專利名稱：一種有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子顯示器件技術領域，特別是涉及一種有機發(fā)光器件金屬陽極的處理技術。
背景技術：
目前有機發(fā)光器件的陽極通常使用氧化銦錫材料，這是因為氧化銦錫有較高的功函數(shù)，有助于空穴的注入，而且氧化銦錫是種透明的導電材料，使器件的發(fā)光可以通過它釋放出來。但是對于頂發(fā)射器件，器件發(fā)光可以通過透明的陰極釋放出來，不需要陽極具有透明的特性，增加了陽極的選擇范圍。由于氧化銦錫的導電性不是特別理想，而且價格比較貴，缺少光反射特性，不適合做頂發(fā)射器件的陽極，通常選用高功函數(shù)的金屬作為頂發(fā)射器件的陽極，常用的金屬有鎳、金等，而鎳的導電性較差，通常要使用較復雜的電子束成膜設備，而且鎳膜的內(nèi)部張力很大，不利于它在基板上的附著性容易從基板上脫落，而金是金黃色的，會影響顯示器件的正常顏色，而且金的價格較貴，基板的附著性也很差，不是理想的材料。銀是一種較好的材料，可以用簡單的熱蒸發(fā)成膜設備，導電性好，而且在基板上的附著比較好，但它的功函數(shù)比較低只有4.3電子伏特，而一般的陽極材料的功函數(shù)都在5電子伏特以上，單純用銀做陽極，空穴注入特性不好，導致亮度低，驅(qū)動電壓高。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術中存在的缺陷，本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法，能克服上述金屬作為陽極的缺點，使其的性能與氧化銦錫相當，甚至超過氧化銦錫的性能。
為了解決上述技術問題，本發(fā)明所提供的一種有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法，其特征在于，將設有金屬陽極的基板在含有氧成分的等離子中進行金屬的表面氧化處理，即將所述基板放入充有含氧混合氣體的、設有射頻電場的等離子處理腔中進行表面氧化處理，使金屬陽極表面產(chǎn)生一薄層金屬的氧化物，從而提高金屬表面的功函數(shù)，增加了空穴的注入能力，提高了亮度，降低了驅(qū)動電壓。
所述薄層金屬的氧化物的厚度為0.1-50納米。
所述含氧混合氣體中還含有氬氣。
所述金屬可以是銀，也可以是鎳。
利用本發(fā)明提供的有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法，由于采用將附有金屬陽極的基板在含有氧成分的等離子中進行金屬的表面處理的技術，本發(fā)明可以方便得把銀和鎳等陽極轉(zhuǎn)變成為一個性能優(yōu)異的有機發(fā)光器件的陽極，使陽極表面產(chǎn)生薄層金屬的氧化物，使金屬陽極的表面功函數(shù)能達到5電子伏特以上，使它具有很高的空穴注入性能，提高有機發(fā)光器件的亮度與效率，而且處理的方法簡單，與目前的有機發(fā)光器件的制造設備兼容。
具體實施例方式
以下對本發(fā)明的實施例作進一步詳細描述，但本實施例并不用于限制本發(fā)明，凡是采用本發(fā)明的相似方法及其相似變化，均應列入本發(fā)明的保護范圍。
本發(fā)明實施例所提供的一種有機發(fā)光器件銀陽極的處理方法是，在等離子處理腔中充入氬氧混合氣，氧氣的流量為10標準毫升/分鐘，氬氣的流量為100標準毫升/分鐘，混合氣的壓強為6.5帕斯卡，在混合氣中加射頻電場，從而激發(fā)等離子，將基板放入其中進行處理。射頻的頻率為13.6兆赫，功率密度為1250瓦/平方米，處理時間為15秒；在經(jīng)過銀表面處理后，比不處理的銀陽極器件在同樣電壓下的亮度提高一倍以上。
本發(fā)明實另一施例所提供的一種有機發(fā)光器件銀陽極的處理方法是，在等離子處理腔中充入氬氧混合氣，氧氣的流量為20標準毫升/分鐘，氬氣的流量為100標準毫升/分鐘，混合氣的壓強為6.5帕斯卡，在混合氣中加射頻電場，從而激發(fā)等離子，將基板放入其中進行處理。射頻的頻率為13.6兆赫，功率密度為1250瓦/平方米，處理時間為60秒。
本發(fā)明實施例所提供的一種有機發(fā)光器件鎳陽極的處理方法是，在等離子處理腔中充入氬氧混合氣，氧氣的流量為10標準毫升/分鐘，氬氣的流量為100標準毫升/分鐘，混合氣的壓強為6.5帕斯卡，在混合氣中加射頻電場，從而激發(fā)等離子，將基板放入其中進行處理。射頻的頻率為13.6兆赫，功率密度為1250瓦/平方米，處理時間為90秒；在經(jīng)過鎳表面處理后，比不處理的鎳陽極器件在同樣電壓下的亮度提高一倍以上。
本發(fā)明實另一施例所提供的一種有機發(fā)光器件鎳陽極的處理方法是，在等離子處理腔中充入氬氧混合氣，氧氣的流量為20標準毫升/分鐘，氬氣的流量為100標準毫升/分鐘，混合氣的壓強為6.5帕斯卡，在混合氣中加射頻電場，從而激發(fā)等離子，將基板放入其中進行處理。射頻的頻率為13.6兆赫，功率密度為1250瓦/平方米，處理時間為60秒。
權利要求
1.一種有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法，其特征是，即將所述基板放入充有含氧混合氣體的、設有射頻電場的等離子處理腔中進行表面氧化處理，使金屬陽極表面產(chǎn)生一薄層金屬的氧化物。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法，其特征是，所述薄層金屬的氧化物的厚度為0.5-50納米。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法，其特征是，所述含氧混合氣體中含有氬氣。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法，其特征是，所述金屬為銀。
5.根據(jù)權利要求1、2或3所述的有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法，其特征是，所述金屬為鎳。
全文摘要
一種有機發(fā)光器件金屬陽極的處理方法，涉及電子顯示器件技術領域；該處理方法的特征在于，將金屬陽極的基板在含有氧成分的等離子中進行金屬的表面氧化處理，即將基板放入充有含氧混合氣體的、設有射頻電場的等離子處理腔中進行表面氧化處理，使金屬陽極表面產(chǎn)生一薄層氧化物，從而提高金屬表面的功函數(shù)，增加空穴注入能力。所述金屬可以是銀或鎳。本發(fā)明能方便得把金屬陽極轉(zhuǎn)變成為一個性能優(yōu)異的有機發(fā)光器件的陽極，使表面設有薄層金屬的氧化物的金屬陽極材料的功函數(shù)能達到5電子伏特以上，使它具有很高的空穴注入性能，提高有機發(fā)光器件的亮度與效率，而且處理的方法簡單，與目前的有機發(fā)光器件的制造設備兼容。
文檔編號H05B33/10GK1988207SQ20051011194
公開日2007年6月27日 申請日期2005年12月23日 優(yōu)先權日2005年12月23日
發(fā)明者陳科, 肖田, 黃浩 申請人:上海廣電電子股份有限公司