專利名稱：有機電致發(fā)光器件及其顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，且特別涉及一種含有濃度梯度的摻雜物的發(fā)光層。
背景技術：
最近，有機電致發(fā)光器件的驅(qū)動電流的電流密度、發(fā)光效率、以及色度坐標的飽和度都有顯著提高。
然而，有機電致發(fā)光器件的壽命一直是受關注的焦點。特別是，對于藍光有機電致發(fā)光器件而言，器件的穩(wěn)定度一直是產(chǎn)業(yè)界急于改善的課題。一般而言，藍光器件的壽命在1000尼特(nits)的亮度下的半衰期約1500小時，若要用于制作顯示面板，這樣的穩(wěn)定度仍有待改進。
一般的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)包括由氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)組成的陽極、空穴注入層(hole-injection layer，HIL)、空穴傳輸層(hole-transport layer，HTL)、摻雜均一濃度的摻雜物的發(fā)光層、電子傳輸層(electron-transport layer，ETL)、電子注入層(electron-injection layer，EIL)、以及陰極。
對有機電致發(fā)光器件施加驅(qū)動電壓時，有機電致發(fā)光器件會產(chǎn)生電子與空穴，而且電子與空穴會遷移到發(fā)光層。然后，電子與空穴在發(fā)光層再結(jié)合而形成激子(exciton)，該激子再激發(fā)發(fā)光層內(nèi)的摻雜物而發(fā)出冷光。
但是，一般的有機電致發(fā)光器件中空穴的遷移率與電子的遷移率不同，所以激子的分布只會局限在某個區(qū)域。換句話說，在發(fā)光層中部分區(qū)域可能有激子存在，其余區(qū)域則可能無激子存在。因此若在發(fā)光層中摻雜均一濃度的摻雜物，對于無激子存在的區(qū)域而言，上述摻雜物是多余的，因此可能會影響器件的壽命。另外，對于有激子存在的區(qū)域而言，若是激子沒有完全消耗殆盡，也有可能產(chǎn)生其它的輻射及熱能導致器件壽命迅速衰減。
因此，如何改善因多余的摻雜物以及過多的激子所造成的有機電致發(fā)光器件壽命降低的現(xiàn)象，是產(chǎn)業(yè)界亟需克服的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一就是提高有機電致發(fā)光器件的驅(qū)動電流的電流密度、發(fā)光亮度、以及穩(wěn)定度。
本發(fā)明的另一目的就是完全有效地消耗由電子與空穴再結(jié)合所形成的激子。
為達上述目的，本發(fā)明主要以漸進式遞增或是遞減的方式在發(fā)光層摻雜不同濃度的摻雜物，這樣做是為了配合激子形成的區(qū)域，以便能完全有效地消耗激子及摻雜物，進而發(fā)揮最大的發(fā)光效率以及提高有機電致發(fā)光器件的穩(wěn)定度。在此及之后所述的摻雜物的濃度是指摻雜物的體積與發(fā)光層的體積的比值。
因此，本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光器件，包括基板、設置在基板上的陽極及相對設置的陰極、設置在陽極與陰極之間的空穴傳輸層、設置在陰極與空穴傳輸層之間的電子傳輸層、以及設置在空穴傳輸層與電子傳輸層之間的發(fā)光層。本發(fā)明的發(fā)光層包括多個分層(sub-layer)，且該多個分層分別具有不同濃度的摻雜物，但是該多個分層均具有相同的主體發(fā)光材料(host material)。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，還包括設置在陽極與空穴傳輸層之間的空穴注入層、以及設置在陰極與電子傳輸層之間的電子注入層。
本發(fā)明在發(fā)光層中的摻雜物的主要摻雜方式如下所示第一、摻雜物在多個分層中的濃度可以沿發(fā)光層厚度增加的方向遞減，如圖1所示。
第二、摻雜物在多個分層中的濃度可以沿發(fā)光層厚度增加的方向先遞增再遞減，如圖2所示。也可以沿發(fā)光層厚度增加的方向先遞減再遞增。
第三、摻雜物在多個分層中的濃度可以沿發(fā)光層厚度增加的方向遞增，如圖3所示。
而且摻雜物的濃度大約為0.1vol％至99vol％之間。在其它條件方面，本發(fā)明的發(fā)光層的厚度大約為50埃至2000埃之間；空穴注入層的厚度大約為50埃至5000埃之間；空穴傳輸層的厚度大約為50埃至5000埃之間；電子傳輸層的厚度大約為50埃至5000埃之間；電子注入層的厚度大約為1埃至50埃之間；陰極的厚度大約為500埃至5000埃之間。
本發(fā)明的空穴傳輸層為二胺(diamine)衍生物，包括N，N′-二苯基-N，N′-雙(1-萘基)-(1，1′-二苯基)-4，4′-二胺(N，N′-diphenyl-N，N′-bis(1-naphthyl)-(1，1′-bisphenyl)-4，4′-diamine；NPB)、N，N′-二苯基-N，N′-雙(3-甲基苯基)-(1，1′-二苯基)-4，4′-二胺(N，N′-diphenyl-N，N′-bis(3-methylphenyl)-(1，1′-bisphenyl)-4，4′-diamine；TPD)、4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基-胺基)-三苯基胺(4，4′，4″-(N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino)-trisphenyl-amine；1T-NATA)或4，4′，4″-三(N-(2-萘基)-N-苯基-胺基)-三苯基胺(4，4′，4″-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)-trisphenyl-amine；2T-NATA)。本發(fā)明的電子傳輸層為金屬喹啉酸鹽(metal quinolinate)的衍生物。
本發(fā)明的電子注入層包括金屬氟化物(metal fluoride)、堿金屬化合物的衍生物或堿土金屬的衍生物。在本發(fā)明一優(yōu)選實施例中，金屬氟化物包括氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、或氟化鈉(NaF)。
本發(fā)明所用的摻雜物包括具有熒光特性(單線態(tài)(singlet))的摻雜物或是具有磷光特性(三線態(tài)(triplet))的摻雜物，例如10-(2-苯并噻唑基)-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-4H-1H，5H，11H(1)苯并吡喃(6，7，8-ij)-11酮(10-(2-benzothiazolyl)-1，1，7，7-tetramethyl-2，3，6，7-tetrahydro-1H，5H，11H(1)benzo-pyrano(6，7，8-ij)quinolizin-11-one；C545T)、2-(1，1-二甲基乙基)-6-(2-(2，3，6，7-4H-1，1，7，7-四甲基-1H，5H-苯(ij)-9-基)乙基)-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(2-(1，1-dimethylethyl)-6(2-(2，3，6，7-tetrahydro-1，1，7，7-tetramethyl-1H，5H-benzo(ij)quinolizin-9-yl)ethyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile；DCJTB)或2，5，8，11-四(1，1-二甲基乙基)二萘嵌苯(2，5，8，11-tetrakis(1，1-dimethylethyl)perylene；TBP)。以及綠光摻雜物3-(2′-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素(coumarin-6)(3-(2′-benzothiazolyl)-7-diethylaminocoumarin(coumarin-6))，或者其它可以發(fā)出紅、藍、綠三原色的摻雜物，例如具有熒光特性(單線態(tài))的摻雜物或是具有磷光特性(三線態(tài))的摻雜物或者是染料。
另外，本發(fā)明還披露一種平面顯示器，包含如上所述的有機電致發(fā)光器件。
為了使本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出優(yōu)選實施例，并結(jié)合附圖詳細說明如下


圖1是用以說明本發(fā)明一優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光器件中摻雜物在發(fā)光層內(nèi)的分布情形的示意圖。
圖2是用以說明本發(fā)明一優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光器件中摻雜物在發(fā)光層內(nèi)的分布情形的示意圖。
圖3是用以說明本發(fā)明一優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光器件中摻雜物在發(fā)光層內(nèi)的分布情形的示意圖。
圖4是用以說明根據(jù)本發(fā)明數(shù)個優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光器件的相對亮度與操作時間的關系，以及比較例的有機電致發(fā)光器件的相對亮度與操作時間的關系的曲線圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光器件的剖面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光器件的剖面圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施方案的有機電致發(fā)光器件的剖面圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施方案的包含有機電致發(fā)光器件的顯示裝置的示意圖。
具體實施例方式
比較例根據(jù)現(xiàn)有技術，有機電致發(fā)光器件由下列主要步驟制造而成首先，將上方具有由氧化銦錫(ITO)組成的陽極的基板進行紫外光臭氧(ultraviolet ozone)處理。
然后，利用蒸鍍的方式在上述處理過的基板上形成厚150納米的空穴注入層。
接著，利用蒸鍍的方式在上述空穴注入層上形成厚20納米的空穴傳輸層。
之后，利用蒸鍍的方式在上述空穴傳輸層上形成厚40納米的發(fā)光層(emission layer，EML)。
接著，利用蒸鍍的方式在上述發(fā)光層上形成電子傳輸層以及電子注入層。
最后，利用蒸鍍的方式在上述電子注入層上形成陰極。其中，上述陰極由厚1納米的氟化鋰(LiF)及厚100納米的鋁(Al)組合而成。
經(jīng)由上述方法所形成的器件的結(jié)構(gòu)，包括陽極、空穴注入層(150納米)、空穴傳輸層(20納米)、發(fā)光層(40納米)、電子傳輸層(20納米)、電子注入層、以及陰極。
其中，具有藍色主體發(fā)光材料的發(fā)光層中被摻雜的藍色摻雜物的濃度為2.5vol％。
如圖4所示，曲線A代表上述有機電致發(fā)光器件的相對亮度與操作時間的關系。其中，相對亮度為初始亮度與亮度的比值。在相同的操作時間下，相對亮度值越大，表示器件的亮度衰退越快。而圖4為在初始亮度1000尼特(nits)的情況下，測量器件的操作時間。
如表1所示，第2欄表示比較例的結(jié)構(gòu)的電流密度、驅(qū)動電壓、發(fā)光亮度、發(fā)光效率、以及色度坐標值(CIEx，CIEy)。
表1

實施方案1本發(fā)明的第一實施方案中的有機電致發(fā)光器件采用頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)，并由下列主要步驟制造而成。在另一實施方案中，也可以采用其它發(fā)光形式的結(jié)構(gòu)，例如底部發(fā)光結(jié)構(gòu)、雙面發(fā)光或是串聯(lián)式的發(fā)光模式的結(jié)構(gòu)。
首先，將上方具有由透明金屬氧化物例如氧化銦錫物(ITO)組成的陽極520的基板510進行紫外光臭氧處理。在另一實施方案中，此透明金屬氧化物也可以包含氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide，CTO)。
然后，利用蒸鍍的方式在上述處理過的基板510上形成厚度大致介于50埃至5000埃之間的空穴注入層530，而優(yōu)選實施方案的厚度大約為150納米。
接著，利用蒸鍍的方式在上述空穴注入層530上形成厚度大致介于50埃至5000埃之間的空穴傳輸層540，而優(yōu)選實施方案的厚度大約為20納米。
其中，上述空穴傳輸層540的材料可以是二胺衍生物，例如N，N-二-(1-萘基)-N，N-二苯基-1，1-二苯基-4，4-二胺(NPB)。
在另一實施方案中，上述空穴傳輸層540的材料可以是其它二胺衍生物，例如N，N’-二苯基-N，N′-雙(3-甲基苯基)(1，1′-二苯基)-4，4′-二胺(TPD)、4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)或4，4′，4″-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(2T-NATA)。
之后，利用蒸鍍的方式在上述空穴傳輸層540上形成厚度大致介于50埃至2000埃之間的發(fā)光層550，而優(yōu)選實施方案的厚度大約為40納米。接著，利用蒸鍍的方式在上述發(fā)光層550上形成厚度大致介于50埃至5000埃之間的電子傳輸層560以及厚度約介于1埃至50埃之間的電子注入層570。其中，上述電子傳輸層560的材料為金屬喹啉酸鹽(metal quinolinate)的衍生物，例如三-(8-羥基喹啉酸)鋁(III)(Tris-(8-hydroxyquinolinate)aluminum(III)，Alq3)。
在另一實施方案中，上述電子傳輸層560的材料可以是其它金屬喹啉酸鹽的衍生物，例如三-(8-羥基喹啉酸)鎵(III)(Tris-(8-hydroxyquinolinate)gallium(III)；Gaq3)、三-(8-羥基喹啉酸)銦(III)(Tris-(8-hydroxyquinolinate)Indium(III)；Inq3)。
上述電子注入層570的材料包括金屬氟化物、堿金屬化合物的衍生物、或堿土金屬的衍生物。其中，上述金屬氟化物包括氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、或氟化鈉(NaF)。
最后，利用蒸鍍的方式在上述電子注入層570上形成厚度大致介于500埃至5000埃之間的陰極580。其中，上述陰極580由厚1納米的氟化鋰(LiF)及厚100納米的鋁(Al)組合而成。
經(jīng)由上述方法所形成的器件的結(jié)構(gòu)，包括陽極、空穴注入層(150納米)、空穴傳輸層(20納米)、發(fā)光層(40納米)、電子傳輸層(20納米)、電子注入層(1納米)，以及陰極，如圖5所示。
其中，具有藍色主體發(fā)光材料的發(fā)光層550由分層550a、分層550b、以及分層550c組成。其中，上述分層550a的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為8vol％；上述分層550b的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為5vol％；上述分層550c的厚度為200納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為2.5vol％。其中，上述摻雜物包括10-(2-苯并噻唑基)-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-4H-1H，5H，11H(1)苯并吡喃(6，7，8-ij)喹啉-11-酮(C545T)、2-(1，1-二甲基乙基)-6-(2-(2，3，6，7-4H-1，1，7，7-四甲基-1H，5H-苯并(ij)喹啉-9-基)乙基)-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(DCJTB)或2，5，8，11-四(1，1-甲基乙基)二萘嵌苯(TBP)。
在另一實施方案中，也可以摻雜其它的摻雜物，例如綠光摻雜物3-(2′-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素(coumarin-6)，或者其它可以發(fā)出紅、藍、綠三原色的摻雜物，例如具有熒光特性(單線態(tài))的摻雜物或是具有磷光特性(三線態(tài))的摻雜物或者是具有發(fā)光性的染料。
如圖4所示，曲線B代表上述有機電致發(fā)光器件的相對亮度與操作時間的關系圖。
如表1所示，第3欄表示實施例1的結(jié)構(gòu)的電流密度、驅(qū)動電壓、發(fā)光亮度、發(fā)光效率、以及色度坐標值(CIEx，CIEy)。
實施例2依照本發(fā)明一優(yōu)選實施方案，有機電致發(fā)光器件由下列主要步驟制造而成。
首先，將上方具有由透明金屬氧化物例如氧化銦錫(ITO)組成的陽極620的基板610進行紫外光臭氧處理。在另一實施方案中，此透明金屬氧化物也可以包含氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)。
然后，利用蒸鍍的方式在上述處理過的基板610上形成厚度大致介于50埃至5000埃之間的空穴注入層630，而優(yōu)選實施方案的厚度大約為150納米。
接著，利用蒸鍍的方式在上述空穴注入層630形成厚度大致介于50埃至5000埃之間的空穴傳輸層640，而優(yōu)選實施方案的厚度大約為20納米。
其中，上述空穴傳輸層640的材料可以是二胺衍生物，例如N，N-二-(1-萘基)-N，N-二苯基-1，1-二苯基-4，4-二胺(NPB)。
在另一實施方案中，上述空穴傳輸層640的材料可以是其它二胺衍生物，例如N，N’-二苯基-N，N′-雙(3-甲基苯基)(1，1′-二苯基)-4，4′-二胺(TPD)、4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)或4，4′，4″-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(2T-NATA)。
之后，利用蒸鍍的方式在上述空穴傳輸層640上形成厚度大致介于50埃至2000埃之間的發(fā)光層650，而優(yōu)選實施方案的厚度大約為40納米。接著，利用蒸鍍的方式在上述發(fā)光層650上形成厚度大致介于50埃至5000埃之間的電子傳輸層660以及厚度約介于1埃至50埃之間的電子注入層670。其中，上述電子傳輸層660的材料為金屬喹啉酸鹽的衍生物，例如三-(8-羥基喹啉酸)鋁(III)(Alq3)。
在另一實施方案中，上述電子傳輸層660的材料可以是其它金屬喹啉酸鹽的衍生物，例如三-(8-羥基喹啉酸)鎵(III)(Gaq3)、三-(8-羥基喹啉酸)銦(III)(Inq3)。
上述電子注入層670的材料包括金屬氟化物、堿金屬化合物的衍生物、或堿土金屬的衍生物。其中，上述金屬氟化物包括氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、或氟化鈉(NaF)。
最后，利用蒸鍍的方式在上述電子注入層670上形成厚度大致介于500埃至5000埃之間的陰極680。其中，上述陰極680由厚1納米的氟化鋰(LiF)及厚100納米的鋁(Al)組合而成。
經(jīng)由上述方法所形成的器件的結(jié)構(gòu)，包括陽極、空穴注入層(150納米)、空穴傳輸層(20納米)、發(fā)光層(40納米)、電子傳輸層(20納米)、電子注入層(1納米)、以及陰極，如圖6所示。
其中，具有藍色主體發(fā)光材料的發(fā)光層650由分層650a、分層650b、650c、以及分層650d組成。其中，上述分層650a的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為10vol％；上述分層650b的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為7.5vol％；上述分層650c的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為5vol％；上述分層650d的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為2.5vol％。其中，上述摻雜物包括10-(2-苯并噻唑基)-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-4H-1H，5H，11H(1)苯并吡喃(6，7，8-ij)喹啉-11-酮(C545T)、2-(1，1-二甲基乙基)-6-(2-(2，3，6，7-4H-1，1，7，7-四甲基-1H，5H-苯并(ij)喹啉-9-基)乙基)-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(DCJTB)或2，5，8，11-四(1，1-甲基乙基)二萘嵌苯(TBP)。
在另一實施方案中，也可以摻雜其它的摻雜物，例如綠光摻雜物3-(2′-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素(coumarin-6)，或者其它可以發(fā)出紅、藍、綠三原色的摻雜物，例如具有熒光特性的摻雜物(singlet)或是具有磷光特性的摻雜物(triplet)或者是具有發(fā)光性的染料。
如圖4所示，曲線C代表上述有機電致發(fā)光器件的相對亮度與操作時間的關系。
如表1所示，第4欄表示實施例2的結(jié)構(gòu)的電流密度、驅(qū)動電壓、發(fā)光亮度、發(fā)光效率、以及色度坐標值(CIEx，CIEy)。
實施例3依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例，有機電致發(fā)光由下列主要步驟制造而成。
首先，將上方具有由透明金屬氧化物例如氧化銦錫(ITO)組成的陽極720的基板710進行紫外光臭氧處理。在另一實施方案中，此透明金屬氧化物也可以包含氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)。
然后，利用蒸鍍的方式在上述處理過的基板710上形成厚度大致介于50埃至5000埃之間的空穴注入層730，而優(yōu)選實施方案的厚度大約為150納米。
接著，利用蒸鍍的方式在上述空穴注入層730形成厚度大致介于50埃至5000埃之間的空穴傳輸層740，而優(yōu)選實施方案的厚度大約為20納米。
其中，上述空穴傳輸層740的材料可以是二胺衍生物，例如N，N-二-(1-萘基)-N，N-二苯基-1，1-二苯基-4，4-二胺(NPB)。。
在另一實施方案中，上述空穴傳輸層740的材料可以是其它二胺衍生物，例如N，N’-二苯基-N，N′-雙(3-甲基苯基)(1，1′-二苯基)-4，4′-二胺(TPD)、4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)或4，4′，4″-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(2T-NATA)。
之后，利用蒸鍍的方式在上述空穴傳輸層740上形成厚度大致介于50埃至2000埃之間的發(fā)光層750，而優(yōu)選實施方案的厚度大約為40納米。
接著，利用蒸鍍的方式在上述發(fā)光層750上形成厚度大致介于50埃至5000埃之間的電子傳輸層760以及厚度約介于1埃至50埃之間的電子注入層770。其中，上述電子傳輸層760的材料為金屬喹啉酸鹽的衍生物，例如三-(8-羥基喹啉酸)鋁(III)(Alq3)。
在另一實施方案中，上述電子傳輸層760的材料可以是其它金屬喹啉酸鹽的衍生物，例如三-(8-羥基喹啉酸)鎵(III)(Gaq3)、三-(8-羥基喹啉酸)銦(III)(Inq3)。。
上述電子注入層770的材料包括金屬氟化物、堿金屬化合物的衍生物、或堿土金屬的衍生物。其中，上述金屬氟化物包括氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、或氟化鈉(NaF)。
最后，利用蒸鍍的方式在上述電子注入層770上形成厚度大致介于500埃至5000埃之間的陰極780。其中，上述陰極780由厚1納米的氟化鋰(LiF)及厚100納米的鋁(Al)組合而成。
經(jīng)由上述方法所形成的器件的結(jié)構(gòu)，包括陽極、空穴注入層(150納米)、電動傳輸層(20納米)、發(fā)光層(40納米)、電子傳輸層(20納米)、電子注入層(1納米)、以及陰極，如圖7所示。
其中，具有藍色主體發(fā)光材料的發(fā)光層750由分層750a、分層750b、750c、以及分層750d組成。其中，上述分層750a的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為15vol％；上述分層750b的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為10vol％；上述分層750c的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為5vol％；上述分層750d的厚度為100納米，被摻雜的藍色摻雜物濃度為2.5vol％。其中，上述摻雜物包括10-(2-苯并噻唑基)-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-4H-1H，5H，11H(1)苯并吡喃(6，7，8-ij)喹啉-11-酮(C545T)、2-(1，1-二甲基乙基)-6-(2-(2，3，6，7-4H-1，1，7，7-四甲基-1H，5H-苯并(ij)喹啉-9-基)乙基)-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(DCJTB)或2，5，8，11-四(1，1-甲基乙基)二萘嵌苯(TBP)。
在另一實施方案中，也可以摻雜其它的摻雜物，例如綠光摻雜物3-(2′-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素(coumarin-6)，或者其它可以發(fā)出紅、藍、綠三原色的摻雜物，例如具有熒光特性(單線態(tài))的摻雜物或是具有磷光特性(三線態(tài))的摻雜物或者是具有發(fā)光性的染料。
如圖4所示，曲線D代表上述有機電致發(fā)光器件的相對亮度與操作時間的關系。
如表1所示，第5欄表示實施例3的結(jié)構(gòu)的電流密度、驅(qū)動電壓、發(fā)光亮度、發(fā)光效率、以及色度坐標值(CIEx，CIEy)。
在另一優(yōu)選實施方案中，本發(fā)明也披露一種平面顯示裝置803，包含如以上所述的有機電致發(fā)光器件802及驅(qū)動電路801，其中此有機電致發(fā)光器件802與此驅(qū)動電路801耦接，如圖8所示。
雖然本發(fā)明已以多個優(yōu)選實施方案披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域的技術人員，在不背離本發(fā)明的實質(zhì)和范圍下，可作任意地更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應以所附的權(quán)利要求書限定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括基板；設置在基板上的陽極，及相對設置的陰極；設置在陽極與陰極之間的空穴傳輸層；設置在陰極與空穴傳輸層之間的電子傳輸層；以及設置在空穴傳輸層與電子傳輸層之間的發(fā)光層，該發(fā)光層包括多個分層，該多個分層分別具有不同濃度的摻雜物，且該多個分層均具有相同的主體發(fā)光材料。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，還包括設置在陽極與空穴傳輸層之間的空穴注入層，以及設置在陰極與電子傳輸層之間的電子注入層。
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中發(fā)光層的厚度大致介于50埃至2000埃之間。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述濃度為摻雜物與發(fā)光層的體積比。
5.如權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光器件，其中多個分層中摻雜物的濃度大體介于0.1vol％至99vol％之間。
6.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件，其中摻雜物在多個分層中的濃度沿發(fā)光層厚度增加的方向遞減。
7.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件，其中摻雜物在多個分層中的濃度沿發(fā)光層厚度增加的方向遞增。
8.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件，其中摻雜物在多個分層中的濃度沿發(fā)光層厚度增加的方向先遞增再遞減。
9.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件，其中摻雜物在多個分層中的濃度沿發(fā)光層厚度增加的方向先遞減再遞增。
10.如權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光器件，其中空穴注入層的厚度大致介于50埃至5000埃之間。
11.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中空穴傳輸層為二胺衍生物。
12.如權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光器件，其中二胺衍生物包括N，N-二-(1-萘基)-N，N-二苯基-1，1-二苯基-4，4-二胺(NPB)、N，N′-二苯基-N，N′-雙(3-甲基苯基)(1，1′-二苯基)-4，4′-二胺(TPD)、4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)或4，4′，4″-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(2T-NATA)。
13.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中空穴傳輸層的厚度大致介于50埃至5000埃之間。
14.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中電子傳輸層為金屬螯合物的衍生物。
15.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中電子傳輸層的厚度大致介于50埃至5000埃之間。
16.如權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光器件，其中電子注入層包括金屬氟化物、堿金屬化合物的衍生物或堿土金屬的衍生物。
17.如權(quán)利要求16所述的有機電致發(fā)光器件，其中金屬氟化物包括氟化鋰、氟化銫或氟化鈉。
18.如權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光器件，其中電子注入層的厚度大體介于1埃至50埃之間。
19.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中陰極的厚度大致介于500埃至5000埃之間。
20.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中摻雜物可為具有熒光特性(單線態(tài))的摻雜物或是具有磷光特性(三線態(tài))的摻雜物。
21.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中摻雜物包括10-(2-苯并噻唑基)-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-4H-1H，5H，11H(1)苯并吡喃(6，7，8-ij)喹啉-11-酮(C545T)、2-(1，1-二甲基乙基)-6-(2-(2，3，6，7-4H-1，1，7，7-四甲基-1H，5H-苯并(ij)喹啉-9-基)乙基)-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(DCJTB)或2，5，8，11-四(1，1-甲基乙基)二萘嵌苯(TBP)。
22.一種顯示裝置，包含如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件。
全文摘要
一種有機電致發(fā)光器件，包括基板、設置在基板上的陽極及相對設置的陰極、設置在陽極與陰極之間的空穴傳輸層、設置在陰極與空穴傳輸層之間的電子傳輸層、以及設置在空穴傳輸層與電子傳輸層之間的發(fā)光層。上述發(fā)光層包括多個分層，此多個分層分別具有不同濃度的摻雜物，而且此多個分層均具有相同的主體發(fā)光材料。
文檔編號H05B33/12GK1668155SQ20051005428
公開日2005年9月14日 申請日期2005年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月21日
發(fā)明者游宗燁 申請人:友達光電股份有限公司