專利名稱：布線基板、布線基板的形成方法、有機(jī)el面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及布線基板、布線基板的形成方法、有機(jī)EL面板。
背景技術(shù)：
近年來，為了適應(yīng)電子設(shè)備或電子部件的小型化及高性能化的要求，正在推進(jìn)布線的高密度化、低電阻化，但是相應(yīng)地因遷移(migration)造成的性能降低和故障問題變得明顯起來。此處所說的遷移是指形成布線電極的金屬(金屬離子)在其與相鄰的布線電極之間形成的電場(chǎng)的作用下，向絕緣基板的表面或內(nèi)部隨時(shí)間遷移，在布線電極之間本應(yīng)為電絕緣卻出現(xiàn)被導(dǎo)通的現(xiàn)象。
該遷移被確認(rèn)為在使布線電極之間接近，把作為低電阻材料而公知的銀(Ag)、銅(Cu)、錫(Sn)、鉛(Pb)等金屬或含有這些金屬的合金用作電極材料的情況下容易產(chǎn)生。因此，在推進(jìn)布線電極的高密度化和低電阻化(高性能化)時(shí)，防止遷移成為不可避免的重要課題。
并且，在以高精細(xì)的圖像顯示為目標(biāo)而正在開發(fā)的顯示裝置中，為了驅(qū)動(dòng)各象素而引出的布線電極趨向于高密度化。特別是在如有機(jī)EL面板那樣的電流驅(qū)動(dòng)的顯示面板中，對(duì)發(fā)光特性因驅(qū)動(dòng)電流的大小而變化的顯示性能帶來較大影響，所以為了提高顯示性能，需要使布線電極低電阻化。因此，在有機(jī)EL面板中，被高密度化的布線電極使用銀鈀(AgPd)合金等容易產(chǎn)生遷移的低電阻材料，防止上述的遷移成為有機(jī)EL面板的重要課題。
作為防止遷移的對(duì)策提出有各種方案。例如，在下述專利文獻(xiàn)1、2中公開了如下的方案，在布線基板的上面隔開10μm～100μm的間隔并列設(shè)置銀、鋁或含有這些金屬的合金的多個(gè)布線導(dǎo)體，并且利用以環(huán)氧樹脂為主要成分的絕緣性保護(hù)層將這些布線導(dǎo)體一同覆蓋，并使該保護(hù)層中含有特定配比的0.5μm～5.0μm的特定樹脂填充劑。
專利文獻(xiàn)1特開2001-237523號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開2001-339143號(hào)公報(bào)根據(jù)上述的現(xiàn)有技術(shù)，需要在保護(hù)層內(nèi)含有特定配比的特定樹脂填充劑，所以存在著保護(hù)層的形成復(fù)雜化且成本高的問題。
在最近的研究中還發(fā)現(xiàn)，容易產(chǎn)生遷移的金屬(銀(Ag)、銅(Cu)、錫(Sn)、鉛(Pb)等)與絕緣性材料直接接觸是產(chǎn)生遷移的主要原因之一，懷疑雖然用絕緣性保護(hù)層覆蓋布線電極，但不能有效防止遷移。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明將解決這種問題作為一個(gè)課題。即，本發(fā)明的目的在于，不需形成復(fù)雜的保護(hù)層，而僅利用布線電極的結(jié)構(gòu)即可有效防止布線電極間的遷移，并且通過防止遷移來實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL面板等的顯示裝置的高性能化。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明至少包括以下各項(xiàng)技術(shù)方案。
其一，一種布線基板，在絕緣性基板上形成彼此接近的至少兩個(gè)布線電極，其特征在于，所述布線電極的至少一方具有含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分；和與該低電阻布線部分導(dǎo)通，并且至少形成在所述基板上的位于該低電阻布線部分和其他布線電極之間的布線區(qū)域，該布線區(qū)域不含容易產(chǎn)生遷移的金屬。
其二，一種布線基板的形成方法，在絕緣性基板上形成彼此接近的至少兩個(gè)布線電極，其特征在于，在所述布線電極的至少一方形成含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分，并且至少在該低電阻布線部分和其他布線電極之間的所述基板上形成與所述低電阻布線部分導(dǎo)通的布線區(qū)域，該布線區(qū)域利用不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的材料形成。
其三，一種有機(jī)EL面板，在一對(duì)電極之間夾持著含有有機(jī)發(fā)光功能層的有機(jī)材料層，在絕緣性基板上形成有多個(gè)有機(jī)EL元件，在所述基板上形成有從所述一對(duì)電極引出的布線電極，其特征在于，所述布線電極具有彼此接近的至少兩個(gè)布線電極，該布線電極的至少一方具有含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分；和與該低電阻布線部分導(dǎo)通，并且至少形成在所述基板上的位于該低電阻布線部分和其他布線電極之間的布線區(qū)域，該布線區(qū)域不含容易產(chǎn)生遷移的金屬。


圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的布線基板的構(gòu)成例的說明圖(剖面圖)。
圖2是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的布線基板的構(gòu)成例的說明圖(剖面圖)。
圖3是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的布線基板的構(gòu)成例的說明圖(剖面圖)。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施方式的布線基板的作用的說明圖。
圖5是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的布線基板的構(gòu)成例的說明圖(剖面圖)。
圖6是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的布線基板的構(gòu)成例的說明圖(剖面圖)。
圖7是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的布線基板的構(gòu)成例的說明圖(剖面圖)。
圖8是說明本發(fā)明實(shí)施方式的布線基板的說明圖，是表示各布線電極的圖形例的俯視圖。
圖9是說明本發(fā)明實(shí)施方式的布線基板的說明圖，是表示各布線電極的圖形例的俯視圖。
圖10是說明本發(fā)明實(shí)施方式的布線基板的說明圖，是表示各布線電極的圖形例的俯視圖。
圖11是表示本發(fā)明實(shí)施方式的布線電極間的電位差狀態(tài)的折線圖。
圖12是說明本發(fā)明實(shí)施方式的布線基板的說明圖，是表示各布線電極的圖形例的俯視圖。
圖13是說明本發(fā)明實(shí)施方式的布線基板的說明圖，是表示各布線電極的圖形例的俯視圖。
圖14是說明本發(fā)明實(shí)施方式的布線基板的說明圖，是表示各布線電極的圖形例的俯視圖。
圖15是說明本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL面板的說明圖(剖面圖)。
圖16是說明本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL面板的說明圖(剖面圖)。
圖中1布線基板；10基板；11、121、122、131、132、14、15、16、17、18、19、20、21、22布線電極；11a、12a、13a、14a、15a、16a、17a、18a、19a、20a、21a、22a低電阻布線部分；11b、12b、13b、14b、15b、16b、17b、18b、19b、20b、21b、22b布線區(qū)域；14A、15A、16A第1電極層；14B、15B1、15B2、16B第2電極層；S、S1、S2連接部；Ea電場(chǎng)梯度；100有機(jī)EL面板；30有機(jī)EL元件；31第1電極；32第2電極；33有機(jī)材料層；34絕緣層；35陰極隔壁；40密封部件；40S密封空間；41粘接層；42干燥劑具體實(shí)施方式
以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1～圖3、圖5～圖7是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的布線基板的構(gòu)成例的說明圖(剖面圖)。這些附圖所示的布線基板1在絕緣性基板10上形成彼此接近的至少兩個(gè)布線電極。在以下的說明中，以兩個(gè)布線電極為例進(jìn)行說明，但同樣可以說明多個(gè)布線電極。
并且，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，如圖1所示，其特征在于，在該布線基板1的布線電極11、11的至少一方具有含有容易產(chǎn)生遷移的金屬(例如銀(Ag)、銅(Cu)、錫(Sn)、鉛(Pb)中的一個(gè)或多個(gè))的低電阻布線部分11a；與該低電阻布線部分11a導(dǎo)通，至少形成于該低電阻布線部分11a和其他布線電極之間的基板10上的布線區(qū)域11b，該布線區(qū)域11b不含容易產(chǎn)生遷移的金屬。在圖1的實(shí)施方式中，在布線電極11、11雙方設(shè)置布線區(qū)域11b，但不限于此，也可以在布線電極11、11的一側(cè)設(shè)置布線區(qū)域11b。
圖2和圖3表示本發(fā)明實(shí)施方式的布線基板1的變形例。本發(fā)明實(shí)施方式的布線基板1如圖2所示，在布線電極121、122雙方設(shè)置含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分12a和不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域12b，也可以僅在相對(duì)于低電阻布線部分12a方向相同的一側(cè)設(shè)置該布線區(qū)域12b，或者如圖3所示，在布線電極131、132雙方設(shè)置含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分13a和不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域13b，僅在相對(duì)于低電阻布線部分13a方向不同的一側(cè)設(shè)置該布線區(qū)域13b，布線區(qū)域13b也可以形成為在兩個(gè)布線電極131、132之間彼此相對(duì)。
圖4是表示這種實(shí)施方式的布線基板1的作用的說明圖，是表示布線電極11、11間的電位差狀態(tài)的折線圖。在這種實(shí)施方式的布線基板1中，如圖所示，即使在兩個(gè)布線電極11、11之間產(chǎn)生電位差的情況下，含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分11a和不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域11b也成為相同電位，由此，容易產(chǎn)生遷移的金屬的金屬離子(例如Ag+)不會(huì)受到布線電極11、11間的電場(chǎng)梯度Ea的影響。因此，可以抑制因電場(chǎng)梯度Ea而導(dǎo)致的金屬離子的遷移，能夠有效防止遷移現(xiàn)象。該作用在圖3所示實(shí)施方式的布線電極131、132之間也相同。
如圖2所示的實(shí)施方式那樣，即使僅在兩個(gè)布線電極121、122間的一側(cè)形成布線區(qū)域12b的情況下，也可以利用和上述相同的作用至少抑制從布線電極121側(cè)向布線電極122側(cè)遷移的金屬離子，所以能夠期望一定的防止遷移效果。而且，即使在兩布線電極121、122間的電位差狀態(tài)相同(布線電極121側(cè)為相當(dāng)比率的高電位)的情況下等，這種布線區(qū)域12b的配置也能夠有效防止遷移現(xiàn)象。
圖5～圖7是表示本發(fā)明的更具體的實(shí)施方式的說明圖(剖面圖)。在這些實(shí)施方式中，由第1電極層14A、15A、16A形成上述的含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分14a、15a、16a，由第2電極層14B、15B1、15B2、16B形成上述的不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分14b、15b、16b。
具體而言，在圖5的實(shí)施方式的布線基板1中，布線電極14、14具有形成低電阻布線部分14a的第1電極層14A和形成布線區(qū)域14b的第2電極層14B，其形成為在形成于基板10上的第2電極層14B上疊層第1電極層14A。并且，第2電極層14B形成為相對(duì)第1電極層14A較寬。在圖示例中，在第2電極層14B上直接疊層第1電極層14A，但不限于此，也可以在第2電極層14B和第1電極層14A之間隔著其他層進(jìn)行疊層。
并且，在圖6的實(shí)施方式的布線基板1中，直到通過在形成于基板10上的第2電極層15B1上疊層用于形成低電阻布線部分15a的第1電極層15A而形成布線電極15、15的工序?yàn)橹?，與上述圖5的實(shí)施方式相同，然后進(jìn)一步在其上疊層不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的第2電極層15B2，由第2電極層15B2覆蓋第1電極層15A。
并且，在圖7的實(shí)施方式的布線基板1中，布線電極16、16在基板10上形成用于形成低電阻布線部分16a的第1電極層16A，在其上疊層不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的第2電極層16B，由第2電極層16B覆蓋第1電極層16A。
在這種實(shí)施方式中，在一側(cè)的布線電極與另一側(cè)的布線電極的低電阻布線部分14a、15a、16a之間的基板10上，形成不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域14b、15b、16b，由此如上所述，即使在兩電極間產(chǎn)生電位差的情況下，也能有效抑制容易產(chǎn)生遷移的金屬離子的遷移，可以有效防止因遷移現(xiàn)象造成的布線電極間的短路等問題。
圖8～圖10、圖12～圖14是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的布線基板的說明圖，是表示各布線電極的圖形構(gòu)成的俯視圖。此處所示的布線電極的圖形結(jié)構(gòu)具有上述布線區(qū)域沿著上述低電阻布線部分而形成的線狀圖形，但作為本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。并且，以下所示的實(shí)施方式的布線電極可以采用具有圖1～圖3、圖5～圖7所示剖面結(jié)構(gòu)的任一種形成。
在圖8所示實(shí)施方式中，布線電極17形成為沿著含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分17a的線狀圖形，由該線狀圖形形成不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域17b。此處，布線區(qū)域17b形成為在布線電極17之間彼此相對(duì)，并且與低電阻布線部分17a平行。另外，一個(gè)布線區(qū)域17b在與低電阻布線部分17a之間形成間隙，具有與低電阻布線部分17a部分連接的多個(gè)連接部S。
在圖9所示實(shí)施方式中，布線電極18和圖8所示實(shí)施方式相同，形成為沿著含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分18a的線狀圖形，由該線狀圖形形成不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域18b。并且，布線區(qū)域18b形成為在布線電極18之間彼此相對(duì)，并且與低電阻布線部分18a平行。另外，布線區(qū)域18b在與低電阻布線部分18a之間形成間隙，具有與低電阻布線部分18a部分連接的連接部S1、S2。而且在布線電極18的排列方向相互相鄰的連接部S1、S2的位置形成為不并列在沿著布線電極18的同列位置。
在圖10所示實(shí)施方式中，布線電極19和圖8、圖9所示實(shí)施方式相同，形成為沿著含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分19a的線狀圖形，利用該線狀圖形形成不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域19b。此處，布線區(qū)域19b在布線電極19之間僅形成在低電阻布線部分19a一側(cè)。另外，布線區(qū)域19b在與低電阻布線部分19a之間形成間隙，具有與低電阻布線部分19a部分連接的連接部S。
圖11是表示這種實(shí)施方式的布線電極間的電位差狀態(tài)的線圖。在這種實(shí)施方式中，在布線電極間產(chǎn)生電位差的情況下，例如，圖8的X1-X1線上的電位差狀態(tài)雖然與圖4所示狀態(tài)相同，但圖8的X2-X2線上的電位差狀態(tài)成為如圖11(a)所示的狀態(tài)，圖9的X3-X3線上的電位差狀態(tài)成為如圖11(b)所示的狀態(tài)(圖11(a)表示左側(cè)的布線電極為高電位的狀態(tài)，圖11(b)表示右側(cè)的布線電極為高電位的狀態(tài))。
即，這些部位(X2-X2線上或X3-X3線上)的電位差狀態(tài)，雖然低電阻布線部分17a(或18a)和布線區(qū)域17b(或18b)為等電位，但由于兩者的間隙形成電位的凹凸部分，低電阻布線部分17a(或18a)的金屬離子(例如Ag+)通過這種電位差的凹凸部分被抑制了遷移。由此，容易產(chǎn)生遷移的金屬離子不會(huì)受到布線電極17(18)間的電場(chǎng)梯度Ea的影響，能夠有效防止遷移現(xiàn)象。
在圖8～圖10所示的實(shí)施方式中，均表示在低電阻布線部分17a～19a和布線區(qū)域17b～19b之間形成間隔的方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式的布線區(qū)域的線狀圖形不限于此。例如圖12所示，也可以利用低電阻布線部分20a和不含容易產(chǎn)生遷移的布線區(qū)域20b形成布線電極20，使低電阻布線部分20a和布線區(qū)域20b在寬廣區(qū)域內(nèi)導(dǎo)通。該情況下，在低電阻布線部分20a的寬廣范圍內(nèi)可以獲得圖4所示作用。
并且，在圖8～圖10所示實(shí)施方式中，雖然表示為在一個(gè)布線區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)低電阻布線部分17a～19a和布線區(qū)域17b～19b的連接部，但不限于此，也可以在一個(gè)布線區(qū)域設(shè)置一處連接部。
圖13和圖14是表示布線電極的圖形構(gòu)成的其他實(shí)施方式的說明圖。在這些實(shí)施方式中，在低電阻布線部分21a(22a)和不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域21b(22b)形成布線電極21(22)，沿著低電阻布線部分21a(22a)形成線狀圖形的布線區(qū)域21b(22b)，這點(diǎn)和上述的實(shí)施方式相同，但該實(shí)施方式沿著布線電極21(22)形成一部分布線區(qū)域21b(22b)。
即，在該實(shí)施方式中，可以僅在所選擇的部位形成不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域21b(22b)，可以選擇在特別容易產(chǎn)生遷移的部位形成布線區(qū)域21b(22b)。作為容易產(chǎn)生遷移的部位，可以列舉使用了粘接劑的部位等。在圖13和圖14的示例中，根據(jù)在形成布線電極21(22)的基板上粘貼密封基板等的粘接區(qū)域M的帶狀部分，形成一部分布線區(qū)域21b(22b)。
并且，圖13所示的實(shí)施方式表示低電阻布線部分21a的寬度均勻，在其兩側(cè)或一側(cè)形成布線區(qū)域21b的示例，在圖14所示的實(shí)施方式中，在形成布線區(qū)域22b的部分縮小低電阻布線部分22a的寬度，布線電極22整體上形成為寬度大致均勻。根據(jù)這種實(shí)施方式，可以縮小用于形成布線區(qū)域22a、22b的圖形區(qū)域，所以能夠簡(jiǎn)化工序。
上述的本發(fā)明的實(shí)施方式的布線基板1的形成方法可以利用各種方法實(shí)施。總之，只要是針對(duì)布線電極而形成上述的含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分和不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的布線區(qū)域的方法，可以采用任何形成方法。
如果以圖5～圖7所示的實(shí)施方式為對(duì)象表示形成方法的具體示例，具有形成用于形成低電阻布線部分14a、15a、16a的第1電極層14A、15A、16A，將該低電阻布線部分14a、15a、16a圖形化的工序；和形成用于形成布線區(qū)域14b、15b、16b的第2電極層14B、15B、16B，將該布線區(qū)域14b、15b、16b圖形化的工序。
在圖5的實(shí)施方式中，可通過在基板10上形成第2電極層14B并將布線區(qū)域14b圖形化的工序之后，在第2電極層14B上直接或隔著其他層形成第1電極層14A，將低電阻布線部分14a圖形化而形成布線圖形。
在圖6的實(shí)施方式中，可通過在基板10上形成第2電極層15B1并將布線區(qū)域15b圖形化的工序之后，在第2電極層15B1上直接或隔著其他層形成第1電極層15A，將低電阻布線部分15a圖形化，再形成第2電極層15B2并將布線區(qū)域15b圖形化而形成布線圖形。
在圖7的實(shí)施方式中，可通過在基板10上形成第1電極層16A并將低電阻布線部分16a圖形化的工序之后，形成第2電極層16B將布線區(qū)域16b圖形化以覆蓋該低電阻布線部分16a而形成布線圖形。
(實(shí)施例)以下，作為本發(fā)明的一實(shí)施例，表示適用上述實(shí)施方式的布線基板的有機(jī)EL面板。但是，本發(fā)明的實(shí)施方式的布線基板或其形成方法不限于以下用途，當(dāng)然可以廣泛地適用于其他電子設(shè)備和電子部件。
圖15和圖16是說明本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL面板的說明圖(剖面圖)。圖15表示圖16的A2-A2剖面圖，圖16表示圖15的A1-A1剖面圖。
在附圖中，有機(jī)EL面板100的基本結(jié)構(gòu)為，在第1電極31和第2電極32之間夾持著含有有機(jī)發(fā)光功能層的有機(jī)材料層33，在基板上10形成多個(gè)有機(jī)EL元件30。在圖示例中，在基板10上形成硅覆蓋層10a，把在其上形成的第1電極31設(shè)為由ITO等透明電極構(gòu)成的陽極，把第2電極32設(shè)為由Al等金屬材料構(gòu)成的陰極，構(gòu)成從基板10側(cè)發(fā)光的底發(fā)光方式。并且，作為有機(jī)材料層33，為空穴注入層33A、發(fā)光層33B、電子輸送層33C的三層結(jié)構(gòu)。通過利用粘接層41粘貼基板10和密封部件40，在基板10上形成密封空間40S，在密封空間40S內(nèi)形成由有機(jī)EL元件30構(gòu)成的顯示部。
由有機(jī)EL元件30構(gòu)成的顯示部在圖示例中，利用絕緣層34劃分第1電極31，同時(shí)利用陰極隔壁35絕緣劃分第2電極32，在所劃分的第1電極31下方形成由各個(gè)有機(jī)EL元件30構(gòu)成的單位顯示區(qū)域(30R、30G、30B)。并且，在形成密封空間40S的密封部件40的內(nèi)面安裝干燥部件42，用于防止有機(jī)EL元件30因濕氣而劣化。
此處，圖15表示成為陰極的第2電極32的引出布線電極(此處表示該引出布線電極采用圖5所示布線電極14的示例)。在第2電極32的引出布線電極上形成具有利用和第1電極31相同的材料并以相同工序形成的布線區(qū)域14b(省略圖示)的第2電極層14B，通過對(duì)第2電極層進(jìn)行圖形化而形成利用絕緣層34使其與第1電極31呈絕緣的狀態(tài)。在第2電極層14B的引出部分形成第1電極層14A，其形成含有銀鈀(AgPd含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的材料)合金等的低電阻布線部分14a，再在其上根據(jù)需要形成IZO等保護(hù)膜14C，形成由第2電極層14B、第1電極層14A、和保護(hù)膜14C構(gòu)成的布線電極14。并且，在密封空間40S內(nèi)的端部，第2電極32的端部32a連接布線電極14。
另一方面，圖16表示成為陽極的第1電極31的引出布線電極。在第1電極31的引出布線電極中，通過把第1電極31延長(zhǎng)并引出到密封空間40S外部而形成布線電極31a。此處，只有陽極側(cè)的引出布線電極采用本發(fā)明的實(shí)施方式的布線電極，但也可以是只有陰極側(cè)的引出布線電極采用本發(fā)明的實(shí)施方式的布線電極，還可以陽極側(cè)、陰極側(cè)雙方均采用。并且，也可以從這些引出布線電極中選擇特定的布線電極采用本發(fā)明的實(shí)施方式的布線電極。
另外，如上所述，布線電極14的布線區(qū)域14b可以形成在一個(gè)布線電極14的整個(gè)區(qū)域，例如，也可以部分地僅形成于例如粘接區(qū)域M的特定部分。
根據(jù)這種本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL面板100，從陰極側(cè)(或陽極側(cè))引出的布線電極14被接近配置，即使在為了實(shí)現(xiàn)布線電極14的低電阻化而形成含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分14a的情況下，由于在布線電極14周圍產(chǎn)生的金屬離子(銀離子Ag+)也不會(huì)漂移到朝向相鄰的布線電極的電場(chǎng)梯度上，所以能夠防止因遷移造成的布線電極間的短路或流過布線電極的電流的變動(dòng)等問題。
以下，表示本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)EL面板100的各構(gòu)成要素的更具體的結(jié)構(gòu)。
a基板作為有機(jī)EL面板100的基板10，優(yōu)選具有透明性的平板狀、薄片狀，其材質(zhì)可以使用玻璃或塑料等。
b電極在上述實(shí)施例中，把第1電極31作為陽極，把第2電極32作為陰極，從第1電極31側(cè)疊層空穴輸送層33A、發(fā)光層33B、電子輸送層33C，但在本質(zhì)上可以把第1電極31、第2電極32中的任一方設(shè)為陰極或陽極。作為電極材料，陽極由功函數(shù)高于陰極的材料構(gòu)成，可以使用鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、白金(Pt)等金屬膜或ITO、IZO等氧化金屬膜等的透明導(dǎo)電膜。對(duì)此，陰極由功函數(shù)低于陽極的材料構(gòu)成，可以使用鋁(Al)、鎂(Mg)等的金屬膜、已摻雜的聚苯胺或已摻雜的聚苯乙炔等非晶質(zhì)半導(dǎo)體、Cr2O3、NiO、Mn2O5等氧化物。另外，在第1電極31、第2電極32均由透明材料構(gòu)成的情況下，在與光的放出側(cè)相反的電極側(cè)設(shè)置反射膜。
c.有機(jī)材料層有機(jī)材料層33如上述實(shí)施例所述，一般是空穴輸送層33A、發(fā)光層33B、電子輸送層33C的組合結(jié)構(gòu)，也可以分別設(shè)置不只一層的多層疊層的空穴輸送層33A、發(fā)光層33B、電子輸送層33C，還可以省略空穴輸送層33A和電子輸送層33C任何一層，也可以兩層均省略。另外，可以根據(jù)用途插入空穴注入層、電子注入層等的有機(jī)材料層。空穴輸送層33A、發(fā)光層33B、電子輸送層33C可以適當(dāng)選擇以往使用的材料(可以是高分子材料或低分子材料)。
另外，作為形成發(fā)光層33B的發(fā)光材料，可以是呈現(xiàn)從單態(tài)激子狀態(tài)返回基底狀態(tài)時(shí)的發(fā)光(熒光)的材料，也可以是呈現(xiàn)從三態(tài)激子狀態(tài)返回基底狀態(tài)時(shí)的發(fā)光(磷光)的材料。
d.密封部件在有機(jī)EL面板100中，作為氣密密封有機(jī)EL元件30的密封部件40，可以使用金屬制、玻璃制、塑料制等板狀部件或容器狀部件?？梢允褂猛ㄟ^在玻璃制密封基板上進(jìn)行沖壓成形、蝕刻、噴砂處理等加工來形成密封用凹部(一級(jí)凹入或兩級(jí)凹入)的部件，或者使用平板玻璃并利用玻璃(塑料也可以)制隔離物在與基板10之間形成密封空間40S。
e.粘接層形成有機(jī)EL面板100的粘接層41的粘接劑可以使用熱固化型、化學(xué)固化型(雙溶劑混合)、光(紫外線)固化型等粘接劑，其材料可以使用丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酯、聚烯烴等。特別優(yōu)選使用不需要加熱處理、即固化性高的紫外線固化型環(huán)氧樹脂粘接劑。
f.干燥部件干燥部件42可以使用以下干燥劑來形成沸石、硅膠、碳、碳納米管等物理干燥劑；堿金屬氧化物、金屬鹵化物、過氧化氯等化學(xué)干燥劑；在甲苯、二甲苯、脂肪族有機(jī)溶劑等石油類溶劑中溶解了有機(jī)金屬絡(luò)合物的干燥劑；把干燥劑顆粒分散在具有透明性的聚乙烯、聚異戊二烯、聚肉硅酸乙烯酯等粘合劑中的干燥劑等。
g.有機(jī)EL顯示面板的各種方式等作為本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)EL面板100，在不脫離本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種設(shè)計(jì)變更。例如，作為有機(jī)EL面板30的發(fā)光形式，可以是上述的從基板10側(cè)發(fā)光的下部放出方式，也可以是從與基板10的相反側(cè)發(fā)光的上部放出方式。而且，本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)EL面板100可以是單色顯示也可以是多色顯示，但為了實(shí)現(xiàn)多色顯示，當(dāng)然包括分涂方式，還可以采用以下方式將濾色器或由熒光材料形成的色變換層組合到白色或藍(lán)色等單色發(fā)光功能層的方式(CF方式、CCM方式)；通過向單色發(fā)光功能層的發(fā)光區(qū)域照射電磁波等實(shí)現(xiàn)多色發(fā)光的方式(光致褪色方式)；將2色或多于2色的單位顯示區(qū)域縱向疊層形成一個(gè)單位顯示區(qū)域的方式(SOLED(transparent stacker OLED)方式)等。
關(guān)于本發(fā)明的各實(shí)施方式或?qū)嵤├?，總體來講，具有以下特征(以下符號(hào)對(duì)應(yīng)圖1～圖16的各附圖)。
第一，一種布線基板1，在絕緣性基板10上形成彼此接近的至少兩個(gè)布線電極11(12～22)，其特征在于，布線電極11(12～22)的至少一方具有含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分11a(12a～22a)；與該低電阻布線部分11a(12a～22a)導(dǎo)通，至少形成于該低電阻布線部分11a(12a～22a)和其他布線電極之間的基板10上的布線區(qū)域11b(12b～22b)，該布線區(qū)域11b(12b～22b)不含容易產(chǎn)生遷移的金屬。
這樣，即使在接近的布線電極11(12～22)之間產(chǎn)生電位差的情況下，低電阻布線部分11a(12a～22a)和布線區(qū)域11b(12b～22b)也是相同電位，在低電阻布線部分11a(12a～22a)周圍不會(huì)形成電場(chǎng)梯度Ea，所以低電阻布線部分11a(12a～22a)的金屬離子不會(huì)在布線電極11(12～22)間的電場(chǎng)梯度Ea上遷移。因此，即使布線電極11(12～22)間形成任何電位差狀態(tài)時(shí)，也能夠阻止金屬離子從形成布線區(qū)域11b的布線電極側(cè)向其他布線電極遷移。所以，即使在將包括含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分11a(12a～22a)的布線電極11(12～22)進(jìn)行高密度布線時(shí)，僅利用布線電極的結(jié)構(gòu)即可有效抑制產(chǎn)生遷移。
第二，在上述的布線基板1中，其特征在于，布線區(qū)域11b(12b～22b)具有沿著低電阻布線部分11a(12a～22a)形成的線狀圖形。由此，在上述作用的基礎(chǔ)上，可以在沿著低電阻布線部分11a(12a～22a)形成的線狀圖形的區(qū)域內(nèi)有效抑制產(chǎn)生遷移。
第三，在上述的布線基板1中，其特征在于，布線區(qū)域11b(12b～22b)形成為兩個(gè)布線電極11(12～22)分別彼此相對(duì)。由此，在上述作用的基礎(chǔ)上，無論布線電極11(12～22)間的電位差狀態(tài)如何，均可阻止金屬離子從一側(cè)向另一側(cè)(從另一側(cè)向一側(cè))遷移，所以能夠有效防止產(chǎn)生遷移。
第四，在上述的布線基板1中，其特征在于，布線區(qū)域11b(12b～22b)形成于低電阻布線部分11a(12a～22a)的兩側(cè)。由此，在上述作用的基礎(chǔ)上，可以有效阻止金屬離子從某布線電極11(12～22)的低電阻布線部分11a(12a～22a)向配置在其兩側(cè)的布線電極遷移。
第五，在上述的布線基板1中，其特征在于，布線區(qū)域17b(18b、19b、21b、22b)具有部分和低電阻布線部分17a(18a、19a、21a、22a)連接的連接部S(S1、S2)。
由此，在上述作用的基礎(chǔ)上，在布線區(qū)域17b(18b、19b、21b、22b)和低電阻布線部分17a(18a、19a、21a、22a)未連接的部位，在兩者間形成間隙，利用該間隙，在布線電極間產(chǎn)生電位差的情況下形成電位差的凹凸部分。利用該電位差的凹凸部分可以有效阻止低電阻布線部分17a(18a、19a、21a、22a)的金屬離子的遷移。
第六，在上述的布線基板1中，其特征在于，連接部形成為在布線電極18的排列方向彼此相鄰的連接部S1、S2的位置，不并列在沿著布線電極18的同列位置。
由此，在連接部并列在同列中的情況下，在該連接部的連接線上沒有形成低電阻布線部分18a和布線區(qū)域18b之間的間隙，不能獲得基于該間隙的阻止金屬離子遷移的效果，但是通過避免連接部并列在同列中，可以有效形成低電阻布線部分18a和布線區(qū)域18b之間的間隙。
第七，在上述的布線基板1中，其特征在于，連接部S(S1、S2)相對(duì)一個(gè)布線區(qū)域17b(18b、19b、21b、22b)形成多個(gè)。由此，能夠使低電阻布線部分17a(18a、19a、21a、22a)和布線區(qū)域17b(18b、19b、21b、22b)確實(shí)形成相同電位，不會(huì)在低電阻布線部分17a(18a、19a、21a、22a)周圍形成電場(chǎng)梯度Ea。所以，如上所述，可以有效防止產(chǎn)生遷移。
第八，在上述的布線基板1中，其特征在于，布線區(qū)域21b(22b)沿著布線電極21(22)形成一部分。由此，可以在特別容易產(chǎn)生遷移的部位形成部分布線區(qū)域21b(22b)，所以能夠有效防止遷移，同時(shí)可以縮小用于形成布線區(qū)域22a(22b)的圖形區(qū)域，可以簡(jiǎn)化工序。
第九，在上述的布線基板1中，其特征在于，布線電極14(15、16)具有形成低電阻布線部分14a(15a、16a)的第1電極層14A(15A、16A)和形成布線區(qū)域14b(15b、16b)的第2電極層14B(15B1、15B2、16B)。由此，可以利用第1電極層14A(15A、16A)和第2電極層14B(15B1、15B2、16B)的疊層形成所述布線電極14(15、16)，所以能夠比較容易地形成。
第十，在上述的布線基板1中，其特征在于，布線電極15(16)形成為利用所述第2電極層15B2(16B)覆蓋第1電極層15A(16A)。由此，可以擴(kuò)大低電阻布線部分15a(16a)和布線區(qū)域15b(16b)的接觸面積，能夠可靠形成電位與低電阻布線部分15a(16a)相同的布線區(qū)域15b(16b)，不會(huì)在低電阻布線部分15a(16a)周圍形成電場(chǎng)梯度Ea。
第十一，在上述的布線基板1中，其特征在于，布線電極14(15)在形成于基板10上的第2電極層14B(15B1)上直接或隔著其他層疊層形成所述第1電極層14A(15A)。由此，可以比較容易地形成具有低電阻布線部分14a(15a)和布線區(qū)域14b(15b)的布線電極14(15)。
第十二，在上述的布線基板1中，其特征在于，容易產(chǎn)生遷移的金屬是銀(Ag)、銅(Cu)、錫(Sn)、鉛(Pb)中的一個(gè)或多個(gè)，并且在低電阻布線部分11a(12a～22a)含有銀鈀(AgPd)合金。利用具有含有這些金屬的低電阻布線部分11a(12a～22a)，可以獲得低電阻且難以產(chǎn)生遷移的布線基板1。
并且，根據(jù)形成所述布線基板1的形成方法，可以形成高密度地布線低電阻布線電極，而且難以產(chǎn)生因遷移造成的不良的布線基板，所以能夠提高產(chǎn)品質(zhì)量。
并且，在形成所述布線基板1的形成方法中，其特征在于，具有形成低電阻布線部分14a(15a、16a)的第1電極層14A(15A、16A)，將低電阻布線部分14a(15a、16a)圖形化的工序；形成布線區(qū)域14b(15b、16b)的第2電極層14B(15B1、15B2、16B)，將布線區(qū)域14b(15b、16b)圖形化的工序，并且，在基板10上成膜形成布線區(qū)域14b(15b)的第2電極層14B(15B1)并將布線區(qū)域14b(15b)圖形化的工序之后，在第2電極層14B(15B1)上直接或隔著其他層形成低電阻布線部分14a(15a)的第1電極層14A(15A)，將低電阻布線部分14a(15a)圖形化。由此，只需利用以往的成膜和圖形化處理技術(shù)即可形成布線電極14(15)，所以能夠靈活利用以往工藝的經(jīng)濟(jì)型制造方法，來形成可獲得良好的遷移防止效果的布線基板。
并且，根據(jù)采用了上述布線基板1的有機(jī)EL面板100，通過使用低電阻的布線電極，可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL元件30的發(fā)光特性的高質(zhì)量化，通過使用高密度的布線電極，可以實(shí)現(xiàn)高精細(xì)的圖像顯示和面板的緊湊化。并且，提高了這種性能的有機(jī)EL面板100可以消除因遷移造成的電極間短路等問題。
權(quán)利要求
1.一種布線基板，在絕緣性基板上形成彼此接近的至少兩個(gè)布線電極，其特征在于，所述布線電極的至少一方具有含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分，和與該低電阻布線部分導(dǎo)通、至少形成在所述基板上的位于該低電阻布線部分和其他布線電極之間的布線區(qū)域，該布線區(qū)域不含容易產(chǎn)生遷移的金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板，其特征在于，所述布線區(qū)域具有沿著所述低電阻布線部分形成的線狀圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的布線基板，其特征在于，所述布線區(qū)域形成為分別與所述兩個(gè)布線電極彼此相對(duì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的布線基板，其特征在于，所述布線區(qū)域形成在所述低電阻布線部分的兩側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的布線基板，其特征在于，所述布線區(qū)域具有一部分與所述低電阻布線部分連接的連接部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的布線基板，其特征在于，所述連接部形成為使在所述布線電極的排列方向彼此相鄰的連接部的位置與沿著所述布線電極的同列位置不同列排列。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的布線基板，其特征在于，在一個(gè)所述布線區(qū)域上形成多個(gè)所述連接部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的布線基板，其特征在于，沿著所述布線電極形成一部分所述布線區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的布線基板，其特征在于，所述布線電極具有形成所述低電阻布線部分的第1電極層和形成所述布線區(qū)域的第2電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布線基板，其特征在于，所述布線電極形成為由所述第2電極層覆蓋所述第1電極層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的布線基板，其特征在于，所述布線電極在形成于所述基板上的所述第2電極層上直接或隔著其他層疊層形成所述第1電極層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的布線基板，其特征在于，所述第2電極層形成為比所述第1電極層的寬度寬。
13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的布線基板，其特征在于，所述容易產(chǎn)生遷移的金屬是銀(Ag)、銅(Cu)、錫(Sn)、鉛(Pb)中的一種或多種。
14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的布線基板，其特征在于，所述低電阻布線部分中含有銀鈀(AgPd)合金。
15.一種布線基板的形成方法，在絕緣性基板上形成彼此接近的至少兩個(gè)布線電極，其特征在于，在所述布線電極的至少一方形成含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分，并且至少在該低電阻布線部分和其他布線電極之間的所述基板上形成與所述低電阻布線部分導(dǎo)通的布線區(qū)域，該布線區(qū)域利用不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的材料形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的布線基板的形成方法，其特征在于，具有形成所述低電阻布線部分的第1電極層，將所述低電阻布線部分圖形化的工序；形成所述布線區(qū)域的第2電極層，將所述布線區(qū)域圖形化的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的布線基板的形成方法，其特征在于，在所述基板上形成所述布線區(qū)域的第2電極層并將所述布線區(qū)域圖形化的工序之后，在所述第2電極層上直接或隔著其他層形成所述低電阻布線部分的第1電極層，將所述低電阻布線部分圖形化。
18.一種有機(jī)EL面板，在一對(duì)電極之間夾持著含有有機(jī)發(fā)光功能層的有機(jī)材料層，在絕緣性基板上形成有多個(gè)有機(jī)EL元件，在所述基板上形成有從所述一對(duì)電極引出的布線電極，其特征在于，所述布線電極具有彼此接近的至少兩個(gè)布線電極，該布線電極的至少一方具有含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分，和與該低電阻布線部分導(dǎo)通、至少形成在所述基板上的位于該低電阻布線部分和其他布線電極之間的布線區(qū)域，該布線區(qū)域不含容易產(chǎn)生遷移的金屬。
全文摘要
一種布線基板(1)，在絕緣性基板(10)上形成彼此接近的至少兩個(gè)布線電極(11)，布線電極(11)具有含有容易產(chǎn)生遷移的金屬的低電阻布線部分(11a)；和與低電阻布線部分(11a)導(dǎo)通，形成在所述基板(10)上的位于低電阻布線部分(11a)和其他布線電極之間的布線區(qū)域(11b)，布線區(qū)域(11b)(12b～22b)由不含容易產(chǎn)生遷移的金屬的材料形成。由此，不依賴保護(hù)層，僅以布線電極的結(jié)構(gòu)即可防止布線電極間的遷移。
文檔編號(hào)H05K3/00GK1662118SQ20051000773
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2005年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月25日
發(fā)明者會(huì)田俊春 申請(qǐng)人:日本東北先鋒公司