qū)10和非發(fā)射區(qū)20內(nèi)的TFT中的同類型TFT以這樣的方式布置，即至少它們的溝道區(qū)的縱向彼此平行。也就是，如圖4中所示，可以把驅(qū)動(dòng)TFT 11的有源層121和CMOS TFT 21的P型TFT 23的有源層124排列和安置成彼此平行，有源層124是P型TFT 23的有源層，開(kāi)關(guān)TFT 12的有源層122和CMOS TFT 21的N型TFT 22的有源層123排列和安置成彼此平行，有源層123是N型TFT 22的有源層。另外，如圖11中所示，P型和N型可以排列和安置成彼此交叉。
即使當(dāng)P型毫微粒子線120a和N型毫微粒子線120b排列和安置成彼此交叉時(shí)，也可以使用上述方法。也就是，在圖6A和圖6B所示的方法中，在壓印線230內(nèi)執(zhí)行圖案化，從而只在部分壓印線230內(nèi)形成毫微層。
即使在噴墨印刷方法中，噴嘴也沿著相應(yīng)毫微粒子線移動(dòng)，從而只在部分預(yù)定有源層內(nèi)形成毫微層。另外，即使在包括圖7A-7C所示LITI方法的轉(zhuǎn)移方法中，只在部分相應(yīng)有源層內(nèi)形成毫微層，從而形成有源層。
本發(fā)明不局限于OLED顯示器，而是可以應(yīng)用于具有TFT的各種平板顯示器，例如液晶顯示器(LCD)、無(wú)機(jī)發(fā)光二極管、以及LED。
如上所述，本發(fā)明具有下列效果。第一，通過(guò)在TFT的溝道內(nèi)使用毫微粒子，在室溫或低溫下可以制造TFT，包括TFT的平板顯示器，尤其是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。第二，結(jié)果，具有低耐熱性的塑料材料可以用在平板顯示器內(nèi)，尤其是OLED顯示器內(nèi)。因此，本發(fā)明更有利于制造柔性平板顯示器。第三，使用排列在縱向上的毫微粒子來(lái)形成溝道，以便可以進(jìn)一步提高靈活性。
雖然已經(jīng)參考本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了具體圖示和描述，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能理解，其中可以進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)變化而不脫離由下列權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的本質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)包括縱向排列在襯底上的P型毫微粒子和/或N型毫微粒子，所述P型和/或N型毫微粒子的縱向方向平行于在襯底上隔開(kāi)的P型或N型毫微粒子線。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，所述P型和/或N型毫微粒子用在所述溝道區(qū)內(nèi)，并且從由毫微線、毫微棒和毫微帶構(gòu)成的組中選擇。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，所述P型和/或N型毫微粒子是條形，所述襯底是柔性的。
4.一種裝置，包括排列在襯底上的P型薄膜晶體管，所述P型薄膜晶體管包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)包括縱向排列的P型毫微粒子；以及排列在襯底上的N型薄膜晶體管，所述N型薄膜晶體管包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)包括縱向排列的N型毫微粒子，其中所述P型毫微粒子和N型毫微粒子各自的縱向方向平行于在襯底上隔開(kāi)的各個(gè)P型和N型毫微粒子線。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線排列成彼此平行，所述襯底和所述裝置是柔性的。
6.如權(quán)利要求4所述的裝置，所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線排列成彼此交叉。
7.如權(quán)利要求4所述的裝置，所述P型和N型毫微粒子之一從由毫微線、毫微棒和毫微帶構(gòu)成的組中選擇。
8.如權(quán)利要求4所述的裝置，所述P型和N型毫微粒子線之一是條形。
9.一種平板顯示器，包括襯底；發(fā)射區(qū)，所述發(fā)射區(qū)包括排列在所述襯底上的多個(gè)像素；以及排列在各個(gè)像素內(nèi)的多個(gè)選擇驅(qū)動(dòng)電路，每個(gè)選擇驅(qū)動(dòng)電路包括薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)包括縱向排列的毫微粒子，所述毫微粒子的縱向方向平行于在所述襯底上隔開(kāi)的毫微粒子線。
10.如權(quán)利要求9所述的平板顯示器，其中所述毫微粒子線包括P型毫微粒子線和N型毫微粒子線，所述P型和N型毫微粒子線分別排列成彼此平行，每個(gè)選擇驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管的毫微粒子是P型毫微粒子和N型毫微粒子之一，沿著所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線分別排列所述P型毫微粒子和N型毫微粒子。
11.如權(quán)利要求10所述的平板顯示器，其中所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線排列成彼此平行。
12.如權(quán)利要求11所述的平板顯示器，其中所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線交替排列。
13.如權(quán)利要求10所述的平板顯示器，其中所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線排列成彼此交叉。
14.如權(quán)利要求9所述的平板顯示器，還包括連接到所述選擇驅(qū)動(dòng)電路的CMOS薄膜晶體管，所述CMOS薄膜晶體管包括排列在所述襯底上的P型薄膜晶體管，所述P型薄膜晶體管包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)包括縱向排列的P型毫微粒子；以及排列在所述襯底上的N型薄膜晶體管，所述N型薄膜晶體管包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)包括縱向排列的N型毫微粒子，所述P型毫微粒子和N型毫微粒子各自的縱向方向平行于在所述襯底上隔開(kāi)的各個(gè)P型和N型毫微粒子線。
15.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其中所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線排列成彼此平行。
16.如權(quán)利要求15所述的平板顯示器，其中所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線交替排列。
17.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其中所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線排列成彼此交叉。
18.如權(quán)利要求9所述的平板顯示器，還包括排列在每個(gè)像素內(nèi)的有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管電連接到所述選擇驅(qū)動(dòng)電路。
19.如權(quán)利要求9所述的平板顯示器，至少所述P型或N型毫微粒子之一從由毫微線、毫微棒和毫微帶構(gòu)成的組中選擇。
20.如權(quán)利要求10所述的平板顯示器，所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線是條形。
21.一種平板顯示器，包括發(fā)射區(qū)，所述發(fā)射區(qū)包括P型薄膜晶體管和N型薄膜晶體管之一；以及非發(fā)射區(qū)，所述非發(fā)射區(qū)包括P型薄膜晶體管和N型薄膜晶體管之一，所述發(fā)射區(qū)內(nèi)的P型薄膜晶體管的溝道區(qū)的縱向方向平行于所述非發(fā)射區(qū)內(nèi)的P型薄膜晶體管的溝道區(qū)，而所述發(fā)射區(qū)內(nèi)的N型薄膜晶體管的溝道區(qū)的縱向方向平行于所述非發(fā)射區(qū)內(nèi)的N型薄膜晶體管的溝道區(qū)。
22.如權(quán)利要求21所述的平板顯示器，所述P型薄膜晶體管的每個(gè)溝道區(qū)的縱向方向平行于所述N型薄膜晶體管的每個(gè)溝道區(qū)的縱向方向。
23.如權(quán)利要求21所述的平板顯示器，所述P型薄膜晶體管的每個(gè)溝道區(qū)的縱向方向和所述N型薄膜晶體管的每個(gè)溝道區(qū)的縱向方向彼此交叉。
24.如權(quán)利要求21所述的平板顯示器，所述每個(gè)薄膜晶體管的溝道區(qū)包括毫微粒子。
25.如權(quán)利要求24所述的平板顯示器，所述毫微粒子從由毫微線、毫微棒和毫微帶構(gòu)成的組中選擇。
26.如權(quán)利要求21所述的平板顯示器，所述發(fā)射區(qū)還包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管。
27.一種制造薄膜晶體管的方法，包括隔開(kāi)多個(gè)毫微粒子線；在所述毫微粒子線上形成毫微層，每個(gè)毫微粒子線包括一種毫微粒子；以及通過(guò)使所述毫微層形成圖案而形成有源層。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述毫微粒子線包括P型毫微粒子線和N型毫微粒子線，而所述毫微層包括P型毫微層和N型毫微層，并且沿著所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線分別排列所述P型毫微層和N型毫微層。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述每個(gè)毫微粒子的縱向方向平行于所述每個(gè)毫微層的縱向方向。
30.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述毫微粒子從由毫微線、毫微棒和毫微帶構(gòu)成的組中選擇。
31.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述毫微粒子線是條形。
32.如權(quán)利要求27所述的方法，形成所述毫微層包括沿著所述毫微粒子線施加溶液，所述溶液包括P型毫微粒子和N型毫微粒子之一；以及干燥涂覆的溶液。
33.如權(quán)利要求27所述的方法，形成所述毫微層包括形成施主薄片，所述施主薄片包括對(duì)齊的P型毫微粒子和對(duì)齊的N型毫微粒子之一；在襯底上對(duì)齊所述施主薄片，所述襯底是受主；沿著所述毫微粒子線把激光束發(fā)射在所述施主薄片上，使得所述毫微粒子根據(jù)由激光束形成的圖案從所述施主薄片轉(zhuǎn)移到所述襯底上；以及從所述襯底分離所述施主薄片。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，形成所述施主薄片包括制備薄膜，所述薄膜在其一側(cè)上包括光熱轉(zhuǎn)換層；制備儲(chǔ)水器，以便P型毫微粒子和N型毫微粒子之一漂浮在所述儲(chǔ)水器內(nèi)的溶液中；將所述毫微粒子集中在所述儲(chǔ)水器的一側(cè)上；使所述薄膜能穿過(guò)所述儲(chǔ)水器內(nèi)的溶液，以便所述毫微粒子粘附到所述薄膜的光熱轉(zhuǎn)換層；以及干燥所述薄膜。
35.一種制造平板顯示器的方法，包括提供包括發(fā)射區(qū)的平板顯示器，所述發(fā)射區(qū)包括多個(gè)像素和一個(gè)選擇驅(qū)動(dòng)電路，所述選擇驅(qū)動(dòng)電路包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括排列在每個(gè)像素內(nèi)的半導(dǎo)體有源層；隔開(kāi)多個(gè)毫微粒子線；在所述毫微粒子線之一上形成毫微層，每個(gè)毫微粒子線包括一種毫微粒子；以及通過(guò)使所述毫微層形成圖案而形成有源層。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，每個(gè)毫微粒子線包括P型毫微粒子線和N型毫微粒子線之一，而每個(gè)毫微層包括P型毫微層和N型毫微層之一，并且沿著所述P型毫微粒子線和N型毫微粒子線分別形成所述P型毫微層和N型毫微層。
37.如權(quán)利要求35所述的方法，其中所述每個(gè)毫微粒子的縱向方向平行于相應(yīng)毫微層的縱向方向。
38.如權(quán)利要求35所述的方法，其中所述毫微粒子從由毫微線、毫微棒和毫微帶構(gòu)成的組中選擇。
39.如權(quán)利要求35所述的方法，其中所述多個(gè)毫微粒子線是條形。
40.如權(quán)利要求35所述的方法，形成所述毫微層包括沿著所述毫微粒子線施加溶液，所述溶液包括P型毫微粒子和N型毫微粒子之一；以及干燥施加的溶液。
41.如權(quán)利要求35所述的方法，形成所述毫微層包括形成施主薄片，所述施主薄片包括對(duì)齊的P型毫微粒子和N型毫微粒子之一；在襯底上對(duì)齊所述施主薄片，所述襯底用作所述毫微粒子的受主；沿著所述毫微粒子線把激光束發(fā)射在所述施主薄片上，使得所述毫微粒子暴露給所述激光束以便從所述施主薄片轉(zhuǎn)移到所述襯底上；以及從所述襯底分離所述施主薄片。
42.如權(quán)利要求35所述的方法，所述施主薄片的形成包括制備薄膜，所述薄膜在其一側(cè)上包括光熱轉(zhuǎn)換層；制備包括溶液的儲(chǔ)水器，所述溶液包括P型毫微粒子和N型毫微粒子之一；將所述溶液內(nèi)的毫微粒子集中到對(duì)齊棒；使所述薄膜浸入所述儲(chǔ)水器內(nèi)的溶液中，使得所述毫微粒子粘附到所述薄膜的光熱轉(zhuǎn)換層；以及干燥所述薄膜。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，所述薄膜形成為卷筒形狀，并且穿過(guò)所述儲(chǔ)水器內(nèi)的溶液連續(xù)地滾動(dòng)。
44.如權(quán)利要求35所述的方法，每個(gè)像素包括有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括電連接到所述選擇驅(qū)動(dòng)電路的電極。
45.一種制造施主薄片的方法，所述方法包括制備薄膜，所述薄膜的一側(cè)由光熱轉(zhuǎn)換層構(gòu)成；制備包括溶液的儲(chǔ)水器，所述溶液包括P型毫微粒子和N型毫微粒子之一；將所述毫微粒子集中到一側(cè)；使所述薄膜能穿過(guò)所述儲(chǔ)水器內(nèi)的溶液，以便所述毫微粒子粘附到所述薄膜的光熱轉(zhuǎn)換層；以及干燥所述薄膜。
46.如權(quán)利要求45所述的方法，所述薄膜形成為卷筒形狀，并且穿過(guò)所述儲(chǔ)水器內(nèi)的溶液連續(xù)地滾動(dòng)。
全文摘要
一種柔性平板顯示器，其中毫微粒子用于TFT的有源層，襯底是柔性的并且可以在室溫下制造，平板顯示器具有同樣的TFT，一種制造TFT的方法，一種制造平板顯示器的方法，以及一種制造施主薄片的方法。在制造顯示器內(nèi)的TFT中，施主薄片用來(lái)把毫微粒子從薄片轉(zhuǎn)移到襯底。薄膜晶體管放置在襯底上并且包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)至少具有一個(gè)縱向排列的P型或N型毫微粒子，其中所述P型或N型毫微粒子的縱向方向平行于在襯底上隔開(kāi)的P型或N型毫微粒子線。
文檔編號(hào)H05B33/00GK1661813SQ20041008192
公開(kāi)日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2004年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月26日
發(fā)明者徐旼徹, 楊南喆, 具在本, 李乙浩, 鄭昊均, 金慧東 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社