專(zhuān)利名稱(chēng)：生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于生產(chǎn)撓性電路基底(flexble-circuit substrate)的方法，該基底用于生產(chǎn)撓性印制線路板(flexible printed wiring board)。
背景技術(shù)：
撓性印制線路板已經(jīng)用在各種電子或電氣設(shè)備中。為實(shí)現(xiàn)減小這些電子和電氣設(shè)備的尺寸和重量的目的，撓性印制線路板上的布線圖案已經(jīng)逐漸以更大的密度形成，以及撓性印制線路板已經(jīng)逐漸具有最小化的部件，該部件以更高的密度安裝在布線板上。
通常，撓性印制線路板上的布線圖案是通過(guò)在加熱下，借助于熱固性粘合劑將作為金屬箔的銅箔層壓至絕緣層，如聚酰亞胺膜，進(jìn)一步升高其溫度以固化熱固性粘合劑，然后蝕刻銅箔而形成的(例如，參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1JP 2002-326308A然而，在通過(guò)蝕刻選擇性除去銅箔后，由于撓性印制線路板內(nèi)聚集的內(nèi)應(yīng)力，撓性印制線路板的實(shí)際尺寸與設(shè)計(jì)尺寸之間發(fā)生顯著改變。因此，存在下面的情形，即在將待安裝的部件安裝至偏離設(shè)計(jì)位置的位置上，從而不可能將安裝的部件連接至撓性印制線路板上。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法，其能有效地防止在蝕刻金屬箔之后撓性印制線路板的實(shí)際尺寸與設(shè)計(jì)尺寸之間發(fā)生顯著改變。
從下述描述中，本發(fā)明的其他目的和效果將變得顯而易見(jiàn)。
(1)第一方面，本發(fā)明提供一種生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法，其包括提供多層絕緣樹(shù)脂層，所述多層絕緣樹(shù)脂層包括絕緣層和粘合層；以及在不低于所述多層絕緣樹(shù)脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下，通過(guò)粘合層將金屬箔層壓至所述多層絕緣樹(shù)脂層的絕緣層。
在本發(fā)明的生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法中，用于撓性電路板的基底是通過(guò)在不低于多層絕緣樹(shù)脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下，通過(guò)粘合層將金屬箔層壓至絕緣層而形成的。由于這種構(gòu)造的原因，可抑制撓性印制線路板遭受在蝕刻撓性電路基底的金屬箔后由內(nèi)應(yīng)力引起的尺寸變化。因此，可在將要安裝部件的精確位置上，將待安裝的部件安裝至撓性印制線路板上。
在優(yōu)選的實(shí)施方案中，不低于絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度在100至400℃之間，并且在將金屬箔層壓至多層絕緣樹(shù)脂層的溫度下，多層絕緣樹(shù)脂層的彈性模量在1.0×108Pa至1.0×1010Pa之間。
這種構(gòu)造在進(jìn)一步減少在蝕刻撓性電路基底的金屬箔后由內(nèi)應(yīng)力引起的撓性印制線路板的尺寸變化上有效。
(2)第二方面，本發(fā)明提供生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法，其包括提供多層絕緣樹(shù)脂層，所述多層絕緣樹(shù)脂層包括絕緣層，所述絕緣層在其兩側(cè)上具有粘合層；以及在不低于所述多層絕緣樹(shù)脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下，通過(guò)各個(gè)粘合層將金屬箔層壓至所述多層絕緣層的兩側(cè)。
在本發(fā)明的生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法中，用于撓性電路板的基底是通過(guò)在不低于多層絕緣樹(shù)脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下，通過(guò)粘合層將金屬箔層壓至絕緣層而形成的。由于這種構(gòu)造的原因，可抑制撓性印制線路板遭受在蝕刻撓性電路基底的金屬箔后由內(nèi)應(yīng)力引起的尺寸變化。因此，可在將要安裝部件的精確位置上，將待安裝的部件安裝至撓性印制線路板上。
在優(yōu)選的實(shí)施方案中，不低于多層絕緣樹(shù)脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度在100至400℃之間，以及在將金屬箔層壓至多層絕緣樹(shù)脂層的溫度下，多層絕緣樹(shù)脂層的彈性模量在1.0×108Pa至1.0×1010Pa之間。
這種構(gòu)造在進(jìn)一步減少在蝕刻撓性電路基底的各金屬箔后由內(nèi)應(yīng)力引起的撓性印制線路板的尺寸變化上有效。
在本發(fā)明中，當(dāng)多層絕緣樹(shù)脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的測(cè)量結(jié)果顯示出多個(gè)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，取較高的或最高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為“多層絕緣樹(shù)脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度”。例如，當(dāng)分別觀察到可歸因于絕緣層和粘合層的兩個(gè)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以及前者高于后者時(shí)，則取絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為“多層絕緣樹(shù)脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度”。
根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法，可抑制撓性印制線路板遭受在蝕刻撓性電路基底的金屬箔后由內(nèi)應(yīng)力引起的尺寸變化。因此，可在將要安裝部件的精確位置上，將待安裝的部件安裝至撓性印制線路板上。


圖1是闡述根據(jù)本發(fā)明第一方面的用于撓性電路板的基底構(gòu)造的一個(gè)圖2是闡述根據(jù)本發(fā)明第二方面的用于撓性電路板的基底構(gòu)造的一個(gè)圖3是用于評(píng)價(jià)尺寸變化的撓性電路基底的平面略圖。
附圖中使用的附圖標(biāo)記分別表示下述部件1絕緣層2粘合層3金屬箔10第一多層絕緣樹(shù)脂片20第二多層絕緣樹(shù)脂片100用于單面(single-sided)撓性電路板的基底101用于雙面(double-sided)撓性電路板的基底具體實(shí)施方式
第一方面圖1是闡述根據(jù)本發(fā)明第一方面的用于撓性電路板的基底構(gòu)造的一個(gè)實(shí)施方案的剖視圖(該實(shí)施方案下文有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為“第一實(shí)施方案”)。該實(shí)施方案的撓性電路基底是用于單面撓性電路板的基底，其包括絕緣層以及層壓在其一側(cè)上的金屬箔。
如圖1所示，用于單面撓性電路板的基底100具有下述結(jié)構(gòu)，其包括依序疊加的絕緣層1、粘合層2和金屬箔3。這種由絕緣層1和粘合層2構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)以下簡(jiǎn)稱(chēng)為第一多層絕緣樹(shù)脂片10。
用于單面撓性電路板的基底100是在預(yù)定的溫度(下文簡(jiǎn)稱(chēng)為層壓溫度)下，通過(guò)粘合層2將金屬箔3層壓至絕緣層1而形成的。在該實(shí)施方案中，將層壓溫度設(shè)定為不低于第一多層絕緣樹(shù)脂片10的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度。此處術(shù)語(yǔ)層壓溫度是指層壓步驟中絕緣層1和粘合層2的溫度。
蝕刻用于單面撓性電路板的基底100的金屬箔3，從而形成布線圖案。因而，生成撓性印制線路板。其中金屬箔3沒(méi)有被蝕刻的基底是用于單面撓性電路板的基底100，而其中金屬箔3已經(jīng)被蝕刻的基底是撓性印制線路板。
作為絕緣層1，可使用工程塑料膜，例如聚酰亞胺膜、聚(乙二酰脲)膜(poly(parabanic acid))、聚酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚醚砜膜、聚醚酰亞胺膜或聚醚醚酮膜。
作為粘合層2，可使用具有優(yōu)越絕緣性能和撓性的樹(shù)脂，例如熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂和丙烯腈/丁二烯橡膠(NBR)的樹(shù)脂混合物、環(huán)氧樹(shù)脂和丙烯酸(類(lèi))橡膠的樹(shù)脂混合物、環(huán)氧樹(shù)脂和聚酯樹(shù)脂的樹(shù)脂混合物或丁縮醛樹(shù)脂。
作為金屬箔3，可使用具有優(yōu)越電導(dǎo)率的金屬箔，例如銅箔、鋁箔或鎳鉻合金箔。金屬箔3的表面可鍍有金屬，例如錫、焊料(solder)、金或鎳。
絕緣層1的厚度設(shè)置在12.5至50μm的范圍內(nèi)。粘合層2的厚度設(shè)置在1至25μm的范圍內(nèi)。金屬箔3的厚度設(shè)置在12至38μm的范圍內(nèi)。
順便提及，上述絕緣層1的材料和厚度、粘合層2的材料和厚度以及金屬箔3的材料和厚度是以示出實(shí)例的目的而給出的。這些層的材料和厚度不應(yīng)解釋為限制為那些實(shí)例，且可以適當(dāng)?shù)馗淖儭?br> 在該實(shí)施方案中，用于單面撓性電路板的基底100是在不低于第一多層絕緣樹(shù)脂片10的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度下，通過(guò)粘合層2將金屬箔3層壓至絕緣層1而形成的。由于該方法的原因，可抑制撓性印制線路板遭受在蝕刻用于單面撓性電路板的基底100的金屬箔3后由內(nèi)應(yīng)力引起的尺寸變化。因此，可在將要安裝部件的精確位置上，將待安裝的部件安裝至撓性印制線路板上。
將層壓溫度設(shè)定為不低于第一多層絕緣樹(shù)脂片10的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度，其優(yōu)選在100至400℃范圍內(nèi)。這種溫度調(diào)節(jié)在進(jìn)一步減少在蝕刻用于單面撓性電路板的基底100的金屬箔3后由內(nèi)應(yīng)力引起的撓性印制線路板的尺寸變化上有效。
此外，在層壓溫度下，第一多層絕緣樹(shù)脂片10的彈性模量?jī)?yōu)選在1.0×108Pa至1.0×1010Pa之間。該彈性模量范圍在進(jìn)一步減少在蝕刻用于單面撓性電路板的基底100的金屬箔3后由內(nèi)應(yīng)力引起的撓性印制線路板的尺寸變化上有效。
在上述第一實(shí)施方案中，第一多層絕緣樹(shù)脂片10對(duì)應(yīng)于本發(fā)明所涉及的多層絕緣樹(shù)脂層。
第二方面圖2是闡述本發(fā)明第二方面的用于撓性電路板的基底構(gòu)造的一種實(shí)施方案的剖視圖(該實(shí)施方案以下有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為“第二實(shí)施方案”)。該實(shí)施方案的撓性電路基底是用于雙面撓性電路板的基底，其包括絕緣層以及層壓在其兩側(cè)上的金屬箔。
如圖2所示，用于雙面撓性電路板的基底101具有下述結(jié)構(gòu)，其包括絕緣層1，在該絕緣層1的兩側(cè)上依序?qū)訅河姓澈蠈?和金屬箔3。這種由粘合層2、絕緣層1和另一粘合層2構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)以下簡(jiǎn)稱(chēng)為第二多層絕緣樹(shù)脂片20。
用于雙面撓性電路板的基底101是在預(yù)定的溫度(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為層壓溫度)下，通過(guò)粘合層2將金屬箔3層壓至絕緣層1而形成的。在該實(shí)施方案中，將層壓溫度設(shè)定為不低于第二多層絕緣樹(shù)脂片20的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度。
蝕刻用于雙面撓性電路板的基底101的金屬箔3，從而形成布線圖案。因而，生成撓性印制線路板。其中金屬箔3沒(méi)有被蝕刻的基底是用于雙面撓性電路板的基底101，而其中金屬箔3已經(jīng)被蝕刻的基底是撓性印制線路板。
在該實(shí)施方案中使用的絕緣層1、粘合層2和金屬箔3的材料和厚度與上述第一實(shí)施方案中所述的絕緣層1、粘合層2和金屬箔3的材料和厚度相同。
順便提及，上述絕緣層1的材料和厚度、粘合層2的材料和厚度以及金屬箔3的材料和厚度是以示出實(shí)例的目的而給出的。這些層的材料和厚度不應(yīng)解釋為限制為那些實(shí)例，且可以適當(dāng)?shù)馗淖儭?br> 在該實(shí)施方案中，用于雙面撓性電路板的基底101是在不低于第二多層絕緣樹(shù)脂片20的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度下，通過(guò)各個(gè)粘合層2將金屬箔3層壓至絕緣層1而形成的。由于該方法的原因，可抑制撓性印制線路板遭受在蝕刻用于雙面撓性電路板的基底101的金屬箔3后由內(nèi)應(yīng)力引起的尺寸變化。因此，可在將要安裝部件的精確位置上，將待安裝的部件安裝至撓性印制線路板上。
將層壓溫度設(shè)定為不低于第二多層絕緣樹(shù)脂片20的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度，其優(yōu)選在100至400℃范圍內(nèi)。這種溫度范圍在進(jìn)一步減少在蝕刻用于雙面撓性電路板的基底101的金屬箔3后由內(nèi)應(yīng)力引起的撓性印制線路板的尺寸變化上有效。
此外，在層壓溫度下，第二多層絕緣樹(shù)脂片20的彈性模量?jī)?yōu)選在1.0×108Pa至1.0×1010Pa之間。該彈性模量范圍在進(jìn)一步減少在蝕刻用于雙面撓性電路板的基底101的金屬箔3后由內(nèi)應(yīng)力引起的撓性印制線路板的尺寸變化上有效。
在上述第二實(shí)施方案中，第二多層絕緣樹(shù)脂片20對(duì)應(yīng)于本發(fā)明所涉及的多層絕緣樹(shù)脂層。
實(shí)施例將通過(guò)參考下述實(shí)施例，更詳細(xì)地闡述本發(fā)明，但是本發(fā)明不應(yīng)解釋為限制于此。
實(shí)施例1-3和比較例1-2根據(jù)第一或第二實(shí)施方案生產(chǎn)實(shí)施例1-3的撓性電路基底，也生產(chǎn)了比較例1-2的撓性電路基底。蝕刻所生產(chǎn)的撓性電路基底的金屬箔3，然后評(píng)價(jià)撓性印制線路板的尺寸變化。
在實(shí)施例3和比較例2中，使用用于單面撓性電路板的基底100。在實(shí)施例1-2和比較例1中，使用用于雙面撓性電路板的基底101。
表1示出了實(shí)施例1-3和比較例1-2中使用的用于單面撓性電路板的基底100和用于雙面撓性電路板的基底101中每一個(gè)的絕緣層1的材料和厚度(μm)。
表2示出了實(shí)施例1-3和比較例1-2中使用的用于單面撓性電路板的基底100和用于雙面撓性電路板的基底101中每一個(gè)的粘合層2的材料和厚度(μm)以及金屬箔3的材料和厚度(μm)。
表2進(jìn)一步示出了層壓溫度(℃)；分別在各自層壓溫度下測(cè)量的第一多層絕緣樹(shù)脂片10和第二多層絕緣樹(shù)脂片20的彈性模量(Pa)；第一多層絕緣樹(shù)脂片10和第二多層絕緣樹(shù)脂片20的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg(℃)；以及尺寸變化MD和TD(％)。以下將詳細(xì)地介紹尺寸變化MD和TD。
表1

表2

在實(shí)施例1-3和比較例1-2中，將各自尺寸為5mm(寬)×30mm(長(zhǎng))的第一多層絕緣樹(shù)脂片10和第二多層絕緣樹(shù)脂片20作為樣品進(jìn)行動(dòng)態(tài)粘彈性檢測(cè)試驗(yàn)，以確定表2中所示的性能值，即第一多層絕緣樹(shù)脂片10和第二多層絕緣樹(shù)脂片20的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg和其在各自層壓溫度下的彈性模量。
順便提及，第一多層絕緣樹(shù)脂片10和第二多層絕緣樹(shù)脂片20的各自厚度是表1中所示的絕緣層1的厚度和表2中所示的粘合層2的厚度的總和。
在動(dòng)態(tài)粘彈性檢測(cè)試驗(yàn)中，用固體粘彈性評(píng)價(jià)裝置RSA-2(RheometricScientific FE.Ltd.制造)作為測(cè)量裝置。所使用的檢測(cè)方式是拉伸模式(tensilemode)，且將夾盤(pán)與夾盤(pán)之間的距離調(diào)整為22.6mm。將測(cè)量溫度設(shè)定為-50至500℃范圍內(nèi)，將加熱速率和頻率分別調(diào)整為5℃/分鐘和1Hz。
將對(duì)應(yīng)于損耗角正切值，tanδ(從損耗模量/儲(chǔ)存模量的比率計(jì)算得到的)的峰值的溫度作為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。在各個(gè)實(shí)施例1-3中，絕緣層1的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg高于粘合層2的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg，將絕緣層1的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg用作第一多層絕緣樹(shù)脂片10或第二多層絕緣樹(shù)脂片20的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
以下將就蝕刻金屬箔3后撓性印制線路板的尺寸變化，分別解釋對(duì)用于單面撓性電路板的基底100和用于雙面撓性電路板的基底101的評(píng)價(jià)。
圖3是用于評(píng)價(jià)尺寸變化的撓性電路基底的平面略圖。
如圖3所示，用于單面撓性電路板的基底100或用于雙面撓性電路板的基底101在其四個(gè)角的每一個(gè)中具有直徑為0.5mm的孔H。
在平行于輸送方向(縱向)的方向上設(shè)置的兩個(gè)孔H的各自中心之間的距離稱(chēng)為尺寸LMD。在垂直于輸送方向(橫向)的方向上設(shè)置的兩個(gè)孔H的各自中心之間的距離稱(chēng)為尺寸LTD。
首先，在蝕刻金屬箔3之前，依照IPC(The Institute for Interconnnectingand Packaging Electronic Circuit)650 2.2.4的方法預(yù)先測(cè)量尺寸LMD和LTD。獲得的值分別稱(chēng)為尺寸LMD0和LTD0。
接下來(lái)，在通過(guò)蝕刻選擇性除去金屬箔3后，將各撓性印制線路板在具有23℃的溫度和50％RH的濕度的恒溫室中靜置24小時(shí)。其后，再次測(cè)量尺寸LMD和LTD，獲得的值分別稱(chēng)為尺寸LMD1和LTD1。
根據(jù)方程MD(％)＝(LMD1-LMD0)/LMD0×100，從尺寸LMD0和LMD1的值確定在輸送方向上撓性印制線路板的尺寸變化MD(％)。
此外，根據(jù)下述方程TD(％)＝(LTD1-LTD0)/LTD0×100，從尺寸LTD0和LTD1的值確定在垂直于輸送方向的方向上撓性印制線路板的尺寸變化TD(％)。
如表2所示，實(shí)施例1和實(shí)施例2在粘合層2的材料和厚度以及金屬箔3的材料和厚度上互相相同，不同之處在于絕緣層1的材料和厚度不同。設(shè)定層壓溫度，使其不低于第二多層絕緣樹(shù)脂片20的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。
結(jié)果，實(shí)施例1中MD和TD的尺寸變化分別為-0.067(％)和-0.059(％)。也就是說(shuō)，可將實(shí)施例1中的MD和TD的尺寸變化各自減少到±0.1(％)的數(shù)值范圍內(nèi)。實(shí)施例2中MD和TD的尺寸變化分別為-0.037(％)和0.034(％)。也就是說(shuō)，可將實(shí)施例2中的MD和TD的尺寸變化各自減少到±0.1(％)的數(shù)值范圍內(nèi)。
實(shí)施例3和比較例2在絕緣層1的材料和厚度，粘合層2的材料和厚度，以及金屬箔3的材料和厚度上互相相同。實(shí)施例3中，設(shè)定層壓溫度，使其不低于第一多層絕緣樹(shù)脂片10的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。在比較例2中，設(shè)定層壓溫度，使其低于第一多層絕緣樹(shù)脂片10的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。
結(jié)果，實(shí)施例3中MD和TD的尺寸變化分別為-0.058(％)和-0.011(％)。也就是說(shuō)，可將實(shí)施例3中的MD和TD的尺寸變化各自減少到±0.1(％)的數(shù)值范圍內(nèi)。比較例2中MD和TD的尺寸變化分別為-0.11(％)和0.12(％)。也就是說(shuō)，不能將比較例2中的MD和TD的尺寸變化各自減少到±0.1(％)的數(shù)值范圍內(nèi)。
而且，在比較例1中，設(shè)定層壓溫度，使其低于第二多層絕緣樹(shù)脂片20的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。因此，不能將MD和TD的尺寸變化各自減少到±0.1(％)的數(shù)值范圍內(nèi)。
比較實(shí)施例1-3和比較例1-2的結(jié)果表明層壓溫度優(yōu)選在100至400℃之間，并且第一多層絕緣樹(shù)脂片10或第二多層絕緣樹(shù)脂片20的彈性模量?jī)?yōu)選在1.0×108Pa至1.0×1010Pa之間。
可使用本發(fā)明的生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法來(lái)例如生產(chǎn)撓性印制線路板。
盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的具體實(shí)施方案詳細(xì)地描述了本發(fā)明，但是對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和改進(jìn)。
本申請(qǐng)是以2003年12月10日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)2003-411141為基礎(chǔ)，其內(nèi)容在此引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法，其包括提供多層絕緣樹(shù)脂層，所述多層絕緣樹(shù)脂層包括絕緣層和粘合層；以及在不低于所述絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下，通過(guò)所述粘合層將金屬箔層壓至所述多層絕緣樹(shù)脂層的絕緣層。
2.權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法，其中層壓溫度在100至400℃之間，并且在層壓溫度下，多層絕緣樹(shù)脂層的彈性模量在1.0×108Pa至1.0×1010Pa之間。
3.權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法，其中多層絕緣樹(shù)脂層具有位于絕緣層兩側(cè)上的粘合層，以及其中金屬箔的層壓是通過(guò)各個(gè)粘合層相對(duì)于多層絕緣樹(shù)脂層的兩側(cè)進(jìn)行的。
4.權(quán)利要求3所述的生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法，其中層壓溫度在100至400℃之間，并且在層壓溫度下，多層絕緣樹(shù)脂層的彈性模量在1.0×108Pa至1.0×1010Pa之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種生產(chǎn)用于撓性電路板的基底的方法，其包括提供多層絕緣樹(shù)脂層，所述多層絕緣樹(shù)脂層包括絕緣層和粘合層；以及在不低于所述絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下，通過(guò)粘合層將金屬箔層壓至所述多層絕緣樹(shù)脂層的絕緣層。
文檔編號(hào)H05K1/03GK1627883SQ200410100350
公開(kāi)日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2004年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月10日
發(fā)明者徐競(jìng)雄, 三宅康文 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社