專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置和制備該裝置的方法
本申請(qǐng)要求享受2004年6月9日在先提交的的韓國專利申請(qǐng)?zhí)朜o.10-2004-0042211和2004年6月17日在先提交的韓國專利申請(qǐng)?zhí)朜o.10-2004-0045031的優(yōu)先權(quán)，其公開的內(nèi)容在此作為參考全部引入。
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明通常涉及平板顯示器裝置和用于制造該裝置的方法，更具體地，涉及一種具有優(yōu)良的光提取(light extraction)效率和優(yōu)良的防潮氣和抗氧滲透能力的有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)裝置，及其制造方法。
現(xiàn)有技術(shù)的描述平面顯示器可以分為自發(fā)光型裝置或非自發(fā)光型裝置。自發(fā)光型裝置的例子有平面陰極射線管(CRT)，等離子體顯示面板，電致發(fā)光顯示器，和發(fā)光二極管。非自發(fā)光型裝置的例子有液晶顯示器(LCD)。在這些顯示器裝置中，電致發(fā)光裝置具有比常規(guī)的CRT顯示器更寬的視角，更快的視頻響應(yīng)速度，以及更低的功耗。相對(duì)CRT的其它優(yōu)勢(shì)包括更大的亮度，更輕的重量，改進(jìn)的耐用性，和更寬的操作溫度范圍。依據(jù)形成OLED的發(fā)光層的材料的類型，OLED可以分為有機(jī)的或無機(jī)的。由于這些或其它原因，OLED被認(rèn)為是替代CRT顯示器的下一代顯示器。
OLED裝置包括夾在陽極和陰極之間由有機(jī)化合物所組成的發(fā)光層。當(dāng)供給一電壓給每個(gè)陽極和陰極時(shí)，陽極的空穴通過空穴輸運(yùn)層遷移至發(fā)光層。陰極的電子通過電子輸運(yùn)層(ETL)遷移至發(fā)光層，這些電子和空穴在發(fā)光層復(fù)合而產(chǎn)生激子。當(dāng)這些激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)的時(shí)候，它們使得發(fā)光層的熒光分子發(fā)光。通過選擇性地切換單元象素圖案的開和關(guān)來形成圖象。全色OLED裝置具有可以發(fā)出紅(R)、綠(G)、或藍(lán)(B)光的象素。
為了保證長的操作壽命，應(yīng)該使發(fā)光層和發(fā)光層上的陰極與潮氣屏蔽，使之不會(huì)剝落，并且與氧氣滲透屏蔽，使之不受氧化。韓國專利申請(qǐng)2001-0067868中闡述了一個(gè)屏蔽的例子，其公開了使用真空系統(tǒng)在發(fā)光層和金屬電極上形成一層絕緣聚合物例如高密度聚乙烯；在該聚合化合物層上形成無機(jī)金屬層；在該無機(jī)金屬層上形成絕緣無機(jī)金屬層；以及在該絕緣無機(jī)金屬層上形成絕緣聚合物層。然而，該韓國專利申請(qǐng)2001-0067868所述的OLED的使用壽命沒有達(dá)到令人滿意的水平，并且可能具有差的光提取效率，因此需要改善。
發(fā)明概述本發(fā)明提供一種具有優(yōu)良的光提取效率和防潮以及抗氧氣滲透能力的有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)裝置，及其制造方法。該OLED裝置可以包括在其上提供第一電極的基板。形成與第一電極絕緣的第二電極。一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層可以插入該第一電極和第二電極之間且可以包括至少一個(gè)發(fā)光層。可以在第二電極上形成一個(gè)或多個(gè)層，其可以包括一種或多種具有比形成第二電極的材料的折射率高的材料。
由于光提取效率和色純度的改善，上述的本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置可以顯示出優(yōu)良的圖象質(zhì)量。由于防止了包括第一電極、第二電極和有機(jī)層的發(fā)光部分受到潮氣和氧氣滲透，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置也具有改善了的使用壽命。
附圖的簡(jiǎn)要描述通過參照附圖詳細(xì)的描述其中的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的原理所制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的剖面圖。
圖2A示意性地說明構(gòu)成可引入本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的保護(hù)層的原子排列。
圖2B示意性地說明構(gòu)成常規(guī)的保護(hù)層的原子排列。
圖3示意性地說明可以用于本發(fā)明的OLED制造的離子束輔助沉積(IBAD)技術(shù)。
圖4A是說明沒有緩沖層的常規(guī)的OLED裝置的漏電流曲線圖。
圖4B3是說明根據(jù)本發(fā)明的原理所制造的具有緩沖層的OLED裝置的漏電流曲線圖。
圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的原理所制造的各種OLED裝置的效率的曲線圖。
本發(fā)明的詳細(xì)描述現(xiàn)在參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。圖1中舉例說明了本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)裝置的一個(gè)實(shí)施方案，其是有源矩陣型OLED裝置10的剖面圖。
參照?qǐng)D1，該OLED裝置10包括可以由透明材料例如但不限于玻璃或塑料所組成的基板81?？梢匀芜x形成一個(gè)均勻覆蓋基板81上表面的緩沖層82。
在緩沖層82上可以形成以預(yù)定圖案排列的有源層44。該有緣層44可以嵌入柵絕緣層83內(nèi)。柵電極42可以形成在柵絕緣層83上對(duì)應(yīng)于有緣層44的區(qū)域中?？梢詫⒃摉烹姌O42嵌入中間絕緣層84。在形成該中間絕緣層84之后，可以通過蝕刻工藝?yán)绺晌g法來蝕刻?hào)沤^緣層83和中間絕緣層84，以形成接觸孔83a，84a，從而允許一部分有源層44暴露出來。
通過接觸孔83a，84a將源電極41連接到源區(qū)，通過接觸孔83a和84a將漏電極43連接到漏區(qū)?？梢詫⒃措姌O41和漏電極43嵌入到保護(hù)層85中。在形成該保護(hù)層85后，通過蝕刻工藝將一部分該漏電極43暴露出來。
保護(hù)層85可以由絕緣體組成。該保護(hù)層85也可以是無機(jī)層，例如氧化硅或者氮化硅?？蛇x擇地，該保護(hù)層85可以是有機(jī)層，例如丙烯酰基或者BCB。在一個(gè)實(shí)施例中，在該保護(hù)層85上可以進(jìn)一步形成用于平坦化的單獨(dú)的絕緣層。
通過與所施加的電流成比例發(fā)出紅光(R)，綠光(G)或者藍(lán)光(B)，有機(jī)電致發(fā)光二極管60顯示了預(yù)定的圖象。第一電極61(象素電極)可以連接到TFT40的漏電極43。第二電極62(對(duì)置電極)可以沉積為完全覆蓋整個(gè)象素。發(fā)光層63可以插入在第一電極61和第二電極62之間。
第一電極61和第二電極62可以彼此絕緣。為了發(fā)光，各個(gè)電極在發(fā)光層63上可以施加不同極性的電壓。
發(fā)光層63可以由低分子量或者高分子量有機(jī)材料構(gòu)成。當(dāng)使用低分子量有機(jī)材料時(shí)，可以將空穴注入層(HIL)，空穴輸運(yùn)層(HTL)，發(fā)光層(EML)，電子輸運(yùn)層(ETL)，電子注入層(EIL)等等層疊為單層或者多層結(jié)構(gòu)?？刹捎玫挠袡C(jī)材料的例子包括銅酞菁(CuPc)，N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)，三8-羥基喹啉鋁(Alq3)等等。低分子量有機(jī)材料層可以通過真空蒸發(fā)工藝形成。
當(dāng)使用高分子量有機(jī)材料時(shí)，發(fā)光層63可以包括一層HTL和一層EML?？梢詫EDOT用于HTL，且將高分子量有機(jī)材料例如聚-亞苯基亞乙烯基(PPV)類化合物和聚芴類化合物用于EML?？梢酝ㄟ^絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷來形成該高分子量材料層。
有機(jī)發(fā)光層不限于上面實(shí)施例所描述的，且可以采用各種實(shí)施方式。例如可以把第一電極61作為陽極，把第二電極62作為陰極，或者可以將它們的功能反轉(zhuǎn)?？梢詫⒌谝浑姌O61圖案化，從而對(duì)應(yīng)于每個(gè)象素的區(qū)域，且可以使形成的第二電極62完全覆蓋在整個(gè)象素上。
可以將第一電極61制造為透明電極或者反射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O61是透明電極時(shí)，它可以包括ITO，IZO，ZnO，或者In2O3。當(dāng)?shù)谝浑姌O61是反射電極時(shí)，它可以通過首先形成由Ag，Mg，Al，Pt，Pd，Au，Ni，Nd，Ir，Cr或其組合所構(gòu)成的反射層然后在其上形成由ITO，IZO，ZnO，或者In2O3所構(gòu)成的透明電極層來制造。同時(shí)，也可以將第二電極62制造為透明電極或者反射電極。當(dāng)?shù)诙姌O62是透明電極時(shí)，可以沉積具有低功函數(shù)的金屬，即Li，Ca，LiF/Ca，LiF/Al，Al，Ag，Mg或者它們的組合，使之直接對(duì)著有機(jī)發(fā)光層63?？梢栽诘诙姌O上形成由ITO，IZO，ZnO，或者In2O3組成的輔助電極層或者總線電極線。當(dāng)?shù)诙姌O62是反射電極時(shí)，它可以通過沉積Li，Ca，LiF/Ca，LiF/Al，Al，Ag，Mg或者它們的組合來制造。
可以形成與第一電極61絕緣的第二電極62。一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層可以插入第一電極61和第二電極62之間，且包括至少一個(gè)發(fā)光層。形成在第二電極上的一層或多層可以由具有比用于形成第二電極62的材料的折射率更高的折射率的一種或多種材料構(gòu)成，從而使通過第二電極62的光的提取效率最大化。在第二電極62上所沉積的一層或多層可以防止潮氣和氧氣滲入第一電極61、第二電極62和其下的有機(jī)層。當(dāng)多個(gè)層形成在第二電極62上時(shí)，可以這樣層疊這些層，即使得在從第二電極62起向外的方向上每個(gè)層的材料的折射率依次增加，從而使通過第二電極62的光的提取效率最大化。
可以在第二電極62上層壓的材料的例子包括絕緣有機(jī)或無機(jī)材料，例如金屬氧化物，金屬氮化物或金屬氟化物?？梢猿练e在第二電極62上的有機(jī)材料的例子與它們各自的折射率一起列在表1中。
表1
沉積在第二電極62上的材料的折射率可以比形成第二電極62的材料的折射率高0.01-3.0，且優(yōu)選高0.3-1.5。
上面所描述的折射率的差可以從表1所列的材料的折射率中獲得。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明可以提供一種制造OLED裝置的方法。該方法的步驟可以以任何適合的順序來執(zhí)行，且可以包括在基板上形成第一電極；在第一電極上形成包括至少一個(gè)發(fā)光層的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層；在有機(jī)層上形成第二電極；且在第二電極上形成一層或多層由具有比形成第二電極的材料的折射率更高的折射率的一種或多種材料所構(gòu)成的層。即，每個(gè)折射率值可以沿著從第二電極向外延伸的方向增加。
在一個(gè)實(shí)施例中，在第二電極62上可以形成緩沖層67，且保護(hù)層65可以形成在該緩沖層67上。接下來參照?qǐng)D2A進(jìn)一步描述緩沖層67和保護(hù)層65。
圖2A說明在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中構(gòu)成保護(hù)層65的原子排列示例。圖2B說明在常規(guī)保護(hù)層中典型的原子排列。
參照?qǐng)D1和圖2A，本發(fā)明的保護(hù)層65可以具有大約5的表面粗糙度。構(gòu)成具有上述范圍的表面粗糙度的保護(hù)層65的原子趨于緊密排列。相反地，構(gòu)成圖2B的常規(guī)保護(hù)層65B的原子往往包含孔隙C和缺陷D，它們都是原子排列的斷裂。如圖2A所示，這種孔隙和缺陷基本上不會(huì)在本發(fā)明的緊密排列的保護(hù)層65中出現(xiàn)，其通過避免氧氣和/或潮氣從保護(hù)層65的表面A滲透至與第二電極62接觸，從而提高了OLED裝置10的使用壽命。當(dāng)保護(hù)層65的表面粗糙度大于大約50的時(shí)候，本發(fā)明的緊密原子結(jié)構(gòu)就不會(huì)實(shí)現(xiàn)，因此不能能防止氧氣和/或潮氣的滲透。
保護(hù)層65可以包括金屬氧化物或者金屬氮化物中的至少一種化合物。金屬氧化物和金屬氮化物的例子包括SiOx，SiNx，(x≥1)，TiO，TaO等等，但是不限于此。保護(hù)層65可以進(jìn)一步包括除了金屬氧化物和金屬氮化物之外的網(wǎng)狀組織形成劑。這里，術(shù)語“網(wǎng)狀組織形成劑”表示一種材料，其通過在構(gòu)成基體材料(其可以是由金屬氧化物或金屬氮化物所形成的絕緣材料，其包括網(wǎng)狀組織形成劑)的原子的斷開的網(wǎng)絡(luò)形成鍵而改善原子間網(wǎng)絡(luò)。適合的網(wǎng)狀組織形成劑的例子包括Li、Na、K、Ca、Sn、Rb、Cs、Ba、Pb、Be、Mg、Ce和Nb，但是不限于此。例如，保護(hù)層65可以為SiO2或SiSnO，其中Sn作為網(wǎng)狀組織形成劑，但該保護(hù)層65的成分不限于此。
可以使用包括蒸發(fā)源和離子束源的離子束輔助沉積(IBAD)方法形成保護(hù)層65。圖3示例說明了IBAD技術(shù)的一個(gè)操作實(shí)施例。參照?qǐng)D3，當(dāng)從蒸發(fā)源97發(fā)射的沉積粒子92附著于基板91的表面上時(shí)，從離子束源95發(fā)射的離子93增加了粒子92的表面遷移率且導(dǎo)致這些粒子92在基板91上緊密沉積。
從IBAD的蒸發(fā)源97發(fā)射出來的粒子92變成/形成構(gòu)成保護(hù)層65的材料。粒子92的例子包括金屬氧化物和金屬氮化物，更具體地為SiOx，SiNx，(x≥1)，TiO，TaO等等，但是不限于此。從蒸發(fā)源97發(fā)射出來的粒子92還可以包括除金屬氧化物和金屬氮化物之外的上述的網(wǎng)狀組織形成劑。
從離子束源95發(fā)射出的離子93可以是構(gòu)成其上形成有保護(hù)層的基板的材料，例如，不與上述的構(gòu)成第二電極62的材料和從蒸發(fā)源發(fā)出的任何粒子反應(yīng)的材料。適合的離子的例子包括惰性氣體離子。更具體地，可以使用Ar+，Kr+或者Xe+離子。
IBAD的離子束源95的能量可以為大約50eV到大約200eV，優(yōu)選為大約80eV到150eV。當(dāng)離子束源的能量低于大約50eV時(shí)，從該離子束源發(fā)出的離子能量變得太低而不能增加從蒸發(fā)源發(fā)出的粒子的表面遷移率，且因此不能形成具有高密度和低表面相糙度的緊密保護(hù)層。當(dāng)離子束源的能量大于大約200eV時(shí)，從離子束源發(fā)出的離子能量太高以致于從離子束源發(fā)出的離子可能會(huì)腐蝕所形成的保護(hù)層。因而優(yōu)選大約150eV。
當(dāng)使用IBAD技術(shù)形成保護(hù)層的時(shí)候，從蒸發(fā)源97發(fā)射的粒子數(shù)與從離子束源95發(fā)射的離子數(shù)的比率可以是1∶1，優(yōu)選0.9∶1。當(dāng)從離子束源發(fā)射的離子數(shù)在這個(gè)范圍之上時(shí)，從離子束源發(fā)射的離子可能會(huì)在形成保護(hù)層65時(shí)腐蝕該保護(hù)層65。當(dāng)從離子束源95發(fā)射的離子數(shù)在這個(gè)范圍之下時(shí)，離子的數(shù)量可能太低而不能形成具有高密度和低表面粗糙度的緊密保護(hù)層。
上面的比率可以通過調(diào)節(jié)離子束源95的電子通量和/或調(diào)節(jié)用來產(chǎn)生離子的氣體的流入量來控制。例如，當(dāng)使用蒸發(fā)源97發(fā)射氧化硅粒子和Sn粒子并且使用離子束源95發(fā)射氬離子來形成由SiSnO構(gòu)成的保護(hù)層65的時(shí)候，通過調(diào)節(jié)離子束源95的離子通量至大約50mA并且調(diào)節(jié)氬氣的流入量至約5sccm，可以將氧化硅粒子和Sn粒子的數(shù)量與氬離子數(shù)的比率控制在1∶1。
當(dāng)采用IBAD形成保護(hù)層65時(shí)，蒸發(fā)源97可以為熱蒸發(fā)源或者電子束蒸發(fā)源。離子束源95的例子包括Kaufmann型離子槍，Endhall型離子槍，rf型離子槍等等。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明的目的容易地選擇這些源。
如上所述通過IBAD可以形成保護(hù)層65。因?yàn)樵贗BAD中同時(shí)使用蒸發(fā)源97和離子束源95，因此從蒸發(fā)源97發(fā)射的粒子所要沉積的基板部分可能會(huì)受到從離子束源95發(fā)射的離子的損害。特別地，前發(fā)射(front emission)有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置所包括的第二電極62可能非常薄例如大約200?；蚋?。當(dāng)通過IBAD形成保護(hù)層65時(shí)，這么薄的第二電極62可能受到離子束源發(fā)射的離子的損害。這種損害可能會(huì)破壞有機(jī)層63。如果離子束源95發(fā)射的離子分解了有機(jī)層63的有機(jī)材料，則在操作有機(jī)電致發(fā)光裝置時(shí)可能產(chǎn)生漏電流。該漏電流可以導(dǎo)致差的象素疊加(pixel lamination)并縮短操作壽命。任何一種現(xiàn)象都會(huì)降低有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的可靠性。為了防止在形成保護(hù)層65時(shí)第二電極62和有機(jī)層63受損害，可以在第二電極62和保護(hù)層65之間加入緩沖層67。
緩沖層67的厚度可以為大約30(至大約1000，且優(yōu)選大約500。當(dāng)緩沖層67小于300厚時(shí)，第二電極62和有機(jī)層63可能在保護(hù)層形成時(shí)受到損害。當(dāng)緩沖層67約為1000厚時(shí)，沉積時(shí)間變長。某些情況下，一個(gè)厚的緩沖層67可能會(huì)降低光提取效率。
緩沖層67可以由金屬氧化物或金屬氮化物或無機(jī)材料構(gòu)成。金屬氧化物和金屬氮化物的例子包括氧化硅，氮化硅，氧化錫等等。無機(jī)材料的例子包括銅酞菁，但不限于此。
為了將光提取效率最大化，緩沖層67可以由具有比形成第二電極62的材料的折射率高的，但比形成保護(hù)層65的材料的折射率低的折射率的材料構(gòu)成。緩沖層67的材料的折射率可以參考表1所描述的折射率來選擇。
緩沖層67可以由具有約3.0eV-6.0eV的光帶隙的材料構(gòu)成。該光帶隙應(yīng)該不小于3.0eV。如果光帶隙低于該3.0eV的閾值，緩沖層67可能變得不透明。不透明的緩沖層67可以降低光提取效率?；蛘?，可以產(chǎn)生由電導(dǎo)率導(dǎo)致的不期望的漏電流。
因此，根據(jù)本實(shí)施例的制備有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置的方法包括在形成保護(hù)層65之前，在第二電極62上形成緩沖層67。緩沖層67可以采用普通的沉積法例如真空蒸發(fā)法或者涂布法例如旋涂法形成。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)用于形成緩沖層67的材料的物理性質(zhì)可以容易的選擇形成該緩沖層67的方法。在形成緩沖層67后，可以如上所述形成保護(hù)層65。
盡管根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置及其制備方法是以有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置為例進(jìn)行描述的，但是本發(fā)明不僅限于此。
現(xiàn)在參照接下面的例子更詳細(xì)的描述本發(fā)明。
實(shí)施例1使用熱沉積方法在玻璃基板上依次層疊500厚的ITO、PEDOT，800厚的PPV，10厚的LiF，和160厚的Mg:Ag，并在Ag層上形成400厚的SnOx層。之后，準(zhǔn)備1g的氧化硅粉末作為氧化硅沉積源，并準(zhǔn)備1g的Sn作為Sn沉積源。然后，準(zhǔn)備一個(gè)包括氧化硅沉積源、Sn沉積源、離子束源、熱蒸發(fā)源、基板座、和用來旋轉(zhuǎn)基板座的旋轉(zhuǎn)軸的容器。將上述所制備的這些作為氧化硅沉積源和Sn沉積源，用EndHall型離子槍(從Infrvion有限公司購得)作為離子束源，并用Helisys(從ANS有限公司購得)作為熱蒸發(fā)源。將所制備的基板安裝在基板座上，定位該基板座使之面對(duì)氧化硅沉積源和Sn沉積源。然后在如表2所示的條件下操作該容器，從而在SnOx層上形成800厚的SiSnO層。
表2
將因此而獲得的具有SnOx層和SiSnO層的裝置稱為“樣品1”。
實(shí)施例2樣品2以實(shí)施例1中的相同方式制備，除了所形成的SiSnO層厚度由800變成300之外。
比較例1以實(shí)施例1中相同的方式在Mg:Ag層上形成SiSnO層，除了所形成的Mg:Ag層的厚度由160變?yōu)?00且不形成SnO層之外。其稱為“樣品A”。
評(píng)估例1對(duì)于SiSnO層的表面形態(tài)的評(píng)估通過SEM攝影來確定樣品1的SiSnO層的表面粗糙度。結(jié)果，樣品1的SiSnO層的表面粗糙度(rms)是30。
評(píng)估例2對(duì)漏電流的評(píng)估使用電流表測(cè)量操作樣品A和樣品1時(shí)所產(chǎn)生的漏電流。該結(jié)果如圖4A和圖4B所示。在圖4A中，x軸表示電壓而y軸表示電流。圖4B說明測(cè)量4倍(4times)的漏電流的結(jié)果。參照?qǐng)D4A，依據(jù)樣品A的操作，10-2mA/cm2或更大的漏電流在-6V產(chǎn)生。然而，參照?qǐng)D4B，依據(jù)樣品1的操作，在-6V產(chǎn)生的漏電流為10-4mA/cm2或更小。因此，可以知道，將緩沖層沉積到作為第二電極的Mg:Ag層上之后再形成保護(hù)層的樣品1的第二電極和有機(jī)層未受損害。
評(píng)估例3對(duì)光效率的評(píng)估確定樣品2和具有形成在玻璃基板上的500厚的ITO、PEDOT，800厚的PPV，10厚的LiF，和160厚的Mg:Ag的裝置(這里，稱作“樣品B”)的光效率。使用IVL計(jì)(PhotoResearch PR650，Keithley238)確定該光效率，其結(jié)果在圖5中示出。參照?qǐng)D5，樣品2的光效率高于樣品B的光效率的1.2-1.4倍，說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的樣品2具有改善的光效率。
評(píng)估例4色純度的評(píng)估使用IVL計(jì)(PhotoResearch PR650，Keithley238)估測(cè)樣品2和樣品B的色純度。該結(jié)果如表3所示。
表3
參照表3，樣品B的顏色坐標(biāo)為0.12和0.16，而樣品2的顏色坐標(biāo)為0.14和0.10。因此，可以看出，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的樣品2具有良好的顏色坐標(biāo)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置在第二電極上包括至少一個(gè)其折射率高于第二電極的材料的折射率的材料層，從而具有優(yōu)良的光提取效率。此外，由于在第二電極和保護(hù)層之間具有緩沖層，在形成緊密的保護(hù)層時(shí)不會(huì)對(duì)第二電極和有機(jī)層有重大地?fù)p害。因此，可以得到具有明顯減小的漏電流，不差(或基本上不差)的質(zhì)量的象素，和更長的使用壽命的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置。
盡管本發(fā)明特別參照其示例性實(shí)施例進(jìn)行了圖示和描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，其中可以進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)的變化，只要其不背離本發(fā)明在下述權(quán)利要求中所限定的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，包括提供在基板上的第一電極；與第一電極絕緣形成的第二電極；插入第一電極和第二電極之間的且包括至少一個(gè)發(fā)光層的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層；以及形成在第二電極上的，且由具有比用于形成第二電極的材料的折射率更高的折射率的一種或多種材料構(gòu)成的一層或多層。
2.權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中這樣層疊所述的多層，即使得在從第二電極向外的方向上，每個(gè)層的材料的折射率依次增加。
3.權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中所述的具有比用于形成第二電極的材料的折射率更高的折射率的材料具有比用于形成第二電極的材料的折射率高0.01-3.0的折射率。
4.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，包括提供在基板上的第一電極；與第一電極絕緣形成的第二電極；插入第一電極和第二電極之間的且包括至少一個(gè)發(fā)光層的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層；以及形成在第二電極上的保護(hù)層，其中在第二電極和保護(hù)層之間插入緩沖層。
5.權(quán)利要求4的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中所述緩沖層的厚度為大約300-大約1000。
6.權(quán)利要求4的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中所述緩沖層包括至少一種選自金屬氧化物和金屬氮化物的材料。
7.權(quán)利要求4的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中所述緩沖層具有比用于形成第二電極的材料的折射率高但比用于形成保護(hù)層的材料的折射率低的折射率。
8.權(quán)利要求4的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中所述的緩沖層由具有約3.0eV-約6.0eV的光帶隙的材料構(gòu)成。
9.權(quán)利要求4的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中所述保護(hù)層的表面粗糙度(rms)為約5-約50。
10.權(quán)利要求4的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中所述保護(hù)層包括至少一種選自金屬氧化物和金屬氮化物的材料。
11.權(quán)利要求10的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中所述的保護(hù)層還包括網(wǎng)狀組織形成劑。
12.權(quán)利要求11的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置，其中所述的網(wǎng)狀組織形成劑包括至少一種選自Li、Na、K、Ca、Sn、Rb、Cs、Ba、Pb、Be、Mg、Ce和Nb的元素。
13.一種制備有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置的方法，該方法包括在基板部分上形成第一電極；在該第一電極上形成包括至少一個(gè)發(fā)光層的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層；在該有機(jī)層上形成第二電極；以及在該第二電極上形成由具有比用于形成第二電極的材料的折射率更高的折射率的一種或多種材料構(gòu)成的一層或多層。
14.權(quán)利要求13的方法，其中形成由具有比用于形成第二電極的材料的折射率更高的折射率的材料構(gòu)成的多層包括層疊所述的多層從而使得在從第二電極向外的方向上，每個(gè)層的材料的折射率依次增加。
15.權(quán)利要求13的方法，所述的由具有比用于形成第二電極的材料的折射率更高的折射率的一種或多種材料構(gòu)成的這一層或這多層中的至少一層是保護(hù)層或緩沖層。
16.權(quán)利要求13的方法，其中所述的由具有比用于形成第二電極的材料的折射率更高的折射率的一種或多種材料構(gòu)成的這一層或這多層中的至少一層，是使用包括蒸發(fā)源和離子束源的離子束輔助沉積(IBAD)來形成的。
17.權(quán)利要求16的方法，其中由離子束源所發(fā)射的離子是選自惰性氣體的至少一種原子的離子。
18.權(quán)利要求16的方法，其中離子束源的能量為約50eV-約200eV。
19.權(quán)利要求16的方法，其中從離子束源發(fā)射的離子的數(shù)量與從蒸發(fā)源發(fā)射的粒子的數(shù)量的比例在大約1∶1-大約0.9∶1范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置和一種制備該裝置的方法。有機(jī)發(fā)光顯示器裝置可以包括形成在基板上的第一電極。可以形成與第一電極絕緣的第二電極。一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層可以插入該第一電極和該第二電極之間且包括至少一個(gè)發(fā)光層?？梢栽诘诙姌O上形成一層或多層，且這些層包含具有比構(gòu)成第二電極的材料的折射率更高的折射率的一種或多種材料。這樣制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示器裝置具有改善了的光提取效率。這樣的裝置也抵抗潮氣和氧氣對(duì)包括第一電極、第二電極和有機(jī)層的裝置的發(fā)光部分的滲透。
文檔編號(hào)H05B33/22GK1784102SQ20051009227
公開日2006年6月7日 申請(qǐng)日期2005年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月9日
發(fā)明者韓東垣, 李寬熙, 權(quán)章赫 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社