專利名稱：電路裝置及攜帶設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路裝置及攜帶設(shè)備，特別是涉及具有規(guī)則配置的外部電極或開口部的電路裝置及攜帶設(shè)備。
背景技術(shù)：
目前，由于電子設(shè)備上設(shè)置的電路裝置使用在手機(jī)、攜帶用的計(jì)算機(jī)等中，故要求其小型化、薄型化以及輕便化。最近，正在開發(fā)有被稱為CSP(芯片尺寸封裝)的與芯片大小相同的晶片等級CSP。
圖10表示采用襯底65作為支承襯底的比芯片尺寸大一些的CSP66。這里，說明將晶體管芯片T安裝在襯底65上的結(jié)構(gòu)。
在該襯底65的表面形成有第一電極67、第二電極68以及管芯墊(ダイパツド)69，在背面形成有第一背面電極70A和第二背面電極70B。并且，經(jīng)由貫通孔TH將第一電極67和第一背面電極70A連接。另外，經(jīng)由貫通孔TH將第二電極和第二背面電極70B進(jìn)行電連接。
在管芯墊69上固定有晶體管芯片T，通過金屬細(xì)線72將晶體管的發(fā)射極和第一電極67連接。另外，通過金屬細(xì)線72將晶體管的基極和第二電極68連接。另外，在襯底65上設(shè)有樹脂層73以覆蓋晶體管芯片T。
另外，在上述的CSP等電路裝置中，為與外部進(jìn)行電信號的發(fā)送接收，在裝置的背面形成有焊錫等構(gòu)成的外部電極76(例如下述的參照專利文獻(xiàn)1)。并且，CSP66通過外部電極76固定在形成于安裝襯底77表面上的導(dǎo)電路78上。
專利文獻(xiàn)1特開平11-274361號公報(bào)但是，在上述的CSP66中，外部電極76的平面位置根據(jù)使用者的規(guī)格等而形成在規(guī)定的位置。即，外部電極76于平面上不配置在規(guī)則的位置上。由此，在將CSP66安裝在安裝襯底77上時(shí)，需要考慮安裝方向的制約來配置CSP66。其結(jié)果，使CSP66的安裝成本增加。特別是，在手機(jī)等攜帶設(shè)備中，用于安裝的空間受到制約。由此，在電路元件的安裝方向上受到制約，而對攜帶設(shè)備的小型化造成阻礙。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題點(diǎn)而研發(fā)的。本發(fā)明的主要目的是提供一種通過規(guī)則地配置外部電極的位置而降低安裝方向的制約的電路裝置。另外，本發(fā)明的其他目的是提供具有這樣的電路裝置的攜帶設(shè)備。
本發(fā)明的電路裝置具有半導(dǎo)體元件、與所述半導(dǎo)體元件電連接而與外部進(jìn)行電信號的發(fā)送接收的外部電極，將所述外部電極相對于中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，將所述外部電極以90度為單位旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，所述外部電極具有與所述半導(dǎo)體元件的第一主電極連接的第一外部電極、與所述半導(dǎo)體元件的第二主電極連接的第二外部電極以及與所述半導(dǎo)體元件的控制電極連接的第三外部電極，將所述第一外部電極配置在中心部，將所述第二外部電極和所述第三外部電極以包圍所述第一外部電極的方式旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，所述半導(dǎo)體元件是MOSFET，所述第一主電極是源極，所述第二主電極是漏極，所述控制電極是柵極。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，具有多層的配線結(jié)構(gòu)。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，內(nèi)設(shè)有與所述半導(dǎo)體元件電連接的無源元件。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，具有在表面形成第一導(dǎo)電圖案、在背面形成第二導(dǎo)電圖案的支承襯底，所述第一導(dǎo)電圖案與所述半導(dǎo)體元件連接，所述第二導(dǎo)電圖案與所述外部電極連接。
另外，本發(fā)明的電路裝置具有導(dǎo)電圖案、固定在所述導(dǎo)電圖案上的半導(dǎo)體元件、使所述導(dǎo)電圖案的背面露出并覆蓋所述半導(dǎo)體元件和所述導(dǎo)電圖案的密封樹脂以及覆蓋從所述密封樹脂露出的所述導(dǎo)電圖案的背面的覆蓋樹脂，使所述導(dǎo)電圖案的背面從所述覆蓋樹脂上設(shè)置的開口部露出，將所述開口部相對于中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，將所述開口部以90度為單位旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，所述開口部具有使與所述半導(dǎo)體元件的第一主電極連接的所述導(dǎo)電圖案露出的第一開口部、使與所述半導(dǎo)體元件的第二主電極連接的所述導(dǎo)電圖案露出的第二開口部以及使與所述半導(dǎo)體元件的控制電極連接的所述導(dǎo)電圖案露出的第三開口部，將所述第一開口部配置在中心部，將所述第二開口部和所述第三開口部以覆蓋所述第一開口部的方式配置。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，所述半導(dǎo)體元件是MOSFET，所述第一主電極是源極，所述第二主電極是漏極，所述控制電極是柵極。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，所述第一開口部和所述第二開口部形成圓形，所述第三開口部形成矩形。
另外，在本發(fā)明的電路裝置中，所述第二開口部的寬度形成得比與所述半導(dǎo)體元件的第二主電極連接的所述導(dǎo)電圖案窄，所述第三開口部的寬度比與所述半導(dǎo)體元件的控制電極連接的所述導(dǎo)電圖案寬。
另外，本發(fā)明的攜帶設(shè)備具有上述的電路裝置。
根據(jù)本發(fā)明的電路裝置，外部電極或開口部相對于中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)對稱地配置。因此，即使以90度為單位旋轉(zhuǎn)任意角度而安裝電路裝置，也能夠?qū)崿F(xiàn)可構(gòu)成規(guī)定的電氣回路及系統(tǒng)的安裝結(jié)構(gòu)。由此，能夠降低安裝電路裝置時(shí)在安裝方向上的制約。
另外，根據(jù)本發(fā)明的攜帶設(shè)備，由于具有上述電路裝置而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。


圖1表示本發(fā)明的電路裝置，(A)是平面圖，(B)是剖面圖，(C)是電路圖；圖2表示本發(fā)明的電路裝置，(A)是平面圖，(B)是剖面圖，(C)是剖面圖；圖3表示本發(fā)明的電路裝置，(A)是平面圖，(B)是剖面圖，(C)是剖面圖；圖4表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖5表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖6表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖7表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法，(A)是剖面圖，(B)是剖面圖，(C)是剖面圖；圖8表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖9表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法，(A)是剖面圖，(B)是平面圖；圖10是表示現(xiàn)有的電路裝置的剖面圖。
符號說明10電路裝置11導(dǎo)電圖案11A管芯墊11B第一接合焊盤11C第二接合焊盤13密封樹脂14金屬細(xì)線15外部電極16覆蓋樹脂17分離槽18A第一開口部18B第二開口部18C第三開口部21A第一導(dǎo)電圖案21B第二導(dǎo)電圖案具體實(shí)施方式
〔第一實(shí)施方式〕參照圖1說明本實(shí)施方式的電路裝置10。圖1(A)是電路裝置10的平面圖，圖1(B)是圖1(A)的B-B′剖面的剖面圖，圖1(C)是表示設(shè)于電路10內(nèi)的電氣回路的電路圖。
參照圖1(A)和圖1(B)，本實(shí)施方式的電路裝置10具有構(gòu)成管芯墊以及接合焊盤的導(dǎo)電圖案11、與該導(dǎo)電圖案11電連接的半導(dǎo)體元件TR以及使導(dǎo)電圖案11的背面露出并將半導(dǎo)體元件TR和導(dǎo)電圖案11覆蓋的密封樹脂13。另外，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案11、開口部18以及外部電極15相對于電路裝置10的中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)對稱地配置。這里，作為半導(dǎo)體元件TR以MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)為例進(jìn)行說明。另外，在本實(shí)施方式中，將管芯墊11A、第一接合焊盤11B以及第二接合焊盤11C統(tǒng)稱為導(dǎo)電圖案11。
導(dǎo)電圖案11由固定半導(dǎo)體元件TR的管芯墊11A、通過金屬細(xì)線14與半導(dǎo)體元件TR連接的第一接合焊盤11B以及第二接合焊盤11C構(gòu)成。另外，導(dǎo)電圖案11考慮與釬焊材料的粘附性、接合性及鍍敷性而選擇其材料。具體地，作為導(dǎo)電圖案11的材料，選擇由以Cu為主材料的導(dǎo)電箔、以Al為主材料的導(dǎo)電箔或由Fe-Ni等合金構(gòu)成的導(dǎo)電箔等。這里，導(dǎo)電圖案11形成將背面露出并埋入到密封樹脂13中的結(jié)構(gòu)，通過分離槽11電分離。導(dǎo)電圖案11利用蝕刻形成，其側(cè)面形成彎曲面。另外，導(dǎo)電圖案11相互間隔的距離例如為100μm左右。
管芯墊11A在電路裝置10的角部配置為四個(gè)，在其上部固定半導(dǎo)體元件TR。管芯焊盤11A具有正方形的平面形狀，比上部載置的半導(dǎo)體元件TR大一些地形成。另外，各個(gè)管芯墊11A形成同等的尺寸。
第一接合焊盤11B配置在電路裝置10的中心部，通過金屬細(xì)線14與半導(dǎo)體元件TR的源極連接。第一接合焊盤11B具有正方形等對稱的平面形狀。
形成有四個(gè)第二接合焊盤11C，其位于配置在四個(gè)角部的管芯墊11A之間，并通過金屬細(xì)線14與半導(dǎo)體元件TR的源極電連接。另外，第二接合焊盤11C具有相對于電路裝置10的中心方向沿長度方向延伸的長方形的平面形狀。另外，短邊方向的第二接合焊盤11C的寬度形成得比管芯墊11A窄。由此，能夠減小電路裝置10整體的平面尺寸。另外，第二接合焊盤11C配置于電路裝置10各側(cè)邊的中央部，形成相互同等的尺寸。
這里，半導(dǎo)體元件TR采用MOSFET，背面的漏極固定在管芯墊11A上。也可以使用焊錫和導(dǎo)電性膏將半導(dǎo)體元件TR固定在管芯墊11A上。作為半導(dǎo)體元件TR可采用MOSFET以外的晶體管。例如，可以采用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵二極晶體管)及雙極晶體管作為半導(dǎo)體元件TR。
密封樹脂13使導(dǎo)電圖案11的背面露出并覆蓋半導(dǎo)體元件TR、金屬細(xì)線14以及導(dǎo)電圖案11。作為密封樹脂13，可采用熱固化樹脂或熱可塑性樹脂。本發(fā)明的電路裝置10整體由密封樹脂13支承。另外，在將各導(dǎo)電圖案11分離的分離槽17中填充有密封樹脂13。
分離槽17設(shè)置在各導(dǎo)電圖案11之間，具有將各導(dǎo)電圖案11電分離的作用。并且，分離槽17的寬度基本上在任何位置都均等，例如，大于或等于100μm左右。換言之，各導(dǎo)電圖案11等間隔地分隔開。
外部電極15附著在從密封樹脂13露出的導(dǎo)電圖案11的背面。作為外部電極15的材料，可采用共晶鉛焊錫、無鉛焊錫、銀膏、銅膏等。
這里，可以形成基于外部電極15的BGA(Ball GridArray球柵陣列)，也可以為省去了外部電極15的結(jié)構(gòu)。在省去了外部電極15的情況下，形成具有在背面露出的導(dǎo)電圖案11的LGA(Land GridArray焊盤陣列)。
覆蓋樹脂16覆蓋使導(dǎo)電圖案11露出的電路裝置10的背面。形成有外部電極15的區(qū)域的覆蓋樹脂16被部分地去除而形成開口部18。
本實(shí)施方式的電路裝置10中，位于周邊部的管芯墊11A和第二接合焊盤11C相對于中心點(diǎn)以90度為單位旋轉(zhuǎn)對稱地配置。在各導(dǎo)電圖案11的背面形成的外部電極15也相對于中心點(diǎn)以90度為單位旋轉(zhuǎn)對稱地配置。另外，電路裝置10的平面的外形形狀為正方形。因此，即使電路裝置10在平面上旋轉(zhuǎn)90度、180度、270度、360度，導(dǎo)電圖案11和外部電極15也位于相同位置。由此，在安裝電路裝置10時(shí)，能夠大幅地降低安裝方向的制約。
參照圖1(C)說明電路裝置10的內(nèi)部組裝的電路。在電路裝置10中內(nèi)設(shè)四個(gè)半導(dǎo)體元件TR。各半導(dǎo)體元件TR的柵極(控制電極)通過金屬細(xì)線14與第二接合焊盤11C一個(gè)個(gè)地連接。而各半導(dǎo)體元件TR的源極(第一主電極)與第一接合焊盤11B共同連接。各半導(dǎo)體元件TR的漏極(第二主電極)與固定的管芯墊11A一個(gè)個(gè)地連接。因此，各半導(dǎo)體元件TR根據(jù)從第二接合焊盤11C個(gè)別地輸入的控制信號來控制在第一接合焊盤11B和管芯墊11A之間流過的電流。在本實(shí)施方式中，形成于管芯墊11A和第二接合焊盤11C背面的外部電極15相對于電路裝置10的中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
參照圖2說明電路裝置10的背面的結(jié)構(gòu)。圖2(A)是從背面看到的電路裝置10的平面圖。圖2(B)是圖2(A)的B-B′線的剖面圖。圖2(C)是圖2(A)的C-C′線的剖面圖。這里，省略了附著于導(dǎo)電圖案11背面的外部電極15而進(jìn)行圖示。
參照圖2(A)，配置于四角的管芯墊11A的背面從設(shè)于覆蓋樹脂16上的圓形的第二開口部18B部分地露出。第二開口部18B的大小形成得小于管芯墊11A。因此，在第二開口部18B上形成焊錫等構(gòu)成的外部電極時(shí)，利用覆蓋樹脂16來限制外部電極的位置和平面的尺寸。該結(jié)構(gòu)一般被稱為“焊接掩模限定”(solder mask defined)(以下稱為SMD結(jié)構(gòu))。另外，管芯墊11A的背面除了形成有第二開口部18B的位置，還被覆蓋樹脂16覆蓋。因此，通過利用覆蓋樹脂16覆蓋襯底片11A的背面，管芯墊11A的剝離等得到抑制。
第一接合焊盤11B的背面從設(shè)在覆蓋樹脂16上的圓形的第一開口部18A露出。另外，第一開口部18A位于電路裝置10的中心部，其大小與第二開口部18B相等。第一開口部18A由于形成得小于第一接合焊盤18B，故附著在第一接合焊盤11B背面的外部電極的結(jié)構(gòu)稱為SMD結(jié)構(gòu)。
第二接合焊盤11C的背面從設(shè)在覆蓋樹脂16上的矩形的第三開口部18C露出。另外，第三開口部18C位于各個(gè)相鄰邊的中央部。為了減小電路裝置10的平面尺寸，第二接合焊盤11C與管芯墊11A等相比細(xì)長地形成。因此，難以將與圓形的第二開口部18B相同大小的開口部形成在第二接合焊盤11C的背面。因此在本實(shí)施方式中，通過將第三開口部18C形成矩形而增大第二接合焊盤11C的背面露出的面積。
在本實(shí)施方式中，第一開口部18A配置在電路裝置10的中央部。第二開口部18B和第三開口部18C相對于電路裝置10的中心點(diǎn)以90度為單位旋轉(zhuǎn)對稱地配置。因此，即使電路裝置10以90度為單位平面地旋轉(zhuǎn)的情況，第二開口部18B也總是位于角部。另外，第三開口部18C總是位于各側(cè)邊的中央部。因此，在安裝電路裝置10時(shí)，安裝方向的限制被大幅度地降低。
參照圖2(B)和圖2(C)具體說明第二接合焊盤11C和第三開口部18C的相關(guān)結(jié)構(gòu)。
參照圖2(B)，在剖面B-B′中，第二接合焊盤11C的背面整個(gè)從第三開口部18C露出。即，第三開口部的寬度D2形成得大于第二接合焊盤11C的寬度D1。例如，D2為0.25mm左右，D1為0.23mm左右。即，D2比D1大0.02mm左右。因此，在第二接合焊盤11C的背面附著有由焊錫構(gòu)成的外部電極時(shí)，利用第二接合焊盤11C背面的潤濕性來限制外部電極的形狀。該結(jié)構(gòu)一般被稱為“無焊接掩模限定”(non solder mask defined)(以下稱為NSMD結(jié)構(gòu))。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在剖面B-B′中，能夠?qū)⑼獠侩姌O粘附在第二接合焊盤11C背面的整個(gè)區(qū)域上。因此，能夠在第二接合焊盤11C的背面形成盡可能大的外部電極。
參照圖2(C)，在剖面C-C′中，第二接合焊盤11C的兩端部被覆蓋樹脂16覆蓋。即，在該剖面方向上第二接合焊盤11C的寬度D4形成得長于第三開口部18C的寬度D3。例如D4為0.50mm左右，D3為0.30mm左右。第二接合焊盤11C的兩端部由于被覆蓋樹脂16覆蓋而壓入，能夠抑制第二接合焊盤11C的剝離。
另外，在剖面C-C′中，若在第二接合焊盤11C的背面粘附由焊錫構(gòu)成的外部電極，則通過設(shè)置于覆蓋樹脂16上的第三開口部18C來限制外部電極的平面尺寸。即，在剖面C-C′中，利用SMD結(jié)構(gòu)來限制外部電極的形狀。
具有上述結(jié)構(gòu)的電路裝置10內(nèi)設(shè)于手機(jī)、PDA(Personal DigitalAssistant個(gè)人數(shù)字助理)或筆記本電腦等攜帶設(shè)備中。本實(shí)施方式的電路裝置10由于在安裝方向上的制約少，故能夠縮小安裝所占據(jù)的面積。其結(jié)果，有助于攜帶設(shè)備的小型化。
參照圖3說明其他方式的電路裝置10A。
圖3(A)所示的電路裝置10A的基本結(jié)構(gòu)與上述的電路裝置10相同，不同點(diǎn)在于本實(shí)施方式的電路裝置10A具有配線12A、12B、12C。配線12A、12B、12C由導(dǎo)電圖案11的一部分構(gòu)成，作為將內(nèi)設(shè)于電路裝置10A中的電路元件相互電連接的路徑起作用。具體地，配線12A從襯底片11A一體地延伸，以將紙面上位于上部的襯底片11A相互連接。另外，配線12B將管芯焊盤11A和第二接合焊盤11C連接而延伸。配線12C將第二接合焊盤11C相互連接而延伸。
圖3(B)所示的電路裝置10B形成具有支承襯底31的結(jié)構(gòu)。在支承襯底31的表面形成第一導(dǎo)電圖案21A，在背面形成第二導(dǎo)電圖案21B。另外，第一導(dǎo)電圖案21A和第二導(dǎo)電圖案21B貫通支承襯底31而在所希望的位置連接。這里，多個(gè)電路元件被組裝到裝置內(nèi)部。具體地，半導(dǎo)體元件TR和無源元件CH內(nèi)設(shè)于電路裝置中?？刹捎闷瑺铍娙萜骱推瑺铍娮璧茸鳛闊o源元件CH。另外，也可以在裝置內(nèi)部構(gòu)成由多個(gè)電路元件形成的復(fù)雜系統(tǒng)。作為支承襯底31的材料，可普遍采用鋁等金屬、硅等半導(dǎo)體以及樹脂等。
圖3(C)所示的電路裝置10C介由數(shù)十μm左右厚的薄絕緣層32層積第一導(dǎo)電圖案21A和第二導(dǎo)電圖案21B。即，形成雙層的多層配線結(jié)構(gòu)。這里，也可以形成大于或等于三層的多層配線。其他結(jié)構(gòu)與電路裝置10B同樣。
〔第二實(shí)施方式〕接下來參照圖4～圖9說明上述的電路裝置10的制作方法。
如圖4～圖5所示，本發(fā)明的第一工序是通過在導(dǎo)電箔40上形成分離槽17而形成凸?fàn)钔怀龅膶?dǎo)電圖案11。
在本工序中，如圖4(A)所示，準(zhǔn)備片狀的導(dǎo)電箔40。該導(dǎo)電箔40采用以Cu為主材料的導(dǎo)電箔、以Al為主材料的導(dǎo)電箔或由Fe-Ni等合金構(gòu)成的導(dǎo)電箔等。考慮到以后的蝕刻工序，導(dǎo)電箔的厚度最好為100μm～300μm左右。具體地，如圖4(B)所示，在長方形導(dǎo)電箔40上形成有多個(gè)單元的塊42相互分隔而排列有4～5個(gè)。各塊42之間設(shè)有狹縫43，吸收模制工序等的加熱處理所產(chǎn)生的導(dǎo)電箔40的應(yīng)力。另外，在導(dǎo)電箔40的上下周端以一定間隔設(shè)有索引孔，其用于各工序的定位。
首先，如圖4(A)所示，在導(dǎo)電箔40上形成作為耐蝕掩模的抗蝕劑PR。對抗蝕劑PR進(jìn)行構(gòu)圖，使導(dǎo)電箔40中對應(yīng)于預(yù)形成分離槽的區(qū)域的表面露出。以該抗蝕劑PR為蝕刻掩模進(jìn)行濕式蝕刻，由此從抗蝕劑PR露出的導(dǎo)電箔40被蝕刻而形成分離槽。
參照圖5說明在該工序中形成的具體導(dǎo)電圖案11的形狀。圖5(A)是形成有分離槽17的導(dǎo)電箔40的剖面圖，圖5(B)是其平面圖。
參照圖5(A)，通過在導(dǎo)電箔40的表面上形成分離槽17而形成凸?fàn)钔怀龅膶?dǎo)電圖案11。
圖5(B)表示具體的導(dǎo)電圖案11。該圖與圖4(B)所示的塊42的一個(gè)放大后的結(jié)構(gòu)對應(yīng)。虛線包圍的部分的一個(gè)為一個(gè)單元45。在一個(gè)塊42上矩陣狀地排列多個(gè)單元45，每個(gè)單元45上設(shè)有相同的導(dǎo)電圖案11。這里，管芯墊11A、第一接合焊盤11B以及第二接合焊盤11C構(gòu)成導(dǎo)電圖案11。在此，可以形成2行2列四個(gè)單元45，也可以形成多個(gè)單元45。在本工序結(jié)束之后將抗蝕劑PR剝離。
本發(fā)明第二工序如圖6(A)的剖面圖及圖6(B)的平面圖所示，是將半導(dǎo)體元件TR固定在導(dǎo)電圖案11上。
在此，在各單元45的各個(gè)管芯墊11A上固定半導(dǎo)體元件TR。通過金硅共晶接合將半導(dǎo)體元件TR的背面(漏極)接合在管芯墊11A的上面。另外，也可以使用焊錫和導(dǎo)電性膏固定半導(dǎo)體元件TR。
在上述工序結(jié)束之后，通過金屬細(xì)線14進(jìn)行半導(dǎo)體元件TR的電連接。具體地，通過金屬細(xì)線14將位于單元45中心的第一接合焊盤11B和半導(dǎo)體元件TR的漏極連接。通過金屬細(xì)線14將位于管芯墊11A之間的第二接合焊盤11C和半導(dǎo)體元件TR的柵極連接。
如圖7所示，本發(fā)明的第三工序是形成密封樹脂13，并在將各導(dǎo)電圖案11分離之后形成覆蓋樹脂16。
首先，參照圖7(A)，形成密封樹脂13。密封樹脂13覆蓋半導(dǎo)體元件TR和金屬細(xì)線14并填充到分離槽17中而形成。這里，密封樹脂13與導(dǎo)電圖案11側(cè)面的彎曲結(jié)構(gòu)嵌合而牢固地結(jié)合。
然后，參照圖7(B)，從背面對導(dǎo)電箔40進(jìn)行全面地蝕刻，直至填充到分離槽17中的密封樹脂13露出。利用該工序使各導(dǎo)電圖案11電分離。
參照圖7(C)，形成覆蓋樹脂16以將從密封樹脂13露出的導(dǎo)電圖案11覆蓋。為將露出的導(dǎo)電圖案11覆蓋，通過涂敷液狀的樹脂并使其固化而形成覆蓋樹脂16。
本發(fā)明的第四工序是通過如圖8所示部分地去除覆蓋樹脂16而形成開口部。圖8(A)是表示使開口部18曝光的工序的剖面圖，圖8(B)是表示形成有開口部18之后的塊42的平面圖。另外，圖8(A)的剖面圖對應(yīng)于圖8(B)的A-A′剖面。
參照圖8(A)，首先，使覆蓋樹脂16曝光以形成開口部。這里，作為覆蓋樹脂16，使用將已曝光的部分去除的正型抗蝕劑。因此，利用堿性溶劑將覆蓋樹脂16被光線52曝光了的部分去除。另外，也可以采用負(fù)型的抗蝕劑作為覆蓋樹脂16。此時(shí)，圖8(A)的曝光圖案51和曝光部53A等的位置逆轉(zhuǎn)。
曝光掩模50位于覆蓋樹脂16的上方，為將形成有開口部的區(qū)域之外的覆蓋樹脂16遮光而在其表面形成有曝光圖案51。另外，在與開口部對應(yīng)的曝光圖案50上形成有未被曝光圖案51覆蓋的曝光部53A等。在該狀態(tài)下，從曝光掩模51的上方照射平行光線52，則對覆蓋樹脂16中位于曝光部53下方的部分選擇地進(jìn)行曝光。在進(jìn)行曝光之后若將覆蓋樹脂16浸漬到堿溶液中，則覆蓋樹脂16的感光的部分溶融而被剝離，形成開口部。
曝光部53A和曝光部53C對應(yīng)于形成在襯底片11A背面的圓形的第二開口部18B。并且，曝光部53A和曝光部53C的直徑D3形成得比管芯墊11A的寬度D4短。具體地，曝光部53A、53C的直徑D3為0.3mm左右，管芯墊11A的寬度D4為0.5mm左右。因此，通過該工序，管芯墊11A的背面部分地從覆蓋樹脂16露出。
曝光部53B對應(yīng)于在第二接合焊盤11C背面形成的矩形的第三開口部18C。另外，曝光部53B的寬度形成得大于第二接合焊盤11C的寬度。具體地，曝光部53B的寬度D2為0.25mm左右，第二接合焊盤11C的寬度D1為0.23mm左右。因此，第二接合焊盤11C的背面在該剖面中整個(gè)從覆蓋樹脂16露出。
如上所述，通過使曝光部53B的寬度大于第二接合焊盤11C，能夠使第二接合焊盤11C的整個(gè)背面從覆蓋樹脂16露出。例如，曝光掩模50以數(shù)十μm左右的誤差平面地配置時(shí)，曝光部53B也相對第二接合焊盤11C偏離相對位置而配置。此時(shí)，由于曝光部53B的寬度D2相對于第二接合焊盤11C的寬度D1形成得足夠大，故能夠使第二接合焊盤11C整個(gè)背面區(qū)域從覆蓋樹脂16露出。
通過使第二接合焊盤11C的整個(gè)背面區(qū)域從覆蓋樹脂16露出，在以后的工序中，可相對第二接合焊盤11C的整個(gè)背面區(qū)域粘附由焊錫構(gòu)成的外部電極。
本發(fā)明的第五工序如圖9所示，通過切割將密封樹脂13以各個(gè)單元45進(jìn)行分離。圖9(A)是本工序的剖面圖，圖9(B)是本工序的平面圖。
參照圖9(A)和圖9(B)，在從第一開口部18A等露出的導(dǎo)電圖案11的背面粘附外部電極15。作為外部電極15的材料采用焊錫等和導(dǎo)電性膏。另外，在不形成焊錫等的情況下，從覆蓋樹脂16露出外部的導(dǎo)電圖案11而成為外部電極。
在本工序中，利用刮片49沿各單元45之間的分割線分割密封樹脂13，分離成一個(gè)個(gè)電路裝置。由于在分割線上僅存在填充到分離槽17中的密封樹脂13，故刮片49的損耗少，另外，還能夠不產(chǎn)生金屬毛刺而分割成極準(zhǔn)確的外形。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置，其特征在于，具有半導(dǎo)體元件、與所述半導(dǎo)體元件電連接而與外部進(jìn)行電信號的發(fā)送接收的外部電極，將所述外部電極相對于中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
2.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，將所述外部電極以90度為單位旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
3.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述外部電極具有與所述半導(dǎo)體元件的第一主電極連接的第一外部電極、與所述半導(dǎo)體元件的第二主電極連接的第二外部電極以及與所述半導(dǎo)體元件的控制電極連接的第三外部電極，將所述第一外部電極配置在中心部，將所述第二外部電極和所述第三外部電極以包圍所述第一外部電極的方式旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
4.如權(quán)利要求3所述的電路裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件是MOSFET，所述第一主電極是源極，所述第二主電極是漏極，所述控制電極是柵極。
5.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，具有多層的配線結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，內(nèi)設(shè)有與所述半導(dǎo)體元件電連接的無源元件。
7.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，具有在表面形成第一導(dǎo)電圖案、在背面形成第二導(dǎo)電圖案的支承襯底，所述第一導(dǎo)電圖案與所述半導(dǎo)體元件連接，所述第二導(dǎo)電圖案與所述外部電極連接。
8.一種電路裝置，其特征在于，具有導(dǎo)電圖案、固定在所述導(dǎo)電圖案上的半導(dǎo)體元件、使所述導(dǎo)電圖案的背面露出并覆蓋所述半導(dǎo)體元件和所述導(dǎo)電圖案的密封樹脂以及覆蓋從所述密封樹脂露出的所述導(dǎo)電圖案的背面的覆蓋樹脂，使所述導(dǎo)電圖案的背面從所述覆蓋樹脂上設(shè)置的開口部露出，將所述開口部相對于中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
9.如權(quán)利要求8所述的電路裝置，其特征在于，將所述開口部以90度為單位旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
10.如權(quán)利要求8所述的電路裝置，其特征在于，所述開口部具有使與所述半導(dǎo)體元件的第一主電極連接的所述導(dǎo)電圖案露出的第一開口部、使與所述半導(dǎo)體元件的第二主電極連接的所述導(dǎo)電圖案露出的第二開口部以及使與所述半導(dǎo)體元件的控制電極連接的所述導(dǎo)電圖案露出的第三開口部，將所述第一開口部配置在中心部，將所述第二開口部和所述第三開口部以覆蓋所述第一開口部的方式配置。
11.如權(quán)利要求10所述的電路裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件是MOSFET，所述第一主電極是源極，所述第二主電極是漏極，所述控制電極是柵極。
12.如權(quán)利要求10所述的電路裝置，其特征在于，所述第一開口部和所述第二開口部形成圓形，所述第三開口部形成矩形。
13.如權(quán)利要求10所述的電路裝置，其特征在于，所述第二開口部的寬度形成得比與所述半導(dǎo)體元件的第二主電極連接的所述導(dǎo)電圖案窄，所述第三開口部的寬度比與所述半導(dǎo)體元件的控制電極連接的所述導(dǎo)電圖案寬。
14.如權(quán)利要求8所述的電路裝置，其特征在于，內(nèi)設(shè)有與所述半導(dǎo)體元件電連接的無源元件。
15.一種攜帶設(shè)備，其特征在于，具有權(quán)利要求1～14任一項(xiàng)所述的電路裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種在安裝方向上沒有制約的電路裝置(10)。本發(fā)明的電路裝置(10)包括導(dǎo)電圖案(11)，其具有管芯墊(11A)、第一接合焊盤(11B)以及第二接合焊盤(11C)；半導(dǎo)體元件(TR)，其固定在導(dǎo)電圖案上。另外，還具有使導(dǎo)電圖案(11)的背面露出并覆蓋半導(dǎo)體元件(TR)和導(dǎo)電圖案(11)的密封樹脂(13)、將從密封樹脂(13)露出的導(dǎo)電圖案(11)的背面覆蓋的覆蓋樹脂(16)。另外，使導(dǎo)電圖案(11)的背面從設(shè)于覆蓋樹脂(16)上的開口部露出，將開口部相對電路裝置的中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)對稱地配置。
文檔編號H05K1/02GK1805136SQ20051013619
公開日2006年7月19日 申請日期2005年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月27日
發(fā)明者高橋幸嗣, 松木英夫, 伊藤正美, 青木直行 申請人:三洋電機(jī)株式會社