專利名稱：顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及以液晶顯示裝置(LCD)為代表的顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，在以液晶顯示裝置(LCD)及主動(dòng)發(fā)光顯示裝置(EL電致發(fā)光顯示裝置)為代表的顯示裝置所包含的薄膜晶體管(TFT)的制造中，采用將處理裝置的內(nèi)部在低壓或真空狀態(tài)下進(jìn)行的真空工藝、以及利用曝光裝置制造由光刻膠形成的掩膜并利用刻蝕除去不需要部分的光刻工藝。
在真空工藝中，需要將被處理基板進(jìn)行成膜及刻蝕等處理的工藝腔室、以及形成真空狀態(tài)或低壓狀態(tài)用的排氣裝置。排氣裝置由設(shè)置在處理裝置外部的以渦輪分子泵及旋轉(zhuǎn)泵等為代表的泵、對(duì)它們進(jìn)行管理及控制的裝置、以及連接泵與處理室而構(gòu)成排氣系統(tǒng)的管道及閥等構(gòu)成。為了裝備這些設(shè)備，在處理裝置外需要安裝排氣系統(tǒng)用的空間，另外需要為此增加的成本。再有，由于處理裝置本身也需要安裝排氣系統(tǒng)的設(shè)備，因此處理裝置的尺寸比不安裝排氣系統(tǒng)的要增大。
以往采用的形成薄膜晶體管等的布線用的光刻工藝如下所述進(jìn)行。首先，在基板上成膜的導(dǎo)電性膜上旋涂感光性抗蝕劑(光刻膠)，通過(guò)這樣將前述抗蝕劑在導(dǎo)電性膜的整個(gè)表面上擴(kuò)散，接著隔著利用金屬形成圖形的光掩膜進(jìn)行光照射，使前述抗蝕劑感光。接著，進(jìn)行顯影及后烘干，以光掩膜的圖形形狀形成抗蝕劑圖形。再將形成圖形形狀的前述抗蝕劑作為掩膜，對(duì)前述抗蝕劑下的導(dǎo)電性膜進(jìn)行刻蝕處理。最后，將作為掩膜使用的抗蝕劑圖形進(jìn)行剝離，通過(guò)這樣能夠?qū)?dǎo)電性膜刻蝕成光掩膜所形成的圖形形狀，將剩下的導(dǎo)電性膜用作為布線。
但是，在以往技術(shù)的真空工藝，隨著第5代及第5代以后的基板尺寸(1.2m×1m)的大型化，工藝腔室的容積也增大。因此，為了使工藝腔室處于真空或低壓狀態(tài)，需要更大規(guī)模的排氣系統(tǒng)，另外排氣所需要的時(shí)間也增加。再有，排氣系統(tǒng)的設(shè)備成本及維持成本等的成本方面也增大。再加上，在用氮?dú)獾葰怏w置換腔室時(shí)，由于腔室的容積增大，也需要更多的氣體量，對(duì)制造成本也產(chǎn)生影響。再有，隨著基板的大型化，由于需要電源等龐大的運(yùn)行成本，因此引起環(huán)境負(fù)擔(dān)增大。
另外，在以往技術(shù)的采用光刻工藝的工序、例如布線制造工序中，由于刻蝕除去在基板整個(gè)表面上成膜的薄膜(抗蝕劑、金屬、半導(dǎo)體等)的大部分，因此在基板上剩下的布線等的比例是百分之幾～百分之幾十左右。在利用旋涂形成抗蝕劑膜時(shí)，約95％浪費(fèi)掉。即，扔掉了材料的絕大部分，不僅對(duì)制造成本產(chǎn)生影響，還導(dǎo)致環(huán)境負(fù)擔(dān)增大。在生產(chǎn)線上流片的基板尺寸越大，這樣的傾向則越明顯。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明中，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的液滴噴射裝置，在被處理膜上噴射含有導(dǎo)電性粒子的液滴，局部形成導(dǎo)電性膜，形成布線。通過(guò)這樣，能夠不用光刻工序而形成布線，能夠簡(jiǎn)化工序。
再有，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的第2液滴噴射裝置，在前述導(dǎo)電性膜上局部形成抗蝕劑圖形，將所述抗蝕劑圖形作為掩膜對(duì)前述導(dǎo)電性膜進(jìn)行刻蝕，形成布線。通過(guò)這樣，與采用旋涂法的光刻相比，能夠大幅度減少抗蝕劑的使用量。
另外，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下，局部進(jìn)行前述導(dǎo)電性膜的刻蝕。通過(guò)這樣，不需要使工藝腔室內(nèi)處于真空或低壓狀態(tài)下用的真空處理，能夠減少排氣系統(tǒng)有點(diǎn)的負(fù)擔(dān)。
這里，所謂大氣壓附近的壓力是指600～106000Pa的壓力。
另外，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，是在被處理基板上形成導(dǎo)電性膜之后，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者將多組圓筒形電極呈直接狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下，對(duì)前述導(dǎo)電膜的不需要部分局部進(jìn)行刻蝕，形成布線。通過(guò)這樣，能夠不用光刻工序而形成布線，能夠簡(jiǎn)化工序。
通過(guò)采用本發(fā)明的顯示裝置的制造方法來(lái)制造顯示裝置，能夠減少顯示裝置制造中所用的材料的浪費(fèi)。因而，通過(guò)降低制造成本。另外，通過(guò)采用本發(fā)明的顯示裝置的制造方法來(lái)制造顯示裝置，能夠力圖簡(jiǎn)化工序，縮小裝置進(jìn)而生產(chǎn)線的規(guī)模，另外縮短工序的時(shí)間。另外，由于能夠簡(jiǎn)化以往所必須的排氣系統(tǒng)的設(shè)備等而節(jié)能，因此能夠減少環(huán)境負(fù)擔(dān)。


圖1A～1D為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1有關(guān)的處理工序的立體示意圖。
圖2A～2D為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1有關(guān)的處理工序的立體示意圖。
圖3A～3C所示為本發(fā)明的點(diǎn)狀液滴噴射裝置構(gòu)成的立體圖。
圖4所示為本發(fā)明的點(diǎn)狀液滴噴射裝置的液滴噴射部分的構(gòu)成圖。
圖5A～5C所示為本發(fā)明的點(diǎn)狀液滴噴射裝置的液滴噴射部分的底面的圖。
圖6A及6B所示為本發(fā)明的大氣壓或大氣壓附近下的等離子體處理裝置構(gòu)成的立體圖。
圖7A～7E所示為本發(fā)明的大氣壓等離子體處理裝置的等離子體發(fā)生裝置的構(gòu)成圖。
圖8A～8C為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2有關(guān)的處理工序的立體示意圖。
圖9A～9D為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2有關(guān)的處理工序的立體示意圖。
圖10A～10C為本發(fā)明實(shí)施例1有關(guān)的制造工序的示意圖，各自的左圖為頂視圖，右圖為左圖的a-a’的剖視圖。
圖11A～11C為本發(fā)明實(shí)施例1有關(guān)的制造工序的示意圖，各自的左圖為頂視圖，右圖為左圖的a-a’的剖視圖。
圖12A～12C為本發(fā)明實(shí)施例1有關(guān)的制造工序的示意圖，各自的左圖為頂視圖，右圖為左圖的a-a’的剖視圖。
圖13A～13C為本發(fā)明實(shí)施例1有關(guān)的制造工序的示意圖，各自的左圖為頂視圖，右圖為左圖的a-a’的剖視圖。
圖14A及14B為本發(fā)明實(shí)施例1有關(guān)的制造工序的示意圖，各自的左圖為頂視圖，右圖為左圖的a-a’的剖視圖。
圖15A～15C所示為本發(fā)明實(shí)施例3有關(guān)的電子設(shè)備圖。
圖16A～16C為本發(fā)明實(shí)施例2有關(guān)的制造工序的示意圖，各自的左圖為頂視圖，右圖為左圖的a-a’的剖視圖。
圖17A～17C為本發(fā)明的本發(fā)明實(shí)施例2有關(guān)的制造工序的示意圖，各自的左圖為頂視圖，右圖為左圖的a-a’的剖視圖。
圖18A～18C為本發(fā)明的本發(fā)明實(shí)施例2有關(guān)的制造工序的示意圖，各自的左圖為頂視圖，右圖為左圖的a-a’的剖視圖。
圖19為本發(fā)明的本發(fā)明實(shí)施例2有關(guān)的制造工序的示意圖，各自的左圖為頂視圖，右圖為左圖的a-a’的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)(實(shí)施形態(tài)1)在本實(shí)施形態(tài)中，通過(guò)使用具有多個(gè)液滴噴射孔呈直線狀配置的液滴噴射頭的液滴噴射裝置、以及具有在大氣壓或大氣壓附近下的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在所希望的尺寸的玻璃基板上制造作為顯示裝置所不可缺少的布線圖形。特別是本發(fā)明打算適用于大型化的第5代及第5代以后的基板。以下參照

本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1。
首先采用濺射或CVD法(化學(xué)氣相淀積法)等眾所周知的方法，在玻璃、石英、半導(dǎo)體、塑料、塑料薄膜、金屬、玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷等各種材料的被處理基板101上形成構(gòu)成布線的導(dǎo)電性膜102(圖1B)。作為被處理基板101的材料，若是能夠承受本發(fā)明制造工序的處理溫度的材料，則不管是什么材料都行。
然后，使用具有后述將多個(gè)液滴噴射孔在一條線上配置的液滴噴射頭105的液滴噴射裝置(圖1C)，在布線圖形的形成部分形成多個(gè)抗蝕劑圖形103(圖1D)。在抗蝕劑圖形103形成后，進(jìn)行烘干處理。前述在抗蝕劑圖形103的各部分具有與利用從多個(gè)液滴噴射孔噴射液滴而形成的多個(gè)圖形有關(guān)聯(lián)的圖形。這是在沿一個(gè)方向使液滴噴射頭105掃描期間內(nèi)，每隔一定時(shí)間間隔噴射液滴，通過(guò)這樣形成在抗蝕劑圖形103的形狀。另外進(jìn)行控制，使得在多個(gè)液沒(méi)噴射孔中僅從特定的液滴噴射孔連續(xù)噴射液滴，通過(guò)這樣不僅能夠形成上述那樣的線狀圖形，也能夠形成例如T字形的圖形等任意的圖形。
然后，將上述在抗蝕劑圖形103作為掩膜，使用具有后述的在大氣壓或大氣壓附近下的等離子體發(fā)生裝置106的等離子體處理裝置，將導(dǎo)電性膜102進(jìn)行刻蝕(圖2A)。前述刻蝕是通過(guò)使得等離子體發(fā)生裝置沿一個(gè)方向(或者使被處理基板沿一個(gè)方向)掃描來(lái)進(jìn)行的。這時(shí)，作為刻蝕氣體是使用與導(dǎo)電性膜反應(yīng)的氣體。通過(guò)進(jìn)行上述的刻蝕處理，僅將沒(méi)有被前述抗在抗蝕劑圖形103覆蓋的導(dǎo)電膜性102進(jìn)行刻蝕(圖2B)。在前述刻蝕處理后，將不需要的在抗蝕劑圖形103使用同樣的前述等離子體處理裝置進(jìn)行研磨，并除去(圖2C)。前述研磨時(shí)的等離子體發(fā)生裝置的掃描與前述刻蝕時(shí)間同樣進(jìn)行。其結(jié)果，僅剩下抗蝕劑圖形形成部位的導(dǎo)電性膜，形成布線圖形104(圖2D)。另外，作為研磨時(shí)的氣體是使用與抗蝕劑反應(yīng)性強(qiáng)的氧氣。
以下參照

本發(fā)明使用的具有將點(diǎn)狀液滴噴射孔呈直線狀配置的液滴噴射頭的點(diǎn)狀液滴噴射裝置。
圖3A～圖3C所示為本發(fā)明的線狀液滴噴射裝置一構(gòu)成例，另外，圖4及圖5A～5C所示為該線狀液滴噴射裝置使用的配置噴嘴的頭部。
圖3A所示的線狀液滴噴射裝置在裝置內(nèi)有頭306，利用它噴射液滴，通過(guò)這樣在基板302上得到所希望的液滴圖形。在本線狀液滴噴射裝置中，作為基板302除了可以采用所希望尺寸的玻璃基板，其它還可以適用于以塑料基板為代表的樹脂基板、或以硅為代表的半導(dǎo)體晶片等被處理物體。
在圖3A中，基板302從送入口304送入殼體301內(nèi)部，將結(jié)束了液滴噴射處理的基板從送出口305送出。在殼體301內(nèi)部，基板302放置在傳送臺(tái)303上，傳送臺(tái)303在連接送入口與送出口的軌道310a及310b上移動(dòng)。
頭支持部307支持噴射液滴的頭306，與傳送臺(tái)303平行移動(dòng)?；?02一送入殼體301內(nèi)部，與此同時(shí)頭支持部307移動(dòng)，使其對(duì)準(zhǔn)規(guī)定位置。在基板送入時(shí)或基板送出時(shí)，頭306向初始位置進(jìn)行移動(dòng)，通過(guò)這樣能夠高效進(jìn)行噴射處理。
利用傳送臺(tái)303的移動(dòng)，基板302一到達(dá)頭306等待的規(guī)定位置，就開始液滴噴射處理。液滴噴射處理是利用頭支持部307與基板302的相對(duì)移動(dòng)、和從頭支持部支持的頭306的液滴噴射的組合來(lái)完成的。通過(guò)調(diào)節(jié)基板或頭支持部的移動(dòng)速度、以及從頭306噴射液滴的周期，能夠在基板302上繪出所希望的液滴圖形。特別是由于液滴噴射處理要求高精度，因此最好液滴噴射時(shí)使傳送臺(tái)的移動(dòng)停止，僅使控制性好的頭支持部307依次掃描。另外，頭306也可以沿一個(gè)方向前后掃描。
原料液從設(shè)置在殼體301外部的液滴供給部309向殼體內(nèi)部供給，再通過(guò)頭支持部307，供給頭306內(nèi)部的液料室。該原料液的供給是利用設(shè)置在殼體301外部的控制裝置308來(lái)控制，但也可以利用殼體內(nèi)部的頭支持部307中安裝的控制裝置來(lái)控制。
另外，傳送臺(tái)及頭支持部的移動(dòng)同樣是利用設(shè)置在殼體301外部的控制裝置308來(lái)控制。
在圖3A中雖未畫出，但根據(jù)需要，也可以再設(shè)置與基板或基板上的圖形對(duì)準(zhǔn)位置用的傳感器、氣體送入殼體內(nèi)的氣體送入裝置、殼體內(nèi)部排氣裝置、對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的裝置、向基板照射光的裝置、以及測(cè)量溫度及壓力等各種物理特性值的裝置等。另外，這些裝置也可以利用設(shè)置在殼體301外部的控制裝置308來(lái)統(tǒng)一控制。另外，若將控制裝置308利用LAN電纜、無(wú)線LAN、光纖等與生產(chǎn)管理系統(tǒng)等連接，就能夠從外部統(tǒng)一工序，有助于提高生產(chǎn)率。
接著說(shuō)明頭306的內(nèi)部構(gòu)造。圖4為沿長(zhǎng)度方向來(lái)看圖3A的頭306的剖面，圖4的右側(cè)與頭支持部連接。
從外部供給頭401內(nèi)部的液滴通過(guò)公共液料室流通路徑402之后，分配給噴射液滴用的各噴嘴409。各噴嘴部分由為了將適度的液滴裝入噴嘴內(nèi)而設(shè)置的流體阻力部分403、對(duì)液滴加壓而向噴嘴外部噴射用的加壓室404、以及液滴噴射孔406構(gòu)成。
在加壓室404的側(cè)壁配置因加上電壓而變形、具有壓電效應(yīng)的鈦酸鋯酸鉛(Pb(Zr，Ti)O3)等壓電元件405。因此，通過(guò)對(duì)于目標(biāo)噴嘴配置的壓電元件405加上電壓，就能夠?qū)⒓訅菏?04內(nèi)的液滴擠出，向外部噴射液滴407。另外，由于各壓電元件利用與其接觸的絕緣體408加以絕緣，因此相互之間不會(huì)電接觸，能夠控制一個(gè)個(gè)噴嘴的噴射。
在本發(fā)明中，液滴噴射是采用壓電元件的所謂壓電方式進(jìn)行的，但取決于液滴的材料，也可以采用所謂熱噴射方式，即讓發(fā)熱體發(fā)熱，使其產(chǎn)生氣泡，從而將液滴擠出。在這種情況下，采用將壓電元件405置換成發(fā)熱體的構(gòu)造。
另外，在液滴噴射用的噴嘴部分409中，液滴與公共液洋室流通路徑402、流體阻力部分403、加壓室404以及液滴噴射孔407的浸潤(rùn)性是很重要的。因此，也可以在各自的流通路徑形成調(diào)整與材料的浸潤(rùn)性用的碳膜或樹脂膜等。
利用上述的裝置，使液滴連續(xù)噴射，能夠形成與由各溢滴形成的圖形相關(guān)聯(lián)的所希望形狀的圖形。
圖5A～5C是表示圖4的頭的底部的示意圖，圖5A是在頭501底面將液滴噴射孔502呈直線狀配置的情況。與此不同的是，在圖5B中，采用兩排頭底部503的液滴噴射孔504，將這兩排分別錯(cuò)開半個(gè)間距配置。另外，在圖5C中，是增加一排但不錯(cuò)開間距配置。在圖5C的配置中，在從第一排的液滴噴射孔506噴射液滴后，隔了時(shí)間差從液滴噴射孔507在同樣的部位噴射同樣的液滴，通過(guò)這樣在已經(jīng)噴射的基板上的液滴干燥及固化之后，能夠再使相同的液滴堆積，以增加厚度。另外，在第一排的噴喲因液滴等而產(chǎn)行孔堵塞時(shí)，也可以使第二排的液滴噴射孔起到作用備用的功能。
下面再說(shuō)明對(duì)圖3A所示的線狀液滴噴射裝置加以改進(jìn)后的圖3B所示的線狀液滴噴射裝置。在本裝置中是這樣設(shè)計(jì)的，它對(duì)頭支持部307設(shè)置旋轉(zhuǎn)裝置，通過(guò)旋轉(zhuǎn)任意的角度θ，使頭306相對(duì)于基板302有一定角度。角度θ允許為任意的角度，但若考慮到整個(gè)裝置的尺寸，則最好相對(duì)于基板移動(dòng)的方向在0°到45°以內(nèi)，通過(guò)使該頭支持部307具有旋轉(zhuǎn)裝置，通夠以比頭設(shè)置的液滴噴射孔的間距更窄的間距來(lái)畫出液滴圖形。
另外，圖3C是配置了兩個(gè)圖3A所示的線狀液滴噴射裝置的頭306的雙頭構(gòu)造的線狀液滴噴射裝置。在本裝置中，與圖5C所示的在頭內(nèi)部配置兩排液滴噴射孔的裝置不同，它能夠?qū)⒉牧喜煌囊旱卧谕粧呙柚薪y(tǒng)一進(jìn)行噴射。即，一面通過(guò)用頭306a來(lái)噴射原料液A而形成圖形，一面隔開微小的時(shí)間差通過(guò)用頭306b來(lái)噴射原料B而形成圖形，能夠上述那樣連續(xù)形成圖形。309a及309b是原料液供給部，儲(chǔ)備并供給各頭所用的原料液A及原料液B。通過(guò)采用該雙頭構(gòu)造，能夠簡(jiǎn)化工序，能夠顯著提高效率。
下面參照

實(shí)施形態(tài)1所用的具有在大氣壓或大氣壓附近下的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置。圖6A及6B是本發(fā)明中所用的前述等離子體處理裝置一個(gè)例子的立體圖。在前述等離子體處理裝置中，對(duì)構(gòu)成顯示裝置的所希望尺寸的玻璃基板、以塑料基板為代表的樹脂基板等被處理物體603進(jìn)行處理。作為被處理物體603的傳送方式，可以舉出有水平傳送，但在采用第5代及第5代之后的基板時(shí)，為了減少傳送機(jī)械的占有面積，也可以進(jìn)行將基板豎直放置的立式傳送。
圖6A為本發(fā)明中所用的等離子體處理裝置一個(gè)例子的頂視圖，圖6B為剖視圖。在該圖中，在盒式腔室606中，設(shè)置所要尺寸的玻璃基板、塑料基板為代表的樹脂基板等被處理物體603。作為被處理物體603的傳送方式，可以舉出有水平傳送，但在采用第5代及第5代之后的基板時(shí)，為了減少傳送機(jī)械的占有面積，也可以進(jìn)行將基板豎直放置的立式傳送。
在傳送室607，將配置在盒式腔室606的被處理物體603利用傳送裝置(機(jī)器人手臂)609向等離子體處理室608傳送。在與傳送室607相鄰的等離子體處理室608中設(shè)置氣流控制裝置601、具有圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置602、使等離子體發(fā)生裝置602移動(dòng)的軌道604a及604b、使被處理物體603進(jìn)行移動(dòng)的移動(dòng)裝置605等。另外，根據(jù)需要，設(shè)置燈等眾所周知的加熱裝置(未圖示)。
氣流控制裝置601是以防塵為目的的，采用從噴出口610噴射的惰性氣體進(jìn)行氣流控制，以便與外氣隔開。等離子體發(fā)生裝置602利用沿被處理物體603的傳送方向配置的軌道604a、以及沿與該傳送方向垂直地方向配置的軌道604b，移動(dòng)到規(guī)定的位置。另外，被處理物體603利用移動(dòng)裝置605沿傳送方向移動(dòng)。實(shí)際上在進(jìn)行等離子體處理時(shí)，也可以使等離子體發(fā)生裝置602及被處理物體603的某一方移動(dòng)。等離子體發(fā)生裝置602與被處理物體603的距離是3mm以下，比較好的是1mm以下，最好是0.5mm以下。也可以特別安裝測(cè)量距離用的傳感器，控制前述被處理物體603的表面與成為工藝氣體噴射口的針孔的距離。
下面用圖7A～7E說(shuō)明等離子體發(fā)生裝置602的詳細(xì)情況。圖7A～7B所示為具有圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置602的立體圖，圖7C～7C所示為該圓筒形電極的剖視圖。
圖7A所示為具有后述的一組圓筒電極的等離子體發(fā)生裝置602a的示意圖。等離子體發(fā)生裝置602a能夠局部進(jìn)行等離子體處理。另外，與此不同的是，圖7B所示為將多組后述的圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置602b的示意圖。等離子體發(fā)生裝置602b由于具有這樣的排列，因此能夠同時(shí)在該排的整個(gè)區(qū)域進(jìn)行等離子體處理。所以，通過(guò)在相對(duì)于波處理物體603的移動(dòng)方向垂直的方向使具有前述呈直線狀排列的電極的等離子體發(fā)行裝置602b掃描，就能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行大面積的等離子體處理。另外，通過(guò)選擇前述電極，能夠在該排的任意部位局部進(jìn)行等離子體處理。另外，所謂等離子體處理，是指成膜、刻膜、研磨等的利用等離子體反應(yīng)的處理。
然后在圖7C中說(shuō)明上述的一組圓筒形電極。虛線表示氣體的路徑，701及702是由鋁、銅等具有導(dǎo)電性的金屬制成的電極，第1電極701與電源(高頻電源)705連接。另外，與第1電極701也可以連接使冷卻水循環(huán)用的冷卻系統(tǒng)(未圖示)。若設(shè)置冷卻系統(tǒng)，則能夠利用冷卻水的循環(huán)來(lái)防止連續(xù)進(jìn)行表面處理時(shí)的加熱，提高連續(xù)處理的效率。第2電極702具有包圍第1電極701的周圍的形狀，電路上接地。而且第1電極701與第2電極702具有在前端有噴嘴狀的氣體針孔的圓筒形。另外，在圖中雖未表示，但在第1電極701或第2電阻702中至少一個(gè)電極的表面用固體介質(zhì)覆蓋。作為固體介質(zhì)，可以舉出有二氧化硅、氧化鋁、二氧化鋯、二氧化鈦等金屬氧化物、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯等塑料、玻璃、以及鈦酸鋇等復(fù)合氧化物等。固體介質(zhì)的形狀可以是片狀，也可以是薄膜狀，厚度最好是0.05～4mm。
另外，對(duì)該第1電極701與第2電極702的兩電極之間的空間通過(guò)閥703從氣體供給裝置(氣罐)704供給工藝用氣體。于是，置換該空間的氣氛，若在該狀態(tài)下利用高頻電源705對(duì)第1電極701加上高頻電壓(10～500MHz)，則在前述空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體。然后，將包含利用該等離子體生成的離子、原子團(tuán)等化學(xué)性的活性激勵(lì)種的反應(yīng)性氣流向被處理物體603的表面照射，則能夠在該被處理物體603的表面進(jìn)行規(guī)定的表面處理。
另外，氣體供給裝置(氣罐)704中充入的工藝用氣體按照處理室內(nèi)進(jìn)行的表面處理的種類適當(dāng)設(shè)定。另外，排出氣體706通過(guò)除去氣體中混入的垃圾的過(guò)濾器707及閥708，送入排氣系統(tǒng)709。另外，送入排氣系統(tǒng)709的氣體也可以使其通過(guò)過(guò)濾器，除去混入的垃圾加以凈化，以圖再利用。這樣通過(guò)進(jìn)行再利用，能夠提高氣體的利用效率。
另外，圖7D及7E所示為與圖7C的剖面不同的圓筒形電極。圖7D的第1電極701比第2電極702要長(zhǎng)，而且第1電極701具有銳角形狀，另外圖7E所示的圓筒形電極具有將在第1電極701與第2電極702之間產(chǎn)生的電離氣流向外部噴射的形狀。
本發(fā)明采用在大氣壓或大氣壓附近下動(dòng)作的等離子體處理裝置，不需要對(duì)于低壓裝置是必需的抽真空或大氣開放的時(shí)間，不需要配置復(fù)雜的真空系統(tǒng)。特別是采用大型基板的情況下，由于腔室也必須大型化，若使腔室內(nèi)形成減壓狀態(tài)，則處理時(shí)間也很長(zhǎng)，因此在大氣壓或大氣壓附近下動(dòng)作的本裝置是很有效的，能夠降低制造成本。
(實(shí)施形態(tài)2)在本實(shí)施形態(tài)中，通過(guò)僅使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的線狀液滴噴射裝置來(lái)形成布線。
從線狀液滴噴射裝置向玻璃基板801噴射含有導(dǎo)電性超微粒子的材料。這里，使噴射液滴的頭802或玻璃基板801掃描，通過(guò)這樣形成布線圖形(圖8B)。對(duì)形成布線圖形的玻璃基板801進(jìn)行加熱處理，通過(guò)這樣形成布線804(圖8C)。
這里，采用上述液滴噴射裝置的噴嘴直徑設(shè)定為0.1～50μm(最好為0.6～26μm)，從噴嘴噴射的組成物的噴射量設(shè)定為0.00001pl～50pl(最好為0.0001～40pl)。該噴射量與噴嘴直徑的大小成正比增加。另外，關(guān)于被處理物體與噴嘴噴射口的距離，為了滴下在所希望的部位，最好盡可能接近，最好設(shè)定為0.1～2mm左右。另外，即使不改變噴嘴直徑，也可以通過(guò)改變加在壓電元件上的脈沖電壓來(lái)控制噴射量。最好設(shè)定這些噴射條件，使得線寬為大約10μm以下。
另外，利用液滴噴射法從噴射口噴射的組成物是采用將導(dǎo)電性材料溶解或分散在溶劑中的組成物。所謂導(dǎo)電性材料，相當(dāng)于Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al等金屬、Cd、Zn的金屬硫化物、Fe、Ti、Si、Ge、Si、Zr、Ba等的氧化物、鹵化銀的微粒子或分散性納粒子。另外，相當(dāng)于作為透明導(dǎo)電膜使用的銦錫氧化物(ITO)、由銦錫氧化物及氧化硅組成的ITSO、有機(jī)銦、有機(jī)錫、氧化鋅、氮化鈦等。但是，從噴射口噴射的組成物若考慮到電阻率，則比較好的是將金、銀、銅的某一種材料溶解或分散在溶劑中的組成物，最好是采用低電阻的銀或銅。但是，在采用銀或銅時(shí)，為了對(duì)付雜質(zhì)，最好一起設(shè)置阻擋膜。作為阻擋膜，可以采用氮化硅膜或硼化鎳(NiB)。
另外，也可以是在導(dǎo)電性材料的周圍覆蓋其它的導(dǎo)電性材料而形成多層的粒子。例如，也可以采用在銅的周圍覆蓋硼化鎳(NiB)、再在其周圍覆蓋銀的三層構(gòu)造的粒子等。溶劑采用乙酸丁酯、乙酸乙酯等酯類、異丙醇、酒精等醇類、甲基乙基甲酮、丙酮等有機(jī)溶劑等。組成物的粘度最好是20cp以下，這是為了防止引起干燥?；蛘邽榱耸沟脧膰娚淇谀軌蝽樌麌娚浣M成物。另外，組成物的表面張力最好是40mN/m以下。但是，也可以根據(jù)所用的溶劑或用途，適當(dāng)調(diào)整組成物的粘度等。作為一個(gè)例子，可以將ITO、有機(jī)銦或有機(jī)錫溶劑或分散在溶劑中的組成物的粘度設(shè)定為5～20mPa·S，將銀溶解或分散在溶劑中的組成物的粘度設(shè)定為5～20mPa·S，將金溶解或或分解在溶劑中的組成物的粘度設(shè)定為5～20mPa·S。
通過(guò)將圖8A～8C所示那樣噴射的液滴從抗蝕劑換成含有導(dǎo)電性超微粒子的材料，就能夠直接制造形成了圖形的布線。通過(guò)這樣，由于不需要抗蝕劑掩膜，所以能夠更進(jìn)一步提高效率及降低成本。在導(dǎo)電性微粒子的尺寸小、另外不需要進(jìn)行微細(xì)形狀加工時(shí)，采用以上那樣的方法是有效的。
(實(shí)施形態(tài)3)在本實(shí)施形態(tài)中，僅使用前述等離子體處理裝置來(lái)形成布線。以下說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)。
首先，采用濺射處理方法，在被處理基板901上形成構(gòu)成布線的導(dǎo)電性膜902(圖9A及9B)。然后，使用在實(shí)施形態(tài)1中也使用的、包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或?qū)⒍嘟M圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下選擇性地刻蝕導(dǎo)電性膜902(圖9C)。前述刻蝕是這樣進(jìn)行的，它使被處理基板901沿一個(gè)方向(或者使等離子體發(fā)生裝置903沿一個(gè)方向)掃描，僅對(duì)導(dǎo)電性膜902中必須除去的部分選擇性地進(jìn)行刻蝕處理。
如上所述，對(duì)被處理物體上進(jìn)行選擇性的刻蝕、分離，通過(guò)這樣能夠形成布線904。
利用以上的方法，能夠省略抗蝕劑圖形的形成工序，能夠簡(jiǎn)化工序。
(實(shí)施例)[實(shí)施例1]在本實(shí)施例中，使用進(jìn)行局部等離子體表面處理的等離子體處理裝置，它包括具有配置多個(gè)液滴噴射的液滴噴射頭的液滴噴射裝置及具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置，下面說(shuō)明應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置的制造方法。
在采用玻璃、石英、半導(dǎo)體、塑料、塑料薄膜、金屬、玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷等各種材料的被處理基板1001上，利用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的液滴噴射裝置，對(duì)必要的部位噴射具有導(dǎo)電性的組成物，通過(guò)這樣形成柵極電極及布線1002、和電容電極及布線1003(圖10A)。這里，柵極電極和布線1002形成一體化結(jié)構(gòu)。另外，電容電極和與電容電極連接的布線也形成一體化。
然后，對(duì)形成了柵極電極及布線1002、和電容電極及布線1003的基板進(jìn)行加熱處理等，通過(guò)這樣使液滴中含有的溶劑揮發(fā)。另外，前述加熱處理也可以在利用線狀液滴噴射裝置進(jìn)行液滴噴射時(shí)，在任意區(qū)域液滴噴射后、或全部工序結(jié)束之后的任一種情況下進(jìn)行。
接著，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的線狀液滴噴射裝置，形成覆蓋前述工序噴射的柵極電極及布線1002、和電容電極及布線1003的抗蝕劑1004及1005(圖10B)。另外，為了形成柵極電極及布線1002、和電容電極及布線1003而使用的線狀液滴噴射裝置與形成抗蝕劑的線狀液滴噴射裝置可以是分別不同的裝置，也可以是具有能夠分別噴射不同材料的液滴的兩個(gè)頭的一個(gè)裝置。
然后，進(jìn)行曝光及顯影，將前述抗蝕劑加工成所希望的形狀，形成抗蝕劑圖形(圖10C)。另外，在能夠?qū)⒉捎镁€狀液滴噴射裝置而形成的抗蝕劑的形狀照原樣用作為掩膜時(shí)，就不需要特別再利用曝光及顯影對(duì)抗蝕劑進(jìn)行加工。
然后，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或?qū)⒍嘟M圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下形成等離子體，將抗蝕劑1004a及1005b作為掩膜，將柵極電極及布線1002、和電容電極及布線1003的任意部位局部進(jìn)行刻蝕后，使用前述等離子體處理裝置，利用研磨除去抗蝕劑(圖11A及11B)。另外，在本實(shí)施例中，是如上那樣局部進(jìn)行刻蝕，但也可以采用眾所周知的刻蝕裝置。
另外，若在對(duì)加工精度的要求不是那樣很高的情況下，則也可以如實(shí)施形態(tài)2的圖8A～8C所示那樣，僅使用液滴噴射裝置，噴射含有導(dǎo)電性粒子的液滴，通過(guò)這樣來(lái)形成布線。在這種情況下，由于不需要采用抗蝕劑，因此能夠力圖簡(jiǎn)化工序及提高材料的利用效率。
利用以上的工序形成柵極電極及布線2002、和電容電極及布線2003。另外，作為利用液滴噴射法形成柵極電極及布線2002、和電容電極及布線2003的材料與實(shí)施形態(tài)2相同，只要采用使Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al等金屬、Cd、Zn的金屬硫化物、Fe、Ti、Si、Ge、Si、Zr、Ba等的氧化物、鹵化銀的微粒子或分散性納粒子等溶解或分散在溶劑中的材料即可。
然后，利用CVD法(化學(xué)氣相淀積法)等眾所周知的方法，形成柵極絕緣膜1006(圖11C)。在本實(shí)施形態(tài)中，作為柵極絕緣膜1006是利用CVD法形成氮化硅膜，但也可以形成氧化硅膜或它們的層疊結(jié)構(gòu)。
再利用濺射法、LP(低壓)CVD法、等離子體CVD法等，形成25～80nm(最好是30～60nm)厚的活性半導(dǎo)體層1007薄膜。該活性半導(dǎo)體層1007是以非晶態(tài)硅膜為代表的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜，在被處理基板1001上的整個(gè)表面形成(圖12A)。
接著，在被處理基板上的整個(gè)表面形成氮化硅膜等薄膜之后，利用抗蝕劑掩膜形成溝道保護(hù)膜(刻蝕停止膜)1008(圖12B)。為了形成該溝保護(hù)膜1008，可以使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的線狀液滴噴射裝置，或者也可以采用具有利用旋涂法形成抗蝕劑膜工序的光刻工藝。接著，在被處理基板上的整個(gè)表面形成添加賦予N型導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜1009(圖12C)。
然后，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的線狀液滴噴射裝置，形成源極和漏極電極及布1010和1011(圖13A)。另外，源極和漏極電極及布線1010和1011只要與圖10A至圖11B所示的柵極電極及布線1002、和電容電極及布線1003同樣形成圖形形成即可。即，只要在噴射含有導(dǎo)電性粒子的液滴之后，形成抗蝕劑，進(jìn)行圖形形成，形成源極和漏極電極及布線1010和1011即可。另外，也可以僅使用液滴噴射裝置，噴射含有導(dǎo)電性粒子的液滴，通過(guò)這樣來(lái)形成布線。在這種情況下，由于不需要采用抗蝕劑，因此能夠力圖簡(jiǎn)化工序及提高材料的利用效率。作為形成源極和漏極電極及布線1010和1011的材料，與柵極電極及布線相同，可以采用使Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al等金屬、Cd、Zn的金屬硫化物、Fe、Ti、Si、Ge、Si、Zr、Ba等的氧化物、鹵化銀的微粒子或分散性納粒子等溶解或分散在溶劑中的材料。
然后，將源極和漏極電極布線1010和1011作為掩膜，對(duì)于添加賦予N型導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜1009，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者具有將多組圓筒形電極的呈直線狀配置的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下形成等離子體，并將它進(jìn)行掃描，通過(guò)這樣將任意的部位進(jìn)行刻蝕(圖13B)。
再利用CVD法等，形成保護(hù)膜1012(圖13C)。在本實(shí)施例中，作為保護(hù)膜1012是利用CVD法形成氮化硅膜，但也可以形成氧化硅膜或它們的層疊結(jié)構(gòu)。另外，也可以使用丙烯膜等有機(jī)系樹脂膜。
然后，在使用線狀液滴噴射裝置噴射抗蝕劑之后，利用眾所周知的光刻工藝，將抗蝕劑形成圖形(未圖示)。再使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者具有將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下形成等離子體，對(duì)保護(hù)膜1012進(jìn)行刻蝕，形成接觸孔1013(圖14A)。
然后，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的液滴噴射裝置，形成像素電極1014(圖14B)。該像素電極1014可以利用線狀液滴噴射裝置直接畫成，也可以與圖10A至圖11B所示的柵極電極及布線1002、和電容電極及布線2003相同進(jìn)行圖形形成來(lái)完成。作為形成該像素電極1014的材料，可以采用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al等金屬、Cd、Zn的金屬硫化物、Fe、Ti、Si、Ge、Si、Zr、Ba等的氧化物、鹵化銀的微粒子或分散性納離子、銦錫氧化物(ITO)、銦錫氧化物及氧化硅構(gòu)成的ITSO、有機(jī)銦、有機(jī)錫、氧化鋅、氧化鈦等透明導(dǎo)電膜那樣的導(dǎo)電性材料。
在如上那樣在被處理基板上制成TFT之后，將它作為單元組合，制成顯示裝置。另外，單元組合只要采用眾所周知的方法即可。
在實(shí)施例1中所示的溝道保護(hù)型的顯示裝置的制造方法，而在本實(shí)施例中，將說(shuō)明利用溝道刻蝕型的顯示裝置的制造方法。
由于圖16A之前只要與實(shí)施例1說(shuō)明的圖12A之前同樣形成即可，因此省略說(shuō)明。另外，實(shí)施例1中說(shuō)明的圖10A～圖14B的同一部位采用相同的標(biāo)號(hào)。
首先，與實(shí)施例1相同，如圖16A所示，在柵極絕緣膜1006上形成半導(dǎo)體層1007。然后，在半導(dǎo)體1007上形成添加賦予N型導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜3009(圖16B)。
然后，在非晶態(tài)半導(dǎo)體膜3009上形成絕緣膜3100，使其覆蓋柵極電極上及其周邊部分(圖16C)。這里，絕緣膜3100是利用液滴噴射裝置通過(guò)選擇性地噴射組成物而形成的，但在要求加工精度時(shí)，也可以在形成絕緣膜后形成抗蝕劑，再利用曝光及顯影進(jìn)行圖形形成，這樣來(lái)形成絕緣膜3100。然后，以絕緣膜3100作為掩膜，對(duì)于沒(méi)有覆蓋絕緣膜的半導(dǎo)體層1007及添加了賦予N型導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜3009，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下形成等離子體，將任意的部分進(jìn)行刻蝕(圖17A)。
接著，使用前述等離子體處理裝置，通過(guò)研磨除去絕緣膜3100之后，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的線狀液滴噴射裝置，噴射含有導(dǎo)電性粒子的液滴，形成布線3110及3111(圖17B)。接著，使用液滴噴射裝置，在布線3110及3111上形成抗蝕劑3112及3113(圖17C)?？刮g劑3112及3113可以利用曝光及顯影形成加工為所希望的形狀的圖形，也可以將使用液滴噴射裝置形成的抗蝕劑的形狀照原樣用作為掩膜。
接著，與實(shí)施例1的圖10A至圖11B所示的柵極電極及布線相同，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，將抗蝕劑3112及3113作為掩膜，進(jìn)行刻蝕，形成源極和漏極電極及布線3010和3011。另外，在這里雖未圖示，但在源極和漏極電極及布線3010和3011的形成中，若在對(duì)加工精度的要求不是那樣很高的情況下，則也可以如實(shí)施形態(tài)2的圖8A～8C所示那樣，僅使用液滴噴射裝置，噴射含有導(dǎo)電性粒子的液滴，通過(guò)這樣來(lái)形成源極和漏極電極及布線。
然后，將源極和漏極電極及布線3010和3011作為掩膜，對(duì)于添加了賦予N型導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的非晶態(tài)半導(dǎo)體膜3009，使用等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下形成等離子體，將它進(jìn)行掃描，通過(guò)這樣將任意的部位進(jìn)行刻蝕(圖18A)。
再利用CVD法等，形成保護(hù)膜3012(圖18B)。在本實(shí)施例中，作為保護(hù)膜3012是利用CVD法形成氮化硅膜，但也可以形成氧化硅膜或它們的層疊結(jié)構(gòu)。另外，也可以使用丙烯膜有機(jī)系樹脂膜。另外，也可以使用液滴噴射裝置形成保護(hù)膜3012。
然后，在使用線狀液滴噴射裝置噴射抗蝕劑之后，利用眾所周知的光刻工藝，將抗蝕劑形成圖形(未圖示)。再使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者具有將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下形成等離子體，對(duì)保護(hù)膜3012進(jìn)行刻蝕，形成接觸孔3013(圖18C)。
然后，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射孔頭的線狀液滴噴射孔裝置，形成像素電極3014(圖19)。該像素電極3014可以利用線狀液滴噴射裝置直接畫成，也可以與圖10A至圖11B所示的柵極電極及布線1002、和電容電極及布線2003相同進(jìn)行圖形形成來(lái)完成。作為形成該像素電極3014的材料，可以采用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al等金屬、Cd、Zn的金屬硫化物、Fe、Ti、Si、Ge、Si、Zr、Ba等的氧化物、鹵化銀的微粒子或分散性納離子、銦錫氧化物(ITO)、銦錫氧化物及氧化硅構(gòu)成的ITSO、有機(jī)銦、有機(jī)錫、氧化鋅、氧化鈦等透明導(dǎo)電膜那樣的導(dǎo)電性材料。
在如上那樣在被處理基板上制成TFT之后，將它作為單元組合，制成顯示裝置。另外，單元組合只要采用眾所周知的方法即可。
在本發(fā)明中，為了形成布線圖形，采用將金屬微粒子分散在有機(jī)溶劑中的組成物。金屬微粒子采用平均粒徑為1～50nm、最好為3～7nm的微粒子。代表性的是銀或金的微粒子，是在其表面覆蓋胺、醇、硫醇等分散劑的微粒子。有機(jī)溶劑是酚醛樹脂或環(huán)氧系樹脂，采用熱固化性或光固化性的材料。該組成物的粘度調(diào)整只要添加搖溶劑或稀釋溶劑即可。
利用液滴噴出頭對(duì)被形成面適量噴出的組成物利用加熱處理或光照射處理，使有機(jī)溶劑固化。伴隨有機(jī)溶劑固化而導(dǎo)致體積收縮，因此金屬微粒子之間接觸，促使熔融及熔粘或凝聚。即，形成平均粒徑為1～50nm、最好為3～7nm的金屬微粒子熔融或熔粘或凝聚的布線。這樣，利用熔融或熔粘或凝聚而形成金屬微粒子相互之間面接觸的狀態(tài)，通過(guò)這樣能夠?qū)崿F(xiàn)布線的低電阻。
本發(fā)明通過(guò)采用這樣的組成物來(lái)形成布線，也容易形成線寬為1～10μm左右的布線圖形。另外，同樣接觸孔的直徑也是1～10μm左右，可以將組成物填入其中。即，能夠以微細(xì)的布線圖形形成多層布線結(jié)構(gòu)。
另外，若用絕緣物質(zhì)的微粒子來(lái)代替金屬微粒子，則同樣能夠形成絕緣性的圖形。
另外，本實(shí)施例能夠與實(shí)施形態(tài)1至3、實(shí)施例1、或?qū)嵤├?自由組合。
采用本發(fā)明能夠完成各種各樣的電氣裝置。下面用圖15A～15C說(shuō)明其具體例子。
圖15A是具有例如20～80英寸的大型顯示單元的顯示裝置，包含殼體2001、支架2002、顯示單元2003、揚(yáng)聲器單元2004及視頻輸入端2005年。本發(fā)明適用于制造顯示單元2003。這樣的大型顯示裝置從生產(chǎn)率及成本的方面來(lái)說(shuō)，最好是采用所謂第5代(1000×1200mm)、第6代(1400×1600mm)、第7代(1500×1800mm)那樣的大型基板來(lái)制造。
圖15B是筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)，包含本體2101、殼體2102、顯示單元2103、鍵盤2104、外部連接口2105、定位鼠標(biāo)2106等。本發(fā)明適用于制造顯示單元2103。
圖15C是具有記錄媒體的便攜式圖像重放裝置(具體來(lái)說(shuō)是DVD重放裝置)，包含本體2201、殼體2202、顯示單元A2203、顯示單元B2204、記錄媒體(DVD等)讀入單元2205、操作鍵2206、揚(yáng)聲器單元2207等。顯示單元A2203主要顯示圖像信息，顯示單元B2204主要顯示文字信息，本發(fā)明適用于制造顯示單元A及B的2203及2204。
如上所述，本發(fā)明的適用范圍極廣，能夠?qū)⒈景l(fā)明用于所有領(lǐng)域的電氣裝置的制造。另外，上述的實(shí)施形態(tài)能夠與實(shí)施例自由組合。
工業(yè)上的實(shí)用性通過(guò)采用本發(fā)明來(lái)制造顯示裝置，能夠提高制造顯示裝置所用的材料的利用效率。再有，能夠力圖簡(jiǎn)化工序，縮小裝置進(jìn)而生產(chǎn)線的規(guī)模，另外縮短工序的時(shí)間。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的第1液滴噴射裝置，在被處理膜上噴射含有導(dǎo)電性粒子的液滴，局部形成導(dǎo)電性膜之后，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的第2液滴噴射裝置，在所述導(dǎo)電性膜上局部形成抗蝕劑圖形，將所述抗蝕劑圖形作為掩膜對(duì)所述導(dǎo)電性膜進(jìn)行刻蝕，形成布線。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下，局部進(jìn)行所述導(dǎo)電性膜的刻蝕。
3.如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，在刻蝕所述導(dǎo)電性膜之后，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置，或者將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下，對(duì)前述抗蝕劑膜局部進(jìn)行刻蝕。
4.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，在被處理基板上形成導(dǎo)電性膜之后，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下，對(duì)所述導(dǎo)電膜的不需要部分局部進(jìn)行刻蝕，形成布線。
5.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的液滴噴射裝置，在被處理基板上形成導(dǎo)電性膜之后，使用包括具有一組圓筒形電極的等離子體發(fā)生裝置、或者將多組圓筒形電極呈直線狀排列的等離子體發(fā)生裝置的等離子體處理裝置，在大氣壓或大氣壓附近的壓力下，對(duì)所述導(dǎo)電膜的不需要部分局部進(jìn)行刻蝕，形成布線。
全文摘要
為了減少在制造顯示裝置的工序中使用的原材料的使用量及真空處理工序所花費(fèi)的時(shí)間，實(shí)現(xiàn)顯示裝置制造的低成本，在本發(fā)明中，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的第1液滴噴射裝置，在被處理膜上噴射含有導(dǎo)電性粒子的液滴，形成導(dǎo)電性膜之后，使用具有配置多個(gè)液滴噴射孔的液滴噴射頭的第2液滴噴射裝置，在所述導(dǎo)電性膜上局部形成抗蝕劑圖形，將所述抗蝕劑圖形作為掩膜，對(duì)所述導(dǎo)電性膜進(jìn)行刻蝕，形成布線。
文檔編號(hào)H05B33/14GK1745467SQ20048000325
公開日2006年3月8日 申請(qǐng)日期2004年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月6日
發(fā)明者山崎舜平 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所