專利名稱：孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)與其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種連通孔結(jié)構(gòu)與其制造方法，尤其是一種可作為電容(capacitor)或電阻(resistor)，或是具有信號(hào)屏蔽效果的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)與其制造方法。
背景技術(shù)：
電子設(shè)備正朝著高速、低耗、小體積、高抗干擾性的方向發(fā)展，這一發(fā)展趨勢對(duì)印刷電路板(printed circuit board，PCB)與高頻電路的設(shè)計(jì)提出了很多新要求。而高頻電路往往集成度較高，布線密度大，采用多層板既是布線所必須的，也是降低干擾的有效手段。此外，由于多層板對(duì)高密度線路、高布線容量的需求日盛，也連帶的對(duì)電氣特性，如串音(crosstalk)、阻抗特性的整合的要求更趨嚴(yán)格。
電路板中的連通孔原本有兩個(gè)目的，即插件及做為各層間的互連(interconnect)通電。目前表面組裝組件(surface mount device，SMD)比例增大，插裝零件很少，而為了節(jié)省板面的面積，這種不插件的連通孔，其直徑都很小(25毫英時(shí)以下)。
實(shí)際上，連通孔有許多多元化的應(yīng)用。在歐洲第1341254號(hào)專利公告文獻(xiàn)中，披露一種互連的高頻傳輸線系統(tǒng)。該兩條高頻傳輸線是針對(duì)帶線(stripline)或微帶線(microstrip)，分別備有一整層的接地層，利用一已切開的連通孔(cut via)、一電極(electrode)以及位于已切開的連通孔與接地層之間的一間隙(clearance)的結(jié)構(gòu)，除了提供兩條高頻傳輸線一個(gè)堅(jiān)固的機(jī)械式連接點(diǎn)(junction)之外，并達(dá)到一個(gè)良好的阻抗匹配(impedance matching)。然而，各高頻傳輸線必須具備一整層的接地層，實(shí)在浪費(fèi)板面的面積。
圖1A是包含一SMD式電容的基板(substrate)。圖1B包含一埋入式(embedded type)電容的基板。
目前在電路板上的電容與電阻組件，包含在本領(lǐng)域廣為應(yīng)用的SMD式與目前正被積極推廣使用的埋入式。在圖1A中，若集成電路(integratedcircuit，IC)101要傳遞信號(hào)至SMD電容103，需經(jīng)過走線(trace)102，其中SMD電容103占用了板面面積。而在圖1B中，若集成電路101要傳遞信號(hào)至埋入式電容106，需經(jīng)過走線102與走線106，信號(hào)的走線比較長并且通常須在基板108內(nèi)壓合整片的電容性材料層107。兩種方式各有優(yōu)缺點(diǎn)。
在中國臺(tái)灣第525417號(hào)專利公告文獻(xiàn)中，披露了一種子母貫通孔結(jié)構(gòu)200(參考圖2)，其使用于一承載體中，包括一大孔徑的柱形導(dǎo)體201、一小孔徑的柱形導(dǎo)體202與一中間層203。該子母貫通孔結(jié)構(gòu)200具有信號(hào)屏蔽的功能，亦能作為電容器或電阻器使用。然而，該子母貫通孔結(jié)構(gòu)200的同軸線式的設(shè)計(jì)，有如電感性組件(將于以下驗(yàn)證)，在高頻時(shí)因阻抗值相當(dāng)高會(huì)造成嚴(yán)重的損耗。此外，于中國臺(tái)灣第589729號(hào)專利公告文獻(xiàn)中，披露了一種具有屏蔽式鍍通孔結(jié)構(gòu)的基板(參考圖3)，其中的鍍通孔結(jié)構(gòu)與圖1雷同，也是同軸線式的設(shè)計(jì)，因此亦面臨相同的難題。
連通孔結(jié)構(gòu)，基本上都具有縮短走線的路徑與減少電路板復(fù)雜度的功能。但是，若能加上低成本與可調(diào)整電氣特性值(阻抗值、電阻值或電容值)的條件，將是最實(shí)用的連通孔結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)一種達(dá)到所有優(yōu)點(diǎn)的實(shí)用的連通孔結(jié)構(gòu)。其主要目的是提供一種孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)。
該孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其電氣連接至一承載體，該孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)主要包含至少二個(gè)分離式導(dǎo)體(separate conductor)。該至少二個(gè)分離式導(dǎo)體組成一孔柱狀結(jié)構(gòu)，并在孔柱狀結(jié)構(gòu)的縱切或斜切方向上形成至少一個(gè)間隙(gap)。
根據(jù)本發(fā)明，孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)還包含一填充層。該填充層為一填充材料填充于各導(dǎo)體之間。孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的電氣特性因所填入的填充材料的不同而有所差異。當(dāng)填充材料為介電常數(shù)大于1的電容性材料時(shí)，此孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)可作為電容組件使用。而當(dāng)填充材料為電阻性材料時(shí)，此孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)可作為電阻組件使用。另外，若要此孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)發(fā)揮屏蔽功能時(shí)，則只需將連通孔中的一導(dǎo)體連接至電路中的接地點(diǎn)或接地層即可達(dá)到具有電氣屏蔽/控制效果的傳輸線結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的第一與第二實(shí)施例中，分離式導(dǎo)體組成一中空孔壁形柱狀結(jié)構(gòu)。而在本發(fā)明的第三與第四實(shí)施例中，分離式導(dǎo)體組成一孔形實(shí)心柱狀結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明另一個(gè)目的是提供一種孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法。此方法主要包含以下步驟(a)提供一個(gè)具有一連通孔結(jié)構(gòu)的承載體，該連通孔結(jié)構(gòu)是一中空孔壁形或?qū)嵭牡目字鶢罱Y(jié)構(gòu)，并鍍上或填充一導(dǎo)電材質(zhì)于該孔柱狀結(jié)構(gòu)的中空孔壁或?qū)嵭牟糠帧?b)以一切割方式縱切或斜切連通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材質(zhì)，以形成至少一個(gè)間隙與至少二個(gè)互不相連的導(dǎo)體，此至少二個(gè)互不相連的導(dǎo)體組成一孔柱狀結(jié)構(gòu)。(c)依據(jù)多個(gè)預(yù)定參數(shù)，調(diào)整及決定各間隙大小的最佳值。
根據(jù)本發(fā)明，步驟(b)的切割方式包含鐳射切割(laser trimming)、刀具或模具切割(tooling cutting)。步驟(c)中的多個(gè)預(yù)定參數(shù)包含各導(dǎo)體之間的間隙大小以及各導(dǎo)體之間所預(yù)定的電氣特性值。
根據(jù)本發(fā)明，孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的形成是在傳統(tǒng)無屏蔽效果的連通孔完成之后，再進(jìn)行后加工所形成，具備了一些優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括(1)低成本，(2)可調(diào)整電氣特性值(阻抗值、電阻值或電容值)，(3)單一連通孔結(jié)構(gòu)包含多組電容組件、電阻組件或具有屏蔽功能的連通孔組件，(4)單一承載體上所包含的不同連通孔，具有不同的電氣特性，即電容組件、電阻組件或具有屏蔽功能的連通孔組件，(5)無須在基板(以PCB板或集成電路基板為例)內(nèi)，壓合整片電容性材料層，而改以填洞方式將填充材料填入連通孔中，形成埋入式組件。
在此配合下列圖標(biāo)、實(shí)施例的詳細(xì)說明及申請(qǐng)專利范圍，將上述及本發(fā)明的其它目的與優(yōu)點(diǎn)詳述于后。


圖1A是包含一SMD式電容的一傳統(tǒng)基板。
圖1B是包含一埋入式電容的一傳統(tǒng)基板。
圖2是一傳統(tǒng)的子母貫通孔結(jié)構(gòu)。
圖3是一傳統(tǒng)具有屏蔽式鍍通孔結(jié)構(gòu)的基板。
圖4A是本發(fā)明的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)透視圖。
圖4B是圖4A中再包含填入一填充層于導(dǎo)體之間的結(jié)構(gòu)透視圖。
圖5A是本發(fā)明的第一實(shí)施例的俯視圖。
圖5B是本發(fā)明的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)透視圖。
圖5C說明本發(fā)明的第一實(shí)施例，位于承載體外部的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5D為圖5C中虛線區(qū)塊的放大立體圖。
圖5E是本發(fā)明的第二實(shí)施例，單一連通孔結(jié)構(gòu)包含二個(gè)組件的結(jié)構(gòu)透視圖。
圖6A與圖6B為具有不同孔壁形狀的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6C是在斜切方向上形成二個(gè)間隙的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7A與圖7B為包含三個(gè)與四個(gè)導(dǎo)體的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖8A是本發(fā)明的第三實(shí)施例的俯視圖。
圖8B是本發(fā)明的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)透視圖。
圖8C是本發(fā)明的第四實(shí)施例，單一連通孔結(jié)構(gòu)包含二個(gè)組件的結(jié)構(gòu)透視圖。
圖9A是本發(fā)明的制造方法的流程圖。
圖9B是在圖9A的步驟流程中再包含將一填充材料填入于各導(dǎo)體之間的流程圖。
圖10A～圖10F說明本發(fā)明的制造方法的立體結(jié)構(gòu)透視圖。
圖11是包含一作為電容組件用的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的基板的示意圖。
圖12是比較不同的連通孔結(jié)構(gòu)的電氣特性。
其中，附圖標(biāo)記說明如下101 集成電路 102，105 走線
103，106 SMD電容 104，108 基板107 電容性材料層 110 連通孔電容200 子母貫通孔結(jié)構(gòu) 201 大孔徑的柱形導(dǎo)體202 小孔徑的柱形導(dǎo)體 203 中間層400，410，510，520，810，820，1000， 401 承載體孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)402，403，502，503，802，803， 404，504，513，514，813，814，填充層511a～511b，512a～512b，811a～811b，812a～812b 導(dǎo)體405，505，805 間隙 511，512，811，812 連通孔分割單元901 提供一個(gè)備有一連通孔結(jié)構(gòu)的承載體，此連通孔結(jié)構(gòu)是一中空或?qū)嵭牡目字鶢罱Y(jié)構(gòu)，并鍍上或填充一導(dǎo)電材質(zhì)于此孔柱狀結(jié)構(gòu)902 以一切割方式縱切或斜切連通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材質(zhì)，以形成至少一個(gè)間隙與至少二個(gè)互不相連的導(dǎo)體，這些互不相連的導(dǎo)體組成一孔柱狀連通孔結(jié)構(gòu)902a 填入至少一填充材料于各導(dǎo)體之間903 依據(jù)多個(gè)預(yù)定參數(shù)，調(diào)整及決定各間隙大小的最佳值1002 導(dǎo)電材質(zhì)1020 刀具具體實(shí)施方式
圖4A是本發(fā)明的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)透視圖?？字指钍竭B通孔結(jié)構(gòu)400除了可形成于承載體401的內(nèi)側(cè)，亦能位于承載體401的外部，以下以孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)形成于承載體401的內(nèi)側(cè)做說明。
參考圖4A，本發(fā)明的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)400，電氣連接至一承載體401，連通孔結(jié)構(gòu)400包含至少二個(gè)分離式導(dǎo)體402、403。該至少二個(gè)分離式導(dǎo)體402、403組成一孔柱狀結(jié)構(gòu)，并在孔柱狀結(jié)構(gòu)的縱切或斜切方向上形成至少一個(gè)間隙(gap)405。另外，本發(fā)明的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)410還包含一填充層404，該填充層404為一填充材料填充于導(dǎo)體402、403之間，如圖4B所示。
圖5A是本發(fā)明的第一實(shí)施例的俯視圖。圖5B是本發(fā)明的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)透視圖。圖5C說明本發(fā)明的第一實(shí)施例，位于承載體外部的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5D為圖5C中虛線區(qū)塊的放大立體圖。圖5E是本發(fā)明的第二實(shí)施例，單一連通孔結(jié)構(gòu)包含二個(gè)組件的結(jié)構(gòu)透視圖。
以下詳細(xì)說明本發(fā)明的第一與第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。
參考圖5A，本發(fā)明的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)510，是電氣連接至一承載體401，此孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)510主要包含至少二個(gè)分離式導(dǎo)體502、503，與一填充層504。二個(gè)分離式導(dǎo)體502、503組成一中空孔壁形結(jié)構(gòu)，并在縱切或斜切方向上形成至少二個(gè)間隙505。該填充層504為一填充材料填充于二個(gè)導(dǎo)體502、503之間。
而且，孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)510除了可形成于承載體401的內(nèi)側(cè)(如圖5A與圖5B)，亦能位于承載體401的外部，如圖5C所示。其中，圖5D所示為圖5C的虛線區(qū)塊中單獨(dú)的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)510的放大立體圖。
其中，填充層504所使用的填充材料為介電常數(shù)大于1的電容性材料時(shí)，此孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)510作為一電容組件使用。同理，當(dāng)填充材料為電阻性材料時(shí)，此孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)510作為一電阻組件使用。另外，若要孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)發(fā)揮屏蔽功能時(shí)，則只需將連通孔中的一導(dǎo)體連接至電路中的接地點(diǎn)或接地層即可達(dá)到具有電氣屏蔽/控制效果的傳輸線結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)不但有單一連通孔，單一組件的電氣特性。在單一連通孔結(jié)構(gòu)中，還可包含多個(gè)組件。如圖5E所示，孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)510在被橫切之后，還成為包含二個(gè)連通孔分割單元511、512的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)520，每一連通孔分割單元511、512的電氣特性依據(jù)填入的填充材料513、514的不同，而有差異。
圖6A與圖6B為具有不同孔壁形狀的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖6C是在斜切方向上形成二個(gè)間隙的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7A與圖7B為包含三個(gè)與四個(gè)導(dǎo)體的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的俯視圖。
孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的橫切面可以是任意形狀，例如圓形(如圖6A)、橢圓形(如圖5A)或矩形(如圖6B)。孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的各導(dǎo)體之間的間隙不但可形成于縱切方向(如圖5B)，亦可形成于斜切方向(如圖6C)。
再者，承載體401可以為一電路板、一集成電路腳座、一轉(zhuǎn)接板、一連接器、一散熱片或一般載具。另一方面，孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)亦可以由二個(gè)以上的分離式導(dǎo)體組成一孔壁形結(jié)構(gòu)，例如三個(gè)(如圖7A)或四個(gè)(如圖7B)。又，制作導(dǎo)體的材料可以是銅、金、銀、鉑、鈀或其它金屬材料。
以下說明本發(fā)明的第三與第四實(shí)施例，以形成于一承載體401的內(nèi)側(cè)為例作說明。
圖8A是本發(fā)明的第三實(shí)施例的俯視圖。圖8B是本發(fā)明的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)透視圖。圖8C是本發(fā)明的第四實(shí)施例，單一連通孔結(jié)構(gòu)包含二個(gè)組件的結(jié)構(gòu)透視圖。
參考圖8A、圖8B，孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)810電氣連接至一承載體401，此孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)810主要包含至少二個(gè)分離式導(dǎo)體802、803與一填充層804。二個(gè)分離式導(dǎo)體802、803組成一孔形實(shí)心柱狀結(jié)構(gòu)，并在縱切或斜切方向上形成至少一個(gè)間隙805。此填充層804為一填充材料填充于二個(gè)導(dǎo)體802、803之間。如圖8C所示，孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)810在被橫切之后，成為包含二個(gè)連通孔分割單元811、812的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)820，每一連通孔分割單元811、812的電氣特性依據(jù)填入的填充材料813、814的不同，而有所差異。
圖9A是本發(fā)明的制造方法的流程圖。圖10A～圖10F說明本發(fā)明的制造方法的立體結(jié)構(gòu)透視圖。
以下參考圖9A與圖10A～圖10F，詳細(xì)說明本發(fā)明的制造方法。
首先，于步驟901中，提供一個(gè)備有一連通孔結(jié)構(gòu)1000的承載體401，連通孔結(jié)構(gòu)是一中空或?qū)嵭牡目字鶢罱Y(jié)構(gòu)，并鍍上或填充一導(dǎo)電材質(zhì)1002于孔柱狀結(jié)構(gòu)(如圖10A)。
其次，于步驟902中，以一切割方式縱切或橫切連通孔結(jié)構(gòu)1000的導(dǎo)電材質(zhì)1002，以形成包含至少一個(gè)間隙405與至少二個(gè)互不相連的導(dǎo)體402、403的連通孔結(jié)構(gòu)400，這些互不相連的導(dǎo)體組成一孔柱狀結(jié)構(gòu)。如圖10B所示，間隙405是以縱切方式形成。
最后，于步驟903中，依據(jù)多個(gè)預(yù)定參數(shù)，調(diào)整及決定各間隙最佳值。亦即驗(yàn)證所切割出來的間隙大小，是否能符合預(yù)設(shè)的阻抗值。這些預(yù)定參數(shù)包含各導(dǎo)體之間的間隙大小以及各導(dǎo)體之間所預(yù)定的電氣特性值。此時(shí)，只需將連通孔中的一導(dǎo)體連接至電路中的接地點(diǎn)或接地層即可達(dá)到具有電氣屏蔽/控制效果的傳輸線結(jié)構(gòu)。
此外，于步驟902之后，還包含步驟902a(如圖9B所示)，填入一填充材料404于各導(dǎo)體402、403之間。此時(shí)，依據(jù)連通孔所要表現(xiàn)的電氣特色(如電容、電阻或產(chǎn)生屏蔽效果)，填入相對(duì)應(yīng)的填充材料404，如圖10C所示。
在步驟903中，所依據(jù)的多個(gè)預(yù)定參數(shù)除了各導(dǎo)體之間的間隙大小405以及各導(dǎo)體之間所預(yù)定的電氣特性值之外，還包含填充材料404的介電常數(shù)或電阻系數(shù)，調(diào)整及決定各間隙最佳值。亦即于切割完并填入填充材料404后，驗(yàn)證所切割出來的間隙大小是否能符合預(yù)設(shè)的電容值、電阻值或阻抗值。其中，電容值與填充材料的介電常數(shù)以及導(dǎo)體的截面積成正比，而與各導(dǎo)體之間的間隙成反比。電阻值與填充材料的電阻系數(shù)以及長度成正比，而與導(dǎo)體的截面積成反比。
在步驟903之后，接著烘烤連通孔410以及移除承載體401，以得到獨(dú)立的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)510、810，如圖10D與圖10E所示。其中，圖10D所示為具有一中空孔柱狀結(jié)構(gòu)與兩個(gè)間隙的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)510，圖10E所示為具有一實(shí)心孔柱狀結(jié)構(gòu)與一個(gè)間隙的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)810。而移除承載體401的方式可以用化學(xué)蝕刻(chemical etching)方式蝕刻承載體401。
須注意的是，在步驟902中的切割方式至少包含以下的方法鐳射切割、刀具切割與模具切割。其中，鐳射切割只能完成單一連通孔、單一組件的特性，而刀具切割與模具切割可以有特殊的設(shè)計(jì)，能完成單一連通孔、多組組件的特性。如圖10F所示，利用刀具1020將具有一中空孔柱狀的連通孔結(jié)構(gòu)1000縱切的同時(shí)，再將其橫切成包含兩個(gè)連通孔分割單元511、512的連通孔結(jié)構(gòu)520。其中，連通孔分割單元511包含導(dǎo)體511a、511b與填充層513，連通孔分割單元512包含導(dǎo)體512a、512b與填充層514。此二個(gè)組件的特性則完全根據(jù)其中的填充層513、514的填充材料而定，例如，可以是電容組件加電阻組件、電容組件加屏蔽式組件或者是二個(gè)不同電容值的電容組件等等。
如圖8C所示，利用刀具或模具將具有一實(shí)心孔柱狀的連通孔結(jié)構(gòu)1000縱切的同時(shí)，再將其橫切成包含兩個(gè)連通孔分割單元811、812的連通孔結(jié)構(gòu)820。其中，連通孔分割單元811包含導(dǎo)體811a、811b與填充層813，連通孔分割單元812包含導(dǎo)體812a、812b與填充層814。此二個(gè)組件的特性則完全根據(jù)其中的填充層813、814的填充材料而定。
圖11包含一作為電容組件用的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)(以下以連通孔電容作簡稱)的基板。比較圖1A、圖1B與圖11，在圖11中，若集成電路101要傳遞信號(hào)至連通孔電容110，需經(jīng)過走線102，與圖1A一樣路徑最短，但是無須占用板面面積。此外，連通孔電容110無須如圖1B中的基板108內(nèi)壓合整片電容性材料層107，而改以填洞方式將電容性材料填入連通孔中，形成埋入式電容組件。
圖12是比較不同的連通孔結(jié)構(gòu)的電氣特性，比較傳統(tǒng)的同軸線連通孔結(jié)構(gòu)、二段式(二個(gè)導(dǎo)體所組成，如圖5A)與四段式(四個(gè)導(dǎo)體所組成，如圖7B)的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的阻抗值、電容值與電感值。測量時(shí)的條件為連通孔直徑200um、連通孔長度576um、填充材料的導(dǎo)磁系數(shù)為1、介電常數(shù)為4.3以及測量頻率為1GHz。
其中，同軸線連通孔結(jié)構(gòu)除了阻抗值非常大之外，電感值與電容值比例(L/C)也相當(dāng)大，因此類似一電感性組件。而二段式的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的阻抗值接近傳輸線的阻抗值50歐姆，因此可作為一具有屏蔽效果的連通孔組件。至于四段式的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的電容值是三者之中最大，且阻抗值是三者之中最小，因此最類似電容組件。
此外，由于本發(fā)明的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)是在傳統(tǒng)無屏蔽效果的連通孔完成之后，再進(jìn)行后加工所形成，具備了以下的優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括(1)低成本，(2)可調(diào)式特性，由于本發(fā)明的制作方法是以后的加工方式?jīng)Q定連通孔的間隙大小，因此可針對(duì)不同的填充材料與預(yù)定阻抗值、電容值或電阻值，進(jìn)行調(diào)整間隙大小，所以同一承載體中可允許有不同規(guī)格的阻抗值、電容值或電阻值。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍。即凡依照本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所作的同等變化與修飾，都應(yīng)仍屬本發(fā)明涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其電氣連接至一承載體，該連通孔結(jié)構(gòu)包含至少二個(gè)分離式導(dǎo)體，組成一孔柱狀結(jié)構(gòu)，并在該孔柱狀結(jié)構(gòu)的縱切或斜切方向上形成至少一個(gè)間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其中該孔柱狀結(jié)構(gòu)為一中空孔柱狀結(jié)構(gòu)，且該間隙至少有兩個(gè)。
3.如權(quán)利要求1所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其中該孔柱狀結(jié)構(gòu)為一實(shí)心孔柱狀結(jié)構(gòu)，且該間隙至少有一個(gè)。
4.如權(quán)利要求1所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其中該連通孔結(jié)構(gòu)還包含一填充層，為一填充材料填充于各導(dǎo)體之間。
5.如權(quán)利要求1所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其中該填充材料為一電阻性材料、一絕緣性材料或介電常數(shù)大于1的一電容性材料的其中一種。
6.如權(quán)利要求1所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其中該承載體備有至少一中空孔壁形結(jié)構(gòu)，以承載該連通孔結(jié)構(gòu)于該中空孔壁形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其中該連通孔結(jié)構(gòu)位于該承載體的外部。
8.如權(quán)利要求1所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其中該連通孔結(jié)構(gòu)被橫切成為多個(gè)連通孔分割單元。
9.如權(quán)利要求1所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)體的材料是銅、金、銀、鉑或鈀的其中一種。
10.如權(quán)利要求1所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)，其中該承載體為一電路板、一集成電路腳座、一轉(zhuǎn)接板、一連接器、一散熱片或一載具的其中一種。
11.一種孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，包含以下步驟(a)提供一個(gè)備有一連通孔結(jié)構(gòu)的承載體，該連通孔結(jié)構(gòu)是一中空或?qū)嵭牡目字鶢罱Y(jié)構(gòu)，并鍍上或填充一導(dǎo)電材質(zhì)于該孔柱狀結(jié)構(gòu)；(b)以一切割方式縱切或斜切該連通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材質(zhì)，以形成至少一個(gè)間隙與至少二個(gè)互不相連的導(dǎo)體，該互不相連的導(dǎo)體組成一孔柱狀連通孔結(jié)構(gòu)；以及(c)依據(jù)多個(gè)預(yù)定參數(shù)，調(diào)整及決定各間隙大小的最佳值。
12.如權(quán)利要求11所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在步驟(c)中的多個(gè)預(yù)定參數(shù)包含各導(dǎo)體之間的間隙大小以及各導(dǎo)體之間所預(yù)定的電氣特性值。
13.如權(quán)利要求11所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在步驟(b)之后與在步驟(c)之前，還包含填入至少一填充材料于各該導(dǎo)體之間的步驟。
14.如權(quán)利要求13所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該填充材料為一電阻性材料、一絕緣性材料或介電常數(shù)大于1的一電容性材料的其中一種。
15.如權(quán)利要求13所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在步驟(c)中的多個(gè)預(yù)定參數(shù)還包含該填充材料的介電常數(shù)或電阻系數(shù)的其中的一種。
16.如權(quán)利要求11所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟(b)的該連通孔結(jié)構(gòu)是一中空孔柱狀結(jié)構(gòu)，且被形成至少兩個(gè)間隙與至少兩個(gè)互不相連的導(dǎo)體。
17.如權(quán)利要求11所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟(b)的該連通孔結(jié)構(gòu)是一實(shí)心孔柱狀結(jié)構(gòu)，且被形成至少一個(gè)間隙與至少兩個(gè)互不相連的導(dǎo)體。
18.如權(quán)利要求11所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，其中步驟(b)的該切割方式為鐳射切割、模具切割或刀具切割的其中一種。
19.如權(quán)利要求11所述的孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，在該步驟(b)之后還包含橫向切割該連通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體，以形成多個(gè)連通孔分割單元的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)與制造方法。此孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)是將電氣連接至一承載體，主要包含至少二個(gè)分離式導(dǎo)體。該至少二個(gè)分離式導(dǎo)體組成一中空孔柱狀結(jié)構(gòu)或一實(shí)心孔柱狀結(jié)構(gòu)，并在縱切或斜切方向上形成至少一個(gè)間隙。本發(fā)明還包含一填充層，為一填充材料填充于各導(dǎo)體之間。依填充材料的不同，此孔柱分割式連通孔結(jié)構(gòu)可作為電容組件或電阻組件，或是具有信號(hào)屏蔽效果。此外，由于本發(fā)明是在傳統(tǒng)無屏蔽效果的連通孔完成之后，再進(jìn)行后加工所形成，更具備了低成本與可調(diào)整電氣特性的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H05K3/40GK1770954SQ200410092229
公開日2006年5月10日 申請(qǐng)日期2004年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者吳仕先 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院