專利名稱：有機電致發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件及其制造方法，且特別是涉及一種有機電致發(fā)光元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體元件以及顯示裝置的飛躍性進步，多媒體社會因而急速躍進。就顯示器而言，平面面板顯示器(Flat Panel Display)因具有高畫面質(zhì)量、較佳空間利用效率、較低消耗功率以及無輻射等優(yōu)越特性，因此取代傳統(tǒng)顯示裝置而逐漸成為市場的主流。
平面面板顯示器包括液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機電致發(fā)光顯示器(Organic Electroluminescence Display，OEL Display)以及等離子體顯示器面板(Plasma Display Panel，PDP)等等。其中，有機電致發(fā)光顯示器為具有自發(fā)光性(Emissive)元件的點陣式顯示器，且由于有機電致發(fā)光顯示器具有無視角限制、低制造成本、高應(yīng)答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、工作溫度范圍大、重量輕且可隨硬設(shè)備薄型化等優(yōu)點，符合多媒體時代顯示器的特性要求，因此有機電致發(fā)光元件具有極大的發(fā)展?jié)摿?，可望成為下一代的新型平面顯示器。
圖1為一種公知有機電致發(fā)光元件的剖面圖。請參照圖1，有機電致發(fā)光元件設(shè)置于基板100上，其中圖案化的阻隔層120具有多個開口122，而陽極層(anode layer)110位于開口122內(nèi)，發(fā)光層130位于開口122內(nèi)的陽極層110上，且陰極層(cathode layer)140設(shè)置于發(fā)光層130上。在制造有機電致發(fā)光元件的過程中，通常會使用噴墨法將發(fā)光材料填入開口122中以形成發(fā)光層130。然而，由于陽極層110以及阻隔層120的材質(zhì)不同，所以陽極層110的表面與阻隔層120的側(cè)壁對于發(fā)光材料有不同的吸附性，會使所形成的發(fā)光層130的膜厚不均勻，而形成如圖2A所示的牛角現(xiàn)象(lip height)。更甚者，若有多余的發(fā)光材料殘留在阻隔層120上，還容易造成如圖2B所示的跨墻現(xiàn)象，亦即位于阻隔層120兩側(cè)的發(fā)光材料跨越阻隔層120，而混合在一起。
上述問題皆會導(dǎo)致有機電致發(fā)光顯示器的制造合格率下降，并使其顯示質(zhì)量下降。因此，如何克服陽極層110以及阻隔層120的不同材質(zhì)界面，以形成均勻的發(fā)光層，實為提高有機電致發(fā)光顯示器的制造合格率與顯示質(zhì)量的重要關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的就是提供一種有機電致發(fā)光元件的制造方法，以形成膜厚均勻的發(fā)光層，進而提高制造合格率與顯示質(zhì)量。
本發(fā)明的再一目的是提供一種有機電致發(fā)光元件，其具有膜厚均勻的發(fā)光層，因此可提供較佳的顯示質(zhì)量，并具有較高的制造合格率。
基于上述或其它目的，本發(fā)明提出一種有機電致發(fā)光元件的制造方法，此制造方法包括下列步驟首先提供基板，然后于基板上形成第一電極層，之后于基板上形成阻隔層，且阻隔層具有多個用以暴露出第一電極層的開口，再于開口內(nèi)的阻隔層的側(cè)壁以及第一電極層上形成導(dǎo)電層，之后于開口內(nèi)的導(dǎo)電層上形成發(fā)光層，最后于發(fā)光層上形成第二電極層。
在本發(fā)明的一較佳實施例中，形成第一電極層的步驟例如是先于基板上形成電極材料層，然后利用光刻與蝕刻工藝將電極材料層圖案化，以形成第一電極層。
在本發(fā)明的一較佳實施例中，形成阻隔層的步驟例如是于基板上形成阻隔材料層，并且對阻隔材料層進行曝光與顯影的步驟將阻隔材料層圖案化，以形成阻隔層，其中阻隔層的材質(zhì)例如是感光材料。
在本發(fā)明的一較佳實施例中，形成導(dǎo)電層的步驟例如是先于基板上形成導(dǎo)電材料層，并且對電極材料層進行光刻與蝕刻工藝將導(dǎo)電材料層圖案化，以形成導(dǎo)電層。
在本發(fā)明的一較佳實施例中，形成發(fā)光層的方法例如是噴墨法。
本發(fā)明再提出一種有機電致發(fā)光元件，此元件包括、基板、第一電極層、阻隔層、導(dǎo)電層、發(fā)光層以及第二電極層，其中第一電極層設(shè)置于基板上，而阻隔層設(shè)置于基板上，且阻隔層具有多個用以暴露出第一電極層的開口。此外，導(dǎo)電層設(shè)置于開口內(nèi)的圖案化阻隔層的側(cè)壁以及第一電極層上，而發(fā)光層設(shè)置于開口內(nèi)的導(dǎo)電層上，且第二電極層是設(shè)置于發(fā)光層上。
在本發(fā)明的一較佳實施例中，基板例如是主動元件陣列基板。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件及其制造方法是在形成發(fā)光層之前，于有機電致發(fā)光元件的第一電極層上以及位于開口內(nèi)的阻隔層的側(cè)壁上先形成導(dǎo)電層。如此，由于發(fā)光層是形成在導(dǎo)電層上，亦即同一物質(zhì)界面上，因此可具有均勻的膜厚。所以，通過本發(fā)明有機電致發(fā)光元件及其制造方法可有效提高制造合格率以及顯示質(zhì)量。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1為一種公知有機電致發(fā)光元件的剖面圖。
圖2A～2B為另一種公知有機電致發(fā)光元件的剖面圖。
圖3A～3I為本發(fā)明一較佳實施例的有機電致發(fā)光元件的制造流程圖。
主要元件標記說明100、200基板110陽極層120、222阻隔層122、224開口130、240發(fā)光層
140陰極層210電極材料層212第一電極層220阻隔材料層230導(dǎo)電材料層232導(dǎo)電層250第二電極層具體實施方式
圖3A～3I依次為本發(fā)明一較佳實施例的有機電致發(fā)光元件的制造流程圖。
如圖3A所示，首先提供基板200。在一較佳實施例中，此基板200例如是透明的玻璃基板，用以制造被動式有機電致發(fā)光顯示元件。在另一較佳實施例中，基板200上還例如可形成有多個主動元件，其例如是薄膜晶體管陣列(thin film transistor array)，用以制造主動式有機電致發(fā)光顯示元件。然后于基板200上利用例如物理氣相沉積法(physical vapordeposition，PVD)或化學氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)形成電極材料層210。
然后，如圖3B所示，對此電極材料層210進行圖案化的步驟，以形成電極層212。其中，電極層212在欲制成的有機發(fā)光電致元件中例如是作為陽極。在一較佳實施例中，對電極材料層210進行圖案化的方法例如是光刻工藝與蝕刻工藝。此外，電極層212例如是由透明導(dǎo)電材料所制成，而此透明導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。
之后如圖3C所示，于基板200上利用例如化學氣相沉積法以形成阻隔材料層220，且阻隔材料層220會將電極層212覆蓋住，此阻隔材料層220的材質(zhì)例如是感光材料。
然后如圖3D以及圖3E所示，對阻隔材料層220進行曝光與顯影的步驟，以將阻隔材料層220圖案化形成阻隔層222，其中阻隔層222具有多個開口224，用以暴露出至少部分電極層212。
然后如圖3F所示，于基板200上利用例如物理氣相沉積法或化學氣相沉積法先形成導(dǎo)電材料層230，并且對導(dǎo)電材料層230進行圖案化的步驟。在一較佳實施例中，將導(dǎo)電材料層230圖案化的方法例如是光刻與蝕刻工藝。
之后如圖3G所示，導(dǎo)電材料層230圖案化后形成導(dǎo)電層232，且導(dǎo)電層232位于開口224內(nèi)的阻隔層222側(cè)壁以及電極層212上，并暴露阻隔層222的頂面。值得注意的是，此導(dǎo)電層232的材質(zhì)例如是與電極層212相同，為銦錫氧化物或銦鋅氧化物等透明導(dǎo)電材料。
然后如圖3H所示，在開口224所暴露的導(dǎo)電層232上形成發(fā)光層240。在本實施例中，于導(dǎo)電層232上形成發(fā)光層240的方法例如是噴墨(inkjet)法，且發(fā)光層240的材質(zhì)例如是高分子有機發(fā)光材料(PolymerElectro-Luminescent Material)。
當然，在其它實施例中，本發(fā)明亦可利用蒸鍍法或其它適合的方式，形成材質(zhì)為小分子有機發(fā)光材料(Small Molecule Electro-LuminescentMaterial)的發(fā)光層240。
最后如圖3I所示，于發(fā)光層240上利用例如物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成電極層250，以完成有機電致發(fā)光元件的制造。其中，電極層250在有機電致發(fā)光元件中例如是作為陰極，且此電極層250的材質(zhì)例如是銦錫氧化物或是銦鋅氧化物等透明導(dǎo)電材料。
請同時參照圖2A、圖2B以及圖3I，值得注意的是，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的制造方法是在將發(fā)光層240形成于開口224內(nèi)之前，先在電極層212上以及阻隔層222的側(cè)壁形成一層材質(zhì)例如是銦錫氧化物或銦鋅氧化物的導(dǎo)電層232。形成此導(dǎo)電層232的主要目的在于使發(fā)光材料能夠形成在同一材質(zhì)界面(即導(dǎo)電層232)上，以得到膜層厚度較為均勻的發(fā)光層240。如此一來，將可有效避免公知的如圖2A所示的牛角現(xiàn)象或是如圖2B所示的跨墻現(xiàn)象，進而提高使用本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的制造合格率與顯示質(zhì)量。
此外，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的制造方法亦可以使用在其它需要于兩個不同材質(zhì)界面上形成膜層的工藝中。舉例而言，在制造彩色濾光片時，可在形成具有多個開口的黑矩陣之后，先在黑矩陣的側(cè)壁與其所暴露的基板上形成一層光刻膠層或其它適用的材料層。之后，便可在此材料層上形成膜厚較為均勻的彩色濾光層，進而提高彩色濾光片的制造合格率。
綜上所述，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件及其制造方法是于有機電致發(fā)光元件中的電極層頂面以及阻隔層的側(cè)壁形成導(dǎo)電層，以改善公知技術(shù)中由于兩種不同材質(zhì)界面所造成的膜層厚度不均勻的現(xiàn)象，進而提高顯示器的顯示質(zhì)量與制造合格率。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與改進，因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是包括提供基板；于該基板上形成第一電極層；于該基板上形成阻隔層，且該阻隔層具有多個開口，用以暴露出該第一電極層；于上述這些開口內(nèi)的該阻隔層的側(cè)壁以及該第一電極層上形成導(dǎo)電層；于上述這些開口內(nèi)的該導(dǎo)電層上形成發(fā)光層；以及于上述這些發(fā)光層上形成第二電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是形成該第一電極層的步驟包括于該基板上形成電極材料層；以及圖案化該電極材料層，以形成該第一電極層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是圖案化該電極材料層的方法包括進行光刻與蝕刻工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是形成該阻隔層的步驟包括于該基板上形成阻隔材料層；以及圖案化該阻隔材料層，以形成該阻隔層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該阻隔層的材質(zhì)包括感光材料，而圖案化該阻隔材料層的方法包括對該阻隔材料層進行曝光與顯影。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是形成該導(dǎo)電層的步驟包括于該基板上形成導(dǎo)電材料層；以及圖案化該導(dǎo)電材料層，以形成該導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是圖案化該電極材料層的方法包括進行光刻與蝕刻工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是形成該發(fā)光層的方法包括噴墨法。
9.一種有機電致發(fā)光元件，其特征是包括基板；第一電極層，設(shè)置于該基板上；阻隔層，設(shè)置于該基板上，且該阻隔層具有多個開口，用以暴露出該第一電極層；導(dǎo)電層，設(shè)置于上述這些開口內(nèi)的該圖案化阻隔層的側(cè)壁以及該第一電極層上；發(fā)光層，設(shè)置于上述這些開口內(nèi)的該導(dǎo)電層上；以及第二電極層，設(shè)置于該發(fā)光層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光元件，其特征是該基板為主動元件陣列基板。
全文摘要
一種有機電致發(fā)光元件的制造方法，此制造方法包括下列步驟首先提供基板，然后于基板上形成第一電極層，之后于基板上形成阻隔層，且阻隔層具有多個用以暴露出第一電極層的開口，再于開口內(nèi)的阻隔層的側(cè)壁以及第一電極層上形成導(dǎo)電層，然后于開口內(nèi)的導(dǎo)電層上形成發(fā)光層，最后于發(fā)光層上形成第二電極層。由于發(fā)光層是在同一物質(zhì)界面(即導(dǎo)電層)上形成的，因此可以增加發(fā)光層厚度的均勻性，進而提高有機電致發(fā)光顯示器的產(chǎn)品合格率以及顯示質(zhì)量。
文檔編號H05B33/26GK1917727SQ200510090779
公開日2007年2月21日 申請日期2005年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月16日
發(fā)明者劉佩瑜, 李懷安, 羅宇城, 王君銘 申請人:中華映管股份有限公司