專利名稱：電路化襯底與制造其之方法、電組合件以及信息處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將導電薄片用作其一部分的電路化襯底、制造所述襯底的方法，并涉及使用所述襯底的電組合件和信息處理系統(tǒng)。所述電路化襯底的一主要實例為一印刷電路(或配線)板(或卡)，且另一實例為一芯片載體襯底，這兩個實例都由本發(fā)明的受讓人生產(chǎn)。
同在申請中的申請案的交叉參考在題為“High Speed Circuit Board And Method For Fabrication”的S.N.10/354,000(發(fā)明者B.Chan等人)中，界定一包括兩個多層部分的多層電路化襯底，所述兩個多層部分之一能夠電連接安裝在所述襯底上的電子組件以確保其之間的高頻連接。所述襯底可進一步包括已知材料的一“常規(guī)”襯底部分，以在減少成本的同時確保一結(jié)構(gòu)具有一被認為可滿足用于各自產(chǎn)品領(lǐng)域的總厚度。
背景技術(shù)：
如下文從若干引用的專利的描述所證明，存在許多不同的方法來制造印刷電路板和卡(下文也簡單地稱為PCB)、芯片載體和類似襯底。對于用于高速和其它最終結(jié)構(gòu)中的襯底也同樣如此。由于對復(fù)雜電子組件(諸如安裝在上文引用類型的電路化襯底上的半導體芯片)的操作要求在增加，因此所述主襯底必須能夠處理這些增加的要求。一特定增加的要求是需要兩個或更多所述安裝組件之間具有更高頻率(高速)的連接，如上所述，所述連接發(fā)生在整個所述底層主襯底中。本文中所使用的術(shù)語“高速”被理解為意味頻率從每秒約3.0千兆位到約10.0千兆位(GPS)和更高范圍內(nèi)的信號。
所述高速連接經(jīng)受由所述已知襯底電路配線的固有特性所導致的各種不利影響，如信號變質(zhì)(也稱為信號衰減)。在信號變質(zhì)的特定情況下，這個影響由信號對階躍變化的響應(yīng)的“上升時間”或“下降時間”來表示?？墒褂霉?Z0*C)/2來量化所述信號的變質(zhì)，其中Z0為傳輸線特性阻抗，且C為連接“通路”電容的量(所述“通路”為所述襯底內(nèi)一已知的電鍍孔以耦接不同的導電層)。在傳輸線阻抗為典型的50歐姆的信號線(在業(yè)界內(nèi)也稱為一電線或跡線)中，電容為4皮法(pf)的電鍍通孔“通路”將表現(xiàn)100皮秒(ps)的上升時間(或下降時間)降級。這與以上所引用的專利申請案中所教示的各種實施例中具有0.5pf掩埋“通路”的12.5ps降級形成對比。這一差異在以800MHz或更快(在當今的技術(shù)領(lǐng)域中成為“規(guī)范”)進行操作的系統(tǒng)中是顯著的，其中相關(guān)聯(lián)的信號躍遷率為200ps或更快。
導致信號衰減的一個因素為所述信號所通過的導電層的表面粗糙度。層壓若干電介質(zhì)和導電層以形成最終板結(jié)構(gòu)的PCB制造商期望有某一程度的粗糙度以促進兩種材料之間的粘結(jié)。不幸地是，如果過度粗糙，那么也會對信號通過產(chǎn)生不利影響。如從本文的教示所理解，本發(fā)明不僅能夠提供具有最佳粗糙度的用于在所述層結(jié)合過程中充分粘結(jié)到對應(yīng)介電層的導電層，還能夠提供某些其光滑度足以使所述層的表面不平度不顯著阻礙信號通過的層。
應(yīng)了解，本發(fā)明的教示不限于諸如PCB等的高速襯底的制造，但也可應(yīng)用于用于非高速信號連接的其它目的的襯底的制造。本文的教示適用于任何所述襯底，其中諸如銅的一個或多個導電層結(jié)合(例如，層壓)到一鄰近介電層，且通常當與其它電介質(zhì)和導電層結(jié)合以形成一更厚的、組合的結(jié)構(gòu)時，所得的合成物接著用作襯底。本發(fā)明能夠提供一最終結(jié)構(gòu)，其中在減少信號衰減的同時仍確保導電層與介電層的有效粘結(jié)。
相對于在包括高速板和其它板的許多類型PCB的襯底上形成的電路(配線)圖案，線寬現(xiàn)在可小到數(shù)十微米。因此，所述導電層(某些在此項技術(shù)中也稱為金屬“箔片”)變得比在先前襯底中產(chǎn)生較寬的線的導電層更薄。例如，當用于形成約100微米線寬的常規(guī)配線圖案的金屬箔片的指定厚度的范圍為約15微米到35微米時，用于形成數(shù)十微米配線圖案的金屬箔片的厚度必須相應(yīng)減少。為實現(xiàn)這樣，可使用一鋁箔或銅箔。優(yōu)選使用銅，尤其是通過在鼓表面上電解銅而產(chǎn)生的電解銅箔。相對于所述電解銅箔，起始銅沉積的表面(起始與鼓接觸的銅沉積的形成處的表面)稱為“光面”，且完成銅沉積的表面稱為“粗糙面”。所述光面的表面狀態(tài)基本上與鼓的表面狀態(tài)相同。即，所述鼓的RMS表面粗糙度值(用于PCB中的層的金屬表面粗糙度的常規(guī)測量值；詳見下文)為從約0.1微米到0.5微米，而凹部粗糙度值的最大峰值從約1.0到2.0微米。(凹部粗糙度的最大峰值是特征化諸如用于PCB中的銅箔的金屬層的表面粗糙度的另一方法)。結(jié)果，形成于這個鼓上的電解銅的“光”面(且與所述磁鼓的外表面相反)具有一類似的粗糙度。另一方面，相對于所形成的銅層的外部粗糙面，其表面粗糙度大于光面的表面粗糙度，RMS值通常為約1.0微米到約2.0微米，且凹部粗糙度的最大峰值的范圍為約3.0到10微米。
在業(yè)界存在特征化表面粗糙度的各種不同方法，包括Ra(高于和低于一片段中的中心線的平均粗糙度或算術(shù)平均值)、Rq(或RMS，其為表面輪廓與中線的平方絕對距離的平均值的平方根)、Rt(凹部的最大峰值或一片段中的最高與最低點之間的高度差)和Rz(10點平均表面粗糙度)。本文中將使用RMS(Rq)值，并出于易解釋的目的簡單地稱為“RMS粗糙度”。
在常規(guī)電解銅箔的情況下，已知在包括這些箔片作為介電導電層合成物(或如果與其它子合成物結(jié)合使用以形成一多層構(gòu)建的最終的板，那么更可能是一子合成物)的一部分之前使這些銅箔經(jīng)受各種處理，包括為在最終結(jié)構(gòu)中增加箔片與介電層之間的粘結(jié)性的目的而處理所述箔片。舉例而言，機械拋光是一種使用機械構(gòu)件(通常以磨光工具的形式)來使銅箔的表面變光滑的方法。不幸地是，如果所述箔片太薄，那么會由于在處理過程期間施加于所述銅箔上的相對較高的應(yīng)力而將其損壞，例如，被切或拉為數(shù)段。因此，機械拋光被視為僅適合制備相對較厚銅箔的表面。相比而言，化學和電解拋光制程實際上不對銅箔施加相對高的應(yīng)力，因此相信使用這些制程中的一個或兩個制程便可成功地處理相對薄的箔片。然而，所述制程操作起來通常較昂貴，通常需要相對昂貴的設(shè)備、高成本的化學清洗槽和在其間如此處理箔片的持續(xù)期，進而延長制造成品的總時間。
在美國專利6,475,638(Mitsuhashi等人)中描述一種用于生產(chǎn)一表面經(jīng)制備的電解沉積銅箔的工藝，其包括以下步驟使具有一光亮面和一粗糙面的箔片經(jīng)受至少一機械拋光，使得所述粗糙面的平均表面粗糙度(Rz)在1.5到3.0微米的范圍內(nèi)。隨后，使所述粗糙面經(jīng)受一選擇性化學拋光，使得所述粗糙面的平均表面粗糙度(Rz)在0.8到2.5微米的范圍內(nèi)。根據(jù)作者，在所述機械拋光之后化學拋光粗糙面能使所述箔片展示極好的性質(zhì)。
在美國專利6,291,081(Kurabe等人)中描述一種用于生產(chǎn)一電解沉積銅箔的工藝，其包括以下步驟使具有一光亮面和一粗糙面的電解沉積銅箔經(jīng)受第一機械拋光，并接著使已經(jīng)歷所述第一機械拋光的所述粗糙面經(jīng)受進一步的機械拋光。據(jù)說可獲得具有極好表面性質(zhì)的平坦的高度拋光面。另外，凹陷的部分不被拋光，使得通過拋光步驟而損耗的銅的量極其微小。
在美國專利5,897,761(Tagusari等人)中描述一種用于制造印刷線路板的電解沉積銅箔，其中已優(yōu)選使用磨光完全移除粗糙表面的原始輪廓，留下一具有線性條紋和某一粗糙度的表面。接著給予所述新表面一球粒形成處理，其產(chǎn)生一第二表面粗糙度，其后可進行一耐腐蝕處理。美國專利5,858,517(也是Tagusari等人)也描述一具有據(jù)認為是小修改的類似工藝。
在美國專利5,545,466(Saida等人)中描述一覆銅層壓板，其特征在于其形成有一銅電解沉積物的光滑(光亮)表面?zhèn)壬系碾娊忏~箔在其光滑表面?zhèn)忍幗Y(jié)合到一襯底的一側(cè)或兩側(cè)中的每一側(cè)，所述襯底具有一細間距配線(電路)圖案并展示出一較高的蝕刻因數(shù)。本專利是下文美國專利5,437,914(Saida等人)的部份接續(xù)內(nèi)容。
在美國專利5,482,784(Ohara等人)中描述一印刷電路內(nèi)層銅箔，其具有形成于所述銅箔的兩個表面上的反向淚珠狀細節(jié)結(jié)，每個節(jié)結(jié)具有一特定的長度和最大直徑。
在美國專利5,437,914(Saida等人)中描述一覆銅箔層壓板，其特征在于平滑(光)表面?zhèn)壬系碾娊忏~箔(其形成銅電解沉淀物)在其平滑表面?zhèn)忍幗Y(jié)合到一襯底的一側(cè)或兩側(cè)中的每一側(cè)。
在美國專利5,096,522(Kawachi等人)中描述一種用于產(chǎn)生一覆銅箔層壓板的制程，其包括以下步驟將一導電載體的表面與含有貴金屬的催化劑液體(catalyst liquid)接觸，所述貴金屬選自由下列各物組成的群組Pd、Pt、Ru、Au和Ag；隨后通過銅電鍍在經(jīng)處理的表面上形成一銅箔層；通過熱壓結(jié)合將一絕緣底板層壓于所述銅箔層上；且接著將所述導電載體與所得的層壓板分離。所得的覆銅箔層壓板中的銅箔層要求具有較小的針孔且按要求展示各向同性的機械特性。
在以下相關(guān)于“流體處理裝置”所意味的定義而引用的四個美國專利中描述流體處理裝置/組合件的各種實施例，所述流體處理設(shè)備/組合件經(jīng)特定設(shè)計以用于將加壓的噴射流體準確直接地施加到附近材料表面上的指定位置。如這些專利中所界定的，所述材料通常穿過所述裝置/組合件，且所述流體從相反放置的噴霧器指向所述裝置/組合件的相反側(cè)上，但如果需要，可僅直接指向所述側(cè)面中的一個側(cè)面上。在許多這些專利中詳細界定了使用這些結(jié)構(gòu)而可獲得的不同壓力。
在日本專利未審查公開案Hei 5-160208中揭示一帶狀載體，其引線圖案由一電解銅箔形成，其中所述箔片的粗糙面的整個表面已被拋光。所述公開案描述一種電解銅箔的使用，其1-2微米的粗糙側(cè)面輪廓已被化學拋光。如所提及的，可通過使用粗糙面的整個表面已被如此化學拋光的銅箔而提供具有所需的引線強度的高度可靠的載體帶。
根據(jù)本發(fā)明的教示界定一電路化襯底，其中一導電層(例如，電鍍銅箔)與另一導電層相配，并結(jié)合(例如，層壓)到一中間介電層。物理結(jié)合到所述電介質(zhì)的兩個箔片表面中的每個箔片都是光滑的，同時兩個箔片的外表面也是光滑的，盡管其比相對側(cè)更粗糙。所述所得的導電層中的一個導電層可充當一接地面或電壓面，而另一個導電層可充當一信號面，所述信號面具有作為其一部分的復(fù)數(shù)個單獨信號線。所述信號線可極其薄，且其寬度也極其窄，在此情況下，其仍能使高速信號穿過。然而，如上所述，本發(fā)明并不限于具有極其薄和極其窄的信號線的襯底，因為從本文的教示可清楚地看到，可成功地生產(chǎn)出具有比本文所界定的線更厚和更寬的線的襯底。
相信所述襯底和制造所述襯底的方法、及所得的使用所述襯底的電組合件和信息處理系統(tǒng)將代表此項技術(shù)中的顯著進步。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一主要目標是通過提供一種具有本文所教示的有利特征的電路化襯底來增強所述電路化襯底技術(shù)。
本發(fā)明的另一目標是提供一種可以相對容易的方式和相對低的成本實現(xiàn)所述電路化襯底的制造的方法。
本發(fā)明的另一目標是提供一種能夠使用所述電路化襯底并因此受益于其若干有利特征的電組合件。
本發(fā)明的另一目標是提供一種能夠?qū)⒁浑娐坊r底用作其一部分從而也受益于其若干有利特征的信息處理系統(tǒng)。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種制造一電路化襯底的方法，其包含提供至少一介電層；提供第一和第二導電層，每個導電層都具有一第一粗糙度相對較低的第一側(cè)面和一粗糙度大于第一側(cè)面的粗糙度的第二側(cè)面；以一化學處理來處理所述第一和第二導電層的第一側(cè)面，以最低限度地增加所述第一側(cè)面的粗糙度；在處理這些第一側(cè)面之后，將所述第一和第二導電層的第一側(cè)面結(jié)合到介電層，使得所述介電層基本上位于第一與第二導電層之間；以一化學處理來處理粗糙度大于第一側(cè)面的粗糙度的所述第一和第二導電層的第二側(cè)面，以減小第二側(cè)面的粗糙度和第一及第二導電層的厚度；和接著在所述導電層中的至少一導電層內(nèi)形成一電路圖案。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一電路化襯底，其包含至少一介電層，其具有第一和第二相對側(cè)面；第一和第二導電層，每個導電層具有一第一光滑側(cè)面，其上具有一分別結(jié)合到所述至少一介電層的第一和第二相對側(cè)的薄有機層，和一第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面，其與所述第一光滑側(cè)面相對；和一電路圖案，其形成于具有第一光滑側(cè)面和第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面的導電層中的至少一導電層內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一電組合件，其包含一電路化襯底，所述電路化襯底具有至少一介電層，其具有第一和第二相對側(cè)；第一和第二導電層，每個導電層具有一第一光滑側(cè)面，其上具有一分別結(jié)合到所述至少一介電層的第一和第二相對側(cè)的薄有機層，和一第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面，其與所述第一光滑側(cè)面相對；和一電路圖案，其形成于具有第一光滑側(cè)面和第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面的導電層中的至少一導電層內(nèi)，及至少一電組件，其位于所述電路化襯底上并電耦接到所述電路化襯底。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一信息處理系統(tǒng)，其包含一外殼；一電路化襯底，其位于所述外殼內(nèi)并包括以下部分至少一介電層，其具有第一和第二相對側(cè)；第一和第二導電層，每個導電層具有一第一光滑側(cè)面，其上具有一分別結(jié)合到所述至少一介電層的第一和第二相對側(cè)的薄有機層，和一第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面，其與所述第一光滑側(cè)面相對；和一電路圖案，其形成于具有第一光滑側(cè)面和第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面的導電層中的至少一導電層內(nèi)；及至少一電組件，其位于所述電路化襯底上并電耦接到所述電路化襯底。


圖1-4是放大、部分側(cè)面正視圖，其說明用于制造根據(jù)本發(fā)明的一實施例的電路化襯底的步驟中的四個步驟；圖5是一說明一多層電路化襯底的分解側(cè)面正視圖，其中使用圖1-4中所示和界定的電路化襯底上的若干額外層；包括將圖1-4中形成的襯底中的三個襯底用作此多層結(jié)構(gòu)的子組件(或子合成物)；圖6是一顯示圖5的多層襯底的部分、側(cè)面正視圖，所述襯底一方面充當一芯片載體，且另一方面充當一PCB，從而說明適合使用一個或多個本發(fā)明的電路化襯底的兩個不同類型的電組合件；和圖7是一更詳細地顯示上述類型的兩個電組合件的側(cè)面正視圖；和圖8是一比例大幅減小的透視圖，其顯示一適合使用一個或多個本文所教示的電組合件和電路化襯底的信息處理系統(tǒng)。
具體實施例方式
為更好地理解本發(fā)明，連同本發(fā)明的其它和另外的目的、優(yōu)點和性能，結(jié)合上述圖式參看以下揭示內(nèi)容和附加權(quán)利要求書。相同的圖式數(shù)字將用于所有圖式來識別圖中的相同元件。
本文中所使用的術(shù)語“電路化襯底”意味包括具有至少一介電層和至少兩個冶金導電層的襯底。實例包括由如以下介電材料制成的結(jié)構(gòu)玻璃纖維增強型環(huán)氧樹脂(某些在此項技術(shù)中稱為“FR-4”介電材料)、聚四氟乙烯(特氟隆)、聚酰亞胺、聚酰胺、氰酸酯樹脂、聚亞苯基醚樹脂、光可成像材料和其它類似材料，其中每個導電層為一包含諸如銅(優(yōu)選為如本文上文所界定的電解銅箔)的合適冶金材料的金屬層(例如，電源、信號和/或地面)，但在更廣泛的方面中也可包括額外的金屬(例如，鎳、鋁等)或其合金。下文將更詳細地描述其它實例。如果用于所述結(jié)構(gòu)的介電材料為一光可成像材料，那么如果必需，其被光成像或被光圖案化，并經(jīng)顯影以展現(xiàn)所需的電路圖案，包括本文中所界定的所需的開口?？蔀樗鼋殡姴牧鲜┘痈魧踊驊?yīng)用篩網(wǎng)，或其可供應(yīng)為干膜。所述光可成像材料的最終固化提供一介電堅韌底板，其上形成有所需的電路。一特定的光可成像介電組合物的實例包括一從約86.5％到約89％的固體含量，所述固體包含約27.44％的PKHC，一苯氧基樹脂；41.16％的Epirez 5183，一四溴雙酚A；22.88％的EpirezSU-8，一八官能基(octafunctional)環(huán)氧雙酚A甲醛酚醛清漆樹脂；4.85％的UVE 1014光引發(fā)劑；0.07％的乙基紫染料；0.03％的FC 430；來自3MCompany的氟化聚醚非離子表面活性劑；3.85％的Aerosil 380，一來自Degussa的非晶二氧化硅以提供固體含量。溶劑呈現(xiàn)為整個光可成像介電組合物的約11％到約13.5％。本文所教示的介電層的厚度通常可為約2密耳到約4密耳，但如果需要也可更厚。電路化襯底的實例包括印刷電路板(或卡)(下文也稱為PCB)和芯片載體。相信本發(fā)明的教示也可應(yīng)用于已知的“柔性”電路(其使用諸如聚酰亞胺的介電材料)。
本文中所使用的術(shù)語“電組件”意味諸如半導體芯片、電阻器、電容器等的組件，其適合位于作為PCB和芯片載體的所述襯底的外部導電表面上，且可能使用(例如)PCB或芯片載體的內(nèi)部和/或外部電路而電耦接到其它組件并彼此耦接。
術(shù)語“電組合件”意味本文中所界定的至少一電路化襯底以電耦接的方式與至少一電組件組合并形成所述組合件的一部分。已知的所述組合件的實例包括芯片載體，其包括一作為電組件的半導體芯片，所述芯片通常位于所述襯底上，并使用一個或多個通孔耦接到襯底的外表面上的配線(例如，墊片)，或耦接到內(nèi)導體?；蛟S最熟知的所述組合件為具有若干外部組件的常規(guī)PCB，該等外部組件可諸如為電阻器、電容器、模塊(包括一個或多個芯片載體)等，其安裝于所述PCB上并耦接到所述PCB的內(nèi)部電路。
本文中所使用的術(shù)語“信息處理系統(tǒng)”應(yīng)意味出于商業(yè)、科學、控制或其它目的而主要經(jīng)設(shè)計以計算、分類、處理、傳輸、接收、檢索、發(fā)起、轉(zhuǎn)換、存儲、顯示、證明、測量、檢測、記錄、復(fù)制、處理或利用任何形式的信息、智能或數(shù)據(jù)的任何工具或工具的聚合體。實例包括個人計算機和諸如服務(wù)器、主機等較大的處理器。所述系統(tǒng)通常包括一個或多個PCB、芯片載體等作為其整體的若干部分。舉例而言，通常使用的PCB包括復(fù)數(shù)個安裝于其上的不同組件，諸如芯片載體、電容器、電阻器、模塊等。所述PCB可稱為“母板”，而各種其它板(或卡)可使用合適的電連接器而安裝于其上。
通過本文中所使用的術(shù)語“光滑”來界定一如電解銅箔的導電層的一側(cè)面的表面粗糙度，意味一個層側(cè)面的RMS表面粗糙度從約0.1微米到約0.6微米。
本文中所使用的術(shù)語“流體處理裝置”意味一加壓的流體噴射裝置/組合件，其適用于通常當材料在噴射與材料的相對側(cè)發(fā)生沖擊的情況下穿過所述裝置/組合件時，或以其最簡單的形式，將加壓的噴射流體準確指向材料的表面上，其中所述裝置/組合件僅將所述噴射應(yīng)用到材料的一個側(cè)面上且從而流體僅沖擊一個側(cè)面。美國專利5,512,335(Miller等人)、5,378,307(Bard等人)、5,289,639(Bard等人)和5,063,951(Bard等人)中界定這種類型的裝置/組合件，這些專利的教示以引用的方式并入本文中。在其最簡單的形式中，如5,063,951和5,289,639中所示，所述裝置將包括以行定向的復(fù)數(shù)個所述噴射，在其之下或其之上經(jīng)處理的材料將通過并接收其上的加壓流體(如蝕刻劑、水清洗等)。如5,512,335中所界定的，可使用諸如振動構(gòu)件的額外結(jié)構(gòu)，及具有復(fù)數(shù)個沿其間隔定位的裝置的溢出溝渠布置(overflowsump arrangement)。5,378,307中界定后者裝置/組合件的一實例。
圖1中最初提供一導電材料箔片11，其優(yōu)選為一“標準的”或“普通且穩(wěn)定的”電解銅箔。在此形式中，箔片11將包括一第一側(cè)面13和一第二、相對側(cè)面15。舉例而言，側(cè)面13、“鼓”側(cè)面(意味其形成于所述鼓表面的對面)優(yōu)選包括一約0.1微米到約0.5微米的RMS粗糙度，且因此可界定為屬于上文所規(guī)定的“光滑”范圍內(nèi)。這個側(cè)面的最大峰谷(peak-to-valley)粗糙度(下文稱為PTV粗糙度)值優(yōu)選從約1.0微米到約2.0微米，且最佳值為1.5微米。稱為“粗糙”側(cè)面(意味其不與所述鼓相對)的側(cè)面15(如果是一電解銅箔)更為粗糙，且在此相同實例中優(yōu)選具有使用約1.0微米到約3.0微米的相同的RMS標準的粗糙度，且最大的PTV粗糙度為約2.5到約10.0微米。同樣，原始配置中的側(cè)面15不符合本文所界定的“光滑”的定義。當界定電解銅箔時，術(shù)語“普通且穩(wěn)定的”意味未接收額外的表面粗糙處理(例如，次節(jié)結(jié)性電鍍(secondary nodular plating))但已被給予已知的化學抗沾污處理的銅箔。當界定電解銅箔時，術(shù)語“標準的”意味一已接收對其粗糙表面的額外的粗糙處理(例如，次節(jié)結(jié)性電鍍)并已額外接收對其兩個表面進行化學抗沾污處理的銅箔。任一類型的所述箔片可良好地適用于本發(fā)明，此項技術(shù)中已知的其它電解箔片也是如此。出于說明目的，圖中所描繪的表面外形經(jīng)放大，且其不意味精確說明所述表面的實際粗糙度。
如上所述，本發(fā)明的主要方面為供應(yīng)一最終產(chǎn)品中的表面光滑的導電層，當信號通過所述導電層時，其用來基本上防止信號衰減，但當結(jié)合到對應(yīng)的介電層以包括所述相對較粗的PCB的生產(chǎn)過程而作為層壓時，其也足夠“粗糙”來促進安全粘結(jié)到對應(yīng)的介電層。這個必需的層壓粘結(jié)值相信為銅表面每線性英寸至少三磅。為使用本文中的新穎且獨特的教示實現(xiàn)上述內(nèi)容，使層11的側(cè)面13經(jīng)受一化學處理，其中所述側(cè)面被曝露于一含有酸、過氧化物和一金屬(優(yōu)選為銅)的溶液。一優(yōu)選制程包括通過被稱為結(jié)合“薄膜(BondFilm)”溶液(當前市場上可用并以此命名的，其來自國際性公司Atotech Deutschland GmbH，Atotech Deutschland GmbH的美國辦公地址為1750 Overview Drive，Rock Hill，South Carolina)來處理本發(fā)明的箔片。術(shù)語“結(jié)合薄膜”是Atotech Deutschland GmbH的商標。這種結(jié)合薄膜溶液主要包含三種成份(1)硫磺酸；(2)過氧化氫；和(3)銅，及額外的AtotechDeutschland GmbH專有組分。這個制程也稱為一氧化物替代制程，意味其不會導致在經(jīng)處理的材料上形成氧化物層。
通過在約25到45攝氏度(C.)的溶液溫度下將銅導電層浸入此結(jié)合薄膜溶液約30到約200秒而以所述結(jié)合薄膜溶液處理本發(fā)明中所使用的銅導電層(如圖2中所示，最少具有兩個箔片11)。作為所述處理的一部分，每個導電層被最初清洗干凈和除去油污，其后為一活化步驟，其發(fā)生在微蝕刻側(cè)面13和15的表面之后。最后，將一薄有機涂層施加到這兩個表面。顯著的是，當將層結(jié)合到中間介電層17(詳見下文)時，這個薄有機涂層保持在每個層11的側(cè)面13上，側(cè)面13直接結(jié)合到所述介電層的相對側(cè)。在一實例中，優(yōu)選有機材料為厚度為僅約50埃到約500埃的苯并三唑。如下文所界定的，在隨后處理箔片11期間將此薄膜從表面15移除。使用上述制程處理銅箔導致表面13的銅的RMS粗糙度增加不到0.2微米，其被視為最低限度的增加。如從上文所理解的，使側(cè)面13經(jīng)受“氧化物替代”制程的目的在于在沒有顯著增加表面粗糙度的情況下增強層壓板結(jié)合強度。所述經(jīng)修整的表面也是“光滑的”，因為與約1.0微米到約2.0微米的原始峰值相比，最終的RMS粗糙度為從約0.15微米到約0.6微米(從原始的約0.1微米到約0.5微米)，而對應(yīng)的PTV粗糙度范圍為從約1.2微米到約2.2微米(且最佳值為1.7微米)。顯著的是，所述光滑度產(chǎn)生一經(jīng)修整的導電層表面，當信號(包括高速變化的特殊信號)通過這個表面附近時其將顯著防止信號衰減。
如圖2中所示，如上文所指示的，在本發(fā)明的最簡單的實施例中需要兩個箔片11。因此，以結(jié)合薄膜溶液處理兩個箔片，使得其側(cè)面13的粗糙度增加到略微超過鼓的原始粗糙度值。因此，所述外部的較粗糙的表面15也由結(jié)合薄膜溶液處理得呈現(xiàn)為略微更加粗糙。舉例而言，約1.0微米到約3.0微米的原始RMS粗糙度僅增加到約1.05微米到約3.05微米。2.5微米到約10微米的原始峰值差僅增加到約2.55微米到約10.05微米。如以下更為詳細的界定，因為會最終處理這些表面15，所述增加被視為是可忽略的。表面15上也形成上文所提到的有機薄膜，但如以下所解釋的，其會被移除。
圖2中，兩個箔片11經(jīng)對準使得光滑側(cè)面13彼此相對，且所述箔片接著結(jié)合(優(yōu)選使用一常規(guī)的PCB層壓制程)到中間介電層17。層17的所述介電材料的優(yōu)選實例包括玻璃纖維增強型環(huán)氧樹脂、聚四氟乙烯(特氟隆，E.I.DuPont deNemours and Company的商標)、聚酰亞胺、聚酰胺、氰酸酯樹脂、聚亞苯基醚樹脂和光可成像材料，這些材料中最佳為在PCB技術(shù)中也已知為“FR-4”材料(因為其耐火等級)的玻璃纖維增強型環(huán)氧樹脂材料。在上述實例中，每個銅導電層11的初始厚度為從約1密耳(千分之一英寸)到約3密耳，而每個層17的初始厚度為約2密耳到約15密耳。結(jié)合(例如，使用常規(guī)的層壓壓力和溫度)之后，圖2中所示的所得的三層襯底將優(yōu)選具有一范圍在小于約3密耳到約19密耳內(nèi)的厚度，由壓縮中間介電材料而引起的厚度的減小是歸因于層壓的壓力。可以理解的是，用于箔片11的銅保持其原始厚度。
圖3中，外部和先前較粗糙(與表面13相比)的表面15(現(xiàn)在也由結(jié)合薄膜制程處理得略微更加粗糙(約1.05微米到約3.05微米的RMS粗糙度))現(xiàn)在經(jīng)受流體蝕刻處理，其中使用上文所界定的類型的流體處理裝置將蝕刻劑(一優(yōu)選實例為氯化銅)噴射到外表面上。以上引用的四個專利中的一個或多個專利中界定并說明所述裝置的代表性實例。在所述處理期間，以約每平方英寸5磅(p.s.i.)到約20p.s.i.的壓力將所述蝕刻劑噴射到曝露表面15上，減小此表面的粗糙度和箔片11的總厚度。如先前所引用的專利中所表示，橫向越過表面而導引溶液流，其以最快的速率侵蝕所述表面上的高點，因此導致經(jīng)修整表面的粗糙度顯著減小。所得粗糙度與以上引用的初始粗糙度相比顯著減小。如特定實例，RMS粗糙度從約1.05微米到約3.05微米減小到僅約0.15微米到約0.6微米，且原始峰值從2.55微米到約10.05微米減小到僅約1.2微米到約2.2微米，且最佳峰值為約1.7微米。顯著的是，這些值基本上和與層17相對的層13的表面粗糙度值相等。同樣，根據(jù)以上確定的值，層15(現(xiàn)在顯示為數(shù)字15′)現(xiàn)在也是“光滑的”。從所述流體處理制程移除所形成的有機薄膜，且顯著的是，在流體處理之前，箔片11的總厚度從所界定的約1.0密耳到約3.0密耳的厚度減小到約0.3密耳到約2.7密耳。因此，所述流體處理制程能夠成功地將粗糙度減小到所要的“光滑”值，而同時在不對銅箔造成如上文所提到的因機械程序而造成損壞的情況下減小銅箔的厚度。同樣顯著的是，厚度的精確減小確保充分預(yù)防信號沿著當前的光滑表面15而發(fā)生衰減，同時提供適于有效結(jié)合(層壓)到隨后的介電層的充分的粗糙度，其在以下實施例中是可能的。
盡管圖3中顯示在結(jié)合光滑內(nèi)表面13之后提供光滑外表面15′，但這并不意味限制本發(fā)明，因為在結(jié)合之前也可形成所述光滑外表面。這可通過保持構(gòu)件將所述箔片固持在適當?shù)奈恢茫瑫r使其經(jīng)曝露的表面經(jīng)受流體處理制程(未圖示)而實現(xiàn)。如在所述流體處理裝置專利中所界定的，使用適當滾筒等而使所述固持成為可能，該等滾筒導引材料的薄片，使其待處理為穿過所述裝置或位于其上或位于其下，這取決于使用哪種裝置和如何使用。如果所述箔片材料將通過上方或下方，那么所曝露的箔片表面僅需通過鄰近的裝置噴射器?？梢岳斫獾氖?，如果需要，穿過所述裝置中的一個裝置的箔片使能夠同時處理兩個表面，包括以下情況(例如)通過調(diào)節(jié)噴射溶液的化學配方和/或噴射沖擊力來使其中一個表面比另一表面更粗糙或光滑。
應(yīng)理解，在其最簡單的形式中，具有最少為兩個導電層和一個絕緣中間介電層的圖3所描繪的結(jié)構(gòu)可充當一電路化襯底。優(yōu)選地，圖3中的襯底將充當一“核心”，其具有兩個導電面(層)和一個介電面(層)。其襯底接著可單獨使用，或更佳與(如圖5中的分解形態(tài)所示)其它類似“核心”一起使用作為多層電路化襯底的一部分。在一實例中，最終結(jié)構(gòu)可包括不少于十個介電層和導電層，且相對于產(chǎn)品(諸如信息處理系統(tǒng))的更復(fù)雜的最終襯底產(chǎn)品(諸如PCB)，最終結(jié)構(gòu)可包括多達三十或更多的導電層和介電層總數(shù)。在本發(fā)明的一個實施例中，較低的導電層可充當襯底的電源面或接地面，且從而通過電介質(zhì)17的厚度而與上部信號面隔開。如果是這樣的平面，需要在層內(nèi)提供復(fù)數(shù)個間隔開口18(圖3中顯示隱藏)以允許在需要所述孔的更大產(chǎn)品中形成通孔。如果提供所述開口18，那么優(yōu)選通過蝕刻或機械打孔來完成，并優(yōu)選在將箔片11結(jié)合到中間介電層17之后發(fā)生。
在圖4中，已進一步處理上部導電層11以形成復(fù)數(shù)個信號導體19(出于簡化的目的，圖4中僅顯示一個導體)。優(yōu)選使用此項技術(shù)中常規(guī)的光刻處理來達成信號導體19(圖4中僅顯示兩個，但圖5中顯示其它可能的組合)的形成，其中將一光致抗蝕劑(未圖示)應(yīng)用到上部導電層上，經(jīng)圖案化且經(jīng)曝露(整個圖案)，接著“顯影”所述光致抗蝕劑以能移除這層中的底層金屬的選定部分并形成若干導體19。在一優(yōu)選實例中，導體19是很薄的信號線的形式，該等信號線的寬度僅約三密耳且厚度為約0.5密耳。所述線接著使中心對中心(center-to-center)的間隔僅為六密耳，從而使用本文的教示可獲得優(yōu)良的高密度電路圖案。如果上部導電層并不單獨用作一信號層，那么所述導體也可為墊片的形式，諸如那些位于所得襯底的上表面上的墊片，其用于使一焊接形成于其上。還可具有導體19的替代結(jié)構(gòu)。
在圖5中，現(xiàn)在將圖4中所示的電路化襯底中的三個襯底(圖4中每個稱為SC)與兩個介電層21對準，所述兩個介電層21位于鄰近成對的襯底與位于最外部的兩個襯底外部的兩個添加對的介電層21′之間。這些層21和21′中的每個層優(yōu)選為一在PCB技術(shù)中已知為“FR-4”材料的B級玻璃纖維增強型環(huán)氧樹脂材料，且初始厚度為僅約1密耳到5密耳。如上文所提到的，所述層在此項技術(shù)中是已知的，且因此認為不需要作進一步描述。除此之外，至少一導電層23(優(yōu)選為銅，厚度約0.5密耳)位于最外部成對的介電層21′的外部。優(yōu)選在使用常規(guī)的PCB層壓處理來層壓若干層和襯底之后，這些外部導電層為圖5中所示的經(jīng)修整的多層電路化襯底充當外部導體。
圖6說明可使用本文的教示而獲得的兩個電組合件33和35。組合件33可理解為一芯片載體或類似的結(jié)構(gòu)，其上具有使用復(fù)數(shù)個焊球95″而定位的至少一半導體芯片37，而組合件35可理解為一通常較大的PCB或類似結(jié)構(gòu)，其上具有還是通常優(yōu)選使用與用于焊球95″相同或不同的焊接組合物的焊球95′而定位并與其電耦接的所述載體。顯著的是，每個組合件33和35優(yōu)選包括本文中所形成的類型的至少一且可能的若干襯底。使用所示的焊球耦接所述芯片、載體和PCB可理解為使用如所示以成對定向而耦接的各種導電(例如，銅)墊片96。所述焊球與墊片連接在此項技術(shù)中是已知的。需要再次說明的是，墊片96可形成為端部(上表面)襯底的一部分。
圖7表示上文所界定的結(jié)構(gòu)的實例，由數(shù)字105所參考的結(jié)構(gòu)為一類似于圖6中的組合件33的芯片載體，而數(shù)字107所表示的結(jié)構(gòu)為一PCB且因此類似于圖6中的組合件35。如上所述，所述PCB和芯片載體組合件都是由本發(fā)明的受讓人生產(chǎn)和銷售的。在圖7的實施例(組合件)中，使用復(fù)數(shù)個前述焊球95′將芯片載體105安裝于PCB 107上并電耦接到PCB 107，所述芯片載體105接著具有位于其上并使用第二復(fù)數(shù)個焊球95″電耦接到所述芯片載體105的半導體芯片109(類似于芯片37)。如此項技術(shù)中已知的，在某些方面比圖6的結(jié)構(gòu)更詳細的圖7中的組合件也可包括(例如)使用一導電膏111熱耦接到芯片109并通過適當?shù)闹Ъ?13而定位于載體105的上表面上的散熱片110。使用一種密封劑材料(未圖示)來基本上裝入所述芯片并消除散熱片(如果使用所述密封劑材料)也在所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員的范疇內(nèi)。密封劑材料也可在較低的復(fù)數(shù)個焊球95′附近。甚至使用常規(guī)的引線結(jié)合來耦接芯片109也另外在本發(fā)明的范疇內(nèi)，其中復(fù)數(shù)條細線(未圖示)結(jié)合于底層襯底上的芯片導體處與對應(yīng)的導體墊片之間。
圖8中顯示一信息處理系統(tǒng)121，其優(yōu)選為一個人計算機、一主計算機或一計算機服務(wù)器。此類型的此項技術(shù)中已知的其它類型的信息處理系統(tǒng)也可利用本發(fā)明的教示?？稍谙到y(tǒng)121中將根據(jù)本文的教示而形成的所述電路化襯底或襯底用作PCB 107(顯示隱藏)和/或芯片載體105(也顯示隱藏)?？稍谙到y(tǒng)121中將所述電路化襯底用作一母板，或用作通常用于所述系統(tǒng)中的一個或多個單獨的PCB。如已知的，系統(tǒng)121通常包含于一如數(shù)字123所示的合適的金屬或絕緣外殼內(nèi)，且其中具有適當?shù)耐L(如果需要)和可通過系統(tǒng)指定的操作員在外部進行系統(tǒng)操作而訪問的儀器。這些類型的信息處理系統(tǒng)的剩余元件在此項技術(shù)中是已知的，且相信不需要作進一步描述。
因此，已顯示和描述一電路化襯底，其使用在其相對側(cè)上具有至少一導電平面的至少一介電層，所述襯底是以一新穎和獨特的方式形成的，從而增強高速通過和穿過其中的其它信號。所述導電箔片根據(jù)本發(fā)明的教示使每個表面上呈現(xiàn)大體“光滑”，所述導電箔片展示范圍為1.5GHz(千兆赫)的顯著較低的信號(衰減)損失。另外，隨著頻率的增加(例如，從約1GHz到約10GHz)，損失率(以每英寸分貝)與具有較大粗糙度的銅層相比顯著下降。在本發(fā)明的一實例中，制備兩個分離的襯底。將一個制成厚度為1.4密耳的電路線，其每個電路線具有5密耳的對應(yīng)寬度。對于這樣的一個襯底而言，所述銅表面的一個側(cè)面的RMS粗糙度為0.3微米，且另一側(cè)面為1.5微米。將Polyclad LD-621(一可從地址為144Harvey Road，Londonderry，NewHampshire的Cookson Electronics辦事處獲得的玻璃布增強型的聚亞苯基醚樹脂介電材料)用作介電材料。一20厘米長的信號線在頻率為約1.5GHz時的經(jīng)測量的信號衰減為1.5dB(分貝)。形成明顯對比的是，根據(jù)本發(fā)明的教示由相同電介質(zhì)和銅材料和厚度制備的第二襯底使用箔片兩側(cè)上RMS表面粗糙度為0.3微米的銅箔。所述第二襯底的信號線的經(jīng)測量的信號衰減顯著降低，僅約1.2dB。
可使用本文所教示的一個或多個電路化襯底的各種結(jié)構(gòu)，因此也繼承了此結(jié)構(gòu)的若干有利特征。可使用已知的PCB和/或芯片載體等制造制程來生產(chǎn)所界定的電路化襯底，且因此可以相對較低的成本來生產(chǎn)，以使降低成本的組合件能使用這些襯底。
雖然已顯示和描述了本發(fā)明現(xiàn)有的優(yōu)選實施例，但對于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見，在不脫離由附加權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的范疇的情況下可對本發(fā)明作各種改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種制造一電路化襯底的方法，其包含提供至少一介電層；提供第一和第二導電層，每個導電層都具有一第一相對較低粗糙度的第一側(cè)面和一粗糙度大于所述第一側(cè)面的第二側(cè)面；以一化學處理方法處理所述第一和第二導電層的所述第一側(cè)面，以最低限度地增加所述第一側(cè)面的所述粗糙度；在所述第一側(cè)面的所述處理之后，將所述第一和第二導電層的所述第一側(cè)面結(jié)合到所述介電層，使得所述介電層基本上位于所述第一與第二導電層之間；以一化學處理方法處理粗糙度大于所述第一側(cè)面的所述第一和第二導電層的所述第二側(cè)面，以減小所述第二側(cè)面的所述粗糙度和所述第一及第二導電層的厚度；和在所述導電層中的至少一導電層內(nèi)形成一電路圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述提供所述第一和第二導電層包含在所述第一側(cè)面的所述處理之前提供所述第一和第二導電層，其中所述第一相對較低粗糙度在約0.1RMS粗糙度到約0.5RMS粗糙度的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述提供所述第一和第二導電層包含提供所述第一和第二導電層，其中所述第二側(cè)面的所述粗糙度在約1.0RMS粗糙度到約3.0RMS粗糙度的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中以所述化學處理方法對所述第一側(cè)面的所述處理包含使所述第一側(cè)面經(jīng)受一包括酸的溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第一側(cè)面的所述處理包括將一薄有機層沉積在所述第一和第二導電層的所述第一側(cè)面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中當所述層結(jié)合到所述介電層時，所述薄有機層保持在所述第一和第二導電層的所述第一側(cè)面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括將額外的介電層和導電層添加到具有所述至少一介電層及所述第一和第二導電層的所述電路化襯底的相對側(cè)面上，且在所述額外的導電層的選定導電層內(nèi)形成一電路圖案。
8.一種電路化襯底，其包含至少一介電層，其具有第一和第二相對側(cè)面；第一和第二導電層，每個導電層具有一第一光滑側(cè)面，其上具有一分別結(jié)合到所述至少一個介電層的所述第一和第二相對側(cè)面的薄有機層；和一與所述第一光滑側(cè)面相對的第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面；和一電路圖案，其形成于具有所述第一光滑側(cè)面和所述第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面的所述導電層中的至少一個導電層內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路化襯底，其中所述第一和第二導電層由銅或銅合金材料構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路化襯底，其中所述銅或銅合金材料為電解銅。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路化襯底，其中所述薄有機層包含苯并三唑且具有一從約50埃到約500埃的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路化襯底，其進一步包括在具有所述至少一個介電層及所述第一和第二導電層的所述電路化襯底的相對側(cè)上的額外的介電層和導電層，以及所述額外的導電層中的選定導電層內(nèi)的一電路圖案。
13.一種電組合件，其包含一電路化襯底，其包括至少一介電層，所述介電層具有第一和第二相對側(cè)面；第一和第二導電層，每個導電層具有一第一光滑側(cè)面，其上具有一分別結(jié)合到所述至少一個介電層的所述第一和第二相對側(cè)面的薄有機層，和一與所述第一光滑側(cè)面相對的第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面；和一電路圖案，其形成于具有所述第一光滑側(cè)面和所述第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面的所述導電層中的至少一導電層內(nèi)；和至少一電組件，其位于所述電路化襯底上并電耦接到所述電路化襯底。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電組合件，其中所述至少一個電組件包含一半導體芯片，且所述電路化襯底是一芯片載體襯底。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電組合件，其中所述第一和第二導電層的所述第一光滑側(cè)面上的所述薄有機層包含苯并三唑且具有一從約50埃到約500埃的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電組合件，其中所述第一和第二導電層由銅或銅合金材料構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電組合件，其中所述銅或銅合金材料是電解銅。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電組合件，其進一步包括在具有所述至少一個介電層及所述第一和第二導電層的所述電路化襯底的相對側(cè)上的額外的介電層和導電層，和所述額外的導電層中的選定導電層內(nèi)的一電路圖案。
19.一種信息處理系統(tǒng)，其包含一外殼；一電路化襯底，其包括至少一個具有第一和第二相對側(cè)的介電層；第一和第二導電層，每個導電層具有一第一光滑側(cè)面，其上具有一分別結(jié)合到所述至少一個介電層的所述第一和第二相對側(cè)面的薄有機層，一與所述第一光滑側(cè)面相對的第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面；和一電路圖案，其形成于具有所述第一光滑側(cè)面和所述第二經(jīng)蝕刻光滑側(cè)面的所述導電層中的至少一導電層內(nèi)；和至少一電組件，其位于所述電路化襯底上并電耦接到所述電路化襯底。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的信息處理系統(tǒng)，其中所述信息處理系統(tǒng)包含一個人計算機。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的信息處理系統(tǒng)，其中所述信息處理系統(tǒng)包含一主計算機。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的信息處理系統(tǒng)，其中所述信息處理系統(tǒng)包含一計算機服務(wù)器。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種其中兩個導電層(例如，電鍍銅箔片)結(jié)合(例如，層壓)到一介電層的電路化襯底。物理結(jié)合到所述電介質(zhì)的所述兩個箔片表面的每個箔片表面都是光滑的(例如，優(yōu)選通過化學處理)，且其上包括一薄的有機層，同時兩個箔片的外表面也是光滑的(例如，優(yōu)選也使用一化學處理步驟)。該些所產(chǎn)生的導電層中的一個導電層可充當一接地平面或電壓平面，而另一個導電層可充當一信號平面，所述信號平面具有作為其一部分的復(fù)數(shù)個單獨信號線。還提供使用所述電路化襯底的一種電組合件和一種信息處理系統(tǒng)，和一種制造所述襯底的方法。
文檔編號H05K3/46GK1805125SQ200510115609
公開日2006年7月19日 申請日期2005年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月19日
發(fā)明者約翰·M·勞弗爾, 沃亞·R·馬爾科維奇, 邁克爾(Nmn)·沃茲尼亞克 申請人:安迪克連接科技公司