專利名稱：發(fā)光裝置及電子儀器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及以有機EL(電致發(fā)光)裝置和無機EL裝置為代表的發(fā)光裝置及搭載了該發(fā)光裝置的電子儀器。
背景技術：
底部出射型有機EL裝置，例如玻璃等透明的基板上借助于絕緣膜設置多個發(fā)光元件(像素)，在與各像素對應的區(qū)域內形成配線等。由各像素發(fā)生的光透過該基板出射。這種基板在使來自發(fā)光層的光向外部透過的同時，往往使來自外部的光也入射到有機EL裝置內部。在有機EL裝置的內部，各像素的發(fā)光部分與其以外像素間的面積比例如為4∶6左右，自外部透過基板入射光的大部分，被像素間設置的配線反射。而且，即使不被配線反射，也往往被透過像素等形成陰極的共用電極所反射。因此，當驅動有機EL裝置時，在顯示面上因來自像素的發(fā)光與被配線和共用電極的反射光混合顯示，所以引起對比度降低。
為了抑制這種對比度的降低，正如專利文獻1所公開的那樣，過去有人提出采用在配線之間配置吸收光的有機材料作為黑色矩陣(黑底)，使入射光不能達到配線和共用電極的方法，以及將圓偏光板重疊在顯示部上，使被內部反射的光不會向外部泄漏的方法。
專利文獻1特開平10-214043號公報然而，因圓偏光板價格昂貴，使采用該圓偏光板的發(fā)光裝置成本增大。另一方面，在上述專利文獻1記載的方法中，需要將黑色矩陣圖案化得將配線之間掩埋，由于制造工序繁雜而難于實施，而且黑色矩陣含有元素碳，所以在配線彼此之間存在碳使電學上導通的可能性增高。

發(fā)明內容
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于提供一種不經繁雜的制造工序，同時能抑制配線與陰極的光反射的情況下能夠實現對比度的提高，此外還能降低制造成本的發(fā)光裝置，以及搭載了該發(fā)光裝置的電子儀器。
為了達成上述目的，本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置，是具有透明基板、設置在所述基板一側并由電信號而發(fā)光的發(fā)光層、和所述發(fā)光層上傳導所述電信號用的導電部，所述發(fā)光層的光透過所述基板出射的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述導電部與所述基板之間，在與所述導電部所定的距離內，設置使通過所述基板入射的一部分入射光反射，透過剩余入射光的光的半透半反射層。
本發(fā)明中，透過基板的入射光，一部分由光的半透半反射層反射，其余的透過半透半反射層因被導電部反射而返回。因此，通過使光的半透半反射層與導電部之間距離處于所定距離，能使被光的半透半反射層反射的光與被導電部反射的光產生干涉作用而消失。這樣一來，當驅動該發(fā)光裝置時，由于看不到來自導電部的反射光，所以能夠提高對比度。而且本發(fā)明中，例如由于無需圖案化得將配線間掩埋，所以不必采用圓偏光板。因此本發(fā)光裝置能夠在不經繁雜的制造工序的條件下以低成本制造。
而且在光的半透半反射層與導電部之間能夠插入各種透明的絕緣材料，所以材料的選擇自由。此外，例如像黑色矩陣那樣配置吸收光部分的情況下，被轉換成的熱量因被該光吸收材料蓄熱而對發(fā)光裝置產生有害影響的擔心，在本發(fā)明中由于配置光的半透半反射層，光因干涉而互相抵消，所以沒有蓄熱問題，因而能夠穩(wěn)定驅動發(fā)光裝置。特別是將本發(fā)明用于有機EL裝置的情況下，能夠在對發(fā)光層不產生有害影響的情況下驅動裝置。
其中有關“所定距離”，優(yōu)選使被光的半透半反射層反射的光與被導電部反射的光因互相干涉而消失的距離，例如產生0次干涉的距離。但是，當光的半透半反射層與導電部因過于接近而難于插入絕緣材料的情況下，也可以采用一次干涉和二次干涉的距離。而且，入射光的“一部分”和“其余”用詞，是就入射光的強度和光量的“一部分”和“其余”而言的，而不是指波長成分的“一部分”和“其余”。
而且，所述光的半透半反射層，優(yōu)選設置得與所述導電部的圖案具有大體相同的圖案。這種情況下，也可以使形成的圖案與導電部的形狀相同。這樣，在制作導電部和光的半透半反射層時可以重復同樣的操作，無需設置特別的制造工序。而且還可以在比導電部更廣的范圍內形成光的半透半反射層。這樣，例如也可以使來自傾斜方向的光透過和反射，進一步提高對比度。
本發(fā)明優(yōu)選具有與所述導電部和所述發(fā)光層電連接的晶體管，所述導電部相當于所述晶體管的柵極線和源線中的至少一方。通常在TFT有源矩陣型發(fā)光裝置中，分別在各發(fā)光層形成晶體管，在各晶體管上形成配線的柵極線或源線等。這樣對于在發(fā)光層間形成多個配線的TFT有源矩陣型發(fā)光裝置而言，由于能夠抑制在該配線的反射，所以本發(fā)明的意義極大。
所述導電部優(yōu)選是所述發(fā)光層的共用電極。根據本發(fā)明，由于透過發(fā)光層后被共用電極反射的光能夠互相抵消，所以對比度更加良好。這種情況下，光的半透半反射層優(yōu)選在與成為陰極的共用電極具有所定距離之處形成。
另外，優(yōu)選這樣設置所述光的半透半反射層，當所述所定距離為d1、所述入射光的波長為λ1、所述導電部與所述光的半透半反射層之間區(qū)域的折射率為n1、0以上的整數為m1時，所述距離d1可以表示為d1＝λ1(1/2+m1)/2n1…………(式1)。
本發(fā)明通過采用所謂“布喇格”公式計算所定距離d1，因配置光的半透半反射層而能提高干涉的精度。
其中上述(式1)中的λ1值優(yōu)選為處于可見光中心波長附近的值。即使在可見光中中心波長附近的光也能被人以高靈敏度識別。根據本發(fā)明，由于能夠抑制該中心波長附近光的反射，所以與抑制其他波長光反射的情況相比反射光更減少。這樣能夠進一步提高對比度提高效果。
而且優(yōu)選將所述光的半透半反射層的透過率與反射率設定得，使被所述光的半透半反射層反射的反射光強度，與透過所述光的半透半反射膜被所述導電部反射后，再次透過所述光的半透半反射膜返回的光強度大體相等。這樣，被光的半透半反射層反射的光與被導電部反射的光將幾乎完全消失。
此外，所述光的半透半反射層優(yōu)選由金屬構成。本發(fā)明的光的半透半反射層，由于處于引起光干涉所需的必要部位上，所以折射率、層厚等物理特性將會發(fā)生變化，因而不好。金屬除水銀等液體金屬以外，即使在高溫下也具有比樹脂難于變形的性質。因此，當驅動該發(fā)光裝置時，很難因發(fā)熱而變形，由于折射率、層厚等物理特性不變，所以能夠維持高對比度的狀態(tài)。作為本發(fā)明可以采用的金屬，例如優(yōu)選鋁等反射型強的金屬。將這種金屬制成薄膜層的情況下，也能使光透過。這種情況下，為了提高膜質在鋁中也可以加入例如銅和釹等。
本發(fā)明的其他方式涉及的發(fā)光裝置，是具有透明基板、設置在所述基板一側并由電信號而發(fā)光的發(fā)光層、和處于所述發(fā)光層上傳導所述電信號用的導電部，來自所述發(fā)光層的光透過所述基板出射的發(fā)光裝置，其特征在于，其中具備被設置在所述導電部與所述基板之間將來自所述基板側的光反射的反射層和，被設置在所述光反射層與所述基板之間處于與所述光反射層間隔所定的距離內，使通過所述基板入射的一部分入射光透過，反射剩余入射光的光的半透半反射層。
本發(fā)明中，透過光的半透半反射層的光由于不會被導電部反射，而另外設置用于反射該光的光反射層，所以不受導電部設置的約束，能夠在任意場所設置該光反射層。例如不僅在形成了導電部的區(qū)域，而且還可以在發(fā)光層周邊全部區(qū)域內形成光的半透半反射層。而且關于構成光反射層的材料，不管是否具有導電性，可以選擇反射特性特別優(yōu)良的最佳材料。
而且所述光的半透半反射層優(yōu)選設置得與所述光反射層圖案具有大體相同的圖案。這種情況下，也可以使光的半透半反射層的形狀形成得與光反射層的形狀相同。這樣在制作光的半透半反射層和光反射層的情況下可以重復同樣的工序，無需設置特別制造工序。而且還可以在比光反射層更廣的范圍內形成光的半透半反射層。這樣一來，也能將例如來自傾斜方向的光透過·反射，對比度進一步提高。
而且優(yōu)選使光反射層和所述光的半透半反射層設置得，當將所述所定距離為d2、所述入射光的波長為λ2、所述光反射層與所述光的半透半反射層之間區(qū)域的折射率為n2、0以上的整數為m2時，所述距離d2可以表示為d2＝λ2(1/2+m2)/2n2…………(式2)。
本發(fā)明通過采用所謂“布喇格”公式計算所定距離d2，因配置光反射層和所述光的半透半反射層而能提高干涉的精度。
此外，所述(式2)中的λ2值優(yōu)選為處于可見光中心波長附近的值。根據本發(fā)明，由于能夠抑制視覺靈敏度高的該中心波長附近光的反射，所以與抑制其他波長光反射的情況相比能夠進一步減少反射光。這樣能夠使對比度提高效果進一步提高。
而且優(yōu)選將所述光的半透半反射層的透過率與反射率設定得，使被所述光的半透半反射層反射的反射光強度，與透過所述光的半透半反射膜被所述光反射層反射后再次透過所述光的半透半反射膜的光強度大體相等。這樣能夠使被光的半透半反射層反射的光與被光反射層反射的光幾乎完全互相抵消。
所述光的半透半反射層優(yōu)選由金屬構成。當驅動該發(fā)光裝置時很難因發(fā)熱而變形，由于折射率、層后等物理特性也不變，所以能夠維持高對比度的狀態(tài)。
本發(fā)明涉及的電子儀器，其特征在于，其中搭載有上述發(fā)光裝置。
這樣，能夠得到一種對比度高、制造成本低的電子儀器。


圖1是表示本發(fā)明的第一種實施方式涉及的有機EL裝置全體結構的立體圖。
圖2是有機EL裝置的平面圖。
圖3是表示圖2中A-B方向上有機EL裝置的構成的截面圖。
圖4是表示圖2中C-D方向上有機EL裝置構成的截面圖。
圖5是將圖4的一部分放大的截面放大圖。
圖6是示意表示有機EL裝置的等效電路的示意圖。
圖7(a)是未設半反射鏡時的有機EL裝置的說明圖，(b)是表示顯示畫面的平面圖。
圖8(a)是設置半反射鏡的有機EL裝置的原理說明圖，(b)是表示顯示畫面的平面圖。
圖9是表示本發(fā)明的第二種實施方式涉及的有機EL裝置全體構成的截面圖。
圖10是表示本發(fā)明涉及的電子儀器的構成的立體圖。
圖中K…像素區(qū)域，L…像素間，1…EL裝置，2…基板，3…EL元件，11…基底保護層，12…硅膜，13…柵絕緣層，14、37、50…半反射鏡，4…共用電極，51…第一透明層，52…反射層，53…第二透明層，3000…移動電話機，3003…顯示部具體實施方式
(第一種實施方式)以下基于

本發(fā)明的第一種實施方式。以下各圖中為了將各種部件繪成圖中能夠識別的尺寸，對比例做了適當變更。
圖1是示意表示有機EL裝置全體構成的立體圖。
有機EL裝置1，具有在基板2上形成的電路元件和配線以及絕緣層等的基體10，在此基體10上形成的有機EL元件3，和在基體10的端部上安裝的外部電路4。在外部電路4供給的電信號下有機EL元件3發(fā)光，能夠顯示圖像或動畫等。而且形成密封部分5將有機EL元件3和基體10覆蓋。在以下本實施方式中，以本身是形成了薄膜晶體管(Thin filmTransistorTFT)的有源矩陣型的，而且由有機EL元件3發(fā)生的光透過基體10取出的底部出射型的有機EL裝置1為例加以說明。
圖2是圖1的有機EL裝置1的平面圖。此圖中，省略了圖1的有機EL元件3和密封部分5。圖3是表示有機EL裝置1沿著A-B截面的截面圖。圖4是表示有機EL裝置1沿著C-D截面的截面圖。圖5是表示有機EL裝置1的實際顯示區(qū)域P的截面放大圖。
如圖2所示，基體10被區(qū)分為像素部7(一點劃線之內的區(qū)域)和周緣部8(一點劃線之外的區(qū)域)，在像素部7內，被進一步區(qū)分為實際顯示區(qū)域P(二點劃線之內的區(qū)域)和虛設區(qū)域Q(一點劃線與二點劃線之間的區(qū)域)。而且像素部7的實際顯示區(qū)域P被區(qū)分成來自有機EL元件3的光透過的像素區(qū)域K，和配置電極和配線等的像素間L。
以下參照圖3、4和5加以說明。作為基體10構成要素的基板2例如是用玻璃、石英、樹脂(塑料片、塑料膜)等制成的透明基板。本實施方式涉及的有機EL裝置1由于是底部出射型的，為了取出光基板2需要是透明的。其中，由于將基板2制成透明的，所以外部光往往透過基板2抵達內部。在基板2的表面2b上例如形成SiO2等透明基底保護層11作為基底。
如圖5所示，在像素部7的實際顯示區(qū)域P內，在基底保護層11上形成硅膜12、第一絕緣層(柵絕緣層)13、半反射鏡14、柵配線15、第二絕緣層16、源配線17、漏電極18和第三絕緣層19。這些在像素間L上形成。而且如圖3、4所示，在像素部7的虛設區(qū)域Q內，在基底保護層11上形成掃描驅動電路20、數據驅動電路21、檢查電路22等。而且還形成與外部電路部4連接的電源線(圖中未示出)。
硅膜12形成具有通道區(qū)域、源區(qū)和漏區(qū)的驅動用晶體管。硅膜12中，夾持柵絕緣層13并與柵配線15重疊的區(qū)域是通道區(qū)域12a。在通道區(qū)域12a的源側形成低濃度源區(qū)12b和高濃度源區(qū)12s，在通道區(qū)域12a的漏側形成有低濃度漏區(qū)12c和高濃度漏區(qū)12d。因此驅動用薄膜晶體管具有LDD(Light Doped Drain)結構。
在高濃度源區(qū)12s和高濃度漏區(qū)12d上，形成有與柵絕緣層13和第二絕緣層16連接開孔的接觸孔23、24。而且在高濃度漏區(qū)12d一側形成有將第三絕緣層19貫通的接觸孔25，使之與像素電極(陽極31)連接。
柵絕緣層13例如是用SiO2和SiN等形成的透明層，將硅膜12和柵配線15連接。
柵配線15和源配線17，如圖2所示被分別配置成矩陣狀，柵配線15例如用鋁或銅等沿著圖2的X方向延伸形成，而且源配線17沿著與柵配線15大體正交的圖2的Y方向延伸形成的。源配線17借助于接觸孔23和源電極17a與高濃度源區(qū)12s連接。而且漏電極18與高濃度漏區(qū)12d連接的。
第二絕緣層13是主要由SiO2組成的透明層，將柵配線15、源配線17和漏電極18絕緣的。
在柵絕緣層13上形成例如與源配線17同一形狀的半反射鏡14。半反射鏡14，例如用鋁等金屬制成形成薄膜狀的情況下，透過基底保護層11和柵絕緣層13的一部分光朝著基板2反射，其余的光能夠透過。為了提高膜質，也可以在鋁中添加例如銅或釹等。
優(yōu)選這樣設置半反射鏡14，當外部的入射光的波長為λ1，源配線17與半反射鏡14之間區(qū)域(本實施方式中，第二絕緣層16)的折射率為n1、0以上的整數為m1時，由公式d1＝λ1(1/2+m1)/2n1…………(式1)表示的距離為d1。一旦這樣設置，透過基板2被半反射鏡14反射的光，與直接透過半反射鏡14被源配線17反射的光可以因干涉而消失。
而且在可見光中在中心波長附近的光由于能被人以高靈敏度識別，所以若能抑制中心波長附近的光反射，則與抑制其他波長光的反射情況相比，能夠進一步減少反射光。而且，更優(yōu)選將半反射鏡設定得當將λ1定為可見光的中心波長，例如520納米時算出的d1距離處。本實施方式中，由于第二絕緣層16(SiO2)的折射率為1.46，所以0次干涉(m1＝0)將在d1＝89納米的距離處產生。因此，應當將半反射鏡14設置在從源配線17離89納米距離之處。
如上所述，為在所定距離設置半反射鏡14，例如可以對源配線17與半反射鏡14所夾持的第二絕緣層16的膜厚進行適當調整。也就是說，當d1＝89納米時計算的情況下，將第二絕緣層16的膜厚定為89納米時，能夠將半反射鏡14設置在所需的距離之處。
而且通過調節(jié)半反射鏡14的膜厚(即調整反射率和透過率)，能夠改變被此半反射鏡14反射的光強度，和透過半反射鏡14光的強度。例如，若將半反射鏡14的膜厚減薄，則透過光的強度將增大，反射光的強度將減小。反之，若將半反射鏡14的膜厚加厚，則透過光的強度將減小，反射光的強度將增大。因此，使透過基板2被半反射鏡14反射的光強度，與直接透過反射鏡14后被源配線17反射后，再次透過半反射鏡的光強度相同的膜厚(例如10納米)，而且在光的相位相反的距離處形成半反射鏡14是適當的。若能這樣，則透過半反射鏡14被源配線17反射的光，與被半反射鏡14反射的光因互相完全干涉而消失。
其中，這里雖然將n1定為第二絕緣層16的折射率，但是例如在柵絕緣層13內設置半反射鏡14的情況下，由于該半反射鏡14與源配線17之間的區(qū)域包含柵絕緣層13和第二絕緣層16，所以其折射率均以d1計算。而且如上所述，也可以使圖案形成得使半反射鏡14的形狀與源配線17的形狀相同，還可以通過使半反射鏡14形成得比源配線17更廣，使來自傾斜方向的光透過和反射。
第三絕緣層19，例如用丙烯系樹脂，將源配線17與漏電極18和接觸孔25絕緣。其中，也可以使用丙烯系以外的材料，例如SiN、SiO2等。
而且被設置在虛設區(qū)域Q上的掃描驅動電路20，具有移位寄存器等存儲器和改變信號水平的電位移位器等電路，與柵配線15相連接。數據驅動電路21，除這些移位寄存器和電位移位器以外，還有視頻線或模擬移位器等電路，與源配線17相連接。掃描驅動電路20和數據驅動電路21，借助于驅動控制信號線28a、28b(參照圖3、4)與驅動部4連接的，通過該外部電路4的控制，向柵配線15和源配線17輸出信號。檢查電路22，用來檢查有機EL裝置1動作狀況的電路，具備例如將檢查結果向外部輸出的檢查信息輸出機構(未圖示)等，其構成為能夠對制造過程中或出廠時顯示裝置的質量、缺陷進行檢查。而且，掃描驅動電路20和數據驅動電路21以及檢查電路22，通過驅動電源配線29a、29b與電源連接。
在周邊部8形成與有機EL元件3連接的連接用配線27。這種連接用配線27與外部電路4連接，通過該連接用配線27將來自外部電路4的電信號供給有機EL裝置。
另一方面，有機EL元件3具有陽極31、空穴注入層32、發(fā)光層33、共用電極(陰極)34、像素開口膜35和有機貯格圍堰(bank)36。這些被層疊在上述的基體10上。陽極31、空穴注入層32和發(fā)光層33在像素區(qū)域K上形成，而像素開口膜35和有機貯格圍堰36主要在像素間L上形成。
陽極31，是向空穴注入層32上注入空穴用的透明電極，例如用ITO(銦錫氧化物)等形成，借助于接觸孔25與漏電極18連接。
空穴注入層32，是向發(fā)光層33輸送從陽極31注入的空穴用的層，例如由聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物或其摻雜體等形成的。而且陰極34是根據來自外部電路4的電信號向發(fā)光層33注入電子用的層，例如可以用鈣等金屬形成的。陰極34，具備比實際顯示區(qū)域P和虛設區(qū)域Q更廣的面積，形成得分別將其覆蓋，形成得將有機EL元件3的外側覆蓋的形狀。這種陰極34與連接用配線27相連，借助于連接用配線27與外部電路4連接。其中在制造時為了防止陰極34的腐蝕，也可以在陰極34的上層部分形成例如鋁等保護層。
發(fā)光層33可以用能夠發(fā)出熒光或磷光的公知發(fā)光材料，例如低分子材料或高分子材料形成。這種發(fā)光層33中，因來自空穴注入層的空穴與來自陰極34的電子互相結合而發(fā)光。發(fā)光層33有發(fā)出紅色光的層(33R)、發(fā)出綠色光的層(336)和發(fā)出藍色光的層(33B)三種。從各發(fā)光層33R、336、33B發(fā)出的光，透過陽極31、空穴注入層32和基體10時，可以在基板2的實際顯示區(qū)域P顯示圖像或動畫等。
像素開口膜35是區(qū)分像素區(qū)域K的絕緣膜。這種像素開口膜35，能使來自陽極31的空穴在開口部35a中移動，同時隔離得使空穴在開口部35a以外不產生移動。
有機貯格圍堰層36，是利用噴墨法等液滴噴出法形成空穴注入層32和發(fā)光層33時的隔壁，而且將其隔離得相鄰的空穴注入層32和發(fā)光層33之間不會產生空穴的移動。有機貯格圍堰層36，例如可以用丙烯或聚酰亞胺等形成。其中，從基板2內部透過入射到內部的光，抵達陰極34后有時也被該陰極34反射，所以可以在此有機貯格圍堰36內設置半反射鏡37，使其處于與陰極34距離上述所定距離D1之處。半反射鏡37與上述半反射鏡14同樣，能將透過基板2后入射的一部分光反射，使其余的光透過。
圖6是示意表示這樣構成的有機EL裝置1中配線結構的示意圖。
根據這種有機EL裝置1，一旦借助于柵配線15使柵信號達到高電壓電平，開關用TFTi00就會處于開啟狀態(tài)。于是此時的源配線17的電位將被保持電容101所保持，根據該保持電容101的電位狀態(tài)決定驅動用TFT12的開啟電流值。驅動用TFT12根據此狀態(tài)使電流從電源線102流入陽極31。陽極31借助于空穴注入層32向發(fā)光層33供給空穴，電子從陰極34向發(fā)光層33移動。這樣電流從陽極31向陰極34流動，發(fā)光層33根據此電流量而發(fā)光。其中保持電容101也可以利用上述半反射鏡14形成。
以下簡要說明本發(fā)明涉及的有機EL裝置1的制造工序。其中在本實施方式中，說明基體10和有機EL元件3像素部7的區(qū)域的形成工序，關于形成周緣部8工序的說明省略。
首先，采用公知方法在基板2上形成基底保護層11，在其上形成硅膜12，利用激光退火法進行多晶硅化。用柵絕緣膜13將硅膜12覆蓋后，形成柵配線15。
其次在柵絕緣層13上將半反射鏡14圖案化形成與源配線17大體相同的圖案。在半反射鏡14上，以使該半反射鏡14與源配線17的距離達到上述距離d1所決定的膜厚形成第二絕緣層16。
進而形成接觸孔23、24，以及借助于這些接觸孔23、24與半導體12的源區(qū)12s和漏區(qū)12d連接的源電極17a和漏電極18，接著在第二絕緣層16上以與半反射鏡14同一圖案將源配線17圖案化得與半反射鏡14重疊。然后在源配線17和漏電極18上形成將全體覆蓋的絕緣層19，圖案化而形成漏側的接觸孔25。而且，接觸孔25在像素區(qū)域K上形成以便與陽極31連接。這樣可以形成驅動電路部。
以下說明有機EL元件3的形成工序。
在覆蓋基體10全面的第三絕緣層19上，使形成陽極31的透明導電膜成膜，將此導電膜圖案化得使其在像素區(qū)域K上形成陽極31。此時，同時也將形成虛設圖案(未圖示)。通過本工序，借助于接觸孔25在像素區(qū)域K中將陽極31和漏電極18連接。
接著在第三絕緣層19的露出部分上，使作為絕緣層的像素開口膜35形成得與陽極31稍微重疊。
在此像素開口膜35上，用將丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂等抗蝕劑溶解在溶劑中的材料，借助于旋涂法、浸涂法等各種涂布方法形成有機貯格圍堰層36。在有機貯格圍堰36內也可以將貯格圍堰形成工序分成兩次，中間形成半反射鏡37。
進而將全面在所定溫度，例如70～80℃下加熱，實施O2等離子體處理。這種等離子體處理是在大氣氣氛中以氧作反應氣體的處理，分別使像素開口膜35的壁面35a、上面35b和陽極31的表面親液化。而且在大氣氣氛中通過以四氟甲烷作反應氣體的CF4等離子體處理，能使有機貯格圍堰36的上面36b和開口部36a具有疏液性。然后將各部分冷卻到室溫。
接著例如采用噴墨法等液滴噴出法和旋涂法等注入空穴注入層32。然后進行干燥處理和熱處理，在陽極31上形成空穴注入層32。注入的液滴在被親液化處理的有機貯格圍堰層36上擴展，開口部35a內被充滿，另一方面在經過疏液性處理的有機貯格圍堰層36的開口部36a和上面36b上幾乎不附著液滴。而且在本工序以后，為了防止空穴注入層32和發(fā)光層33氧化，優(yōu)選在氮氣氣氛、氬氣氣氛等惰性氣體氣氛下進行。
將空穴注入層32干燥退火后，例如用噴墨法在空穴注入層32上噴出發(fā)光層形成材料，進行干燥處理和熱處理后形成發(fā)光層33。本工序中，例如在藍色顯示區(qū)域選擇性涂布發(fā)光層33B的材料，干燥處理后，也同樣就綠色(336)和紅色(33R)分別在各自的顯示區(qū)域上每種顏色進行選擇性涂布和干燥處理。而且必要時，還可以在發(fā)光層33上形成電子注入層。
干燥和退火之后，例如采用蒸鍍法等物理氣相蒸鍍法使鈣成膜形成陰極34。陰極34將形成發(fā)光層33、有機貯格圍堰層36的上面36b、有機貯格圍堰層36的外側部的壁面36c覆蓋，與上述的連接用配線27連接。
還有，在陰極34上形成陰極保護層的情況下，利用蒸鍍法等物理氣相蒸鍍法使例如鋁等膜在陰極34上成膜。由密封部分5將包括這樣形成的驅動電路部的基體10及有機EL元件3的幾乎全體密封在罐中，制成有機EL裝置1。
以下利用圖7(a)、(b)和圖8(a)、(b)對本實施例和已有實例進行比較。其中在本圖中僅就原理進行表示，細節(jié)將被省略。
圖7與本實施方式不同，是表示未設置半反射鏡14或37的情況，通過基板2入射的光被源配線17或陰極34等所反射，由于與發(fā)光層33發(fā)出的光同時射出，所以顯示對比度顯著降低。這種情況用處于像素之間的源配線17陰影的有無來表示。另一方面，在圖8所示的本實施方式的情況下，由于設置了半反射鏡14或37，所以透過基板2的光，一部分被半反射鏡14或37所反射，其余的光透過此半反射鏡14或37后，因被源配線17或陰極34反射而返回。但是此時，通過將半反射鏡14與源配線間的距離，和半反射鏡37與陰極34之間的距離分別定為上述所定的距離d1和d2，被半反射鏡14或37反射的光，與因被源配線17或陰極34反射而返回的光，能夠在半反射鏡外因互相干涉而消失。因此，當驅動該有機EL裝置1時，實際顯示區(qū)域P的反射光由于受到抑制，所以能使對比度提高。而且在本實施方式中，由于也可以在形成了源配線17或陰極34的部分上形成半反射鏡14或37，所以無需在柵配線15和源配線17等配線之間將黑色矩陣掩埋，而且也不必采用圓偏光板等。這樣，能夠在不經復雜的制造工序的前提下提供低成本的有機EL裝置。
(第二種實施方式)以下說明本發(fā)明涉及的第二種實施方式。與第一種實施方式同樣，在以下各圖中為了將各種部件繪成圖中能夠識別的尺寸，對比例做了適當變更。而且關于與第一種實施方式相同的構成要素將賦予同一符號，其說明將被省略。本實施方式中，由于半反射鏡的構成與第一種實施方式不同，所以以此點為中心加以說明。
圖9是示意表示本實施方式涉及的有機EL裝置200的截面圖。
有機EL裝置200，具有在基板2上形成的電路元件和配線以及絕緣層等的基體10，在此基體10上形成的有機EL元件3，和在基體10的端部2a(圖2)上安裝的外部電路4。在外部電路4供給的電信號下有機EL元件3發(fā)光，能夠顯示圖像或動畫等。本實施方式中，是形成了薄膜晶體管(Thin film TransistorTFT)的有源矩陣型的，而且由有機EL元件3發(fā)生的光透過基體10取出的底部出射型有機EL裝置。因此，本實施方式雖然與第一種實施方式大體相同，但是在基體10的基底保護層11上形成半反射鏡50、第一透明層51、反射層52和第二透明層53這一點上不同。
半反射鏡50，例如，通過用鉬等金屬事先形成得將像素間L全體覆蓋，制成薄膜狀，一部分透過基板2和基底保護層11的光朝向基板2反射，其余的能夠透過。而且反射層52與半反射鏡50同樣例如用鉬等金屬形成得，將第一透明層51夾持并與半反射鏡50重疊。反射層52形成得幾乎足以使透過反射鏡50的光全反射的厚度，例如50納米左右。
第一透明層51被設置在基底保護層11上將半反射鏡50覆蓋，第二透明層53被設置在第一透明層51上將反射鏡52覆蓋。第一透明層51和第二透明層53例如用SiO2等透明材料形成。
半反射鏡50與反射層52既可以具有同一形狀，半反射鏡50也可以形成得比反射層52更寬。而且半反射鏡50與反射層52之間的距離d2，當入射光的波長為λ2，第一透明層51的折射率為n2、0以上的整數為m2時，可以設定為由公式
d2＝λ2(1/2+m2)/2n2…………(式1)表示的d2。這樣設置的情況下，與第一種實施方式同樣，透過基板2被半反射鏡50反射的光，與直接透過半反射鏡50被反射層52反射的光，將因與再次透過半反射鏡50的光互相干涉而消失。
將第一透明層51調整到與上述距離d2吻合的厚度不難，而且當將λ2設定在可見光中心波長520nm的情況下，能夠有效提高對比度這一點與第一種實施方式也相同。此外，若將半反射鏡50形成得能使被半反射鏡50反射的光強度與二次透過半反射鏡50后返回的光強度達到幾乎相等的膜厚(換言之，反射率和透過率)，則從能夠幾乎完全使之干涉和衰減的觀點來看，與第一種實施方式也相同。
而且在形成半反射鏡50的工序中，在基底保護層11的實際顯示區(qū)域P上，在一面形成鉬薄膜后，由于可以借助于圖案化法除去像素部K的一部分，所以形成得極為容易。就反射層52而言也能同樣形成。
綜上所述，根據本實施方式，由于透過半反射鏡50的光不被源配線17或陰極34所反射，需要另外設置使該光反射用的反射層52，所以能夠不受源配線17或陰極34配置上的約束，可以在任意區(qū)域上設置該反射層52。例如不僅形成了源配線17的區(qū)域，而且也可以在像素間L的全部區(qū)域上形成半反射鏡50和反射層52。此外，關于構成反射層52的材料，因為可以不管是否具有導電性，所以能夠選擇反射特性良好的最佳材料。
(電子儀器)以下列舉移動電話機作為實例，說明本發(fā)明涉及的電子儀器。
圖10是表示移動電話機3000全體構成的立體圖。
移動電話機3000具有筐體3001、設有多個操作按鈕的操作部3002、顯示圖像或動畫、文字等的顯示部3003。在顯示部3003上可以搭載本發(fā)明涉及的有機EL裝置1。
本實施例，由于搭載了如上所述不經復雜的制造工序就能抑制外部光反射的有機EL裝置1，所以可以得到對比度高、制造成本低的電子儀器。
另外，本發(fā)明的技術范圍并不限于上述實施方式，可以在不超出本發(fā)明要點的范圍內作適當的變更。例如上述實施方式中，雖然就源配線17或陰極34形成了半反射鏡14，但是例如也可以就柵配線15或電源線102形成作為反射光對策的半反射鏡。這樣，由于也能抑制柵配線15或電源線102的反射，所以能夠進一步提高對比度。
權利要求
1.一種發(fā)光裝置，是具有透明基板、設置在所述基板一側并由電信號而發(fā)光的發(fā)光層、和所述發(fā)光層上傳導所述電信號用的導電部，所述發(fā)光層的光透過所述基板出射的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述導電部與所述基板之間，在與所述導電部所定的距離內，設置使通過所述基板入射的一部分入射光反射，透過剩余入射光的光的半透半反射層。
2.根據權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，將所述光的半透半反射層設置得與所述導電部的圖案具有大體相同的圖案。
3.根據權利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中具有與所述導電部和所述發(fā)光層電連接的晶體管，所述導電部相當于所述晶體管的柵極線和源線中的至少其中之一。
4.根據權利要求1或2所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述導電部是所述發(fā)光層的共用電極。
5.根據權利要求1～4中任何一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，將所述光的半透半反射層設置得，當所述所定距離為d1、所述入射光的波長為λ1、所述導電部與所述光的半透半反射層之間區(qū)域的折射率為n1、0以上的整數為m1時，所述距離d1可以表示為d1＝λ1(1/2+m1)/2n1…………(式1)。
6.根據權利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中式1中的λ1值為處于可見光中心波長附近的值。
7.根據權利要求1～6中任何一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，將所述光的半透半反射層的透過率與反射率設定得，使被所述光的半透半反射層反射的反射光強度，與透過所述光的半透半反射膜被所述導電部反射后，再次透過所述光的半透半反射層返回的光強度大體相等。
8.根據權利要求1～7中任何一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述光的半透半反射層由金屬構成。
9.一種發(fā)光裝置，是具有透明基板、設置在所述基板一側并由電信號而發(fā)光的發(fā)光層、和所述發(fā)光層上傳導所述電信號用的導電部，來自所述發(fā)光層的光透過所述基板出射的發(fā)光裝置，其特征在于，具備被設置在所述導電部與所述基板之間，將來自所述基板側的光反射的光反射層；在所述光反射層與所述基板之間，與所述光反射層間隔所定的距離而設置，使通過所述基板入射的一部分入射光反射，透過剩余入射光的光的半透半反射層。
10.根據權利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，將所述光的半透過的半反射層設置得與所述反射層圖案具有大體相同的圖案。
11.根據權利要求9或10中所述的發(fā)光裝置，其特征在于，將所述光反射層和所述光的半透半反射層設置得，當將所述所定距離為d2、所述入射光的波長為λ2、所述光反射層與所述光的半透半反射層之間區(qū)域的折射率為n2、0以上的整數為m2時，所述距離d2可以表示為d2＝λ2(1/2+m2)/2n2…………(式2)。
12.根據權利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中式2中的λ2值為處于可見光中心波長附近的值。
13.根據權利要求9～12中任何一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，將所述光的半透半反射層的透過率與反射率設定得，使被所述光的半透半反射層反射的反射光強度，與透過所述光的半透半反射膜被所述光反射層反射后，再次透過所述光的半透半反射膜的光強度大體相等。
14.根據權利要求9～12中任何一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中所述光的半透半反射層由金屬構成。
15.一種電子儀器，其特征在于，其中搭載了權利要求1～14中任何一項所述的發(fā)光裝置。
全文摘要
提供一種不經復雜的制造工序就能抑制配線和陰極的光反射，提高對比度，而且還能降低制造成本的發(fā)光裝置及搭載了該發(fā)光裝置的電子儀器。透過基板(2)的入射光，一部分被半反射鏡(14)或(37)反射，其余透過此半反射鏡(14)或(37)，被源配線(17)或陰極(34)反射而返回。因此，通過將半反射鏡(14)與源配線(17)，半反射鏡(37)與陰極(34)之間的距離分別設定在各自所定距離，被半反射鏡(14)或(37)反射的光，與被源配線(17)或陰極(34)反射的光能夠因互相干涉而消失。
文檔編號H05B33/26GK1722920SQ200510072809
公開日2006年1月18日 申請日期2005年5月23日 優(yōu)先權日2004年7月13日
發(fā)明者小林英和 申請人:精工愛普生株式會社