專利名稱：有機el元件的制造方法及制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機EL元件的制造方法及制造裝置。
背景技術(shù)：
專利文獻1特開2001-291585號公報專利文獻2特開2000-294372號公報有機EL(Electroluminescence)元件是自發(fā)光元件，具有在基板上疊層下部電極、包括有機發(fā)光功能層的有機層、以及上部電極的基本結(jié)構(gòu)，通過向上部電極和下部電極之間施加電壓，從形成于上部電極和下部電極一方的陰極側(cè)向有機層內(nèi)注入電子，從形成于上部電極和下部電極另一方的陽極側(cè)向有機層內(nèi)注入空穴，通過使它們在有機層中的有機發(fā)光功能層再結(jié)合而發(fā)光。
這種有機EL元件的制造方法具有包括前處理工序、成膜工序、密封工序的工序。一般，在前處理工序中，在基板上成膜下部電極和引出電極并形成圖形后，成膜絕緣膜，并在下部電極上形成圖形以劃分發(fā)光區(qū)域的開口部。在成膜工序中，在上述的發(fā)光區(qū)域的開口部中，通過在下部電極上依次成膜包括有機發(fā)光功能層的有機層(例如，空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層)和上部電極，在基板上形成有機EL元件。在密封工序中，為了將所形成的有機EL元件與外部氣體隔開，使用密封部件或密封膜密封有機EL元件。
在這種有機EL元件的制造方法中，為了發(fā)現(xiàn)有機EL元件因成膜不良等而不能顯示良好的發(fā)光特性的不良品，進行檢查工序。一般，該檢查工序是在密封工序之后進行，以避免在檢查過程中將所形成的有機EL元件曝露于外部氣體下，但在上述專利文獻1提出的方法中，設(shè)置將室內(nèi)保持為真空或干燥氛圍的檢查室，在形成上部電極后(成膜工序后)，進行檢查有機EL元件的發(fā)光特性的檢查工序，對不良品不進行以后的密封工序。
該檢查工序的檢查內(nèi)容是向下部電極和上部電極之間施加電壓來檢查發(fā)光特性的，但針對為了進行彩色顯示而期望獲得特定的發(fā)光顏色的有機EL元件，檢查色度偏差。該色度偏差是這樣產(chǎn)生的，即，因在夾持有機層的上部電極和下部電極之間通過多重反射而射出的光的反射干涉現(xiàn)象，使所射出的光的峰值波長相對所期望的發(fā)光顏色產(chǎn)生偏離，從而產(chǎn)生色度偏差，所以不論底部發(fā)光方式或頂部發(fā)光方式，色度偏差都是在有機層的膜厚未形成設(shè)定膜厚的情況下產(chǎn)生的不良。
針對該色度偏差，以往，例如如上述專利文獻2所述，使用晶體振子等的膜厚傳感器，或者測定在向蒸鍍時的蒸發(fā)分子照射紫外線時得到的熒光強度，進行能夠獲得所期望膜厚的成膜，由此來對應(yīng)上述色度偏差。
根據(jù)專利文獻1記載的以往技術(shù)，在形成上部電極后進行檢查工序，由于把具有發(fā)光不良或色度偏差的有機EL元件判定為不良，所以能夠在密封工序之前排除不良的有機EL元件，可以省略以后的工序。因此，可以削減工序損耗，提高生產(chǎn)效率。但是，由于是在形成上部電極后進行檢查，所以在膜厚偏離設(shè)定膜厚而產(chǎn)生色度偏差的情況下，也沒有進行修改的余地，不得不排除在檢查工序中被判定為不良的產(chǎn)品。因此，會產(chǎn)生如下的問題產(chǎn)品的成品率直接影響到成膜工序的成膜精度，如果成膜不良增加，則成品率降低，另外，如果要求高成膜精度，則生產(chǎn)性降低。
并且，在成膜工序中，如上述的專利文獻2所述，存在如下的問題一面進行膜厚測定一面進行成膜，但無論哪種測定方法都不能直接測定疊層在下部電極上的有機層的膜厚，只不過是間接地進行膜厚測定，所以由于各種條件，實際成膜的有機層的膜厚容易產(chǎn)生偏差，這將成為產(chǎn)生色度偏差的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明將解決這種問題作為一個課題。即，本發(fā)明的目的在于，在成膜基板上的下部電極、包括有機發(fā)光功能層的有機層、上部電極的有機EL元件的制造方法及制造裝置中，通過降低由成膜不良導致的不良品的產(chǎn)生，改善產(chǎn)品成品率，通過高精度地使有機層的膜厚形成為設(shè)定膜厚，形成沒有產(chǎn)生色度偏差的有機EL元件等等。
為了達到上述目的，本發(fā)明的有機EL元件的制造方法及制造裝置，至少具備以下獨立權(quán)利要求的構(gòu)成。
一種有機EL元件的制造方法，具有在基板上至少形成下部電極的前處理工序；在所述前處理工序之后，在所述下部電極上至少成膜具有有機發(fā)光功能層的有機層和上部電極的成膜工序；在該成膜工序之后，密封所述有機層和所述上部電極的密封工序，其特征在于，在所述前處理工序之后到所述上部電極形成之前進行檢查工序。
一種有機EL元件的制造裝置，具有成膜裝置，在基板上至少形成下部電極的前處理工序之后，在所述下部電極上至少成膜具有有機發(fā)光功能層的有機層和上部電極，其特征在于，所述成膜裝置包括搬入單元，把所述前處理工序后的所述基板搬入成膜工序中；成膜室，具有在所述基板上成膜有機層的成膜單元；搬運單元，進行該成膜室之間的所述基板的搬運；檢查室，具有膜厚測定單元，該膜厚測定單元測定在所述成膜室中成膜于所述基板上的層的膜厚。


圖1是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖2是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖3是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖4是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖5是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖6是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖7是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖8是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖9是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖10是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖11是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的說明圖。
圖12是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造裝置的說明圖。
圖13是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造裝置的說明圖。
符號說明S1前處理工序；S2成膜工序；S3密封工序；SS檢查工序；10、10A、20、20A成膜裝置；11、12、13、22、23、24蒸鍍室(簇型)；12A、13A、14A、22A、23A、24A、25A蒸鍍室(直線型)；35A預(yù)備蒸鍍室；15、15A、25檢查室；30密封裝置；41基板搬入室；42、42A、43、43A交接室；44、44A排出室；G真空門；P、PA數(shù)據(jù)發(fā)送單元。
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實施方式。圖1是說明本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法的概要說明圖。根據(jù)該制造方法，本發(fā)明的實施方式，具有在基板上形成下部電極的前處理工序S1之后，在該下部電極上至少成膜具有有機發(fā)光功能層的有機層和上部電極的成膜工序S2；在成膜工序S2之后，密封有機層和上部電極的密封工序S3，在從前處理工序S1之后到在成膜工序S2中形成上部電極之前進行檢查工序SS。
這樣，通過在從前處理工序S1之后到成膜工序S2的最后工序即成膜上部電極之前進行檢查工序SS，在檢查結(jié)果為成膜不良的情況下，可以對其進行修改并獲得合適的膜厚狀態(tài)。并且，在進行多層成膜時，通過在其中途加入檢查工序SS，容易判明在成膜哪一層時產(chǎn)生不良，并反映在后面批次的成膜中，可以事先防止在后面批次中產(chǎn)生不良。
另外，圖1所示的檢查工序SS通過進行下部電極和有機層的膜厚測定來進行檢查，例如，檢查工序SS可以利用光學膜厚測定法進行檢查。但是，在本發(fā)明的實施方式中，上述的測定下部電極的膜厚的情況，不限于僅測定下部電極的膜厚的情況，也包括測定包括下部電極下面的平坦化膜等的基底層和基板、它們的總膜厚的情況。并且，即使在進行有機層的膜厚測定的情況下，也不限于僅測定所成膜的有機層的膜厚的情況，也包括一并測定其下面的下部電極和基底層等的膜厚的情況。
這樣，由于實測所疊層的下部電極等和有機層的膜厚，所以能夠根據(jù)該實測的膜厚設(shè)定以后的成膜，能夠高精度地成膜最終的有機層的膜厚。并且，通過采用光學膜厚測定法進行膜厚測定，可以同時測定折射率等光學特性，可以對以后的成膜進行考慮了光學特性的膜厚設(shè)定。作為光學膜厚測定法，可以采用光干涉式膜厚計、分光橢圓偏振計、光吸收法等。并且，由于在成膜中途實測疊層膜厚，所以即使成膜自身未能高精度地進行，也能夠高精度地使最終的有機層等的膜厚與設(shè)定膜厚一致。
圖2(a)～(c)是按進行檢查工序SS的時間分類說明圖1的本發(fā)明的實施方式的說明圖，即，在從前處理工序S1之后到成膜工序S2之前實施檢查工序SS的示例(圖2(a))，在前處理工序S1后和成膜工序S2中實施兩次(檢查工序SS1、SS2)檢查工序SS的示例(圖2(b))，以及在成膜工序S2中進行檢查工序SS的示例(圖2(c))。并且，圖3～圖5是更詳細地說明圖2(a)～(c)的各成膜工序S2的圖。以下將對它們依次進行說明。
圖2(a)表示在成膜工序S2之前對在前處理工序S1中形成的下部電極的膜厚進行檢查的檢查工序SS。并且，此處檢查的膜主要是下部電極，但在具有作為基底層的平坦化膜、絕緣膜、或保護膜等時，也可以測定這些膜和下部電極的總膜厚。另外，在底部發(fā)光方式的ITO基板采用了薄膜時，也包括測試包括該ITO基板在內(nèi)的基板、基底層、及下部電極整體的總膜厚的情況。另外，此處所說的基底層指形成于基板和下部電極之間的成膜，具體來講，指用于填平在形成于基板上的薄膜晶體管(TFT)、顏色變換濾光片、濾色器等功能部上所形成的凹凸的平坦化膜，為了切斷從該平坦化膜放出氣體(水蒸氣等)而形成于平坦化膜上的絕緣膜或保護膜。在絕緣膜上，除成膜于上述平坦化膜的基底層的絕緣膜外，也存在劃分各有機元件的絕緣膜。以下，所說的基底層指具有和上述內(nèi)容相同的構(gòu)成要素的層。但是，這些基底層在本發(fā)明中不一定是必要的構(gòu)成要素。
圖3是更詳細地說明圖2(a)的工序的說明圖，如該圖所示，在前處理工序S1之后，在檢查工序SS中進行下部電極的膜厚測定，根據(jù)該檢查工序SS的結(jié)果，在成膜工序S2中成膜至少一個第1有機層后，可以進行疊層在該第1有機層上的有機層的膜厚調(diào)整。即，如圖3所示，在成膜工序S2中，在進行層1的成膜(S21)…、層n的成膜(S2n)后，根據(jù)檢查工序SS的檢查結(jié)果，并根據(jù)下部電極等的膜厚測定結(jié)果進行此后成膜的層n+1的膜厚調(diào)整St。并且，在進行了該膜厚調(diào)整St的層n+1上(根據(jù)需要成膜其他層)成膜上部電極(S2e)。膜厚調(diào)整St通過根據(jù)光學膜厚測定法的測定結(jié)果模擬發(fā)光特性并預(yù)測色度偏差來進行。通過把在檢查工序后的成膜工序所成膜的層n+1設(shè)為色度校正層，可以防止產(chǎn)生色度偏差。
這樣，根據(jù)圖2(a)、圖3所示的有機EL元件的制造方法，可以在搬入成膜工序S2的真空蒸鍍裝置之前測定下部電極等的膜厚，所以能夠不受前處理工序S1為真空狀態(tài)這種制約而形成下部電極等。因此，在該情況下，在前處理工序S1中，不需要此前用于保持真空狀態(tài)的設(shè)備等，可以實現(xiàn)設(shè)備成本的降低。
并且，如圖2(a)、圖3所示，在成膜工序S2之前進行測定下部電極的膜厚的檢查工序SS，模擬計算這些數(shù)據(jù)，然后計算將要成膜的空穴輸送層、發(fā)光功能層、電子輸送層的膜厚的最佳值，由此可以在蒸鍍各層時以前饋方式進行校正。
接下來，圖2(b)表示在成膜工序S2之前對在前處理工序S1中形成的下部電極等的膜厚進行檢查的檢查工序SS1，并且，在成膜工序S2中進行檢查工序SS2。此處，在檢查工序SS1中檢查的膜和圖2(a)、圖3一樣，主要是下部電極，但也可以是除了下部電極還包括平坦化膜等的下部電極和基底層的總膜厚。特別是在基板采用了薄膜時，如上所述，也包括測定基板、基底層、及下部電極整體的總膜厚的情況。
并且，在成膜工序S2中進行的檢查工序SS2，可以在至少成膜一個第1有機層后進行檢查工序SS2，根據(jù)前處理工序S1后的檢查工序SS1和該檢查工序SS2的檢查結(jié)果，進行疊層在第1有機層上的有機層的膜厚調(diào)整。
即，如圖4所示，在從前處理工序S1后到成膜工序S2之前的期間進行檢查工序SS1，測定下部電極等的膜厚。并且，在成膜工序S2中，在進行了層1的成膜(S21)…、層n的成膜(S2n)后，進行檢查工序SS2，進行疊層到層n的有機層的膜厚測定，根據(jù)這兩次檢查工序SS1、SS2的膜厚測定結(jié)果，進行此后成膜的層n+1的膜厚調(diào)整St。并且，在進行了該膜厚調(diào)整St的層n+1上(根據(jù)需要成膜其他層)成膜上部電極(S2e)。膜厚調(diào)整St通過根據(jù)光學膜厚測定法的測定結(jié)果模擬發(fā)光特性并預(yù)測色度偏差來進行。
這樣，根據(jù)圖2(b)、圖4所示的兩次檢查工序SS1、SS2的兩個結(jié)果，可以算出基于膜厚調(diào)整St的色度校正層的層n+1，作為誤差小的最佳膜厚。即，可以在檢查工序SS1中正確把握在前處理工序S1中成膜的下部電極等的膜厚，并且，在檢查工序SS2中正確把握在成膜工序S2中成膜的有機層的膜厚，所以能夠算出基于膜厚調(diào)整St的色度校正層的層n+1的膜厚，作為與設(shè)定膜厚的誤差較小的最佳值。其結(jié)果，所成膜的層n+1的膜厚是抑制色度偏差的最佳膜厚，所以能夠防止產(chǎn)生色度偏差。
接下來，圖2(c)表示在前處理工序S1后的成膜包含有機發(fā)光功能層的有機層的成膜工序S2中實施檢查工序SS。此時，如圖5所示，在檢查工序SS中，在成膜至少一個第1有機層后進行檢查工序SS，根據(jù)該檢查工序SS的檢查結(jié)果，可以進行疊層在第1有機層上的有機層的膜厚調(diào)整。即，如圖5所示，在成膜工序S2中，在進行層1的成膜(S21)…、層n的成膜(S2n)后，進行檢查工序SS，在該檢查工序SS中進行疊層到層n的有機層的膜厚測定，根據(jù)該膜厚測定結(jié)果，進行此后成膜的層n+1的膜厚調(diào)整St。并且，在進行了該膜厚調(diào)整St的層n+1上(根據(jù)需要成膜其他層)成膜上部電極(S2e)。膜厚調(diào)整St通過根據(jù)光學膜厚測定法的測定結(jié)果模擬發(fā)光特性并預(yù)測色度偏差來進行。通過把在檢查工序之后成膜的層n+1設(shè)為色度校正層，可以防止產(chǎn)生色度偏差。
這樣，如圖2(c)、圖5所示，在成膜包括有機發(fā)光功能層的有機層的成膜工序S2中，實施檢查工序SS，把此后成膜的層n+1設(shè)為色度校正層，由此可以防止產(chǎn)生色度偏差。
以上，如圖2(a)～(c)和對其進行詳細說明的圖3～圖5所示，在從前處理工序S1之后到在成膜工序S2中形成上部電極之前，進行檢查工序SS、SS1、SS2，根據(jù)這些檢查結(jié)果，把此后成膜的有機層作為色度校正層進行成膜，可以消除色度偏差。
另外，圖2(b)、(c)和圖4、圖5所示的這些檢查工序SS、SS2，可以根據(jù)各檢查結(jié)果進行上述的第1有機層的膜厚調(diào)整，即，也可以測試所成膜的第1有機層的膜厚，作為色度校正層，在該第1有機層上再成膜相同的第1有機層，并成膜進行色度調(diào)整的色度校正層。另外，關(guān)于其具體示例，使用后述的圖7～圖10進行詳細地說明。
下面，使用圖6說明對在圖1～圖5中成膜的膜厚進行測定的方法的一例。通常，作為測定下部電極或基底層、發(fā)光層等的各個膜厚的檢查方法，有直接測定疊層在基板上的下部電極等的膜厚的方法，但作為其他方法，可以列舉下述方法，在與成膜時預(yù)定的成膜部位不同的部位(例如，利用母體玻璃基板的空閑部位)成膜由相同材料構(gòu)成的單膜，直接測試該單膜的膜厚。
列舉一個示例，如圖6所示，在可以獲取多面(獲取多個)的母體玻璃基板1上，配置具有多個有機EL元件2的多個有機EL面板3，這些有機EL面板3在相鄰的邊部具有引出布線部4。母體玻璃基板1在其平面的一部分(例如母體玻璃基板1的邊緣部)具有用于測試各層的膜厚的單膜區(qū)域A。在該單膜區(qū)域A另外形成有下部電極單膜5、基底層的平坦化膜單膜6、絕緣膜單膜7、空穴注入層單膜8、發(fā)光層(R)單膜9、發(fā)光層(G)單膜10、發(fā)光層(B)單膜11、電子輸送層單膜12，通過直接測試這些各單膜的膜厚，可以正確獲得在形成有機EL面板3時疊層的各層的膜厚。另外，在本發(fā)明的實施方式中，在單膜區(qū)域A形成的各單膜不限于上述的各單膜數(shù)量，例如可以少于或多于上述各單膜數(shù)量(例如，具有空穴輸送層單膜等)。
以下，說明本發(fā)明的更具體的實施方式。在圖7～圖9(分別對應(yīng)圖2(a)～(c)和圖3～圖5)所示實施方式中，作為有機層，表示通過蒸鍍成膜空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層這三層的示例。
在圖7所示實施方式中，和圖2(a)及圖3一樣，對經(jīng)過前處理工序S1在基板上形成的下部電極等實施檢查工序SS。
具體來講，首先，在前處理工序S1之后，搬入基板(S101)，在進行洗凈后(S102)，進行基于光學膜厚測定的檢查工序SS，測定下部電極等的膜厚。然后，進行成膜工序S2。在成膜工序S2中，在下部電極上蒸鍍空穴輸送層(S201)，然后蒸鍍發(fā)光層(S202)，再蒸鍍電子輸送層(S203)。
在該檢查工序SS中，例如，使用分光橢圓偏振計測試下部電極等的疊層膜厚，在測定該狀態(tài)下的疊層膜厚時，根據(jù)在進行該測定時求出的各層的光學特性和膜厚測定結(jié)果，進行發(fā)光特性的模擬計算，并進行此后成膜的色度校正層的膜厚調(diào)整，以使利用有機層的膜厚決定的射出光的峰值波長與所期望的色度一致。并且，按照通過該調(diào)整所設(shè)定的膜厚，在電子輸送層上蒸鍍同樣由電子輸送層構(gòu)成的色度校正層(S204)。
然后，蒸鍍上部電極(S205)，利用和現(xiàn)有技術(shù)相同的發(fā)光特性的實測方式進行檢查(SSA)，確認沒有色度偏差，在密封工序中進行有機EL元件的密封(S3)。
在圖8所示實施方式中，和圖2(b)及圖4一樣，對經(jīng)過前處理工序S1在基板上形成的下部電極等進行基于光學膜厚測定的檢查工序SS1，測定下部電極等的膜厚，并且，在形成成膜工序S2的上部電極之前進行檢查工序SS2，測定所形成的有機層的膜厚。具體來講，首先，在前處理工序S1之后，搬入基板(S101)，在進行洗凈后(S102)，通過該檢查工序SS1，例如使用分光橢圓偏振計測定下部電極等。然后，在成膜工序S2中，在下部電極上蒸鍍空穴輸送層(S201)，然后蒸鍍發(fā)光層(S202)，再蒸鍍電子輸送層(S203)。并且，在該階段，進行基于光學膜厚測定的檢查(檢查工序SS2)。在該檢查工序SS2中，和檢查工序SS1一樣，例如使用分光橢圓偏振計測定疊層在下部電極上的空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層的疊層膜厚。
當通過兩次檢查工序SS1、SS2，測定所疊層的下部電極、有機層的膜厚時，根據(jù)在進行該測定時求出的各層的光學特性和膜厚測定結(jié)果，進行發(fā)光特性的模擬計算，并進行此后成膜的色度校正層的膜厚調(diào)整，以使利用有機層的膜厚決定的射出光的峰值波長與所期望的色度一致。并且，按照通過該調(diào)整所設(shè)定的膜厚，在檢查工序SS2之前的電子輸送層上蒸鍍同樣由電子輸送層構(gòu)成的色度校正層(S204)。
然后，蒸鍍上部電極(S205)，利用和以往技術(shù)相同的發(fā)光特性的實測方式進行檢查(SSA)，確認沒有色度偏差，在密封工序中進行有機EL元件的密封(S3)。
在圖9所示實施方式中，和圖2(c)及圖5一樣，首先搬入經(jīng)過前處理工序而形成有下部電極等的基板(S101)，在進行洗凈后(S102)，進行成膜工序S2。在成膜工序S2中，在下部電極上蒸鍍空穴輸送層(S201)，然后蒸鍍發(fā)光層(S202)，再蒸鍍電子輸送層(S203)。并且，在該階段，進行基于光學膜厚測定的檢查(檢查工序SS)。在該檢查工序SS中，例如使用分光橢圓偏振計測定疊層在下部電極上的空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層等的疊層膜厚。
在檢查工序SS中，當測定該狀態(tài)下的疊層膜厚時，根據(jù)在進行該測定時求出的各層的光學特性和膜厚的測定結(jié)果，進行發(fā)光特性的模擬計算，并進行此后成膜的色度校正層的膜厚調(diào)整，以使利用有機層的膜厚決定的射出光的峰值波長與所期望的色度一致。并且，按照通過該調(diào)整所設(shè)定的膜厚，在檢查工序SS之前的電子輸送層上蒸鍍同樣由電子輸送層構(gòu)成的色度校正層(S204)。
然后，蒸鍍上部電極(S205)，利用和以往技術(shù)相同的發(fā)光特性的實測方式進行檢查(SSA)，確認沒有色度偏差，在密封工序中進行有機EL元件的密封(S3)。
另外，在圖7～圖9所示的成膜工序S2中，將要成膜的各有機層或電子輸送層的成膜設(shè)定值，設(shè)定為可以獲得包括檢查工序后的色度校正層在內(nèi)的所期望的有機層的膜厚(即，在各檢查工序中測定的疊層膜厚在成膜時的膜厚被設(shè)定為比所期望的有機層薄的膜厚)。
這樣，根據(jù)圖7～圖9所示的實施方式，針對在成膜結(jié)束時因成膜不良產(chǎn)生色度偏差的情況，在前處理工序后或者在成膜途中，加入實測膜厚的檢查工序SS、SS1、SS2，進行基于色度校正層的調(diào)整，由此可以防止產(chǎn)生成膜不良。此處，在成膜到電子輸送層之后加入檢查工序SS、SS2，但不限于此，可以在其前一階段(例如發(fā)光層的成膜結(jié)束時)加入檢查工序SS等，把在此后成膜的層設(shè)為色度校正層。
然后，如圖10所示，本發(fā)明的實施方式在從特定批次(第n批)的前處理工序S1到成膜工序S2的上部電極形成之前進行檢查工序SS，根據(jù)其檢查結(jié)果，在下一批次(第n+1批)的成膜工序S2中，在成膜層n時進行膜厚調(diào)整St。下面對其進行詳細地說明，檢測某批次的成膜時的不良，可以在下一批次的成膜時的膜厚設(shè)定中活用，所以能夠防止在相同層的成膜工序中產(chǎn)生相同的成膜不良的情況。
通過上述的膜厚調(diào)整St，可以進行該有機EL元件的發(fā)光顏色的色度調(diào)整。即，通過膜厚調(diào)整St，把最終的有機層的膜厚調(diào)整為能夠顯示出與有機EL元件的發(fā)光顏色的色度相符的峰值波長，由此可以獲得沒有色度偏差的良好的有機EL元件。
即，在本發(fā)明的實施方式中，在從前處理工序S1到成膜工序S2的上部電極形成之前，進行各檢查工序SS、SS1、SS2，由此可以對已形成薄膜的批次(以下稱為N批)或下一批次(以下稱為N+1批)進行以下校正，從而進行色度偏差的調(diào)整。
1)在相同蒸鍍室內(nèi)，調(diào)整N+1批的成膜工序(反饋)。
例如，在進行N批的發(fā)光層的膜厚測定時，在空穴注入層的膜厚形成得較厚(或較薄)時，對N+1批以后的批次也調(diào)整空穴注入層的膜厚，以形成合適的膜厚。
2)在不同蒸鍍室內(nèi)，調(diào)整N+1批的成膜工序(前饋)。
例如，在進行N批的發(fā)光層的膜厚測定時，在下部電極的膜厚形成得較薄時，把N批以后的批次搬入預(yù)備蒸鍍室，成膜合適的色度校正層(例如電子輸送層)，以達到設(shè)定膜厚。該調(diào)整對下部電極或基底層、絕緣膜層等的成膜工序S2之前的成膜不良非常有效。
3)在不同蒸鍍室內(nèi)，調(diào)整N+1批的成膜工序(反饋)。
例如，在進行N批的發(fā)光層的膜厚測定時，在空穴注入層的膜厚形成得較厚(或較薄)時，成膜N+1批以后批次的空穴輸送層或發(fā)光層的膜厚，以達到合適的膜厚。
4)調(diào)整N批的成膜工序。
例如，在進行N批的膜厚測定時，在空穴注入層的膜厚形成得較薄時，對N批進行反饋處理，再次搬入空穴注入層的蒸鍍室并成膜，以達到合適的膜厚?；蛘?，進行前饋處理，搬入預(yù)備蒸鍍室，成膜色度校正層。
以下，使用圖11表示對下一批次實施進行反饋處理的各檢查工序SS、SS1、SS2的示例。圖11是進行圖2(b)和圖4的前處理工序S1后的檢查工序SS1和成膜工序S2中的檢查工序SS2的一例。
圖11表示在前處理工序S1后和成膜各層后進行相同的檢查工序SS1、SS2。根據(jù)該實施方式，例如，在前處理工序S1后，進行測試下部電極等的膜厚的檢查工序SS1，由此反饋到在下一批次中進行的成膜下部電極的前處理工序S1中，并與下部電極的設(shè)定膜厚進行比較。并且，例如，在蒸鍍空穴輸送層(S201)后進行的檢查工序SS21中，實測空穴輸送層的疊層膜厚，將其與蒸鍍時的設(shè)定膜厚比較。并且，在這些實測的疊層膜厚與設(shè)定膜厚的差值大于等于允許范圍的情況下，將該差值反饋在下一批次中進行的成膜下部電極時或蒸鍍空穴輸送層時的設(shè)定中。在圖示的例子中，表示按照各有機層進行各檢查工序SS21～SS23的示例，但不限于此，也可以選擇容易產(chǎn)生成膜偏差的特定的層，進行這種檢查工序SS1、SS21～SS23。
根據(jù)該實施方式，除了上述實施方式的作用以外，還可以使以后批次恢復為所期望的膜厚，能夠防止在連續(xù)批次中產(chǎn)生相同成膜不良的情況。
作為實現(xiàn)這種實施方式的制造方法的制造裝置，有機EL元件的制造裝置具有成膜裝置，該成膜裝置在基板上至少形成下部電極的前處理工序之后，在所述下部電極上至少成膜具有有機發(fā)光功能層的有機層和上部電極，其構(gòu)成為，包括搬入單元，把所述前處理工序后的所述基板搬入到成膜工序中；成膜室，具有在所述基板上成膜有機層的成膜單元；搬運單元，進行該成膜室之間的所述基板的搬運；檢查室，具有膜厚測定單元，該膜厚測定單元測定在所述成膜室中成膜于所述基板上的層的膜厚。并且，膜厚測定單元由光學膜厚測定裝置構(gòu)成。另外，至少一個所述蒸鍍室和所述檢查室通過數(shù)據(jù)發(fā)送單元連接，該數(shù)據(jù)發(fā)送單元發(fā)送在所述檢查室的膜厚測定結(jié)果。
圖12表示用于實現(xiàn)這種實施方式的有機EL元件的制造方法的簇型(葉片型)制造裝置的示例。該制造裝置構(gòu)成為具有兩個成膜裝置10、20和密封裝置30，在搬入側(cè)的成膜裝置10上連設(shè)有基板搬運室41，在成膜裝置10、20和密封裝置30之間分別連設(shè)有交接室42、43，在密封裝置30的搬出側(cè)連設(shè)有排出室44。成膜裝置10、20在中央配備真空搬運用機器人11、21，在其周圍配備多個蒸鍍室12、13、14、22、23、24。并且，在各成膜裝置10、20上分別配備檢查室(測定膜厚)15、25。
并且，在密封裝置30中，也在中央配備真空搬運用機器人31，在其周圍配備密封基板搬運室32、檢查室(測定發(fā)光特性)33、密封室34和預(yù)備真空室35。在各蒸鍍室12、13、14、22、23、24的入口、基板搬運室41、交接室42、43、密封基板搬運室32、排出室44的出入口，裝備有真空閘門G。
此處，在成膜裝置10、20中，蒸鍍室12、13、14、22、23、24分別用于成膜有機層(空穴輸送層、發(fā)光層(R、G、B)、電子輸送層)及上部電極，配備有具有將各層的蒸鍍材料加熱使其蒸發(fā)的蒸鍍源的電阻加熱式等的真空蒸鍍裝置。并且，在檢查室15、25中配備用于實測所疊層的膜厚的光學膜厚測定裝置。另外，利用數(shù)據(jù)發(fā)送單元(包括發(fā)送線路和收發(fā)裝置)P連接檢查室15和各蒸鍍室12～14或檢查室25和各蒸鍍室22～24，以便可以根據(jù)在檢查室15、25的檢查結(jié)果調(diào)整蒸鍍室的膜厚設(shè)定。
根據(jù)這種制造裝置，將已進行前處理工序和已洗凈的基板(ITO基板)搬入基板搬運室41內(nèi)，并轉(zhuǎn)交給成膜裝置10的真空搬運用機器人11，通過該真空搬運用機器人11的動作，依次進行在蒸鍍室12、13、14內(nèi)的蒸鍍，并且在檢查室15內(nèi)進行所疊層的層的膜厚測定。在交接室42中進行從成膜裝置10側(cè)的真空搬運用機器人11向成膜裝置20側(cè)的真空搬運用機器人21的交接，在成膜裝置20中，通過真空搬運用機器人21的動作，依次進行在蒸鍍室22、23、24內(nèi)的蒸鍍，并且在檢查室25內(nèi)進行所疊層的層的膜厚測定。
具體說明該制造裝置的成膜工序的示例，例如，在成膜裝置10中進行第1顏色的成膜，在蒸鍍室12中蒸鍍各種顏色通用的空穴輸送層，在蒸鍍室13中蒸鍍發(fā)光層(B)，在蒸鍍室14中蒸鍍電子輸送層(B)。并且，通過基于該測定結(jié)果的發(fā)光特性的模擬，進行色度校正層的成膜調(diào)整(在檢查室15中的測定結(jié)果被發(fā)送給蒸鍍室14，進行在蒸鍍室14中的膜厚設(shè)定)。然后，再次將基板搬運到蒸鍍室14內(nèi)或其他蒸鍍室內(nèi)(未圖示)，按照所調(diào)整的設(shè)定膜厚成膜由電子輸送層構(gòu)成的色度校正層。
然后，交接給成膜裝置20，進行第2顏色的成膜。在蒸鍍室22中蒸鍍發(fā)光層(G)，然后在蒸鍍室23中蒸鍍電子輸送層(G)。之后搬運到檢查室25，進行疊層膜厚的測定。并且，通過基于該測定結(jié)果的發(fā)光特性的模擬，進行色度校正層的成膜調(diào)整。然后，再次被搬運到蒸鍍室23內(nèi)或其他蒸鍍室內(nèi)(未圖示)，按照所調(diào)整的設(shè)定膜厚成膜由電子輸送層構(gòu)成的色度校正層。
并且，最后在蒸鍍室24中蒸鍍上部電極，然后通過交接室43搬運到密封裝置30中。在密封裝置30中，首先搬運到檢查室33中，在此處進行發(fā)光特性的測定，確認沒有色度偏差。另外，成膜了有機層和上部電極的基板與從密封基板搬運室32搬入的密封基板一起被搬運到密封室34中，通過粘合劑進行兩者的粘合。完成粘合的有機EL面板通過排出室44被搬出到裝置外面。
另外，在上述示例中，在蒸鍍電子輸送層的過程中進行在成膜裝置10、20內(nèi)的檢查工序，但不限于此，也可以在每次蒸鍍各層時搬運到檢查室15或25中，求出各層的膜厚實測值，將其與成膜時的設(shè)定值比較，由此可以反饋到以后批次進行蒸鍍時的設(shè)定中。此時，在檢查室15或25中的測定結(jié)果通過數(shù)據(jù)發(fā)送單元P被發(fā)送到各蒸鍍室中。
下面，詳細說明圖13所示的制造裝置。圖13表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的其他實施方式的有機EL元件的制造方法的直線型制造裝置的一個示例。這種直線型制造裝置連續(xù)地進行處理，使輥子等旋轉(zhuǎn)機構(gòu)旋轉(zhuǎn)，由此可以與這些旋轉(zhuǎn)機構(gòu)連動，一面使基板移動一面蒸鍍基板表面。其結(jié)果，可以均勻地成膜基板表面，能夠獲得成膜的高生產(chǎn)量，這一點優(yōu)于圖12的簇型制造裝置。
該制造裝置構(gòu)成為具有兩個成膜裝置10A、20A，以及與它們平行配置的密封裝置30A(只有蒸鍍室25A與密封裝置30連設(shè))，并且均保持真空氛圍(例如10-4～10-6Pa)。并且，在搬入側(cè)的成膜裝置10A上連設(shè)有基板搬運室41A，在成膜裝置i0A、20A和密封裝置30A之間分別連設(shè)有交接室42A、43A，在密封裝置30A的搬出側(cè)連設(shè)有排出室44A。另外，檢查室15A配備在交接室42A的側(cè)部，用于測定各成膜的膜厚，預(yù)備蒸鍍室35A是用于形成色度校正層(電子輸送層)的蒸鍍室，配備在交接室43A的側(cè)部。
成膜裝置10A、20A連續(xù)地配備有多個蒸鍍室12A、13A、14A和22A、23A、24A，在各蒸鍍室的中央分別配備作為線性源的成膜源S1～S6，用于均勻地蒸鍍基板表面。同樣，將成膜源S7配備于中央的檢查室25A與密封裝置30A連接。并且，密封裝置30A連續(xù)地配備有檢查室33A、密封室34A，從密封室34A的側(cè)方插入基板，在密封室34A中進行基板的粘合。
此處，在成膜裝置10A、20A中，蒸鍍室12A、13A、14A、22A、23A、24A分別用于成膜有機層(空穴輸送層、發(fā)光層(R、G、B)、電子輸送層)，另外，蒸鍍室25A用于成膜上部電極。在這些各個蒸鍍室中，配備有具有將各層的蒸鍍材料加熱使其蒸發(fā)的蒸鍍源S1～S7的電阻加熱式等的真空蒸鍍裝置。并且，在檢查室15A中配備用于實測所疊層的膜厚的光學膜厚測定裝置。另外，利用數(shù)據(jù)發(fā)送單元(包括發(fā)送線路和收發(fā)裝置)PA連接檢查室15和各蒸鍍室12A、13A、14A、22A、23A、24A、25A、預(yù)備蒸鍍室35A，以便可以根據(jù)在檢查室15A的檢查結(jié)果調(diào)整蒸鍍室的膜厚設(shè)定。
根據(jù)這種制造裝置，將已進行前處理工序和已洗凈的基板(ITO基板)搬入基板搬運室41A內(nèi)，基板被配置在與成膜裝置10A的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)(未圖示)連動的金屬絲(未圖示)上，通過該旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的動作，依次在蒸鍍室12A、13A、14A中進行蒸鍍，然后旋轉(zhuǎn)機構(gòu)進行相反動作，把基板搬運到檢查室15A中，在該檢查室15A內(nèi)進行所疊層的層的膜厚測定(參照該圖的實線(10)、(11))。
然后，基板通過交接室42A被搬運到成膜裝置20A內(nèi)，基板被配置在與成膜裝置20A的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)(未圖示)連動的金屬絲(未圖示)上，同樣通過該旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的動作，依次在蒸鍍室22A、23A、24A中進行蒸鍍。然后旋轉(zhuǎn)機構(gòu)進行相反動作，把基板搬運到檢查室15A中，在該檢查室15A內(nèi)進行所疊層的層的膜厚測定(參照該圖的實線(12))。并且，在蒸鍍室22A、23A、24A中進行蒸鍍后，在不需要檢查的情況下，將基板搬運到交接室43A中(參照該圖的實線(13))。
并且，通過交接室43A搬運到蒸鍍室25A內(nèi)的基板，在成膜了上部電極后，被搬運到密封裝置30A內(nèi)，通過檢查室33A檢查發(fā)光特性。之后，在密封室34A內(nèi)通過粘合劑與從側(cè)方插入的密封基板密封，作為有機EL面板從排出室44A排出(參照該圖的實線(14)、(15))。
下面，具體說明該制造裝置的成膜工序的示例。一般，基板多通過上述步驟(指實線(10)～(15)表示的流程。以下把此流程稱為“普通流程”)經(jīng)由成膜工序、密封工序。
例如，通過前處理工序在ITO等基板上形成了基底層(平坦化膜和絕緣膜)和下部電極的基板，被搬入到基板搬運室41A內(nèi)，通過成膜裝置10A進入到成膜工序。在成膜裝置10A的蒸鍍室12A、13A、14A中，分別利用成膜源S1～S3成膜空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層(B)。
然后，基板被搬運到檢查室15A中，測定成膜于下部電極上的疊層膜的膜厚，在膜厚為合適值的情況下，通過交接室42A搬運到成膜裝置20A中。然后，在成膜裝置20A的蒸鍍室22A、23A、24A中，分別利用成膜源S4～S6成膜發(fā)光層(G)、發(fā)光層(R)、電子輸送層。
然后，基板通過交接室43A被搬運到蒸鍍室25A中，在利用成膜源S7成膜上部電極后，被搬運到檢查室33A中，檢查發(fā)光特性，并與從密封室34A的側(cè)方插入的密封基板粘合密封。并且，基板從排出室44A中被排出到裝置外面。
這樣，經(jīng)過了前處理工序S1的基板經(jīng)由實線(10)～(15)表示的普通流程，在形成成膜工序的上部電極之前至少實施一次檢查工序。另外，在上述普通流程中，表示在蒸鍍室14A成膜發(fā)光層(B)后進行檢查工序的示例，但檢查工序不限于此，也可以進行多次(例如針對每次檢查的所有成膜)。
下面，使用圖13說明基于反饋FB的膜厚調(diào)整。關(guān)于與上述的普通流程相同的內(nèi)容，因重復而省略說明。按照普通流程，在蒸鍍室12A中成膜了空穴注入層的基板，被搬運到檢查室15A后測試所成膜的疊層膜的膜厚。并且，在該膜厚被判斷為不是合適的膜厚狀態(tài)時，再次返回到蒸鍍室12A中，在所成膜的空穴注入層上再次成膜空穴注入層(參照虛線(20))，使其成為合適的膜厚狀態(tài)。然后，關(guān)于蒸鍍室13A～14A、22A～24A也同樣，在各蒸鍍室中進行成膜后返回到檢查室15A中，測定各個成膜的膜厚是否合適，在不合適的情況下，再次被搬運到相同的蒸鍍室中，進行再次蒸鍍以達到合適的膜厚(參照虛線(21))。關(guān)于各個成膜，在形成最佳的膜厚狀態(tài)時，和普通流程一樣，這些基板在形成上部電極，經(jīng)過密封工序后，被排出到裝置外面。
這樣，由于對每次成膜或根據(jù)需要的成膜實施檢查工序，所以可以將所成膜的膜厚再次蒸鍍并成膜，使其成為合適的膜厚狀態(tài)(反饋FB)。并且，針對下一批次以后的批次，也能夠在最初蒸鍍時調(diào)整蒸鍍量，使其成為合適的膜厚狀態(tài)。
下面，使用圖13說明基于前饋FF的膜厚調(diào)整。關(guān)于與上述的普通流程相同的內(nèi)容，因重復而省略說明。按照普通流程，成膜到電子輸送層(普通流程的實線(10)～(12))的基板，被搬運到檢查室15A中，測定所疊層的成膜的總膜厚。其結(jié)果，在判斷為比合適的膜厚狀態(tài)薄時，基板通過交接室43A被搬運到預(yù)備蒸鍍室35A中。在預(yù)備蒸鍍室35A中通過蒸鍍相當于不足的膜厚部分的電子輸送層來進行校正(參照虛線(30))，使其成為合適的膜厚狀態(tài)。
然后，基板通過交接室43A被搬運到蒸鍍室25A中，成膜上部電極后，轉(zhuǎn)入到密封工序(參照虛線(31))，在被密封后，與普通流程(15)一樣，被排出到裝置外面。
這樣，在成膜工序中成膜上部電極之前，在檢查室15A中進行檢查工序，在預(yù)備蒸鍍室35A中成膜電子輸送層的色度校正層(前饋)FF，由此可以形成合適的膜厚狀態(tài)。
另外，上述示例的檢查工序不限于上述內(nèi)容，也可以在每次蒸鍍各層時搬運到檢查室15A(根據(jù)需要可以設(shè)置多個檢查室)中，求出各層的膜厚實測值，并將其與成膜時的設(shè)定值進行比較，由此反饋FB、前饋FF到以后批次進行蒸鍍時的設(shè)定中。此時，在檢查室15A中的測定結(jié)果通過數(shù)據(jù)發(fā)送單元PA發(fā)送到各蒸鍍室。
并且，作為本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造裝置，說明了簇型制造裝置(圖12)和直線型制造裝置(圖13)，但本發(fā)明不限于此，也可以是組合了簇型制造裝置和直線型制造裝置的復合型制造裝置。具體來講，可以列舉出類似與圖12所示的簇型制造裝置的成膜裝置10、20連設(shè)，通過交接室43設(shè)置圖13所示的直線型制造裝置的密封裝置30A等。這種復合型制造裝置不限于只有密封裝置為直線型，可以根據(jù)將要成膜的膜厚和設(shè)置場所等各種條件適當決定如何配置簇型和直線型。
以下，具體說明上述密封裝置30、30A的密封工序的示例。
利用密封部件進行氣密密封時，在紫外線硬化型環(huán)氧樹脂粘合劑中混合適量(約0.1～0.5重量％)的粒徑為1～300μm的隔離物(優(yōu)選玻璃或塑料隔離物)，使用分配器(dispenser)等將其涂覆在有機EL元件形成基板上的對應(yīng)密封基板側(cè)壁的部位。然后，使密封室34內(nèi)部形成氬氣等惰性氣體氛圍，通過粘合劑使密封基板抵接形成有機EL元件的基板。然后從有機EL元件形成基板側(cè)(或密封基板側(cè))向粘合劑照射紫外線使其固化。這樣，以在密封基板和有機EL元件形成基板之間的密封空間內(nèi)封入了氬氣等惰性氣體的狀態(tài)密封有機EL元件。
并且，在利用密封部件進行填充密封的情況下，利用分配器等在密封基板上涂覆熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、彈性體等，或者在密封基板上疊層薄片狀的熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、彈性體等。然后，在真空中，在加熱等條件下粘合密封基板和有機EL元件形成基板，并使它們硬化接合。這樣，在密封基板和有機EL元件形成基板之間的密封空間內(nèi)填充由樹脂或薄片樹脂構(gòu)成的密封部件，從而密封有機EL元件。此時，涂覆樹脂等或疊層薄片狀樹脂不限于密封基板側(cè)，也可以是有機EL元件形成基板側(cè)。
另外，在利用密封膜密封時，在檢查工序后成膜了上部電極的有機EL元件形成基板上，利用旋轉(zhuǎn)涂覆法等涂覆光硬化性樹脂等有機材料作為緩沖層，并照射紫外線使其硬化。然后，利用濺射法成膜SiO2無機材料作為屏障層。之后，交替疊層光硬化性樹脂緩沖層和SiO2屏障層并密封。此時，密封膜可以通過疊層單層膜或多層保護膜而形成。作為所使用的材料可以是無機物或有機物等任一種。具體來講，作為無機物，可以列舉出SiN、AlN、GaN等氮化物；SiO2、Al2O3、Ta2O5、ZnO、GeO等氧化物；SiON等氮氧化物；SiCN等碳氮化物；金屬氟化合物；金屬膜等。作為有機物，可以列舉出環(huán)氧樹脂；丙烯樹脂；聚對二甲苯；全氟烯烴、全氟乙醚等氟系列高分子；CH3OM、C2H5OM等金屬醇鹽、聚酰亞胺前驅(qū)體；二萘嵌苯系列化合物等。在本發(fā)明的實施方式中，上述以外的疊層或材料的選擇可以根據(jù)有機EL元件的設(shè)計適當選擇。
另外，本發(fā)明的實施方式的成膜工序不限于上述的蒸鍍，只要是可以調(diào)整膜厚的成膜方法，除旋轉(zhuǎn)涂覆法、浸漬法等涂覆方法外，也可以使用網(wǎng)版印刷法、噴墨法等印刷方法等的濕式工藝。
下面，詳細說明本發(fā)明的實施方式的有機層。如上所述，有機層一般是空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層的組合結(jié)構(gòu)，但也可以分別設(shè)置不只一層的多層疊層的空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層。并且，還可以省略空穴輸送層和電子輸送層的任何一層或兩層。另外，根據(jù)用途，除空穴注入層、電子注入層外，還可以插入載流子阻擋層等有機層。針對以上設(shè)計變更，適當增減蒸鍍室。
另外，上述各層可以適當選擇以往使用的材料(可以是高分子材料或低分子材料)。作為發(fā)光材料，可以是從單態(tài)激勵狀態(tài)返回到基底狀態(tài)時的發(fā)光(熒光)的材料，也可以是從三態(tài)激勵狀態(tài)返回到基底狀態(tài)時的發(fā)光(磷光)的材料。
并且，本發(fā)明的實施方式不特別限定有機EL元件的形式。例如，可以是從基板側(cè)取出光的底部發(fā)光方式，也可以是從與基板的相反側(cè)取出光的頂部發(fā)光方式，作為面板的驅(qū)動方式，可以是有源驅(qū)動也可以是無源驅(qū)動。另外，在底部發(fā)光方式中校正有機層，而在頂部發(fā)光方式中，成膜除了有機層也校正透明的上部電極的色度校正層。
根據(jù)以上說明的本發(fā)明的實施方式或?qū)嵤├?，在有機EL元件的制造工序中，在從前處理工序之后到成膜工序的上部電極形成之前進行檢查工序，測定下部電極和有機層的膜厚等，根據(jù)該測定結(jié)果進行模擬計算，利用以后的成膜進行膜厚校正，由此可以形成沒有色度偏差的有機EL元件。其結(jié)果，對于以往技術(shù)中被判斷為因成膜造成的色度偏差不良而被排除的有機EL元件，也能夠制造成為合格品，可以消除以往技術(shù)中能夠看到的工序損耗，并且可以提高產(chǎn)品成品率。
并且，在本發(fā)明的實施方式的有機EL元件的制造方法或制造裝置中，由于在前處理工序之后直接測定下部電極等的膜厚，或者在成膜的中途階段直接測定所形成的有機層的膜厚，所以即使成膜自身未能高精度地進行，也能夠高精度地使最終的有機層等的膜厚與設(shè)定膜厚一致，可以獲得沒有色度偏差的有機EL元件。
另外，通過使用光學式膜厚測定來直接測定下部電極和有機層，不僅求出膜厚，也能夠求出折射率和光吸收特性等，通過考慮了這些因素的模擬計算，可以預(yù)測色度偏差，所以能夠利用檢查工序后的色度校正層的成膜有效地消除色度偏差。
并且，可以把各層的實測值數(shù)據(jù)反饋到成膜下一批次的各層時的設(shè)定中，所以即使在一個批次產(chǎn)生成膜不良，也能夠防止在以后批次中產(chǎn)生相同成膜不良的情況。
另外，利用輸送發(fā)送單元連接進行膜厚測定的檢查室和蒸鍍室，由此可以把膜厚測定結(jié)果反饋或前饋到在蒸鍍室的膜厚設(shè)定中，能夠?qū)崿F(xiàn)膜厚設(shè)定的自動化。
權(quán)利要求
1.一種有機EL元件的制造方法，具有在基板上至少形成下部電極的前處理工序；在所述前處理工序之后，在所述下部電極上成膜至少具有有機發(fā)光功能層的有機層和上部電極的成膜工序；在該成膜工序之后，密封所述有機層和所述上部電極的密封工序，其特征在于，在從所述前處理工序之后到所述上部電極形成之前進行檢查工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，所述檢查工序進行所述下部電極的膜厚測定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，所述檢查工序在所述有機層的成膜之前進行，根據(jù)該檢查工序的檢查結(jié)果進行所述有機層的膜厚調(diào)整。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，所述檢查工序是在所述有機層的成膜工序中進行。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，所述檢查工序進行所述有機層的膜厚測定。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，在所述成膜工序中，至少在成膜一個第1有機層之后進行所述檢查工序，根據(jù)該檢查工序的檢查結(jié)果，進行疊層在所述第1有機層上的有機層的膜厚調(diào)整。
7.根據(jù)權(quán)利要求4～6中任意一項所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，在所述成膜工序中，至少在成膜一個第1有機層之后進行所述檢查工序，根據(jù)該檢查工序的檢查結(jié)果，進行所述第1有機層的膜厚調(diào)整。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，所述檢查工序在所述有機層的成膜之前進行第1檢查工序，在所述有機層的成膜工序中進行第2檢查工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，所述第1檢查工序測定所述下部電極的膜厚，所述第2檢查工序測定所成膜的所述有機層的膜厚，根據(jù)所述第1和第2檢查工序的檢查結(jié)果，進行疊層在所成膜的所述有機層上的有機層的膜厚調(diào)整。
10.根據(jù)權(quán)利要求3、6、7、9中任意一項所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，通過所述膜厚調(diào)整，進行該有機EL元件的發(fā)光顏色的色度調(diào)整。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任意一項所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，所述檢查工序利用光學膜厚測定法進行。
12.一種有機EL元件的制造裝置，具有成膜裝置，該成膜裝置在基板上至少形成下部電極的前處理工序之后，在所述下部電極上成膜至少具有有機發(fā)光功能層的有機層和上部電極，其特征在于，所述成膜裝置包括搬入單元，把所述前處理工序后的所述基板搬入成膜工序中；成膜室，具有在所述基板上成膜有機層的成膜單元；搬運單元，進行該成膜室之間的所述基板的搬運；檢查室，具有膜厚測定單元，測定在所述成膜室中成膜于所述基板上的層的膜厚。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機EL元件的制造裝置，其特征在于，包括具有膜厚測定單元的檢查室，該膜厚測定單元測定所述下部電極或所述有機層中至少一方的膜厚。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的有機EL元件的制造裝置，其特征在于，所述膜厚測定單元由光學膜厚測定裝置構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12～14中任意一項所述的有機EL元件的制造裝置，其特征在于，至少一個所述蒸鍍室和所述檢查室通過數(shù)據(jù)發(fā)送單元連接，該數(shù)據(jù)發(fā)送單元發(fā)送在所述檢查室中的膜厚測定結(jié)果。
16.一種有機EL元件的制造裝置，其特征在于，權(quán)利要求12～15中任意一項所述的有機EL元件的制造裝置是簇型、或直線型、或它們的復合型。
全文摘要
一種有機EL元件的制造方法及制造裝置，具有成膜基板上的下部電極等的前處理工序(S1)；在該前處理工序(S1)之后，在下部電極上至少成膜具有有機發(fā)光功能層的有機層和上部電極的成膜工序(S2)；在成膜工序(S2)之后，密封有機層和上部電極的密封工序(S3)，在從前處理工序(S1)之后到上部電極形成之前進行檢查工序(SS)。由此，消除有機EL元件因有機層的成膜不良造成的色度偏差，改善成品率。
文檔編號H05B33/22GK1681362SQ200510063508
公開日2005年10月12日 申請日期2005年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月8日
發(fā)明者丹博樹 申請人:日本東北先鋒公司