專利名稱：像素結(jié)構(gòu)、有機電致發(fā)光顯示單元及其修補方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其修補方法，尤其涉及一種有機電致發(fā)光顯示單元及其修補方法。
背景技術(shù)：
針對多媒體社會的急速進步，多半受惠于半導(dǎo)體器件或顯示裝置的快速發(fā)展。就顯示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的平板顯示器(Flat Panel Display)已逐漸成為市場的主流。目前市面上的平板顯示器包括液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機電致發(fā)光顯示器(Organic Electro-Luminescence Display)以及等離子體顯示面板(Plasma Display Panel，PDP)等等。其中，由于有機電致發(fā)光顯示器因其無視角限制、低制造成本、高響應(yīng)速度(約為液晶的百倍以上)、省電、直流驅(qū)動、工作溫度范圍大、重量輕與體積小等優(yōu)點，而具有極大的發(fā)展?jié)摿Α?br> 圖1為現(xiàn)有的一種有機電致發(fā)光顯示器的電路示意圖。請參考圖1，現(xiàn)有的有機電致發(fā)光顯示器100包括一基板110、多條掃描配線120、多條數(shù)據(jù)配線130、多條電源線140以及多個顯示單元150。其中，掃描配線120與數(shù)據(jù)配線130配置于基板110上，而適于驅(qū)動其所對應(yīng)的顯示單元150，且顯示單元150透過電源線140而電性連接至一電源P。
如圖1所示，顯示單元150包括一開關(guān)薄膜晶體管(switching TFT)152、一驅(qū)動薄膜晶體管(driving TFT)154、一有機電致發(fā)光器件(OrganicElectro-Luminescence device)156與一電容器158。由圖1可以清楚得知，掃描配線120電性連接至開關(guān)薄膜晶體管152的柵極152a，而數(shù)據(jù)配線130電性連接至開關(guān)薄膜晶體管152的源極152b，且開關(guān)薄膜晶體管152的漏極152c電性連接至驅(qū)動薄膜晶體管154的柵極154a。另外，驅(qū)動薄膜晶體管154的源極154b電性連接至電源線140，而驅(qū)動薄膜晶體管154的漏極154c電性連接至有機電致發(fā)光器件156。此外，電容器158電性連接于驅(qū)動薄膜晶體管154的柵極154a與電源線140之間。
具體而言，開關(guān)薄膜晶體管152被掃描配線120所輸出的電壓開啟后，數(shù)據(jù)配線130可以傳遞電壓信號至驅(qū)動薄膜晶體管154的柵極154a，以開啟驅(qū)動薄膜晶體管154。如此，電源便可以經(jīng)由電源線140以及驅(qū)動薄膜晶體管154而提供至有機電致發(fā)光器件156，以使有機電致發(fā)光器件156達到顯示的目的。此外，數(shù)據(jù)配線130所傳遞的電壓信號能控制驅(qū)動薄膜晶體管154的溝道(未繪示)的開啟程度，進而控制通過驅(qū)動薄膜晶體管154的電流大小。如此一來，有機電致發(fā)光二極管156的發(fā)光強度便可以得到適當(dāng)控制，以使有機電致發(fā)光顯示器100顯示出正確的畫面。
由圖1可知，驅(qū)動薄膜晶體管154在顯示單元150中扮演相當(dāng)關(guān)鍵的角色，當(dāng)驅(qū)動薄膜晶體管154因工藝上的疏失而制作失敗時，將會導(dǎo)致整個有機電致發(fā)光顯示器100的顯示品質(zhì)大幅下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種易于進行修補的像素結(jié)構(gòu)，其保留修補的可能性，以避免像素結(jié)構(gòu)失效。
本發(fā)明的另一目的是提供一種易于進行修補的有機電致發(fā)光顯示單元，其保留修補的可能性，以避免像素結(jié)構(gòu)失效。
本發(fā)明的又一目的是提供一種像素結(jié)構(gòu)的修補方法，以避免像素結(jié)構(gòu)因工藝上的疏失而無法正常顯示的問題。
本發(fā)明的再一目的是提供一種有機電致發(fā)光顯示單元的修補方法，以避免像素結(jié)構(gòu)因工藝上的疏失而無法正常顯示的問題。
為達到上述或是其它目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其適于與至少一掃描配線、至少一數(shù)據(jù)配線以及至少一電源線電性連接，此像素結(jié)構(gòu)包括至少一電流控制單元、至少一像素電極與至少一備用有源器件。其中，電流控制單元與掃描配線、數(shù)據(jù)配線以及電源線電性連接。此外，像素電極與電流控制單元電性連接，而備用有源器件與像素電極以及電流控制單元電性連接，且備用有源器件與電源線電性絕緣。
本發(fā)明提出一種有機電致發(fā)光顯示單元，其適于與至少一掃描配線、至少一數(shù)據(jù)配線以及至少一電源線電性連接，有機電致發(fā)光顯示單元包括上述的像素結(jié)構(gòu)、至少一有機電致發(fā)光層與至少一電極層。其中，有機電致發(fā)光層配置于像素電極上，而電極層配置于有機電致發(fā)光層上。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的電流控制單元包括至少一第一有源器件、至少一第二有源器件與一電容器。其中，第一有源器件具有一第一柵極、一第一源極以及一第一漏極。第一柵極與掃描配線電性連接，而第一源極與數(shù)據(jù)配線電性連接。此外，第二有源器件具有一第二柵極、一第二源極以及一第二漏極。此第二柵極與第一漏極電性連接，而第二源極與電源線電性連接，且第二漏極與像素電極電性連接。另外，電容器電性連接于第二柵極以及電源線之間。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一有源器件可以為一N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二有源器件可以為一N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的備用有源器件具有一第三柵極、一第三源極以及一第三漏極。其中，第三柵極與第一漏極電性連接，而第三源極與電源線電性絕緣，且第三漏極與像素電極電性連接。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的備用有源器件可以為一N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
在本發(fā)明的一實施例中，像素結(jié)構(gòu)可以還包括至少一修補導(dǎo)體層，電性連接于電源線，而第二源極藉由修補導(dǎo)體層與電源線電性連接，且第三源極的部分區(qū)域位于修補導(dǎo)體層上方。
在本發(fā)明的一實施例中，像素結(jié)構(gòu)可以還包括至少一阻擋層，位于修補導(dǎo)體層、第二源極的部分區(qū)域以及第三源極的部分區(qū)域上方。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的阻擋層的覆蓋范圍大于修補導(dǎo)體層的覆蓋范圍。
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的修補方法，其適于修補上述的像素結(jié)構(gòu)，像素結(jié)構(gòu)的修補方法包括下列步驟首先，切斷電流控制單元與電源線之間的電性連接。之后，令電源線與備用有源器件電性連接，以使電源線所提供的電流能夠被電流控制單元以及備用有源器件所控制。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的切斷電流控制單元與電源線之間電性連接的方法可以包括激光切割。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的令電源線與備用有源器件電性連接的方法可以包括激光熔接。
本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光顯示單元的修補方法，其適于修補上述的有機電致發(fā)光顯示單元，有機電致發(fā)光顯示單元的修補方法包括下列步驟首先，切斷電流控制單元與電源線之間的電性連接。之后，令電源線與備用有源器件電性連接，以使電流控制單元以及備用有源器件能夠控制通過有機電致發(fā)光層的電流。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的切斷電流控制單元與電源線之間電性連接的方法可以包括激光切割。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的令電源線與備用有源器件電性連接的方法可以包括激光熔接。
由于本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示單元與像素結(jié)構(gòu)具有與電源線電性絕緣的備用有源器件，因此，當(dāng)?shù)诙性雌骷r，備用有源器件可藉由修補機制(如激光切割、激光熔接)取代失效的第二有源器件，以使有機電致發(fā)光顯示單元與像素結(jié)構(gòu)維持正常的顯示。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1為現(xiàn)有的一種有機電致發(fā)光顯示器的電路示意圖；圖2是本發(fā)明的第一實施例的像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖；圖3是本發(fā)明的第一實施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖4是圖2中所示的修補區(qū)域R的局部剖面示意圖；圖5A～5B是表示圖2中所示的修補區(qū)域R的修補步驟示意圖；圖6A～6B是表示圖2中所示的修補區(qū)域R的修補步驟剖面示意圖；圖7是本發(fā)明的第一實施例的像素結(jié)構(gòu)進行修補后的電路示意圖；圖8是本發(fā)明的第二實施例的有機電致發(fā)光顯示單元的剖面示意圖；圖9A是本發(fā)明的第二實施例的有機電致發(fā)光顯示單元的電路示意圖；圖9B～9D是本發(fā)明的第二實施例的其它類型的有機電致發(fā)光顯示單元的電路示意圖；圖10是圖9A中所示的修補區(qū)域R的局部剖面示意圖；圖11A～11B是表示圖9A中所示的修補區(qū)域R的修補步驟示意圖；
圖12A～12B是表示圖9A中所示的修補區(qū)域R的修補步驟剖面示意圖；圖13是本發(fā)明的第二實施例的有機電致發(fā)光顯示單元進行修補后的電路示意圖。
主要元件符號說明10、11、12、13、14接觸窗開口100有機電致發(fā)光顯示器110基板120、220掃描配線130、230數(shù)據(jù)配線140、240電源線150顯示單元152開關(guān)薄膜晶體管152a、154a柵極152b、154b源極152c、154c漏極154驅(qū)動薄膜晶體管156有機電致發(fā)光二極管158、256電容器200像素結(jié)構(gòu)210基板212緩沖層216介電層218保護層250電流控制單元252第一有源器件254第二有源器件260備用有源器件270像素電極272有機電致發(fā)光層274電極層280修補導(dǎo)體層
290阻擋層300有機電致發(fā)光顯示單元C1第一溝道層C2第二溝道層C3第三溝道層D1第一漏極D2第二漏極D3第三漏極G1第一柵極G2第二柵極G3第三柵極S1第一源極S2第二源極S3第三源極P、P1電源具體實施方式
第一實施例圖2是本發(fā)明第一實施例的像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖。請參考圖2，本實施例的像素結(jié)構(gòu)200適于與至少一掃描配線220、至少一數(shù)據(jù)配線230以及至少一電源線240電性連接，而此電源線240適于電性連接至至少一電源P1。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)200包括至少一電流控制單元250、至少一備用有源器件260以及至少一像素電極270。其中，電流控制單元250與掃描配線220、數(shù)據(jù)配線230以及電源線240電性連接。此外，像素電極270與電流控制單元250電性連接，而備用有源器件260與像素電極270以及電流控制單元250電性連接。這里要特別留意的是，備用有源器件260與電源線240電性絕緣。
具體而言，掃描配線220與數(shù)據(jù)配線230可以將信號傳遞至電流控制單元250，而使得電流控制單元250得以控制由電源P1提供至像素電極270的電流。這里要特別說明的是，電流控制單元250可以是一般業(yè)界俗稱的兩晶體管一電容(2T1C)的設(shè)計、三晶體管一電容(3T1C)的設(shè)計、三晶體管二電容(3T2C)或其它能適當(dāng)控制電流的器件組合，在此并不加以局限。
在一實施例中，電流控制單元250可以包括至少一第一有源器件252、至少一第二有源器件254與至少一電容器256。具體而言，第一有源器件252的柵極G1與掃描配線220電性連接，而第一有源器件252的源極S1與數(shù)據(jù)配線230電性連接。此外，通過掃描配線220而傳遞的電壓信號可以將第一有源器件252開啟，而通過數(shù)據(jù)配線230而傳遞的電壓信號便可以經(jīng)由第一有源器件252而傳導(dǎo)至第二有源器件254。
此外，第二有源器件254的柵極G2與第一有源器件252的漏極D1電性連接，且第二有源器件254的源極S2與電源線240電性連接。另外，電容器256電性連接于第二有源器件254的柵極G2與電源線240之間。由圖2可以清楚得知，電流控制單元250與像素電極270電性連接，此電流控制單元250可以控制輸入像素電極270的電流大小。詳細地說，通過數(shù)據(jù)配線230而傳遞的電壓信號可以控制第二有源器件254的溝道開啟的程度，使得通過第二有源器件254而傳遞至像素電極270的電流大小能得到控制。此外，備用有源器件260與像素電極270以及電流控制單元250電性連接。這里要特別留意的是，備用有源器件260是與電源線240電性絕緣。換言之，電流無法通過電源線240而傳導(dǎo)至備用有源器件260。
圖3是本發(fā)明的第一實施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參考圖3，這里的第一有源器件252、第二有源器件254以及前述的備用有源器件260可以采用頂柵極(Top gate)的晶體管，此備用有源器件260可以選擇與第二有源器件254為相同的器件。換言之，備用有源器件260可以與第二有源器件254通過相同的工藝一并制作于基板210上，而不需通過額外的工藝來制作備用有源器件260。一般來說，在第一有源器件252、第二有源器件254、備用有源器件260與基板210之間可以形成至少一緩沖層212，而于第一有源器件252、第二有源器件254與備用有源器件260上可以覆蓋至少一保護層218。
詳細地說，上述的第一有源器件252例如為至少一薄膜晶體管，此第一有源器件252主要包括一第一柵極G1、一第一源極S1、一第一漏極D1以及一第一溝道層C1。一般而言，在第一柵極G1與第一溝道層C1之間會有至少一柵絕緣層214，而于第一柵極G1與柵絕緣層214上會覆蓋至少一介電層216。另外，第一源極S1與第一漏極D1會分別通過位于介電層216的接觸窗開口10與11而電性連接至第一溝道層C1。上述的第一柵極G1會與掃描配線220電性連接(如圖2所示)，而第一源極S1會與數(shù)據(jù)配線230電性連接(如圖2所示)。
本發(fā)明的第二有源器件254例如為至少一薄膜晶體管，此第二有源器件254主要包括一第二柵極G2、一第二源極S2、一第二漏極D2以及一第二溝道層C2。上述的第二柵極G2與第一漏極D1電性連接(如圖2所示)，而第二源極S2與電源線240電性連接(如圖2所示)，且第二源極S2與第二漏極D2可以分別通過接觸窗開口12與13而電性連接至第二溝道層C2。另外，第二漏極D2可以通過位于保護層218內(nèi)的至少一接觸窗開口14而電性連接至像素電極270。
本發(fā)明的備用有源器件260例如為至少一薄膜晶體管，此備用有源器件260主要包括一第三柵極G3、一第三源極S3、一第三漏極D3以及一第三溝道層C3。其中，第三柵極G3與第一漏極D1電性連接。值得留意的是，第三源極S3與電源線240電性絕緣(如圖2所示)，且第三漏極D3會與像素電極270電性連接(如圖2所示)。
值得留意的是，第一有源器件252、第二有源器件254與備用有源器件260可以皆為以nMOS工藝所制造的N型薄膜晶體管，當(dāng)然，在此并不特別限定，第一有源器件252、第二有源器件254與備用有源器件260也可以皆為以pMOS工藝所制造的P型薄膜晶體管。此外，第一有源器件252也可以為以nMOS工藝所制造的N型薄膜晶體管，則第二有源器件254與備用有源器件260皆為以pMOS工藝所制造的P型薄膜晶體管，當(dāng)然第一有源器件252也可以為以pMOS工藝所制造的P型薄膜晶體管，則第二有源器件254與備用有源器件260皆為以nMOS工藝所制造的N型薄膜晶體管。
這里要特別說明的是，像素電極270的材料例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等的透明材料，則此像素結(jié)構(gòu)200可以適用于底部發(fā)光型的有機電致發(fā)光顯示單元(Bottom Emission OLED)(將在第二實施例中詳述)，當(dāng)此像素電極270為反射性材料時，此像素結(jié)構(gòu)200可以適用于頂部發(fā)光型的有機電致發(fā)光顯示單元(Top Emission OLED)。上述至此，已經(jīng)初步地將本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)200介紹完。
圖4是圖2中所示的修補區(qū)域R的局部剖面示意圖。請參考圖4，本實施例的像素結(jié)構(gòu)200可以還包括至少一修補導(dǎo)體層280，且此修補導(dǎo)體層280通過第二源極S2而與電源線240電性連接(如圖2所示)，且第三源極S3的部分區(qū)域可以位于修補導(dǎo)體層280的上方。由圖4可以清楚得知，本發(fā)明的備用有源器件260是與修補導(dǎo)體層280電性絕緣。
當(dāng)?shù)诙性雌骷?54有制作不良或是有損壞的情況發(fā)生時，即可進行下列修補步驟圖5A是表示圖2中所示的修補區(qū)域R的修補步驟示意圖。請同時參考圖2與圖5A，切斷電流控制單元250與電源線240之間的電性連接。詳細地說，通過切斷第二源極S2與電源線240，以使電流控制單元250與電源線240電性絕緣，而切斷的方式例如是激光切割。請參考圖6A，上述分離第二源極S2與電源線240的方法例如是以激光穿過基板210的背面(基板210未形成器件的面)來切割第二源極S2與電源線240。
圖5B是表示圖2中所示的修補區(qū)域R的修補步驟示意圖。請同時參考圖2與圖5B，令電源線240與備用有源器件260電性連接，以使電源線240所提供的電流能夠被電流控制單元250以及備用有源器件260所控制。請參考圖6B，備用有源器件260的第三源極S3是通過電性連接至修補導(dǎo)體層280而與電源線240電性連接，而連接第三源極S3與修補導(dǎo)體層280的方法例如是激光熔接。
圖7是本發(fā)明的第一實施例的像素結(jié)構(gòu)進行修補后的電路示意圖，請參考圖7，上述的修補方法可以使備用有源器件260與電源線240電性連接以替代第二有源器件254，進而使得整個像素結(jié)構(gòu)200能維持原來的功效。
請再參考圖4，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)200可以還包括至少一阻擋層290，位于修補導(dǎo)體層280、第二源極S2的部分區(qū)域以及第三源極S3的部分區(qū)域上方。此阻擋層290的覆蓋范圍大于修補導(dǎo)體層280的覆蓋范圍。具體而言，阻擋層290主要的功用是在像素結(jié)構(gòu)200進行激光修補時，用以阻擋由基板210背面射入的激光，進而避免激光對不需進行修補的其它膜層造成傷害。這里要特別說明的是，在制作有機電致發(fā)光顯示單元的工藝中，像素結(jié)構(gòu)200若是有制作不良的情況，可立即對像素結(jié)構(gòu)200進行修補。這樣可以避免不良的像素結(jié)構(gòu)200繼續(xù)進行后續(xù)的工藝，以達到節(jié)省制造成本的目的。
第二實施例圖8是本發(fā)明的第二實施例的有機電致發(fā)光顯示單元的剖面示意圖，而圖9A是本發(fā)明的第二實施例的有機電致發(fā)光顯示單元的電路示意圖。請同時參考圖8與圖9A，本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示單元300包括像素結(jié)構(gòu)200、至少一有機電致發(fā)光層272與至少一電極層274。其中，像素結(jié)構(gòu)200已清楚揭露于第一實施例中，而有機電致發(fā)光層272配置于像素電極270上，且電極層274配置于有機電致發(fā)光層272上。
值得留意的是，像素電極270、有機電致發(fā)光層272與電極層274可以構(gòu)成一有機電致發(fā)光器件。具體而言，當(dāng)像素電極270的材料例如是反射性材料，而此電極層274為銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等的透光材料，則此有機電致發(fā)光顯示單元300為頂部發(fā)光型的有機電致發(fā)光顯示單元300(Top Emission OLED)。
當(dāng)像素電極270的材料例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等的透光材料，而此電極層274為反射性材料，則此有機電致發(fā)光顯示單元300為底部發(fā)光型(Bottom Emission OLED)的有機電致發(fā)光顯示單元300。
值得留意的是，第一有源器件252、第二有源器件254與備用有源器件260可以皆為以nMOS工藝所制造的N型薄膜晶體管。當(dāng)然，在此并不特別限定，也可以如圖9B所示，第一有源器件252、第二有源器件254與備用有源器件260也可以皆為以pMOS工藝所制造的P型薄膜晶體管，而上述的有機電致發(fā)光器件則電性連接于第二源極S2與電源P1之間。請參考圖9C，第一有源器件252也可以為以nMOS工藝所制造的N型薄膜晶體管，則第二有源器件254與備用有源器件260皆為以pMOS工藝所制造的P型薄膜晶體管。請參考圖9D，第一有源器件252也可以為以pMOS工藝所制造的P型薄膜晶體管，則第二有源器件254與備用有源器件260皆為以nMOS工藝所制造的N型薄膜晶體管。
由圖8可清楚得知，第二有源器件254的第二漏極D2通過接觸窗開口14而與像素電極270、有機電致發(fā)光層272與電極層274(有機電致發(fā)光二極管)電性連接。這里要說明的是，備用有源器件260的第三源極S3電性絕緣于電源線240，雖然在圖8與圖9A中無法表示，但實質(zhì)上備用有源器件260的第三漏極D3電性連接至像素電極270。
圖10是圖9A中所示的修補區(qū)域R的局部剖面示意圖。請參考圖10，本實施例的有機電致發(fā)光顯示單元300可以還包括至少一修補導(dǎo)體層280，且此修補導(dǎo)體層280與電源線240電性連接。此外，第二源極S2藉由修補導(dǎo)體層280而與電源線240電性連接，且此修補導(dǎo)體層280通過第二源極S2而與電源線240電性連接(如圖9A所示)，且第三源極S3的部分區(qū)域可以位于修補導(dǎo)體層280的上方。由圖10可以清楚得知，本發(fā)明的備用有源器件260是與修補導(dǎo)體層280電性絕緣。
當(dāng)?shù)诙性雌骷?54(如圖9A所示)有制作不良或者是發(fā)生損壞的情況時，即可進行下列修補步驟圖11A是表示圖9A中所示的修補區(qū)域R的修補步驟示意圖。請同時參考圖9A與圖11A，切斷電流控制單元250與電源線240之間的電性連接。詳細地說，通過切斷第二源極S2與電源線240，以使電流控制單元250與電源線240電性絕緣，而切斷的方式例如是激光切割。請參考圖12A，上述分離第二源極S2與電源線240的方法例如是以激光穿過基板210的背面(基板210未形成器件的面)來切割第二源極S2與電源線240。
圖11B是表示圖9A中所示的修補區(qū)域R的修補步驟示意圖。請同時參考圖9A與圖11B，令電源線240與備用有源器件260電性連接，以使電源線240所提供的電流能夠被電流控制單元250以及備用有源器件260所控制。請參考圖12B，備用有源器件260的第三源極S3是通過電性連接至修補導(dǎo)體層280而與電源線240電性連接，而連接第三源極S3與修補導(dǎo)體層280的方法例如是激光熔接。
圖13是本發(fā)明的第二實施例的有機電致發(fā)光顯示單元進行修補后的電路示意圖。由圖13可以清楚得知，上述的修補方法可以使備用有源器件260與電源線240電性連接以替代第二有源器件254，進而使得有機電致發(fā)光顯示單元300能維持正常的顯示功效。
綜上所述，本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示單元與像素結(jié)構(gòu)具有與電源線電性絕緣的備用有源器件與修補導(dǎo)體層。當(dāng)?shù)诙性雌骷r，藉由本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示單元的修補方法與像素結(jié)構(gòu)的修補方法，能使第二有源器件與電源線電性絕緣，并使電源線能通過修補導(dǎo)體層而電性連接至備用有源器件。因此，本發(fā)明的備用有源器件能替代不良的第二有源器件而使像素結(jié)構(gòu)回復(fù)正常的功效，并使有機電致發(fā)光顯示單元能正常顯示。本發(fā)明的備用有源器件可以與第二有源器件一并制成，因此，無須再進行額外的工藝來制作備用有源器件。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)在制作完成后，若是發(fā)現(xiàn)像素結(jié)構(gòu)有制作不良的情況，可立刻對像素結(jié)構(gòu)進行修補，以避免不良的像素結(jié)構(gòu)繼續(xù)進行后續(xù)的工藝，進而達到降低制造成本的目的。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，適于與至少一掃描配線、至少一數(shù)據(jù)配線以及至少一電源線電性連接，該像素結(jié)構(gòu)包括至少一電流控制單元，與該掃描配線、該數(shù)據(jù)配線以及該電源線電性連接；至少一像素電極，與該電流控制單元電性連接；以及至少一備用有源器件，與該像素電極以及該電流控制單元電性連接，且該備用有源器件與該電源線電性絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該電流控制單元包括至少一第一有源器件，具有一第一柵極、一第一源極以及一第一漏極，其中該第一柵極與該掃描配線電性連接，而該第一源極與該數(shù)據(jù)配線電性連接；至少一第二有源器件，具有一第二柵極、一第二源極以及一第二漏極，其中該第二柵極與該第一漏極電性連接，而該第二源極與該電源線電性連接，且該第二漏極與該像素電極電性連接；以及至少一電容器，電性連接于該第二柵極以及該電源線之間。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一有源器件為一N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二有源器件為一N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該備用有源器件具有一第三柵極、一第三源極以及一第三漏極，該第三柵極與該第一漏極電性連接，而該第三源極與該電源線電性絕緣，且該第三漏極與該像素電極電性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該備用有源器件為一N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
7.如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括至少一修補導(dǎo)體層，電性連接于該電源線，其中該第二源極藉由該修補導(dǎo)體層與該電源線電性連接，且該第三源極的部分區(qū)域位于該修補導(dǎo)體層上方。
8.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括至少一阻擋層，位于該修補導(dǎo)體層、該第二源極的部分區(qū)域以及該第三源極的部分區(qū)域上方。
9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該阻擋層的覆蓋范圍大于該修補導(dǎo)體層的覆蓋范圍。
10.一種有機電致發(fā)光顯示單元，適于與至少一掃描配線、至少一數(shù)據(jù)配線以及至少一電源線電性連接，該有機電致發(fā)光顯示單元包括至少一電流控制單元，與該掃描配線、該數(shù)據(jù)配線以及該電源線電性連接；至少一像素電極，與該電流控制單元電性連接；至少一備用有源器件，與該像素電極以及該電流控制單元電性連接，且該備用有源器件與該電源線電性絕緣；至少一有機電致發(fā)光層，配置于該像素電極上；以及至少一電極層，配置于該有機電致發(fā)光層上。
11.如權(quán)利要求10所述的有機電致發(fā)光顯示單元，其中該電流控制單元包括至少一第一有源器件，具有一第一柵極、一第一源極以及一第一漏極，其中該第一柵極與該掃描配線電性連接，而該第一源極與該數(shù)據(jù)配線電性連接；至少一第二有源器件，具有一第二柵極、一第二源極以及一第二漏極，其中該第二柵極與該第一漏極電性連接，而該第二源極與該電源線電性連接，且該第二漏極與該像素電極電性連接；以及至少一電容器，電性連接于第二柵極以及該電源線之間。
12.如權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光顯示單元，其中該第一有源器件為一N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
13.如權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光顯示單元，其中該第二有源器件為一N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
14.如權(quán)利要求10所述的有機電致發(fā)光顯示單元，其中該備用有源器件具有一第三柵極、一第三源極以及一第三漏極，該第三柵極與該第一漏極電性連接，而該第三源極與該電源線電性絕緣，且該第三漏極與該像素電極電性連接。
15.如權(quán)利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示單元，其中該備用有源器件為一N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
16.如權(quán)利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示單元，還包括至少一修補導(dǎo)體層，電性連接于該電源線，其中該第二源極藉由該修補導(dǎo)體層與該電源線電性連接，且該第三源極的部分區(qū)域位于該修補導(dǎo)體層上方。
17.如權(quán)利要求16所述的有機電致發(fā)光顯示單元，還包括至少一阻擋層，位于該修補導(dǎo)體層、該第二源極的部分區(qū)域以及該第三源極的部分區(qū)域上方。
18.如權(quán)利要求17所述的有機電致發(fā)光顯示單元，其中該阻擋層的覆蓋范圍大于該修補導(dǎo)體層的覆蓋范圍。
19.一種像素結(jié)構(gòu)的修補方法，其適于修補如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)的修補方法包括切斷該電流控制單元與該電源線之間的電性連接；以及令該電源線與該備用有源器件電性連接，以使該電源線所提供的電流能夠被該電流控制單元以及該備用有源器件所控制。
20.如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)的修補方法，其中切斷該電流控制單元與該電源線之間電性連接的方法包括激光切割。
21.如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)的修補方法，其中令該電源線與該備用有源器件電性連接的方法包括激光熔接。
22.一種有機電致發(fā)光顯示單元的修補方法，其適于修補如權(quán)利要求10所述的有機電致發(fā)光顯示單元，該有機電致發(fā)光顯示單元的修補方法包括切斷該電流控制單元與該電源線之間的電性連接；以及令該電源線與該備用有源器件電性連接，以使該電流控制單元以及該備用有源器件能夠控制通過該有機電致發(fā)光層的電流。
23.如權(quán)利要求22所述的有機電致發(fā)光顯示單元的修補方法，其中切斷該電流控制單元與該電源線之間電性連接的方法包括激光切割。
24.如權(quán)利要求22所述的有機電致發(fā)光顯示單元的修補方法，其中令該電源線與該備用有源器件電性連接的方法包括激光熔接。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)，其適于與至少一掃描配線、至少一數(shù)據(jù)配線以及至少一電源線電性連接，此像素結(jié)構(gòu)包括至少一電流控制單元、至少一像素電極與至少一備用有源器件。其中，電流控制單元與掃描配線、數(shù)據(jù)配線以及電源線電性連接。像素電極與電流控制單元電性連接，而備用有源器件與像素電極以及電流控制單元電性連接，且備用有源器件與電源線電性絕緣。此外，本發(fā)明還提出一種有機電致發(fā)光顯示單元及其修補方法。
文檔編號H05B33/00GK1822734SQ20061000600
公開日2006年8月23日 申請日期2006年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月23日
發(fā)明者姚智文, 李信宏 申請人:友達光電股份有限公司